技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種AlyInxGa1?x?yN薄膜的外延結(jié)構(gòu)及生長方法，自下而上依次包括：襯底、AlN緩沖層、InxGa1?xN(0≤x≤1)緩沖層、AlyGa1?yN(0≤y≤1)掩模層和AlyInxGa1?x?yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主層，其特征在于：在所述AlyGa1?yN掩模層中、InxGa1?xN(0≤x≤1)緩沖層和AlyInxGa1?x?yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主層之間，設(shè)有呈間隔排布、豎向的微孔，在每個(gè)微孔的下對應(yīng)位置的InxGa1?xN緩沖層中設(shè)有一個(gè)空腔；微孔的直徑小于空腔的直徑。本發(fā)明是通過一次性在線生長的外延工藝，在襯底與外延材料之間的緩沖層中設(shè)計(jì)了大量的空腔，這種空腔有兩個(gè)作用：(1)增加了薄膜柔性，為應(yīng)力的弛豫提供了變形空間，可以釋放AlyInxGa1?x?yN薄膜所受到的來自襯底的應(yīng)力；(2)對于發(fā)光器件，空腔增強(qiáng)了界面反射，故可提高光的提取效率。

技術(shù)研發(fā)人員：全知覺;劉軍林;吳小明;江風(fēng)益
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南昌大學(xué);南昌黃綠照明有限公司
文檔號碼：201410219231
技術(shù)研發(fā)日：2014.05.23
技術(shù)公布日：2017.01.18