背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的本發(fā)明提供了一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括硅片去損傷并制絨、清洗;磷擴(kuò)散;背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗;背面氧化鋁薄膜生長;正面氮化硅減反射薄膜生長;激光開膜;背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線;燒結(jié),測試。本發(fā)明步驟簡單、易于操作,是一種可量產(chǎn)高效晶硅太陽能電池的制備方法,其主要特點為在商業(yè)化的工業(yè)設(shè)備基礎(chǔ)上,充分利用目前企業(yè)生產(chǎn)線已具備的常規(guī)電池生產(chǎn)設(shè)備,充分減少設(shè)備投資,且不增加電池每瓦制造成本。
【專利說明】背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域,涉及到一種背鈍化點接觸晶體硅太陽能電池的制備方法,特別涉及一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的背鈍化點接觸晶體硅太陽能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在能源匱乏、資源短缺以及環(huán)境污染等問題日益突出的背景下,利用自然資源太陽能發(fā)電,已被當(dāng)作解決全球變暖以及化石燃料枯竭問題的對策,受到世界各國的青睞。然而較高的生產(chǎn)成本制約著其應(yīng)用范圍,且隨著政府補貼大幅削減,降低電池片的生產(chǎn)成本,提高發(fā)電效率成為各生產(chǎn)廠家迫在眉睫的問題。
[0003]現(xiàn)代化太陽能電池工業(yè)化生產(chǎn)朝著高效低成本化方向發(fā)展,背鈍化與金屬化區(qū)域局域重?fù)诫s技術(shù)相結(jié)合作為高效低成本發(fā)展方向的代表,其優(yōu)勢在于:
(1)優(yōu)異的背反射器:由于電池背面介質(zhì)膜的存在使得內(nèi)背反射從常規(guī)全鋁背場65%增加到92-95%。一方面增加的長波光的吸收,另一方面尤其對未來薄片電池的趨勢提供了技術(shù)上的保證;
(2)介質(zhì)薄膜優(yōu)越的背面鈍化技術(shù):由于背面介質(zhì)膜的良好的鈍化作用,介質(zhì)薄膜區(qū)域的背面復(fù)合速率降低至10-50cm/s。
[0004]目前主流的產(chǎn) 業(yè)型背鈍化電池,主要采用氧化鋁/保護(hù)膜雙層薄膜作為背面鈍化結(jié)構(gòu),來防止背面鋁漿對氧化鋁薄膜的侵蝕。保護(hù)膜通常采用氮化硅,薄膜工藝的成本非常高,多了一步薄膜沉積,設(shè)備投資和生產(chǎn)成本均會顯著增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的在于針對目前現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提出一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法。
[0006]技術(shù)方案:為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取了如下的技術(shù)方案:
一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括以下步驟:
(1)娃片去損傷并制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體,對選擇的P型娃片去損傷后在堿液下進(jìn)行表面絨面化,然后在酸性條件下進(jìn)行化學(xué)清洗,除去表面雜質(zhì);
(2)磷擴(kuò)散:對硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,擴(kuò)散自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗;
(4)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長;
(5)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長;
(6)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜;
(7)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線;
(8)燒結(jié),測試。[0007]所述步驟I中選擇的P型硅片其電阻率為0.5-6 ohm*cm,對硅片的制絨、清洗具體為:用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75-85°C下對P型娃片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-30%的氫氟酸進(jìn)行清洗。
[0008]所述步驟2中磷擴(kuò)散采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在600-900°C的溫度下,采用POCl3對硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體硅方阻為20-150ohm/sq0
[0009]所述步驟3中的背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗的方法,是采用在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃,實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
[0010]所述步驟4中的氧化鋁薄膜的厚度為l-100nm。
[0011]所述步驟5中采用PECVD、ALD或APCVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為50-120nm。
[0012]所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0013]所述步驟6中的激光開膜是采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為5-150 um,間距為 200 um_5mm。
[0014]所述步驟7中采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層。
[0015]有益效果:采用上述技術(shù)方案的本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
具體而言,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采取的技術(shù)方案具有以下突出的優(yōu)勢:
1、本發(fā)明步驟簡單、易于操作,是一種可量產(chǎn)高效晶硅太陽能電池的制備方法,其主要特點為在商業(yè)化的工業(yè)設(shè)備基礎(chǔ)上,充分利用目前企業(yè)生產(chǎn)線已具備的常規(guī)電池生產(chǎn)設(shè)備,充分減少設(shè)備投資,且不增加電池每瓦制造成本;
2、采用本發(fā)明技術(shù)方案制備出的晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率批次平均效率達(dá)到20.1%。且光衰減,正面主柵,背面電極和鋁背場拉力,以及組件端可靠性測試均符合TUV標(biāo)準(zhǔn);
3、本發(fā)明的背鈍化點接觸電池的背面僅僅采用單層氧化鋁作為背面鈍化結(jié)構(gòu),無需沉積其他薄膜作為保護(hù)膜,在保障了電池的高性能的提前洗,減少了工序,節(jié)約了原料,節(jié)約了成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖并通過具體的實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
[0018]圖1是采用本發(fā)明的技術(shù)方案制備出的晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖,圖中:1-正面Ag電極、2-SiNx減反膜、3-磷擴(kuò)散層、4-P型硅基體、5-氧化鋁層、6-背面非燒穿型Al層。
[0019]實施例1:
一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括以下步驟:
(I)硅片去損傷并制絨、清洗:選擇156mm P型單晶硅片為基體材料,其電阻率為Iohm.cm,對選擇的p型硅片去損傷后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75°C下對P型硅片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的氫氟酸進(jìn)行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴(kuò)散:采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在600°C的溫度下,采用POCl3對娃片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體娃方阻為25ohm/sq,擴(kuò)散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進(jìn)入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長,氧化鋁薄膜的厚度為5nm;
(6)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長,用PECVD、ALD或APCVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為55nm ;
(7)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜:采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為15 um,間距為250um ;
(8)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線:其中背面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層;
(9)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為450°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進(jìn)行性能測試。
[0020]所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0021]實施例2:
一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:選擇156mmP型單晶硅片為基體材料,其電阻率為3ohm.cm,對選擇的P型硅片去損傷后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在80°C下對P型硅片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的氫氟酸進(jìn)行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴(kuò)散:采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在700°C的溫度下,采用POCl3對娃片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體娃方阻為100ohm/sq,擴(kuò)散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進(jìn)入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長,氧化鋁薄膜的厚度為15nm;
(6)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長,用PECVD(等離子化學(xué)氣相沉積)、ALD (原子層沉積)或APCVD (常壓化學(xué)氣相沉積)的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為80nm ;
(7)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜:采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為40um,間距為Imm ;
(8)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線:其中背面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD (物理氣相沉積)蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層;
(9)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為600°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進(jìn)行性能測試。
[0022]所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0023]實施例3:
一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括以下步驟:
(1)硅片去損傷并制絨、清洗:選擇156mmP型單晶硅片為基體材料,其電阻率為4.5ohm.cm,對選擇的P型硅片去損傷后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.5%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在85°C下對P型硅片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%的氫氟酸進(jìn)行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴(kuò)散:采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在800°C的溫度下,采用POCl3對硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體硅方阻為120ohm/Sq,擴(kuò)散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進(jìn)入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的氫氟酸溶液清洗;
(5)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長,氧化鋁薄膜的厚度為65nm;
(6)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長,用PECVD、ALD或APCVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為IOOnm ;
(7)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜:采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為100 um,間距為2.5mm ;
(8)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線:其中背面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層;
(9)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為700°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進(jìn)行性能測試。
[0024]所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0025]實施例4:
一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,包括以下步驟:
(I)硅片去損傷并制絨、清洗:選擇156mm P型單晶硅片為基體材料,其電阻率為5.5ohm.cm,對選擇的P型硅片去損傷后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在85°C下對P型硅片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的氫氟酸進(jìn)行清洗去除雜質(zhì);
(2)磷擴(kuò)散:采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在900°C的溫度下,采用POCl3對硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體硅方阻為150ohm/Sq,擴(kuò)散后自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的;
(3)激光(532nm,綠光)利用磷硅玻璃作為摻雜源實現(xiàn)選擇性發(fā)射結(jié),激光摻雜區(qū)的方阻為 55ohm/sq ;
(4)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長,氧化鋁薄膜的厚度為IOOnm;
(5)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗:采用濕法在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃(雖然僅僅在硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成磷硅玻璃,但是磷硅玻璃會滲透進(jìn)入硅片的背面),實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%的氫氟酸溶液清洗;
(6)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長,用PECVD、ALD或APCVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為120nm;
(7)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜:采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為150 um,間距為5mm ;
(8)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線:其中背面采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層;
(9)燒結(jié),測試:在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)的溫度為800°C,形成完整的電池片N+PP+結(jié)構(gòu),結(jié)束后,對制備出的電池進(jìn)行性能測試。
[0026]所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
[0027]采用上述實施的技術(shù)方案制備出的晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率批次平均效率達(dá)到20.1%。且光衰減,正面主柵,背面電極和鋁背場拉力,以及組件端可靠性測試均符合TUV標(biāo)準(zhǔn)。
[0028]以上所述是本發(fā)明的較為優(yōu)選的實施例,應(yīng)當(dāng)指出:對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:包括以下步驟: (I)娃片去損傷并制絨、清洗:選擇P型娃片作為娃基體,對選擇的P型娃片去損傷后在堿液下進(jìn)行表面絨面化,然后在酸性條件下進(jìn)行化學(xué)清洗,除去表面雜質(zhì); (2 )磷擴(kuò)散:對硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,擴(kuò)散自然形成的磷硅玻璃作為電池正面的掩膜,實現(xiàn)背面去除發(fā)射結(jié)以及拋光的目的; (3)背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗; (4)在硅片的背面氧化鋁薄膜生長; (5)在硅片的正面氮化硅減反射薄膜生長; (6)激光開膜:在硅片的背表面用激光刻蝕氧化鋁薄膜; (7)背面印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層,正面印刷銀柵線; (8)燒結(jié),測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟I中選擇的P型娃片其電阻率為0.5-6 ohm*cm,對娃片的制絨、清洗具體為:用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在75-85°C下對P型娃片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-30%的氫氟酸進(jìn)行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟2中磷擴(kuò)散采用管式磷擴(kuò)散的方法,具體是在擴(kuò)散爐中在600-900°C的溫度下,采用POClJt硅片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η型層,使P型晶體硅方阻為20-150ohm/Sq。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟3中的背面磷硅玻璃去除,并實現(xiàn)背面拋光,去除磷硅玻璃并清洗的方法,是采用在線滾輪式設(shè)備,背面去除磷硅玻璃,實現(xiàn)背面拋光,然后去除正面磷硅玻璃,然后采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5-30%的氫氟酸溶液清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟4中的氧化鋁薄膜的厚度為l-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟5中采用PECVD、ALD或APCVD的方法生長氮化硅減反射薄膜,其中氮化硅減反射膜的厚度為50-120nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:所述步驟4和步驟5的順序可以顛倒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟6中的激光開膜是采用線陣的方式進(jìn)行刻蝕氧化鋁薄膜,線陣的線寬為5-150 um,間距為 200 um_5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面單層氧化鋁作為鈍化膜的晶體硅太陽能電池制備方法,其特征在于:步驟7中采用鋁漿絲網(wǎng)印刷的方法或PVD蒸鍍鋁的方法來印刷電極及不腐蝕氧化鋁的鋁層。
【文檔編號】H01L31/18GK103996747SQ201410220006
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】夏正月, 高艷濤, 崔會英, 錢亮, 何銳, 陳同銀, 劉仁中, 董經(jīng)兵, 張雪, 謝烜, 張斌, 邢國強 申請人:奧特斯維能源(太倉)有限公司