高精度陶瓷10瓦15dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種高精度陶瓷10瓦15dB衰減片，其包括一長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚度1mm的陶瓷基板，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對(duì)稱的銀漿線路，所述銀漿線路間印刷有膜狀電阻，所述銀漿線路和膜狀電阻通過(guò)高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有高純度銀漿，所述對(duì)稱的銀漿線路和背面印刷的高純度銀漿通過(guò)接地銀漿導(dǎo)通。該衰減片在案設(shè)計(jì)上采用完全對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，充分考慮了VSWR和衰減精度等性能指標(biāo),打破了原來(lái)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面,滿足了目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
【專利說(shuō)明】局精度陶瓷10瓦15dB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種陶瓷衰減片，特別涉及一種高精度陶瓷10瓦15dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了多個(gè)膜狀電阻為一體，通過(guò)電阻及線路不同設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003]在國(guó)外，特別是歐美國(guó)家，對(duì)衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國(guó)內(nèi)起步早很多，無(wú)論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種阻值滿足53.2 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為15±0.5dB,駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的高精度氮化鋁陶瓷基板10瓦15dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
1.一種高精度陶瓷10瓦15dB衰減片，其特征在于:包括一長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚度Imm的陶瓷基板，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對(duì)稱的銀漿線路，所述銀漿線路間印刷有膜狀電阻，所屬銀漿線路和膜狀電阻通過(guò)高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有高純度銀漿，所述對(duì)稱的銀漿線路和背面印刷的高純度銀漿通過(guò)接地銀漿導(dǎo)通。
[0006]優(yōu)選的，所述陶瓷基板采用高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板。
[0007]優(yōu)選的，所述導(dǎo)通對(duì)稱的銀漿線路和背面印刷的高純度銀漿的接地銀漿為低溫銀漿。
[0008]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:高精度陶瓷10瓦15dB衰減片體積小，材料成本有效降低；產(chǎn)量高，生產(chǎn)成本有效降低；對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號(hào)衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0009]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0012]如圖1所示,該高精度陶瓷10瓦15dB衰減片包括一長(zhǎng)5.0mm、寬2.5mm、厚度1.0mm的陶瓷基板1，陶瓷基板I的背面印刷有高純度銀漿背導(dǎo)層，氮化鋁基板I的正面印刷有對(duì)稱的銀漿線路2及膜狀電阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過(guò)導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過(guò)低溫銀漿與背導(dǎo)層連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保護(hù)膜3，對(duì)稱銀漿線路2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色樹(shù)脂保護(hù)膜4，這樣可對(duì)對(duì)稱銀漿線路2及膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保護(hù)。
[0013]該高精度陶瓷10瓦15dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為53.2 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為53.2Ω ±3%。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)膜狀電阻1?1、1?2、1?5、1?3、1?4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0014]該高精度陶瓷10瓦15dB衰減片體積小，材料成本有效降低；產(chǎn)量高,生產(chǎn)成本有效降低；對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號(hào)衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)，拓展了國(guó)內(nèi)衰減片的應(yīng)用頻段。
[0015]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種高精度陶瓷10瓦15dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高精度陶瓷10瓦15dB衰減片，其特征在于:包括一長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚度Imm的陶瓷基板，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對(duì)稱的銀漿線路，所述銀漿線路間印刷有膜狀電阻，所屬銀漿線路和膜狀電阻通過(guò)高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有高純度銀漿，所述對(duì)稱的銀漿線路和背面印刷的高純度銀漿通過(guò)接地銀漿導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度陶瓷10瓦15dB衰減片，其特征在于:所述陶瓷基板采用高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度陶瓷10瓦15dB衰減片，其特征在于:所述導(dǎo)通對(duì)稱的銀漿線路和背面印刷的高純度銀漿的接地銀漿為低溫銀漿。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241785SQ201410235780
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司