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一種可量產(chǎn)的perl晶體硅太陽電池的制作方法

文檔序號:7049098閱讀:189來源:國知局
一種可量產(chǎn)的perl晶體硅太陽電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括硅片去損傷并制絨、清洗;磷擴散;背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗;背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長;正面氮化硅減反射薄膜生長;背面印刷p型摻雜劑并烘干;背面的p型摻雜劑印刷區(qū)域采用激光進行局域重摻雜;超聲清洗;背面印刷背電極及鋁背場,正面印刷銀柵線;燒結(jié),測試。本發(fā)明步驟簡單、易于操作,是一種可量產(chǎn)高效晶硅太陽能電池的制備方法,其主要特點為在商業(yè)化的工業(yè)設(shè)備基礎(chǔ)上,充分利用目前企業(yè)生產(chǎn)線已具備的常規(guī)電池生產(chǎn)設(shè)備,充分減少設(shè)備投資,且不增加電池每瓦制造成本。
【專利說明】—種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域,涉及到一種涉及晶體硅太陽能電池背面鈍化以及金屬化區(qū)域局域摻雜形成局域背場技術(shù),特別涉及一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在能源匱乏、資源短缺以及環(huán)境污染等問題日益突出的背景下,利用自然資源太陽能發(fā)電,已被當作解決全球變暖以及化石燃料枯竭問題的對策,受到世界各國的青睞。然而較高的生產(chǎn)成本制約著其應(yīng)用范圍,且隨著政府補貼大幅削減,降低電池片的生產(chǎn)成本,提高發(fā)電效率成為各生產(chǎn)廠家迫在眉睫的問題。
[0003]現(xiàn)代化太陽能電池工業(yè)化生產(chǎn)朝著高效低成本化方向發(fā)展,背鈍化與金屬化區(qū)域局域重摻雜技術(shù)相結(jié)合作為高效低成本發(fā)展方向的代表,其優(yōu)勢在于:
(1)優(yōu)異的背反射器:由于電池背面介質(zhì)膜的存在使得內(nèi)背反射從常規(guī)全鋁背場65%增加到92-95%。一方面增加的長波光的吸收,另一方面尤其對未來薄片電池的趨勢提供了技術(shù)上的保證;
(2)介質(zhì)薄膜優(yōu)越的背面鈍化技術(shù):由于背面介質(zhì)膜的良好的鈍化作用,介質(zhì)薄膜區(qū)域的背面復(fù)合速率降低至10-50cm/s ;
(3)金屬化區(qū)域局域重摻雜技術(shù):金屬與硅的接觸區(qū)域?qū)嵭兄負诫s,重摻雜使得該區(qū)域的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子的差距數(shù)量級地拉大,復(fù)合需要兩種載流子的參與,少數(shù)載流子的數(shù)量級降低少抑制了金屬化區(qū)域的復(fù)合,這就使得背面金屬化區(qū)域的復(fù)合速率可以地達到 2000-5000cm/s。
[0004]雖然該電池結(jié)構(gòu),澳大利亞新南威爾士大學早在上世紀九十年代就已經(jīng)提出,并且獲得世界紀錄25%的晶硅太陽電池,但是一種適合工業(yè)化生產(chǎn)的工藝方法并沒有確定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的在于針對目前現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提出一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法。
[0006]技術(shù)方案:為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取了如下的技術(shù)方案:
一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括以下步驟:
(I)娃片去損傷并制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體,對選擇的P型娃片去損傷后在堿液下進行表面絨面化,然后在酸性條件下進行化學清洗,除去表面雜質(zhì);
(2 )磷擴散:對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,擴散自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗;
(4)在硅片的背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長;
(5)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長; (6)在硅片的背面印刷ρ型摻雜劑并烘干;
(7)在硅片的背面的ρ型摻雜劑印刷區(qū)域采用激光進行局域重摻雜;
(8)對硅片進行超聲清洗;
(9)在硅片的背面印刷背電極及鋁背場,正面印刷銀柵線;
(10)燒結(jié),測試。
[0007]優(yōu)選的,步驟I中選擇的P型娃片其電阻率為0.5-6 ohm*cm,對娃片的制絨、清洗具體為:用質(zhì)量分數(shù)為0.5-2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75-85°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為0.5-30%的氫氟酸進行清洗。
[0008]優(yōu)選的,步驟2中磷擴散采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在600-900°C的溫度下,采用P0C13對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體硅方阻為20_150ohm/sq。
[0009]優(yōu)選的,步驟3中的背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗的方法,是采用在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃,實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
[0010]優(yōu)選的,步驟4中的電池背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長采用SiNx、SiCx或TiOx進行鈍化,所述的氧化鋁薄膜的厚度為l-100nm。
[0011]優(yōu)選的,步驟5中采用PECVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為50-120nm,所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0012]優(yōu)選的,步驟6中在硅的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印的方法印刷ρ型摻雜劑,所述的P型摻雜劑為硼漿,印刷的圖形為平行的直線,線寬為5-150 um,線間距為200 um-5mm ;步驟7中采用激光對硅片的背面的ρ型摻雜劑進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬10-150um,所述的P型摻雜劑為硼漿。
[0013]優(yōu)選的,超聲清洗時所用的清洗溶液為質(zhì)量濃度為0.5-2%的NaOH和異丙醇混合溶液。
[0014]優(yōu)選的,步驟9中采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷背電極及鋁背場。
[0015]優(yōu)選的,步驟9中背電極及鋁背場的印刷可以在電池背面的疊層膜生長結(jié)束后,印刷Al漿并烘干,直接利用LFC工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場。
[0016]有益效果:采用上述技術(shù)方案的本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
具體而言,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采取的技術(shù)方案具有以下突出的優(yōu)勢:
1、本發(fā)明步驟簡單、易于操作,是一種可量產(chǎn)高效晶硅太陽能電池的制備方法,其主要特點為在商業(yè)化的工業(yè)設(shè)備基礎(chǔ)上,充分利用目前企業(yè)生產(chǎn)線已具備的常規(guī)電池生產(chǎn)設(shè)備,充分減少設(shè)備投資,且不增加電池每瓦制造成本;
2、采用本發(fā)明技術(shù)方案制備出的單晶電池轉(zhuǎn)換效率批次平均效率達到20.6%。且光衰減,正面主柵,背面電極和鋁背場拉力,以及組件端可靠性測試均符合TUV標準;
3、本發(fā)明通過硼摻雜的方法克服了高效能可量產(chǎn)的背鈍化點接觸晶體硅太陽能電池背面局域鋁背場處,光生載流子復(fù)合速率高的缺點;
4、本發(fā)明金屬化區(qū)域的局域背場采用激光摻雜的方法,此激光摻雜同時實現(xiàn)薄膜開孔和開孔區(qū)域重摻雜,效率高,減少了工序,節(jié)約了成本。【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明的晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖并通過具體的實施例對本發(fā)明做進一步闡述。
[0019]圖1是采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備出的晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖,圖中:1-正面Ag電極、2-SiNx減反膜、3-磷擴散層、4-P型硅基體、5-氧化鋁/保護膜、6-背面Al層、7-選擇性磷重摻雜層、8-硼局域重摻雜區(qū)域。
[0020]實施例1:
一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:
選擇156_P型單晶娃片為基體材料,其電阻率為I ohm*cm,對選擇的ρ型娃片去損傷后用質(zhì)量分數(shù)為0.5%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為1%的氫氟酸進行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴散:采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在600°C的溫度下,采用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體娃方阻為25ohm/sq,擴散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進行磷擴散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為5%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背表面生長氧化鋁鈍化膜,膜的厚度約25nm;
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜,疊層膜的厚度為40nm ;
(7)在硅片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化硅減反膜,減反膜的8厚度為50nm ;
(8)在硅片的背面,采用硼漿絲網(wǎng)印刷或噴墨打印印刷,然后烘干,印刷的圖形為平行的直線,線寬為50 um,線間距為800 um ;
(9)在硅片的背表面的硼漿上采用激光(532nm,綠光)進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬25um ;
(10)對硅片進行超聲清洗,清洗溶液為質(zhì)量濃度為1.5%的NaOH溶液和異丙醇混合溶液,其中NaOH溶液和異丙醇的體積比為1:1 ;
(11)在硅片的背表面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD(物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法印刷背電極及鋁背場,在硅片的前表面印刷柵線;
(12)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為450°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進行性能測試。[0021]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0022]實施例2:
一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:
選擇156_P型單晶娃片為基體材料,其電阻率為2 ohm*cm,對選擇的ρ型娃片去損傷后用質(zhì)量分數(shù)為1%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在80°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為5%的氫氟酸進行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴散:采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在750°C的溫度下,采用POCl3對娃片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體娃方阻為100ohm/sq,擴散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進行磷擴散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為1%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背表面生長氧化鋁鈍化膜,膜的厚度約IOnm;
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜,疊層膜的厚度為120nm;
(7)在硅片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化硅減反膜,減反膜的8厚度為80nm ;
(8)在硅片的背面,采用硼漿絲網(wǎng)印刷或噴墨打印印刷,然后烘干,印刷的圖形為平行的直線,線寬為120 um,線間距為Imm;
(9)在硅片的背表面的硼漿上采用激光(532nm,綠光)進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬50um ;
(10)對硅片進行超聲清洗,清洗溶液為質(zhì)量濃度為0.5%的NaOH溶液和異丙醇混合溶液,其中NaOH溶液和異丙醇的體積比為1:1;
(11)在硅片的背表面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD(物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法印刷背電極及鋁背場,在硅片的前表面印刷柵線;
(12)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為600°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進行性能測試。
[0023]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0024]實施例3:
一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:
選擇156_P型單晶娃片為基體材料,其電阻率為3 ohm*cm,對選擇的ρ型娃片去損傷后用質(zhì)量分數(shù)為2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在85°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為15%的氫氟酸進行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴散:采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在800°C的溫度下,采用POCl3對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體硅方阻為150ohm/Sq,擴散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進行磷擴散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為30%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背表面生長氧化鋁鈍化膜,膜的厚度約IOOnm;
(6)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜,疊層膜的厚度為200nm;
(7)在硅片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化硅減反膜,減反膜的8厚度為120nm ;
(8)在硅片的背面,采用硼漿絲網(wǎng)印刷或噴墨打印印刷,然后烘干,印刷的圖形為平行的直線,線寬為150 um,線間距為5mm;
(9)在硅片的背表面的硼漿上采用激光(532nm,綠光)進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬150um ;
(10)對硅片進行超聲清洗,清洗溶液為質(zhì)量濃度為2%的NaOH溶液和異丙醇混合溶液,其中NaOH溶液和異丙醇的體積比為1:1;
(11)在電池背面的疊層膜生長結(jié)束后,印刷Al漿并烘干,直接利用LFC(激光燒結(jié)法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場,然后在在硅片的前表面印刷柵線;
(12)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為800V,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進行性能測試。
[0025]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0026]實施例4:
一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:
選擇156_P型單晶娃片為基體材料,其電阻率為6 ohm*cm,對選擇的ρ型娃片去損傷后用質(zhì)量分數(shù)為2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在85°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為30%的氫氟酸進行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴散:采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在900°C的溫度下,采用POCl3對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體硅方阻為145ohm/Sq,擴散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進行磷擴散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為28%的氫氟酸溶液清洗; (5)在硅片的前表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氮化硅減反膜,減反膜的8厚度為IOOnm ;
(6)在硅片的背表面生長氧化鋁鈍化膜,膜的厚度約65nm;
(7)在娃片的背表面用PECVD(等離子化學氣相沉積)的方法生長氧化娃/氮化娃疊層膜,疊層膜的厚度為150nm;
(8)在硅片的背面,采用硼漿絲網(wǎng)印刷或噴墨打印印刷,然后烘干,印刷的圖形為平行的直線,線寬為135m,線間距為3mm ;
(9)在硅片的背表面的硼漿上采用激光(532nm,綠光)進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬IlOum ;
(10)對硅片進行超聲清洗,清洗溶液為質(zhì)量濃度為1.5%的NaOH溶液和異丙醇混合溶液,其中NaOH溶液和異丙醇的體積比為1:1 ;
(11)在電池背面的疊層膜生長結(jié)束后,印刷Al漿并烘干,直接利用LFC(激光燒結(jié)法)工藝形成背面點接觸的背電極及鋁背場,然后在在硅片的前表面印刷柵線;
(12)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為700°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進行性能測試。
[0027]步驟5、6、7的順序可以顛倒。
[0028]采用上述實施的技術(shù)方案制備出的晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率批次平均效率達到20.6%。且光衰減,正面主柵,背面電極和鋁背場拉力,以及組件端可靠性測試均符合TUV標準。
[0029]以上所述是本發(fā)明的較為優(yōu)選的實施例,應(yīng)當指出:對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:包括以下步驟: (I)娃片去損傷并制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體,對選擇的P型娃片去損傷后在堿液下進行表面絨面化,然后在酸性條件下進行化學清洗,除去表面雜質(zhì); (2 )磷擴散:對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,擴散自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的; (3)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗; (4)在硅片的背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長; (5)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長; (6)在硅片的背面印刷ρ型摻雜劑并烘干; (7)在硅片的背面的ρ型摻雜劑印刷區(qū)域采用激光進行局域重摻雜; (8)對硅片進行超聲清洗; (9)在硅片的背面印刷背電極及鋁背場,正面印刷銀柵線; (10)燒結(jié),測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟I中選擇的P型硅片其電阻率為0.5-6 ohm*Cm,對硅片的制絨、清洗具體為:用質(zhì)量分數(shù)為0.5-2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75-85°C下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分數(shù)為0.5-30%的氫氟酸進行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟2中磷擴散采用管式磷擴散的方法,具體是在擴散爐中在600-900°C的溫度下,采用POC13對硅片的正面進行磷擴散形成η型層,使P型晶體硅方阻為20-150ohm/Sq。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟3中的背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗的方法,是采用在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃,實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分數(shù)為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟4中的電池背面氧化鋁/氮化硅疊層薄膜生長采用SiNx、SiCx或TiOx進行鈍化,所述的氧化鋁薄膜的厚度為l-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟5中采用PECVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為50-120nm,所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟6中在硅的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印的方法印刷ρ型摻雜劑,所述的P型摻雜劑為硼漿,印刷的圖形為平行的直線,線寬為5-150 um,線間距為200 um-5mm ;步驟7中采用激光對硅片的背面的P型摻雜劑進行局域重摻雜,摻雜區(qū)域線寬10-150um,所述的ρ型摻雜劑為硼漿。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:超聲清洗時所用的清洗溶液為質(zhì)量濃度為0.5-2%的NaOH和異丙醇混合溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟9中采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷背電極及鋁背場。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可量產(chǎn)的PERL晶體硅太陽電池的制作方法,其特征在于:步驟9中背電極及鋁背場的印刷可以在電池背面的疊層膜生長結(jié)束后,印刷Al漿并烘干,直接利用LFC工藝形 成背面點接觸的背電極及鋁背場。
【文檔編號】H01L31/18GK103996746SQ201410219828
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】夏正月, 高艷濤, 崔會英, 錢亮, 何銳, 陳同銀, 劉仁中, 董經(jīng)兵, 張雪, 謝烜, 張斌, 邢國強 申請人:奧特斯維能源(太倉)有限公司
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