一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括：在半導(dǎo)體襯底上依次形成底部介質(zhì)層-氮化層-頂部氧化層，構(gòu)成硬掩膜層；經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在硬掩膜層中形成開口；以硬掩膜層為掩膜，在半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽結(jié)構(gòu)；對氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕；進(jìn)行清洗與回刻工藝；通過采用對氮化層具有高刻蝕選擇比的清洗藥液，不僅可以對氮化層進(jìn)行回刻，還可以進(jìn)行清洗工藝，從而在一步工藝中完成清洗工藝和氮化層的回刻，避免了采用傳統(tǒng)的磷酸進(jìn)行氮化層回刻造成半導(dǎo)體襯底產(chǎn)生大量缺陷，提高了所制備的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量；并且，與現(xiàn)有的方法相比，簡化了工藝步驟，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI)是半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中的重要結(jié)構(gòu)，請參閱圖1，為傳統(tǒng) 的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖，其包括以下步驟：
[0003] 步驟L01 :在半導(dǎo)體襯底上依次形成底部介質(zhì)層-氮化層-頂部氧化層，構(gòu)成硬掩 膜層；
[0004] 步驟L02 :經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在硬掩膜層中形成開口；
[0005] 步驟L03 :以硬掩膜層為掩膜，刻蝕半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽結(jié) 構(gòu)；
[0006] 步驟L04 :對氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕，以去除在該內(nèi)側(cè)壁上形成的氧 化膜；
[0007] 這是由于在工藝過程中，氮化層開口的側(cè)壁表面會與水蒸汽、氧等反應(yīng)生成硅氧 氮或硅氧化物，類似于氧化物，這種氧化物膜覆蓋在氮化層開口的內(nèi)側(cè)壁表面，氮化層回刻 工藝中，所采用的刻蝕藥液對氧化物不產(chǎn)生刻蝕速率，如果不將氮化層開口內(nèi)側(cè)壁表面的 氧化物膜去除掉，將導(dǎo)致氮化層的刻蝕不能夠順利進(jìn)行；由此，輕刻蝕所采用的刻蝕工藝為 現(xiàn)有的去除氧化物的工藝，比如，等離子體干法刻蝕工藝等。
[0008] '輕刻蝕'是業(yè)界所熟知的工藝，其刻蝕量非常微小，相對于所刻蝕的薄膜層的厚 度可以忽略不計(jì)，'輕刻蝕'通常用于清潔薄膜層的表面，去除表面的氧化物、玷污等。比如， 這里，相對于氮化層、頂部氧化層、底部介質(zhì)層的厚度均可以忽略不計(jì)，'輕刻蝕'只是將氮 化層開口的內(nèi)側(cè)壁的氧化物膜去除，起到清洗氮化層開口內(nèi)側(cè)壁表面的作用。
[0009] 步驟L05 :以頂部氧化層為掩膜，采用磷酸對氮化層進(jìn)行回刻，以擴(kuò)大氮化層的開 Π ；
[0010] 步驟L06 :進(jìn)行清洗工藝；
[0011] 步驟L07 :將頂部氧化層剝離掉；
[0012] 步驟L08 :在淺溝槽結(jié)構(gòu)中生長襯墊氧化膜、以及采用高密度等離子體氧化膜填 充淺溝槽結(jié)構(gòu)，從而形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0013] 在上述傳統(tǒng)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備工藝中，如果不加入氮化層回刻工藝，則在 后面的高密度等離子體氧化膜（HDP)填充工藝中，會出現(xiàn)兩種缺陷：
[0014] I、STI的拐角處很容易形成空洞。由于在集成電路制造工藝中存在大量的濕法刻 蝕氧化層的工藝，該空洞很容易被不斷的擴(kuò)大。如果后續(xù)的工藝中還有氮化層或者多晶硅 生長和刻蝕的工藝，則氮化層或多晶硅膜會長在該空洞中，在該空洞中的膜幾乎無法被刻 蝕掉，從而形成殘留物；
[0015] II、在STI的拐角處很容易形成凹陷（divot)，造成后續(xù)生長的多晶硅膜往下搭， 很容易形成寄生電路。
[0016] 因此，在傳統(tǒng)的STI工藝中加入了氮化層回刻工藝，可以達(dá)到讓HDP填充到有源區(qū) 的效果，從而也能避免空洞的產(chǎn)生。但是，傳統(tǒng)的氮化層回刻的時間較短，比如3?lOmin， 并且，短時間的氮化膜回刻工藝的可控性比較差，比如，僅僅在相同的藥液槽里，采用磷酸 Η3Ρ04對氮化層回刻4分鐘，其刻蝕差異可達(dá)130A以上（從100A到230A)，主要原因在于 ： 通常Η3Ρ04藥液在作業(yè)完一定批次或一定時間后才會更換新藥液，這種重復(fù)使用、以及較寬 的加熱溫度差異（差異為+/_5度），最終導(dǎo)致較短時間內(nèi)磷酸對氮化層的刻蝕產(chǎn)生較大的 差異。
[0017] 此外，采用傳統(tǒng)的氮化層回刻工藝，由于磷酸直接接觸硅襯底，而硅襯底往往是斥 水性的表面，造成磷酸在后續(xù)的清洗工藝中很難去除，形成大量缺陷。因此，在磷酸回刻氮 化層后需要增加一道工藝步驟來去除硅襯底表面的缺陷，由于磷酸回刻之后，在硅襯底上 產(chǎn)生的缺陷的成分含Si、0,與氧化硅類似，所以可以采用去除氧化層的方法來去除這類缺 陷；然后再進(jìn)行清洗。這樣的工藝順序，無疑增加了工藝步驟和成本，影響了流片速度。
[0018] 由此可見，現(xiàn)有的氮化層回刻工藝不穩(wěn)定，容易造成氮化層刻蝕不均勻，影響所形 成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，并且工藝步驟繁多、影響生產(chǎn)效率，增加了成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 為了克服以上問題，本發(fā)明的目的在于改進(jìn)現(xiàn)有的氮化層回刻方法，不僅能夠提 高氮化層刻蝕的均勻性以及所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，還能夠簡化工藝步驟，提高 生產(chǎn)效率。
[0020] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括：
[0021] 在半導(dǎo)體襯底上依次形成底部介質(zhì)層-氮化層-頂部氧化層，構(gòu)成硬掩膜層；
[0022] 經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在所述硬掩膜層中形成開口；
[0023] 以所述硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽 結(jié)構(gòu)；
[0024] 對所述氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕；
[0025] 進(jìn)行清洗與回刻工藝；其中，在進(jìn)行清洗的過程中，以所述頂部氧化層為掩膜，采 用對所述氮化層具有高刻蝕選擇比的清洗藥液對所述氮化層進(jìn)行回刻，以擴(kuò)大所述氮化層 的開口；
[0026] 將所述頂部氧化層剝離掉；
[0027] 在所述淺溝槽結(jié)構(gòu)中生長襯墊氧化膜、以及填充氧化膜，從而形成所述的淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)。
[0028] 優(yōu)選地，在進(jìn)行所述清洗與回刻工藝之后，還包括進(jìn)行再清洗工藝。
[0029] 優(yōu)選地，所述清洗與回刻工藝包括：采用H2S04和H 202混合而成的標(biāo)準(zhǔn)清洗藥液進(jìn) 行清洗過程，同時所述標(biāo)準(zhǔn)清洗藥液對所述氮化層進(jìn)行回刻。
[0030] 進(jìn)一步地，所述H2S04與H20 2的體積比為（10?1) : (1?10)。
[0031] 優(yōu)選地，進(jìn)行所述清洗與回刻工藝所采用的時間為10?30min。
[0032] 優(yōu)選地，所述清洗與回刻工藝中所采用的溫度為100-150° C。
[0033] 優(yōu)選地，對所述氮化層的回刻的厚度為150-250A。
[0034] 優(yōu)選地，采用HF+NH4F+H20混合而成的緩沖氧化物刻蝕溶液對所述氮化層的開口 的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行濕法輕刻蝕。
[0035] 優(yōu)選地，采用HF+NH4F+H20混合而成的緩沖氧化物刻蝕溶液剝離掉所述頂部氧化 層。
[0036] 優(yōu)選地，在所述淺溝槽結(jié)構(gòu)中填充氧化膜至所述氮化層中。
[0037] 本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，通過采用對氮化層具有高刻蝕選擇比的清 洗藥液，不僅可以對氮化層進(jìn)行回刻，還可以同時進(jìn)行清洗工藝，從而在一步工藝中完成清 洗工藝和氮化層的回刻，由于該高刻蝕選擇比的清洗藥液在去除半導(dǎo)體襯底上的玷污的同 時，還對氮化層具有一定的刻蝕速率，從而通過合理控制清洗時間，就可以實(shí)現(xiàn)對氮化層的 回刻，避免了采用傳統(tǒng)的磷酸進(jìn)行氮化層回刻造成半導(dǎo)體襯底產(chǎn)生大量缺陷，提高了所制 備的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量；并且，與現(xiàn)有的方法相比，簡化了工藝步驟，降低了成本，提高 了生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038] 圖1為傳統(tǒng)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖
[0039] 圖2為本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖
[0040] 圖3-8為本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的各個步驟所 形成的結(jié)構(gòu)示意圖

【具體實(shí)施方式】
[0041] 為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一 步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也 涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0042] 如前所述，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備中，采用傳統(tǒng)的磷酸對氮化層進(jìn)行回刻，不僅 會對半導(dǎo)體襯底造成大量缺陷，還會增加工藝步驟和成本，從而降低生產(chǎn)效率，為此，本發(fā) 明改進(jìn)了現(xiàn)有的氮化層回刻方法，將清洗過程和氮化層的回刻過程在同一步驟中完成，也 即是在清洗過程中完成對氮化層的回刻，這就需要在清洗過程中采用對氮化層具有一定刻 蝕速率的清洗藥液，該清洗藥液同時發(fā)揮清洗和刻蝕的作用，從而避免傳統(tǒng)方法對半導(dǎo)體 襯底造成的大量缺陷，提高所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，并進(jìn)一步簡化了工藝步驟，降 低了工藝成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0043] 以下將結(jié)合附圖2-8和具體實(shí)施例對本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法作詳 細(xì)說明。其中，圖2為本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖，圖3-8為本發(fā)明 的一個較佳實(shí)施例的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法的各個步驟所形成的結(jié)構(gòu)示意圖。需說明 的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說 明本實(shí)施例的目的。
[0044] 請參閱圖2,本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，可以包括以下步驟：
[0045] 步驟S01 :請參閱圖3,在半導(dǎo)體襯底1上依次形成底部介質(zhì)層2-氮化層3-頂部 氧化層4,構(gòu)成硬掩膜層；
[0046] 具體的，本發(fā)明的半導(dǎo)體襯底1可以為單晶硅襯底，或多晶硅襯底，還可以為鍺硅 襯底、絕緣層上的硅襯底（SOI)等；可以但不限于采用化學(xué)氣相沉積法來生長硬掩膜層中 的底部介質(zhì)層2、氮化層3和頂部氧化層4 ;硬掩膜層中的各層的厚度可以根據(jù)實(shí)際工藝要 求來設(shè)定，本發(fā)明對此不作限制。底部介質(zhì)層2的成分可以為氧化物；氮化層3的成分可以 為氮化硅；頂部氧化層4的成分可以為氧化硅。在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，頂部氧化層 4 為 50-500A。
[0047] 步驟S02 :請參閱圖4,經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在硬掩膜層中形成開口；
[0048] 具體的，在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，可以包括：首先，采用光刻工藝，包括涂覆 光刻膠、圖案化光刻膠；然后，以圖案化的光刻膠為掩膜，可以但不限于采用等離子體干法 刻蝕工藝來刻蝕硬掩膜層，從而在硬掩膜層中形成要制備的淺溝槽結(jié)構(gòu)的圖案；如圖4所 示，在硬掩膜層中形成一開口，此開口作為后續(xù)刻蝕淺溝槽結(jié)構(gòu)過程中的工藝窗口。
[0049] 在圖案化硬掩膜層之后，還可以包括去除光刻膠、清洗半導(dǎo)體襯底等步驟，由于本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以知曉這些工藝過程，本發(fā)明對此不再贅述。
[0050] 步驟S03 :請參閱圖5,以硬掩膜層為掩膜，刻蝕半導(dǎo)體襯底1，在半導(dǎo)體襯底1中 形成淺溝槽結(jié)構(gòu)；
[0051] 具體的，在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，可以但不限于采用等離子體干法刻蝕工 藝來刻蝕半導(dǎo)體襯底1，硬掩膜層中的開口作為刻蝕窗口，從而形成淺溝槽結(jié)構(gòu)，淺溝槽結(jié) 構(gòu)可以包括傾斜側(cè)壁、梯形、矩形等形狀，本發(fā)明對此不作限制。
[0052] 步驟S04 :對氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕；
[0053] 具體的，可以采用濕法刻蝕進(jìn)行輕刻蝕，在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，采用 HF+NH4F+H20混合而成的緩沖氧化物刻蝕溶液（BOE，buffered oxide etch)進(jìn)行濕法輕刻 蝕。
[0054] 如前所述，在工藝過程中，硬掩膜層的開口的內(nèi)側(cè)壁表面會產(chǎn)生氧化物膜，特別是 在氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁上，如不去除，將會影響到后續(xù)氮化層回刻的順利進(jìn)行；因此，可 以采用濕法輕刻蝕氮化層開口的內(nèi)側(cè)壁表面；與此同時，由于頂部氧化層的成分為氧化物， 在對該內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕的時候，頂部氧化層也不可避免地會被刻蝕掉一些，但是，由于輕 刻蝕的刻蝕的量非常微小，不會影響到后續(xù)工藝，因此，該輕刻蝕過程中，對頂部氧化層的 刻蝕可以忽略不考慮。同理，如果底部介質(zhì)層的成分是氧化物，也存在非常微量的刻蝕，但 均可以忽略不考慮。
[0055] 需要說明的是，頂部氧化層作為掩膜層，其發(fā)揮的作用為：一是在刻蝕淺溝槽結(jié)構(gòu) 時作為掩膜層，二是在氮化層回刻時作為掩膜層保護(hù)氮化層頂部不受刻蝕損傷。
[0056] 步驟S05 :請參閱圖6,進(jìn)行清洗與回刻工藝；
[0057] 具體的，本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)在清洗過程中同時對氮化層3的回刻，在清洗工藝中進(jìn) 行了如下改進(jìn)：以頂部氧化層4為掩膜，采用對氮化層3具有高刻蝕選擇比的清洗藥液對 氮化層3進(jìn)行回刻，以擴(kuò)大氮化層3的開口；與此同時，進(jìn)行清洗工藝，清洗整個半導(dǎo)體襯 底，包括對半導(dǎo)體襯底和其上的硬質(zhì)掩膜層、淺溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的清洗。這樣，清洗過程中，只要 合理控制時間，就可以完成對氮化層3的回刻。
[0058] 當(dāng)然，在清洗與回刻工藝之后，還可以進(jìn)行再清洗工藝，以確保將整個半導(dǎo)體襯底 及其上的各種結(jié)構(gòu)等清洗干凈。
[0059] 在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，可以包括以下過程：
[0060] 首先，進(jìn)行清洗與回刻工藝：采用H2S04和H20 2混合而成的標(biāo)準(zhǔn)清洗藥液（SPM)進(jìn) 行清洗過程，在此過程中，標(biāo)準(zhǔn)清洗藥液對氮化層3進(jìn)行回刻；
[0061] 由于SPM藥液對氮化層3具有一定的刻蝕速率，所以，只要適當(dāng)?shù)难娱LSPM的清洗 時間，即可實(shí)現(xiàn)對氮化層3的回刻。具體的工藝參數(shù)可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來設(shè)定。較佳 地，清洗與回刻工藝所采用的時間（也即是氮化層3的回刻時間）可以為10?30min ;H2S04 與H202的體積比可以為（10?1) : (1?10);清洗與回刻工藝所采用的溫度（也即是對氮 化層3進(jìn)行回刻所采用的溫度）可以為100-150° C。最終對氮化層3的回刻厚度可以為 150-250A。
[0062] 同時，由于SPM可以將金屬玷污等去除，從而可以清洗去除掉整個半導(dǎo)體襯底中 (包括硬質(zhì)掩膜層表面和淺溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)）的金屬玷污等殘留。
[0063] 然后，進(jìn)行再清洗工藝：采用ΝΗ3 · Η20、Η202和H20混合而成的標(biāo)準(zhǔn)一號藥液（APM) 來進(jìn)行清洗過程。
[0064] 這里，APM主要用于去除顆粒等，由于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以知曉其具體的清 洗過程，本發(fā)明對此不再贅述。
[0065] 步驟S06 :請參閱圖7,將頂部氧化層4剝離掉；
[0066] 具體的，可以采用濕法刻蝕工藝將頂部氧化層4剝離掉，比如，可以采用Β0Ε剝離 掉頂部氧化層。由于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以知曉該剝離的具體過程，本發(fā)明對此不再 贅述。
[0067] 步驟S07 :請參閱圖8,在淺溝槽結(jié)構(gòu)中生長襯墊氧化膜5、以及填充氧化膜6,從而 形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0068] 具體的，可以采用高密度等離子體氧化膜（HDP)填充工藝對淺溝槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行填 充，所填充的氧化膜6的頂部可以至氮化層3中，具體的，所填充的氧化膜6的頂部可以高 于氮化層3的底部且低于氮化層3的頂部，如圖8所示。這是因?yàn)?，后續(xù)還要將氮化層3去 除，填充的氧化膜6只需要高于底部介質(zhì)層2即可。
[0069] 綜上所述，本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，通過在進(jìn)行清洗的過程中，采用 對氮化層具有高刻蝕選擇比的清洗藥液，不僅可以對氮化層進(jìn)行回刻，還可以進(jìn)行清洗過 程，從而在一步工藝中完成清洗過程和對氮化層的回刻，避免了采用傳統(tǒng)的磷酸進(jìn)行氮化 層回刻造成半導(dǎo)體襯底產(chǎn)生大量缺陷，提高了所制備的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的質(zhì)量；并且，與現(xiàn) 有的方法相比，簡化了工藝步驟，降低了成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0070] 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而 已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若 干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 在半導(dǎo)體襯底上依次形成底部介質(zhì)層-氮化層-頂部氧化層，構(gòu)成硬掩膜層； 經(jīng)光刻和刻蝕工藝，在所述硬掩膜層中形成開口； 以所述硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽結(jié) 構(gòu)； 對所述氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行輕刻蝕； 進(jìn)行清洗與回刻工藝；其中，在進(jìn)行清洗的過程中，以所述頂部氧化層為掩膜，采用對 所述氮化層具有高刻蝕選擇比的清洗藥液對所述氮化層進(jìn)行回刻，以擴(kuò)大所述氮化層的開 Π ； 將所述頂部氧化層剝離掉； 在所述淺溝槽結(jié)構(gòu)中生長襯墊氧化膜、以及填充氧化膜，從而形成所述的淺溝槽隔離 結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在進(jìn)行所述清洗 與回刻工藝之后，還包括進(jìn)行再清洗工藝。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述清洗與回刻 工藝包括：采用H2S0 4和H202混合而成的標(biāo)準(zhǔn)清洗藥液進(jìn)行清洗過程，同時所述標(biāo)準(zhǔn)清洗藥 液對所述氮化層進(jìn)行回刻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述H2S04與H20 2 的體積比為（10?1) : (1?10)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，進(jìn)行所述清洗 與回刻工藝所采用的時間為10?30min。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述清洗與回 刻工藝中所采用的溫度為100-150°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，對所述氮化層 的回刻的厚度為150-250A。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，采用HF+NH4F+H20 混合而成的緩沖氧化物刻蝕溶液對所述氮化層的開口的內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行濕法輕刻蝕。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，采用HF+NH4F+H20 混合而成的緩沖氧化物刻蝕溶液剝離掉所述頂部氧化層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述淺溝槽結(jié) 構(gòu)中填充氧化膜至所述氮化層中。
【文檔編號】H01L21/762GK104064510SQ201410215749
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月20日
【發(fā)明者】姚嫦媧 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司