N型晶體硅雙面電池及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了N型晶體硅雙面電池，屬于太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，包括N型硅襯底、硼摻雜層、電池的正極、氧化鋁鈍化層、氮化硅減反射層、離子注入磷摻雜層、氮化硅鈍化及減反射層、電池的負(fù)極；本發(fā)明還公開(kāi)了該電池的制備方法，具體包括1）化學(xué)清洗；2）加入硼源；3）下表面注入磷源并退火；4）上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層；5）下表面制備第二氮化硅減反射層；6）制備電池的正極和電池的負(fù)極；7）燒結(jié)。本發(fā)明的N型晶體硅雙面電池，使得電池穩(wěn)定性能提高，降低了對(duì)短波的吸收，提高了藍(lán)光響應(yīng)，提高電池的短路電流密度，電池效率得到提升；制備該電池的方法，簡(jiǎn)化了雙面電池的制程，具有很好的實(shí)用性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】N型晶體硅雙面電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種N型晶體硅雙面電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]雙面電池能更加充分的利用太陽(yáng)光，不僅正面入射的太陽(yáng)光還有背面的散射光等，提高了電池的發(fā)電量，該種電池更適合建筑一體化，以及垂直安裝等應(yīng)用，然而傳統(tǒng)的雙面電池的制備方法復(fù)雜，制備成本高，使得雙面電池大規(guī)模的走向市場(chǎng)遇到了瓶頸。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的在于提供一種N型晶體硅雙面電池，使得電池的穩(wěn)定性能提高，同時(shí)降低了對(duì)短波的吸收，提高了藍(lán)光響應(yīng)，提高了電池的短路電流密度，提升了電池效率；本發(fā)明的另一目的在于提供兩種制備該電池的方法，不僅簡(jiǎn)化了雙面電池的制作過(guò)程，避免了原有的多次擴(kuò)散和掩膜過(guò)程，而且保證了電池優(yōu)異的品質(zhì)。
[0004]技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]N型晶體硅雙面電池，包括N型硅襯底、硼摻雜層、電池的正極、氧化鋁鈍化層、氮化硅減反射層、離子注入磷摻雜層、氮化硅鈍化及減反射層、電池的負(fù)極，在N型硅襯底的上下表面分別設(shè)置了電池的正極和電池的負(fù)極，在電池的正極的下方設(shè)置硼摻雜層；在N型硅襯底的上表面設(shè)有氧化鋁鈍化層，在氧化鋁鈍化層的表面設(shè)有第一氮化硅減反射層；在N型硅襯底的下表面設(shè)有離子注入磷摻雜層，在離子注入磷摻雜層的表面設(shè)有第二氮化娃減反射層。
[0006]制備所述的N型晶體硅雙面電池的方法，其特征在于:包括以下步驟:
[0007]I)化學(xué)清洗
[0008]對(duì)N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型娃襯底；
[0009]2)加入硼源，采用方法一或者方法二來(lái)進(jìn)行:
[0010]方法一、上表面印刷硼摻雜層
[0011]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面印刷硼摻雜層，該印刷硼摻雜層的形狀與電池的正極的截面形狀吻合，印刷后在400°C的烘干爐中烘干，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0012]方法二、上表面注入硼源并退火
[0013]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面注入硼源，在離子束能量6?20kev情況下，離子注入量I X HcnT2?9 X 15cnT2，退火后目標(biāo)方阻為40?120 Ω / 口，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0014]3)下表面注入磷源并退火
[0015]在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量8?15kev情況下，離子注入量IX 15cm_2?7X 15cm_2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在800?IOOO0C的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為40?120 Ω / 口，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型硅襯底；
[0016]4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層
[0017]在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積三氧化二鋁，形成氧化鋁鈍化層；
[0018]在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為的第一氮化硅減反射層；
[0019]5)下表面制備第二氮化硅減反射層
[0020]在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為的第二氮化娃減反射層；
[0021]6)制備電池的正極和電池的負(fù)極
[0022]采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極；
[0023]7)燒結(jié)
[0024]在700?900°C的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
[0025]所述的N型硅襯底為電阻率在0.3 Ω.cm?10 Ω.cm之間的N型硅襯底。
[0026]步驟4)中所述的氧化鋁鈍化層的厚度為5?20nm，并帶有5X102cm_2?3 X 103cm-2的固定負(fù)電荷。
[0027]步驟4)中，所述的第一氮化娃減反射層的厚度為65?75nm ;步驟5)中，所述的第二氮化娃減反射層的厚度為73?86nm。
[0028]發(fā)明原理:本發(fā)明通過(guò)在N型硅襯底上表面局部重?cái)U(kuò)硼，形成一個(gè)局域的PN結(jié)，在N型襯底的上面制備有Al2O3,該Al2O3帶有固定負(fù)電荷，并在A(yíng)l2O3的下面的N型硅中誘導(dǎo)出P+的反型層；αι203的上面沉積有氮化硅減反射層電池背面有重?fù)降牧?，形成背?chǎng)，背場(chǎng)采用SiNx鈍化電池的雙面都可以受光發(fā)電，電極分布電池的兩面。
[0029]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的N型晶體硅雙面電池，由于沒(méi)有硼摻雜的影響，使得電池穩(wěn)定性能提聞，同時(shí)降低了對(duì)短波的吸收，提聞了監(jiān)光響應(yīng)，提聞電池的短路電流密度，電池效率得到提升；制備該電池的方法，利用Al2O3帶有固定負(fù)電荷，在N型襯底的前表面誘導(dǎo)出一個(gè)P型反型層，提供前電場(chǎng)，替代了原有的PN節(jié)，簡(jiǎn)化了雙面電池的制程，具有很好的實(shí)用性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]附圖1N型晶體硅雙面電池結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0032]如圖1所示，N型晶體硅雙面電池，包括N型硅襯底1、硼摻雜層2、電池的正極3、氧化鋁鈍化層4、氮化硅減反射層5、離子注入磷摻雜層6、氮化硅鈍化及減反射層7、電池的負(fù)極8，在N型硅襯底I的上下表面分別設(shè)置了電池的正極3和電池的負(fù)極8，在電池的正極3的下方設(shè)置硼摻雜層2 ;在N型硅襯底I的上表面設(shè)有氧化鋁鈍化層4，在氧化鋁鈍化層4的表面設(shè)有第一氮化娃減反射層5 ;在N型娃襯底I的下表面設(shè)有離子注入磷摻雜層6，在離子注入磷摻雜層6的表面設(shè)有第二氮化硅減反射層7。
[0033]其中，N型硅襯底I的電阻率在0.3 Ω.cm到10 Ω.cm之間。氧化鋁鈍化層4的厚度在5~20nm，并帶有5X 102cm_2~3X 103cm_2的固定負(fù)電荷。第一氮化硅減反射層5的厚度為65~75nm,第二氮化娃減反射層7的厚度為73~86nm。
[0034]實(shí)施例1
[0035]制備N(xiāo)型晶體硅雙面電池的方法，包括以下步驟:
[0036]I)化學(xué)清洗
[0037]對(duì)電阻率為0.3 Ω ^cm的N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底；
[0038]2)上表面印刷硼摻雜層
[0039]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面印刷硼摻雜層，該印刷硼摻雜層的形狀與電池的正極的截面形狀吻合，印刷后在400°C的烘干爐中烘干，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0040]3)下表面注入磷源并退火
[0041]在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量Skev情況下，離子注入量I X 15cm_2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在800°C的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為40 Ω / 口，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型娃襯底；
[0042]4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層
[0043]在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積厚度為5nm的三氧化二鋁，三氧化二鋁所帶的負(fù)電荷是在5 X 1012cm_2，形成氧化鋁鈍化層；
[0044]在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為65nm的第一氮化硅減反射層；
[0045]5)下表面制備第二氮化硅減反射層
[0046]在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為73nm的第二氮化娃減反射層；
[0047]6)制備電池的正極和電池的負(fù)極
[0048]采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極；
[0049]7)燒結(jié)
[0050]在700°C的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
[0051]實(shí)施例2[0052]制備N(xiāo)型晶體硅雙面電池的方法，包括以下步驟:
[0053]I)化學(xué)清洗
[0054]對(duì)電阻率為10 Ω.cm的N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底；
[0055]2)上表面印刷硼摻雜層
[0056]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面印刷硼摻雜層，該印刷硼摻雜層的形狀與電池的正極的截面形狀吻合，印刷后在400°C的烘干爐中烘干，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0057]3)下表面注入磷源并退火
[0058]在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量15kev情況下，離子注入量7 X 15cm_2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在1000°C的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為120Ω/ □，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型硅襯底；
[0059]4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層
[0060]在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積厚度為20nm的三氧化二鋁，三氧化二鋁所帶的負(fù)電荷是在5X1013cm_2，形成氧化鋁鈍化層；
[0061]在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為75nm的第一氮化硅減反射層；
[0062]5)下表面制備第二氮化硅減反射層
[0063]在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為86nm的第二氮化娃減反射層；
[0064]6)制備電池的正極和電池的負(fù)極
[0065]采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方 法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極；
[0066]7)燒結(jié)
[0067]在900°C的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
[0068]實(shí)施例3
[0069]制備N(xiāo)型晶體硅雙面電池的方法，包括以下步驟:
[0070]I)化學(xué)清洗
[0071]對(duì)電阻率為0.3 Ω ^cm的N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底；
[0072]2)上表面注入硼源
[0073]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面注入硼源，在離子束能量6kev情況下，離子注入量I X 14cm-2,退火后目標(biāo)方阻為40 Ω / 口，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0074]3)下表面注入磷源并退火[0075]在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量Skev情況下，離子注入量I X 15cm_2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在800°C的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為40 Ω / 口，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型娃襯底；
[0076]4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層
[0077]在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積厚度為5nm的三氧化二鋁，三氧化二鋁所帶的負(fù)電荷是在5 X 1012cm_2，形成氧化鋁鈍化層；
[0078]在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為65nm的第一氮化硅減反射層；
[0079]5)下表面制備第二氮化硅減反射層
[0080]在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為73nm的第二氮化娃減反射層；
[0081]6)制備電池的正極和電池的負(fù)極
[0082]采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極；
[0083]7)燒結(jié)
[0084]在700°C的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
[0085]實(shí)施例4
[0086]制備N(xiāo)型晶體硅雙面電池的方法，包括以下步驟:
[0087]I)化學(xué)清洗
[0088]對(duì)電阻率為10 Ω.cm的N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底；
[0089]2)上表面注入硼源
[0090]在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面注入硼源，在離子束能量20kev情況下，離子注入量9 X 15cm-2,退火后目標(biāo)方阻為120 Ω / 口，得到具備硼源的N型硅襯底；
[0091]3)下表面注入磷源并退火
[0092]在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量15kev情況下，離子注入量7 X 15cm_2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在1000°C的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為120Ω/ □，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型硅襯底；
[0093]4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層
[0094]在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積厚度為20nm的三氧化二鋁，三氧化二鋁所帶的負(fù)電荷是在5X1013cm_2，形成氧化鋁鈍化層；[0095]在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為75nm的第一氮化硅減反射層；
[0096]5)下表面制備第二氮化硅減反射層
[0097]在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為86nm的第二氮化娃減反射層；
[0098]6)制備電池的正極和電池的負(fù)極
[0099]采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極；
[0100]7)燒結(jié)
[0101]在900°C的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
[0102]實(shí)施例5
[0103]按照實(shí)施例1~4，對(duì)電池成品進(jìn)行品質(zhì)測(cè)定，得到表1如下:
[0104]表1電池品質(zhì)測(cè)定
[0105]
【權(quán)利要求】
1.N型晶體硅雙面電池，其特征在于:包括N型硅襯底(I)、硼摻雜層(2)、電池的正極(3)、氧化鋁鈍化層(4)、氮化硅減反射層(5)、離子注入磷摻雜層(6)、氮化硅鈍化及減反射層(7)、電池的負(fù)極(8)，在N型硅襯底(I)的上下表面分別設(shè)置了電池的正極(3)和電池的負(fù)極(8)，在電池的正極(3)的下方設(shè)置硼摻雜層(2);在N型硅襯底(I)的上表面設(shè)有氧化鋁鈍化層(4)，在氧化鋁鈍化層(4)的表面設(shè)有第一氮化硅減反射層(5);在”型硅襯底(I)的下表面設(shè)有離子注入磷摻雜層(6)，在離子注入磷摻雜層(6)的表面設(shè)有第二氮化硅減反射層(7)。
2.制備權(quán)利要求1所述的N型晶體硅雙面電池的方法，其特征在于:包括以下步驟: .1)化學(xué)清洗 對(duì)N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底； . 2)加入硼源，采用方法一或者方法二來(lái)進(jìn)行: 方法一、上表面印刷硼摻雜層 在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面印刷硼摻雜層，該印刷硼摻雜層的形狀與電池的正極的截面形狀吻合，印刷后在400°C的烘干爐中烘干，得到具備硼源的N型硅襯底； 方法二、上表面注入硼源并退火 在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面注入硼源，在離子束能量6~20kev情況下，離子注入量IX HcnT2~9 X 15 cm—2，退火后目標(biāo)方阻為40~120 Ω/ □，得到具備硼源的N型硅襯底； . 3)下表面注入磷源并退火 在具備硼源的N型硅襯底的下表面注入磷源，在離子束能量8~15keV情況下，離子注入量IX 15 cm^ 7X15 cnT2，然后將注入磷源的N型硅襯底放入退火爐中，在80(T100(TC的溫度范圍內(nèi)退火，退火后目標(biāo)方阻為40-120 Ω/ □，使硼擴(kuò)散倒硅片機(jī)體中，形成局部的PN節(jié)，激活離子注入的磷源，并對(duì)離子注入時(shí)損傷的硅表面進(jìn)行修復(fù)，讓注入的磷源形成背場(chǎng)，得到注入磷源的N型硅襯底；. 4)上表面制備氧化鋁鈍化層和第一氮化硅減反射層 在400°C下，在注入磷源的N型硅襯底的上表面采用原子沉積或者等離子化學(xué)氣相沉積三氧化二鋁，形成氧化鋁鈍化層； 在氧化鋁鈍化層的表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為的第一氮化硅減反射層； . 5)下表面制備第二氮化硅減反射層 在注入磷源的N型硅襯底的下表面采用等離子化學(xué)氣相沉積厚度為的第二氮化硅減反射層；. 6)制備電池的正極和電池的負(fù)極 采用印刷的方法在電池的上表面印刷硼摻雜層的上方印刷銀鋁漿，形成電池的正極；采用印刷的方法在電池的下表面印刷銀漿，形成電池的負(fù)極； .7)燒結(jié) 在70(T90(TC的溫度下，將步驟6)得到的電池在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，讓電池和硅形成歐姆接觸，即得到電池成品。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型晶體硅雙面電池，其特征在于:所述的N型硅襯底為電阻率在0.3 Ω cm~10 Ω cm之間的N型硅襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的N型晶體硅雙面電池，其特征在于:步驟4)中所述的氧化鋁鈍化層的厚度為5~20nm，并帶有5X102 cm—2~3X103cnT2的固定負(fù)電荷。
5.根據(jù)權(quán)利 要求2所述的N型晶體硅雙面電池，其特征在于:步驟4)中，所述的第一氮化硅減反射層的厚度為65~75nm;步驟5)中，所述的第二氮化硅減反射層的厚度為73~86nm。
【文檔編號(hào)】H01L31/0328GK103996721SQ201410209448
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月16日
【發(fā)明者】高艷濤, 張斌, 邢國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)人:奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司