一種絨面zao透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝，包括：采用乙酸溶液腐蝕ZAO薄膜，所述乙酸濃度為1％，刻蝕時(shí)間為10±3s。本發(fā)明利用酸性較弱的乙酸溶液為刻蝕液，對(duì)TPT柔性基ZAO透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕的工藝條件，薄膜具有較好的絨面結(jié)構(gòu)和光電性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池材料制備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]TCO材料在太陽(yáng)電池中用于光入射面形成透明接觸電極，用于背光面背反射層之前以改善電池的光學(xué)特性和形成擴(kuò)散勢(shì)壘。絨面TCO在薄膜太陽(yáng)電池特別是上襯型薄膜太陽(yáng)電池中具有重要作用，不僅作為電池的前電極引出電流，同時(shí)也作為光陷層提高太陽(yáng)電池活性層中光的吸收,進(jìn)而提高電池電流和電池效率,對(duì)于非晶硅薄膜電池,還可以減少S-W光致衰減效應(yīng)，提高電池穩(wěn)定性。磁控濺射法制備的ZAO薄膜的表面較平整，需要利用腐蝕液進(jìn)行表面刻蝕，形成絨面。利用鹽酸溶液進(jìn)行ZnO透明導(dǎo)電薄膜絨面制備的報(bào)道較多]。但是有機(jī)柔性襯底無(wú)法承受酸性較強(qiáng)的鹽酸溶液腐蝕，因此，現(xiàn)有用酸蝕刻的工藝有待改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝。
[0004]一種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝，包括:采用乙酸溶液腐蝕ZAO薄膜。
[0005]進(jìn)一步地，如上所述的絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝，所述乙酸濃度為1%，刻蝕時(shí)間為10±3s。
[0006]本發(fā)明利用酸性較弱的乙酸溶液為刻蝕液，對(duì)TPT柔性基ZAO透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕的工藝條件，薄膜具有較好的絨面結(jié)構(gòu)和光電性能。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是不同乙酸濃度下刻蝕的ZAO薄膜的X射線(xiàn)衍射圖；
[0008]圖2是根據(jù)謝樂(lè)公式計(jì)算得到的薄膜表面的平均晶粒尺寸；
[0009]圖3為不同乙酸濃度刻蝕的ZAO薄膜的方塊電阻曲線(xiàn)；
[0010]圖4為不同乙酸濃度刻蝕的ZAO薄膜的透過(guò)率和反射率曲線(xiàn)；
[0011]圖5為不同乙酸濃度刻蝕的ZAO薄膜的光吸收曲線(xiàn)；
[0012]圖6為不同刻蝕時(shí)間制備的ZAO薄膜的XRD圖；
[0013]圖7為不同刻蝕時(shí)間制備的ZAO薄膜的平均晶粒尺寸曲線(xiàn)；
[0014]圖8-a為未刻蝕ZAO薄膜絨面結(jié)構(gòu)的SEM圖；
[0015]圖8-b為刻蝕時(shí)間為IOs時(shí)ZAO薄膜絨面結(jié)構(gòu)的SEM圖；
[0016]圖8-c為刻蝕時(shí)間為20s時(shí)ZAO薄膜絨面結(jié)構(gòu)的SEM圖；
[0017]圖9為同刻蝕時(shí)間的ZAO薄膜的方塊電阻曲線(xiàn)；
[0018]圖10為不同刻蝕時(shí)間ZAO薄膜的光透過(guò)率和反射率曲線(xiàn)；[0019]圖11為不同刻蝕時(shí)間ZAO薄膜的光吸收曲線(xiàn)。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021]實(shí)驗(yàn)方法:
[0022]本發(fā)明中采用濺射后濕刻蝕的方法制備具有絨面結(jié)構(gòu)ZAO透明導(dǎo)電薄膜，乙酸為刻蝕溶液，研究了不同刻蝕液濃度、不同刻蝕時(shí)間對(duì)柔性TPT襯底上制備的ZAO薄膜光電性能的影響。具體實(shí)驗(yàn)參數(shù)如表1所示:
[0023]表1刻蝕實(shí)驗(yàn)工藝參數(shù)
[0024]
【權(quán)利要求】
1.一種絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝，其特征在于，包括:采用乙酸溶液腐蝕ZAO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絨面ZAO透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝，其特征在于，所述乙酸濃度為I %，刻蝕時(shí)間為10±3s。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103996748SQ201410222578
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月26日
【發(fā)明者】王曉晶 申請(qǐng)人:王曉晶