小型陶瓷10瓦16dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種小型陶瓷10瓦16dB衰減片，其包括一氮化鋁陶瓷基片，氮化鋁陶瓷基片的尺寸為5mm×2.5mm×0.635mm,氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有高溫銀漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)長方形的焊盤，銀漿導(dǎo)線之間的5個(gè)電阻形成衰減電路。該小型陶瓷10瓦16dB衰減片采用高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷作為基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大優(yōu)于氧化鋁陶瓷材料，且替代了有毒的氧化鈹陶瓷材料，縮減了尺寸滿足小型化要求的同時(shí)使得產(chǎn)品更環(huán)保，同時(shí)引進(jìn)了MWO仿真軟件對電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度得到了提高，并有效控制了產(chǎn)品的回波損耗，獲得了更小的駐波比，拓寬了此產(chǎn)品的使用帶寬，適用DC-3G全頻段，滿足了目前的4G網(wǎng)絡(luò)使用要求。
【專利說明】小型陶瓷10瓦16dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種陶瓷衰減片，特別涉及一種小型陶瓷10瓦16dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了多個(gè)膜狀電阻為一體，通過電阻及線路不同設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于雷達(dá)，衛(wèi)星通訊，電子對抗等軍事工業(yè)和移動(dòng)電話、PCS和商用基站市場領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003]在國外，特別是歐美國家，對衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國內(nèi)起步早很多，無論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢地位。同時(shí)國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足52.5 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為16±0.6dB，駐波要求輸入、輸出端在1.15以內(nèi)，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的小型陶瓷10瓦16dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種小型陶瓷10瓦16dB衰減片，包括一氮化鋁陶瓷基片，氮化鋁陶瓷基片的尺寸為5mmX2.5mmX0.635mm,氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有高溫銀漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)長方形的焊盤，銀漿導(dǎo)線之間的5個(gè)電阻形成衰減電路。該小型陶瓷10瓦16dB衰減片采用高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷作為基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大優(yōu)于氧化鋁陶瓷材料，且替代了有毒的氧化鈹陶瓷材料，縮減了尺寸滿足小型化要求的同時(shí)使得產(chǎn)品更環(huán)保，同時(shí)引進(jìn)了 MWO仿真軟件對電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度得到了提高，并有效控制了產(chǎn)品的回波損耗，獲得了更小的駐波t匕，拓寬了此產(chǎn)品的使用帶寬，適用DC-3G全頻段，滿足了目前的4G網(wǎng)絡(luò)使用要求。
[0006]優(yōu)選的，所述衰減電路在設(shè)計(jì)上引入了 MWO仿真軟件技術(shù)，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選的，所述陶瓷基片材料采用了環(huán)保高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷材料。
[0008]優(yōu)選的，所述電阻上層有高溫?zé)Y(jié)的玻璃相保護(hù)膜。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該小型陶瓷10瓦16dB衰減片采用高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷作為基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大優(yōu)于氧化鋁陶瓷材料，且替代了有毒的氧化鈹陶瓷材料，縮減了尺寸滿足小型化要求的同時(shí)使得產(chǎn)品更環(huán)保，同時(shí)引進(jìn)了 MWO仿真軟件對電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度得到了提高，并有效控制了產(chǎn)品的回波損耗，獲得了更小的駐波比，拓寬了此產(chǎn)品的使用帶寬，適用DC-3G全頻段，滿足了目前的4G網(wǎng)絡(luò)使用要求。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該小型陶瓷10瓦16dB衰減片，包括一尺寸為5mmX 2.5mmX0.635mm高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板1，氮化鋁陶瓷基板I的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基板I的正面印刷有銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過銀漿導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過端涂銀漿與背部銀漿層連接，從而使衰減電路形成通路。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對稱，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃相保護(hù)膜3，銀漿導(dǎo)線2及玻璃相3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3、R4、R5形成保護(hù)。
[0014]該小型陶瓷10瓦16dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為52.5 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為52.5 Ω ±3%。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過5個(gè)黑色膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0015]該小型陶瓷10瓦16dB衰減片采用高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷作為基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大優(yōu)于氧化鋁陶瓷材料，且替代了有毒的氧化鈹陶瓷材料，縮減了尺寸滿足小型化要求的同時(shí)使得產(chǎn)品更環(huán)保，同時(shí)引進(jìn)了 MWO仿真軟件對電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度得到了提高，并有效控制了產(chǎn)品的回波損耗，獲得了更小的駐波比，拓寬了此產(chǎn)品的使用帶寬，適用DC-3G全頻段，滿足了目前的4G網(wǎng)絡(luò)使用要求。
[0016]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種小型陶瓷10瓦16dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種小型陶瓷10瓦16dB衰減片，其特征在于:包括一氮化鋁陶瓷基片，氮化鋁陶瓷基片的尺寸為5mmX2.5mmX0.635mm，氮化鋁陶瓷基片的背面印刷有高溫銀漿，氮化鋁陶瓷基片的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)長方形的焊盤，銀漿導(dǎo)線之間的5個(gè)電阻形成衰減電路；該小型陶瓷10瓦16dB衰減片采用高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷作為基片材料，在相同尺寸的功率容量上大大優(yōu)于氧化鋁陶瓷材料，且替代了有毒的氧化鈹陶瓷材料，縮減了尺寸滿足小型化要求的同時(shí)使得產(chǎn)品更環(huán)保，同時(shí)引進(jìn)了 MWO仿真軟件對電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度得到了提高，并有效控制了產(chǎn)品的回波損耗，獲得了更小的駐波比，拓寬了此產(chǎn)品的使用帶寬，適用DC-3G全頻段，滿足了目前的4G網(wǎng)絡(luò)使用要求。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型陶瓷10瓦16dB衰減片，其特征在于:所述衰減電路在設(shè)計(jì)上引入了 MWO仿真軟件技術(shù)，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型陶瓷10瓦16dB衰減片，其特征在于:所述陶瓷基片材料采用了環(huán)保高導(dǎo)熱率氮化鋁陶瓷材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型陶瓷10瓦16dB衰減片，其特征在于:所述電阻上層有高溫?zé)Y(jié)的玻璃相保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241787SQ201410235851
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司