一種基于紫外或藍(lán)光led芯片產(chǎn)生白光的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于紫外或藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述方法是通過所述紫外LED芯片激發(fā)由藍(lán)色余輝發(fā)光材料A和黃色發(fā)光材料B組成的發(fā)光粉產(chǎn)生白光，其中，所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A是：Sr4Al14O25：Eu2+，Dy3+、CaS：Bi3+，Na+、Sr2MgSi2O7：Eu2+，Dy3+、CaS：Cu+，Na+或CaSrS：Bi3+中的至少一種，所述黃色發(fā)光材料B是：Y2O3·Al2O3·SiO2：Ce·B·Na·P、Tb3Al5O12：Ce、Y2O2S：Mg，Ti、Sr3SiO5：Eu2+，Dy3+、CaS：Sm3+、YAG：Ce、Y3Al5O12：Ce、Ca2MgSi2O7：Eu2+，Dy3+或TAG：Ce中的至少一種，所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A與所述黃色發(fā)光材料B的重量配比是10～70wt％：30～90wt％，在提供未經(jīng)整流成直流電的交流電的情況下，所述發(fā)光粉能夠與LED芯片配合發(fā)出低頻閃的白光。
【專利說明】一種基于紫外或藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法
[0001] 本發(fā)明是原申請?zhí)枮镃N201080065355. 9、原申請日為2010年7月9日、原發(fā)明名 稱為白光LED照明裝置的分案申請，優(yōu)先權(quán)號(hào)為CN201010123249. 3，其中，所述原申請是基 于國際申請?zhí)朠CT/CN2010/075081進(jìn)入中國國家階段的發(fā)明專利申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及LED照明領(lǐng)域，尤其涉及一種基于紫外或藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方 法。

【背景技術(shù)】
[0003] 目前，LED用于照明、顯示和背光源等領(lǐng)域，并以其節(jié)能、耐用、無污染等優(yōu)點(diǎn)作為 最有希望的下一代照明方式而引起廣泛的重視。實(shí)現(xiàn)白光LED有多種方案，其中采用藍(lán) 光LED芯片和黃色熒光粉組合來實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射是當(dāng)前制備白光LED最為成熟的技術(shù)方案。 1967年《Appl.Phys.Lett.》第11卷第53頁報(bào)道了發(fā)光材料Y 3A15012 :Ce3+，該材料具有黃色 發(fā)光，最強(qiáng)發(fā)光波長在550納米，壽命小于100納秒。1997年《Appl. Phys. A》第64期417 頁報(bào)道了利用Y3A15012 :Ce3+的黃色發(fā)光和藍(lán)光氨化嫁實(shí)現(xiàn)了 LED白光發(fā)射，此技術(shù)是當(dāng)前 制備白光LED最為成熟的技術(shù)方案。但在實(shí)際應(yīng)用中，隨著工作中器件溫度的升高，藍(lán)光 LED芯片和熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度都會(huì)下降，而且熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度下降更為顯著，這就影響 LED的使用。傳統(tǒng)LED都用直流電做為驅(qū)動(dòng)能源，然而目前不論是家庭、工商業(yè)或公共用電， 大多以交流電的方式提供，因此在使用LED作為照明等用途時(shí)必須附帶整流變壓器將交流 /直流轉(zhuǎn)換，才能確保LED的正常運(yùn)作。但在交流/直流轉(zhuǎn)換的過程中，有高達(dá)15?30% 的電力耗損，同時(shí)轉(zhuǎn)換設(shè)備成本也很可觀，在安裝上也費(fèi)工費(fèi)時(shí)，效率不高。CN100464111C 公布了一種利用不同發(fā)光顏色的LED芯片并聯(lián)在交流電源中的交流LED燈，主要描述不同 顏色的LED芯片在一起構(gòu)成白光，及其具體電路，如紅、綠和藍(lán)色發(fā)光芯片，而沒有涉及發(fā) 光粉。美國專利US7, 489, 086B2公布了一種交流LED驅(qū)動(dòng)裝置及使用它的照明器件。該專 利也著重于電路的組成，面對(duì)發(fā)光粉未見創(chuàng)新報(bào)道，仍然是使用傳統(tǒng)Y 3Al5012:Ce3+發(fā)光粉。
[0004] 關(guān)于發(fā)光粉的改進(jìn)，中國專利CN101118935A公開了白光LED及其照明裝置。該發(fā) 明要解決的技術(shù)問題在于提供具有發(fā)光效率高、顯色性好和蓄光性的白光LED。其具有以下 技術(shù)特征：包括紫光、紫外或藍(lán)光的LED芯片及形成于所述LED芯片的發(fā)光面上，并由在所 述紫光、紫外或藍(lán)光激發(fā)下分別發(fā)出不同顏色的光的紅色熒光粉、綠色熒光粉和選擇藍(lán)綠 色突光粉、橙（或黃）色突光粉中至少一種突光粉構(gòu)成的突光粉層，所述突光粉可以由雙組 份熒光粉組成，一個(gè)組分具有蓄光性，另一組分具有非蓄光性。但是該發(fā)明完全未涉及在交 流電下使用的LED，更未提到頻閃、發(fā)熱的問題。
[0005] 中國專利CN101052254B公開了驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的方法。該發(fā)明的目的是提供一種 驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的方法，電源經(jīng)脈沖發(fā)生裝置產(chǎn)生具有一定占空比的超額定脈沖電流，所述 超額定脈沖電流的頻率為ΙΚΗζ至1GHz，該超額定脈沖電流驅(qū)動(dòng)LED間隔、超亮度發(fā)光，間隔 的頻率達(dá)到一定的高頻，人的眼睛識(shí)別到的是連續(xù)的發(fā)光。該發(fā)明的技術(shù)手段是使脈沖電 流間隔的頻率達(dá)到一定高頻（ΙΚΗζ至1GHz)，目的是利用人眼的視覺暫留的生理現(xiàn)象使得 人的肉眼無法識(shí)別發(fā)光器件的波動(dòng)。在此種情況下雖然人眼無法識(shí)別脈沖發(fā)光的波動(dòng)性， 但實(shí)際上LED依然是在脈沖波動(dòng)光下進(jìn)行工作。對(duì)于采用幾十至幾百赫茲的脈沖電流，如 何才能達(dá)到白光LED照明裝置不產(chǎn)生頻閃，采用什么樣組分的發(fā)光涂層能克服脈沖電供電 時(shí)，當(dāng)電流周期變化時(shí)，造成的光輸出不穩(wěn)定，頻閃對(duì)眼睛的傷害，這些是不可預(yù)知的，沒有 從根本上解決頻閃問題。
[0006] 中國專利CN101208813B公開了用于交流電力操作的發(fā)光裝置。該發(fā)明公開的交 流發(fā)光裝置具有由若干發(fā)光單元串聯(lián)構(gòu)成的LED晶片。這些晶片在交流電源下工作的前 提是必須采用橋式整流器。眾所周知，橋式整流器的作用是把交流電變?yōu)橹绷麟姡匀粵]有 擺脫LED驅(qū)動(dòng)電路對(duì)整流器的依賴，并不能明顯提升LED照明設(shè)備整體使用壽命和降低成 本。雖然在文件最后部分有提到"延遲磷光體衰減時(shí)間為1毫秒以上，該延遲磷光體可以采 用各種已知熒光粉"的技術(shù)構(gòu)想，但是從描述可以看出這純粹只是一種猜想，而沒有投入實(shí) 用，同時(shí)僅概念性提出了交流直接驅(qū)動(dòng)LED芯片與熒光粉的組合，但其中根本就沒有公開 任何技術(shù)細(xì)節(jié)。
[0007] 通過對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的分析，中國專利CN101118935A、中國專利CN101052254B和 中國專利CN101208813B及其結(jié)合都沒有給出采用交流直接驅(qū)動(dòng)LED芯片發(fā)出低頻閃光線 的技術(shù)方案。
[0008] 本發(fā)明的發(fā)明人研究了一種具有黃色長余輝現(xiàn)象的Υ203 ·Α1203 *Si02 :Ce ·Β *Na ·Ρ 發(fā)光材料以及使用它的白光LED照明裝置（中國專利申請200910307357. 3)。目前，仍然需 要進(jìn)行對(duì)用于交流LED白光照明裝置的發(fā)光材料的研究，以克服溫度淬滅效應(yīng)和交流電流 方向改變給交流LED白光照明裝置帶來的影響，為LED白光照明領(lǐng)域提供更多選擇。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的是提供一種新的LED白光照明裝置。
[0010] 本發(fā)明的技術(shù)方案：藍(lán)光LED芯片或紫外芯片+藍(lán)色余輝發(fā)光材料A+黃色發(fā)光材 料B。其中，藍(lán)色余輝發(fā)光材料A與黃色發(fā)光材料B的重量配比為10-70wt% : 30-90wt%。 優(yōu)選的是：20_50wt% : 50-80wt%。
[0011] 進(jìn)一步地，所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A的發(fā)光波長峰值在440-490納米之間。
[0012] 進(jìn)一步地，所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料 A 為 Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+、Sr2MgSi20 7 :Eu2+，Dy3+、 CaS :Bi3+，Na+、CaS :Cu+，Na+ 或 CaSrS :Bi3+ 中的至少一種。
[0013] 所述黃色發(fā)光材料B的發(fā)光波長峰值在520-580納米之間。
[0014] 進(jìn)一步地，黃色發(fā)光材料B是具有余輝現(xiàn)象的發(fā)光材料、不具有余輝的黃色發(fā)光 材料，或二者混合。
[0015] 進(jìn)一步地，黃色發(fā)光材料 B 是：Υ203 · ΑΙΑ · Si02 :Ce · B · Na · P、Y202S :Mg，Ti、 Sr3Si05 :Eu2+，Dy3+、Ca2MgSi20 7 :Eu2+，Dy3+、CaS :Sm3+、YAG :Ce 或 TAG :Ce 中的至少一種。
[0016] 本發(fā)明LED白光照明裝置的白光發(fā)射來自于在藍(lán)光LED芯片或紫外芯片的激發(fā) 下，藍(lán)色余輝發(fā)光粉發(fā)射的藍(lán)光，黃色發(fā)光粉發(fā)射的黃光與芯片的光組合成白光。
[0017] 用紫光和紫外LED芯片也能激發(fā)上述發(fā)光粉，產(chǎn)生同樣的效果。
[0018] 本發(fā)明發(fā)光材料涂層可以采用藍(lán)色余輝發(fā)光材料A+黃色發(fā)光材料B的混合發(fā)光 涂層。也可以先將藍(lán)色余輝發(fā)光材料A涂在芯片上后再在藍(lán)色余輝發(fā)光材料A涂層上黃色 發(fā)光材料B。
[0019] 本發(fā)明交流LED白光照明裝置原理如下：
[0020] 通過附圖1中所示的交流LED照明裝置的基本模塊示意圖可以看出，由于交流電 的周期性特性，所以基于此模塊的LED的發(fā)光也會(huì)具有明暗變化的周期性，亦即發(fā)光頻閃， 從而影響器件的使用。
[0021] 本發(fā)明由于采用具有余輝特性的發(fā)光材料，在激發(fā)光源消失時(shí)能維持發(fā)光，這樣， 在基于本發(fā)明方案的交流LED白光照明裝置中，當(dāng)電流周期變化時(shí)，藍(lán)色余輝材料會(huì)發(fā)射 藍(lán)色余輝，起到了彌補(bǔ)藍(lán)光和激發(fā)黃色發(fā)光粉的作用，從而克服了由于交流電波動(dòng)導(dǎo)致的 LED芯片的發(fā)光頻閃對(duì)照明器件的影響，使器件在交流周期的光輸出保持穩(wěn)定。另外，由于 在交流周期內(nèi)LED芯片有半個(gè)周期不工作，使得其熱效應(yīng)下降，這樣有助于克服現(xiàn)有LED白 光照明裝置使用中碰到的芯片發(fā)熱帶來的系列難題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為交流LED發(fā)光裝置LED基本模塊示意圖
[0023] 圖 2 為 Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+ 余輝光譜
[0024] 圖 3 為 Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+ 余輝光譜
[0025] 圖 4 為 Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P 的光致發(fā)光光譜
[0026] 圖5為LED發(fā)光單元組成示意圖
[0027] 圖5-1，1為藍(lán)色余輝發(fā)光材料A+黃色發(fā)光材料B的混合發(fā)光涂層；2為藍(lán)光、紫 光或紫外LED芯片；3為透鏡。
[0028] 圖5-2, 2為藍(lán)光、紫光或紫外LED芯片；3為透鏡，5為藍(lán)色余輝發(fā)光材料A的涂 層，4為黃色發(fā)光材料B的涂層。
[0029] 以下通過實(shí)施例形式的【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明的上述內(nèi)容再作進(jìn)一步的詳細(xì)說 明。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)例，凡基于本發(fā)明上述內(nèi)容 所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范圍。特別是在基本電路組成上，本發(fā)明的實(shí)施例僅給出了 最簡單的單向串聯(lián)式電路，但本發(fā)明的交流LED照明裝置的電路并不局限于此，還包括如 反向串并聯(lián)式電路和橋式電路。實(shí)施例中，藍(lán)光LED芯片的發(fā)射波長為460納米，紫光LED 芯片的發(fā)射波長為400nm，紫外LED芯片的發(fā)射波長為365nm。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 一種新的LED白光照明裝置，它是由藍(lán)光LED芯片+藍(lán)色余輝發(fā)光材料A+黃 色發(fā)光材料B組成。其中，藍(lán)色余輝發(fā)光材料A與黃色發(fā)光材料B的重量配比為10? 70wt% : 30 ?90wt%。優(yōu)選的是：20 ?50wt% : 50 ?80wt%。
[0031] 其中，藍(lán)色余輝發(fā)光材料A的發(fā)光波長峰值在440?490納米之間，如：Sr4Al 14025 : Eu2+，Dy3+、Sr2MgSi20 7 :Eu2+，Dy3+、CaS :Bi3+，Na+、CaS :Cu+，Na+ 或 CaSrS :Bi3+。可以是一種或 一種以上藍(lán)色余輝發(fā)光材料的組合。
[0032] 黃色發(fā)光材料B可以是具有余輝現(xiàn)象的發(fā)光材料，也可以是不具有余輝的黃色發(fā) 光材料，或是二者混合。其發(fā)光波長峰值在520?580納米之間。具有余輝現(xiàn)象的發(fā)光材 料：Ce 激活的具有余輝現(xiàn)象的 Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P、Y202S :Mg，Ti、Sr3Si05 :Eu2+， Dy3+、Ca2MgSi207 :Eu2+，Dy3+、CaS :Sm3+ ;不具有余輝的黃色發(fā)光材料 YAG :Ce 和 TAG :Ce。
[0033] 本發(fā)明LED白光照明裝置的白光發(fā)射來自于在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下，藍(lán)色余輝發(fā) 光粉發(fā)射的藍(lán)光，黃色發(fā)光粉發(fā)射的黃光與芯片的光組合成白光。
[0034] 本發(fā)明交流LED白光照明裝置通過并聯(lián)兩個(gè)反向的LED或橋式電路可以實(shí)現(xiàn)交流 輸入。但是由于交流電的周期性特性，所以基于此兩個(gè)模塊的LED的發(fā)光也會(huì)具有明暗變 化的周期性，亦即發(fā)光頻閃，從而影響器件的使用。
[0035] 本發(fā)明由于采用具有余輝特性的發(fā)光材料，在激發(fā)光源消失時(shí)能維持發(fā)光，這樣， 在基于本發(fā)明方案的交流LED白光照明裝置中，當(dāng)電流周期變化時(shí)，藍(lán)色余輝發(fā)光材料會(huì) 發(fā)射藍(lán)色余輝，起到彌補(bǔ)藍(lán)光和激發(fā)黃色發(fā)光粉的作用，從而克服了由于交流電波動(dòng)導(dǎo)致 的LED芯片的發(fā)光頻閃對(duì)照明器件的影響，使器件在交流周期的光輸出保持穩(wěn)定。另外，由 于在交流周期內(nèi)LED芯片有半個(gè)周期不工作，使得其熱效應(yīng)下降，這樣有助于克服現(xiàn)有LED 白光照明裝置使用中碰到的芯片發(fā)熱帶來的系列難題。
[0036] 以下是具體實(shí)施例。
[0037] 實(shí)施例 1-18
[0038] 表 1
[0039]

【權(quán)利要求】
1. 一種基于紫外LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述方法是通過所述紫外LED 芯片激發(fā)由藍(lán)色余輝發(fā)光材料A和黃色發(fā)光材料B組成的發(fā)光粉產(chǎn)生白光，其中， 所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料 A 是：Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+、CaS :Bi3+，Na+、Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+、 CaS :Cu+，Na+ 或 CaSrS :Bi3+ 中的至少一種， 所述黃色發(fā)光材料 B 是：Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P、Tb3Al5012 :Ce、Y202S :Mg，Ti、 Sr3Si05 :Eu2+，Dy3+、CaS :Sm3+、YAG :Ce、Y3A15012 :Ce、Ca2MgSi207 :Eu2+，Dy3+ 或 TAG :Ce 中的至 少一種， 所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A與所述黃色發(fā)光材料B的重量配比是10?70wt% : 30? 90wt %， 在直接提供未經(jīng)整流成直流電的交流電的情況下，所述由藍(lán)色余輝發(fā)光材料A和黃色 發(fā)光材料B組成的發(fā)光粉能夠與所述紫外LED芯片配合發(fā)出低頻閃的白光。
2. 如權(quán)利要求1所述的基于紫外LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述發(fā)光粉包 括： 40wt% Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+和 60wt% Y3A15012 :Ce ;或者 30wt% Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+和 70wt% Tb3Al5012 :Ce ;或者 20wt% Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+、35wt% Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+ 和 45wt% Y203 · A1203 · Si02 : Ce · B · Na · P ;或者 10wt% Sr2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+>25wt% Sr4Al14025 ：Eu2+, Dy3+>5wt% CaS ：Bi3+, Na+>30wt% Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P、15wt% Sr3Si05 :Eu2.，Dy3+ 和 15wt% Ca2MgSi207 :Eu2.，Dy3+ ; 或者 15wt% Sr2MgSi207 ：Eu2+,Dy3+>5wt% CaSrS ：Bi3+>10wt% Sr4Al14025 ：Eu2+,Dy3+>5wt% CaS ： Bi3+，Na+、5wt% CaS :Cu+，Na+、20wt% Y202S :Mg，Ti 和 40wt% Y203 ·Α1203 .Si02 :Ce ·Β .Na ·Ρ ; 或者 lOwt % Sr2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+>5wt % CaSrS ：Bi3+>35wt % Sr4Al14025 ：Eu2+, Dy3+>15wt % Sr3Si05 :Eu2+, Dy3+、15wt% Ca2MgSi207 :Eu2+, Dy3+和 20wt% Y3A15012 :Ce。
3. 如權(quán)利要求1所述的基于紫外LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述藍(lán)色余輝 發(fā)光材料A與所述黃色發(fā)光材料B的重量配比是20?50wt % : 50?80wt %。
4. 如權(quán)利要求1至3之一所述的基于紫外LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述 紫外LED芯片的發(fā)射波長為365nm。
5. 如權(quán)利要求1至3之一所述的基于紫外LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述 藍(lán)色余輝發(fā)光材料A的發(fā)光波長峰值在440?490納米之間，所述黃色發(fā)光材料B的發(fā)光 波長峰值在520?580納米之間。
6. 一種基于藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述方法是通過所述藍(lán)光LED 芯片激發(fā)由藍(lán)色余輝發(fā)光材料A和黃色發(fā)光材料B組成的發(fā)光粉產(chǎn)生白光，其中， 所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料 A 是：Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+、CaS :Bi3+，Na+、Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+、 CaS :Cu+，Na+ 或 CaSrS :Bi3+ 中的至少一種， 所述黃色發(fā)光材料 B 是：Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P、Tb3Al5012 :Ce、Y202S :Mg，Ti、 Sr3Si05 :Eu2+，Dy3+、CaS :Sm3+、YAG :Ce、Y3A15012 :Ce、Ca2MgSi207 :Eu2+，Dy3+ 或 TAG :Ce 中的至 少一種， 所述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A與所述黃色發(fā)光材料B的重量配比是10?70wt % : 30? 90wt %， 在直接提供未經(jīng)整流成直流電的交流電的情況下，所述由藍(lán)色余輝發(fā)光材料A和黃色 發(fā)光材料B組成的發(fā)光粉能夠與所述藍(lán)光LED芯片配合發(fā)出低頻閃的白光。
7. 如權(quán)利要求1所述的基于藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述發(fā)光粉包 括： 40wt% Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3 和 60wt% Υ203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P ;或者 35wt% Sr2MgSi207 :Eu2+，Dy3+和 65wt% Y3A15012 :Ce ;或者 10wt% Sr2MgSi207 lEu'Dy'SOwt% Sr4Al14025 :Eu2+，Dy3+和 60wt% Tb3Al5012 :Ce ;或者 5wt% Sr2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+>30wt% Sr4Al14025 ：Eu2+, Dy3+>15wt% CaS ：Bi3+, Na+>25wt% Y203 · A1203 · Si02 :Ce · B · Na · P、10wt% Sr3Si05 :Eu2.，Dy3+ 和 15wt% Ca2MgSi207 :Eu2.，Dy3+ ; 或者 lOwt % Sr2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+>15wt % CaSrS ：Bi3+>35wt % Sr4Al14025 ：Eu2+, Dy3+>5wt % CaS :Bi3.，Na+、5wt % CaS :Cu+，Na+、5wt % Y202S :Mg，Ti 和 25wt % Y203 · A1203 · Si02 : Ce · B · Na · P ;或者 5wt % Sr2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+>15wt % CaSrS ：Bi3+>20wt % Sr4Al14025 ：Eu2+3+> 15wt % Sr3Si05 :Eu2+，Dy3+、20wt% Ca2MgSi207 :Eu2+，Dy3+和 25wt% Y3A15012 :Ce ;或者 35wt% CaS ：Bi3+,Na\25wt% Y203 *A1203 *Si〇2 ：Ce *B *Na *PU0wt% CaS ：Sm3\l5wt% Y202S ：Mg, Ti,5wt% Sr3Si05 ：Eu2+, Dy3+ lOwt% Ca2MgSi207 ：Eu2+, Dy3+〇
8. 如權(quán)利要求6所述的基于藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述藍(lán)色余輝 發(fā)光材料A與所述黃色發(fā)光材料B的重量配比是20?50wt % : 50?80wt %。
9. 如權(quán)利要求6至8之一所述的基于藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所述 藍(lán)光LED芯片的發(fā)射波長為460nm。
10. 如權(quán)利要求6至8之一所述的基于藍(lán)光LED芯片產(chǎn)生白光的方法，其特征在于，所 述藍(lán)色余輝發(fā)光材料A的發(fā)光波長峰值在440?490納米之間，所述黃色發(fā)光材料B的發(fā) 光波長峰值在520?580納米之間。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK104269489SQ201410220459
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2010年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2010年3月12日
【發(fā)明者】張明, 趙昆, 李東明 申請人:四川新力光源股份有限公司