大功率氮化鋁100瓦21dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大功率100瓦21dB衰減片，其包括一8.9X5.7X1mm的基片，所述基片的背面印刷有整面銀漿，所述基片的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路上印刷有一層黑色保護(hù)膜，所述黑色保護(hù)膜上印刷有一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上加印了一層黑色保護(hù)膜。該衰減片優(yōu)化了導(dǎo)線線路，獲得了良好的駐波，提高了其與相關(guān)元器件件的匹配性，同時(shí)該衰減片在第一黑色保護(hù)膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求。
【專利說明】大功率氮化鋁100瓦21 dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種大功率衰減片，特別涉及一種大功率100瓦21dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功 率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí) 的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無法及時(shí)地做出判斷，對(duì)設(shè)備沒有保護(hù)作用。而衰減片不但 能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)， 對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而對(duì)設(shè)備形成有效保護(hù)。
[0003] 衰減片作為一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電 路都是匹配的。目前國內(nèi)l〇〇W_21dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到 1G頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號(hào) 不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波 損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿 足50.8±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為21±0.8dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足 1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的大功率100瓦 21dB衰減片。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0006] 一種大功率100瓦21dB衰減片，其包括一 8. 9*5. 7*1MM的基片，所述基片的背面 印刷有整面銀漿，所述基片的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形 成衰減電路，所述衰減電路上印刷有一層黑色保護(hù)膜，所述黑色保護(hù)膜上印刷有一介質(zhì)層， 所述介質(zhì)層上加印了一層黑色保護(hù)膜。
[0007] 優(yōu)選的，所述基片采用高導(dǎo)熱環(huán)保的氮化鋁作為基片材料。
[0008] 優(yōu)選的，所述電阻上都對(duì)應(yīng)印刷有一層玻璃特性的保護(hù)膜。
[0009] 上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該衰減片以8. 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板作為基 準(zhǔn)，在第一黑色保護(hù)膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得 該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值50. 8 ± 3 % Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精 度為21 ±0. 8dB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求 且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰 減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)，填補(bǔ)了國內(nèi)不能生產(chǎn);l 00瓦21dB衰減片的空白。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013] 如圖1所示，該大功率1〇〇瓦21dB衰減片包括一 8.9*5. 7*1麗的基片1，基片1的 背面印刷有正面銀漿背導(dǎo)層，基片1的正面印刷有銀漿導(dǎo)線2及電阻Rl、R2、R3、R4及R5, 銀漿導(dǎo)線2連接上述電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰減電路，衰減電路的接地端通過銀漿與 背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路導(dǎo)通。背導(dǎo)層、導(dǎo)線由需要高溫?zé)Y(jié)的導(dǎo)電銀漿印刷而成， 所述電阻由電阻漿料印刷而成。
[0014] 在電阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保護(hù)膜3,玻璃保護(hù)膜3及銀漿導(dǎo)線2上印 刷有第一黑色保護(hù)膜4,第一黑色保護(hù)膜4上印刷有一介質(zhì)層6。介質(zhì)層6上印刷有第二黑 色保護(hù)膜5,第二黑色保護(hù)膜5上可印刷品牌和型號(hào)。第一黑色保護(hù)膜、第二黑色保護(hù)膜可 對(duì)衰減電路起到雙重保護(hù)的作用。
[0015] 該衰減片輸入端和接地的阻值為50.8±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為 50·8±3% Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過虹、1?2、1?、1?3、1^4對(duì)功率的逐步吸 收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0016] 該衰減片以8· 9*5. 7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在第一黑色保護(hù)膜上加印了一 層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺 寸規(guī)格下可到達(dá)阻值50·8±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為21±〇.8dB，駐波要求在3G 頻段內(nèi)滿足1. 20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受1〇〇瓦的功率的技術(shù) 要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)，填補(bǔ)了 國內(nèi)不能生產(chǎn)100瓦21dB衰減片的空白。 '、
[0017]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種大功率100瓦21dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì) 于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上^會(huì) 有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所 做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。 η
【權(quán)利要求】
1. 一種大功率100瓦2ldB衰減片，其特征在于：其包括一 8. 9*5. 7* 1MM的基片，所述 基片的背面印刷有整面銀漿，所述基片的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接 所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路上印刷有一層黑色保護(hù)膜，所述黑色保護(hù)膜上印刷 有一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上加印了一層黑色保護(hù)膜。
2·根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率100瓦21dB衰減片，其特征在于：所述基片采用高導(dǎo) 熱環(huán)保的氮化鋁作為基片材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率100瓦21dB衰減片，其特征在于：所述電阻上都對(duì)應(yīng) 印刷有一層玻璃特性的保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104218284SQ201410231286
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠氏電子有限公司