生長在Si襯底上的LED外延片及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種生長在Si襯底上的LED外延片及其制備方法，其采用如下制備方法獲得：采用Si襯底，選擇Si襯底(111)面偏(100)方向0.5-1°的晶體取向，先生長出第一AlN緩沖層，再依次生長第二AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、u-GaN層、n-GaN層、InGaN/GaN量子阱層及p-GaN層。本發(fā)明使用Si為襯底，同時結(jié)合金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝和脈沖激光沉積工藝，避開采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlN所需經(jīng)過的預(yù)鋪Al工序，防止高溫下Si擴(kuò)散至AlN緩沖層破壞表面形貌，獲得的LED外延片性能好、晶體質(zhì)量高，適合應(yīng)用在LED器件中。
【專利說明】生長在Si襯底上的LED外延片及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED外延片，特別涉及生長在Si襯底上的LED外延片及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]LED是提倡節(jié)能減排的社會背景下的產(chǎn)物，其環(huán)保、節(jié)能、抗震性能好，在未來照明市場上前景廣闊，被譽(yù)為第四代綠色照明光源。
[0003]GaN作為第三代半導(dǎo)體材料代表之一，具有直接帶隙、寬禁帶、高飽和電子漂移速度、高擊穿電場和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在微電子應(yīng)用方面得到了廣泛的關(guān)注。自1.Akasaki首次成功獲得p_GaN，實現(xiàn)藍(lán)光LED的新突破后，GaN基化合物一直是制備LED器件的主要材料，在室內(nèi)照明、商業(yè)照明、工程照明等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
[0004]高質(zhì)量GaN材料一般都通過異質(zhì)外延方法制作。作為常用于生長GaN的襯底，藍(lán)寶石有穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)，但它與GaN間存在很大的晶格失配(16%)及熱失配(25%)，造成生長的GaN薄膜質(zhì)量較差；SiC雖然與GaN的晶格失配度僅3.5%，導(dǎo)熱率較高，但它的熱失配與藍(lán)寶石相當(dāng)(25.6% )，與GaN的潤濕性較差，價格昂貴，并且外延技術(shù)已被美國科銳公司壟斷，因此也無法普遍使用。相比較下，Si襯底具有成本低、單晶尺寸大且質(zhì)量高、導(dǎo)熱率高、導(dǎo)電性能良好等諸多特點，并且Si的微電子技術(shù)十分成熟，在Si襯底上生長GaN薄膜有望實現(xiàn)光電子和微電子的集成。
[0005]正是因為Si襯底的上述諸多優(yōu)點，Si襯底上生長GaN薄膜進(jìn)而制備LED外延片越來越備受關(guān)注。但是，目前在Si襯底上制備GaN單晶薄膜的質(zhì)量不如藍(lán)寶石襯底，主要由于:Si與GaN熱失配遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于藍(lán)寶石，導(dǎo)致外延片更易于龜裂；Si襯底遇活性N在界面處易形成無定形的SixNy，影響GaN的生長質(zhì)量；Si對可見光的吸收作用也會大大降低LED發(fā)光效率。
[0006]由此可見，即便Si襯底具有成本低、散熱好等優(yōu)點，具有非常良好的發(fā)展前景，但要在Si襯底上生長高質(zhì)量GaN薄膜進(jìn)而制備LED外延片，需要尋找Si襯底上生長LED外延片的新方法及工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點與不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種生長在Si襯底上的LED外延片，具有性能好、晶體質(zhì)量高的特點。
[0008]本發(fā)明的目的之二在于提供上述LED外延片的制備方法，采用此方法獲得的LED外延片具有性能好、晶體質(zhì)量高的特點，適合應(yīng)用在LED器件中。
[0009]實現(xiàn)本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達(dá)到:
[0010]一種生長在Si襯底上的LED外延片，其特征在于:其包括Si襯底，生長在Si襯底上的第一 AlN緩沖層，在第一 AlN緩沖層上依次生長出第二 AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、U-GaN層、n-GaN層、InGaN/GaN量子阱層及ρ-GaN層；所述Si襯底的晶體取向為(111)晶面朝(100)方向偏0.5-1°，該斜切角可有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位錯密度并提聞GaN的晶體質(zhì)量。
[0011]優(yōu)選地，所述第一 AlN緩沖層的厚度為1-1OOnm ;所述第二 AlN緩沖層的厚度為10_50nm。
[0012]優(yōu)選地，所述AlGaN步進(jìn)緩沖層包含三層，由下而上依次為:第一 AlGaN層、第二AlGaN層和第三AlGaN層；其中，第一 AlGaN層的厚度為80_150nm ;第二 AlGaN層的厚度為100-200nm ;第三 AlGaN 層的厚度為 200_300nm ;第一 AlGaN 層、第二 AlGaN 層和第三 AlGaN層中Al的摻雜量依次降低。
[0013]一種生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用Si襯底，選取Si襯底的(111)晶面朝(100)方向偏0.5-1°的晶體取向，先生長出第一 AlN緩沖層，再依次生長出第二 AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、U-GaN層、n_GaN層、InGaN/GaN量子阱層及p-GaN層。
[0014]優(yōu)選地，采用脈沖激光沉積工藝生長第一 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為650-850°C，反應(yīng)室壓力為 1-1Om Torr, V /III比為 30-50，生長速度為 0.5-0.7ML/s。
[0015]優(yōu)選地，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長第二 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為860-960°C，反應(yīng)室壓力為50-100Torr，V / III比為1000-2500，生長速度為
0.1-0.2 μ m/ho
[0016]優(yōu)選地，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlGaN步進(jìn)緩沖層，工藝條件為:保持襯底為960-1060°C，反應(yīng)室壓力為50-100Torr，NH3流量為10_15slm，TMAl流量為200-250sccm條件下，通過改變TMGa流量和生長速率，由下而上依次獲得:第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層；其中，第一 AlGaN層的厚度為80_150nm ;第二 AlGaN層的厚度為100-200nm ;第三AlGaN層的厚度為200-300nm ;第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層中Al的摻雜量依次降低。
[0017]優(yōu)選地，改變TMGa流量及生長速率，具體做法如下=TMGa流量為5-10sccm，生長速率為0.2-0.3 μ m/h，生長出第一 AlGaN層，Al的摻雜量為70-85%;TMGa流量為20_30sccm，生長速率為0.3-0.4 μ m/h，生長出第二 AlGaN層，Al的摻雜量為50-65% ;TMGa流量為65-75sccm，生長速率為0.5-0.7 μ m/h，生長出即第三AlGaN層，Al的摻雜量為20-35 %。
[0018]優(yōu)選地，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長U-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000-1060 °C，反應(yīng)室壓力為150-220Torr，V / III比為2500-3000，生長速度為3.0-3.5 μ m/ho
[0019]優(yōu)選地，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長n-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000-1100°C，反應(yīng)室壓力為150-220Torr，V / III比為2000-4000，生長速度為
3.0-4.0 μ m/ho
[0020]優(yōu)選地，在生長AlN緩沖層之前，對Si襯底依次進(jìn)行表面清洗、退火處理步驟，以去除Si襯底表面的氧化物及雜質(zhì)顆粒。
[0021]表面清洗的具體方法是:將Si襯底先放在丙酮溶液中超聲清洗，然后再放在去離子水中超聲清洗；接著在異丙酮溶液中超聲清洗；然后在氫氟酸溶液中超聲清洗，再在去離子水中浸泡；再將Si襯底放在硫酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；最后將Si襯底放入氫氟酸中浸泡，用去離子水沖洗，氮氣吹干。
[0022]退火處理的具體方法是:將Si襯底在900-1000°C下高溫烘烤3_5h。[0023]優(yōu)選地，第一 AlN緩沖層的厚度為1-1OOnm ;第二 AlN緩沖層的厚度為10_50nm。
[0024]本發(fā)明的有益效果在于:
[0025](I)本發(fā)明采用脈沖激光沉積工藝預(yù)先生長第一 AlN緩沖層，避開采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlN所需經(jīng)過的預(yù)鋪Al工序，防止因預(yù)鋪Al不均勻造成的AlN質(zhì)量下降。該方法生長的AlN緩沖層表面平整，為下階段的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積提供良好生長模板。
[0026](2)本發(fā)明在預(yù)制的第一 AlN緩沖層上，繼續(xù)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長第二 AlN緩沖層，達(dá)到工藝轉(zhuǎn)換的平穩(wěn)過渡。
[0027](3)本發(fā)明使用的三層AlGaN步進(jìn)緩沖層，能夠有效緩解因GaN與Si之間巨大的晶格失配及熱失配引起的張應(yīng)力，外延出無裂紋的GaN薄膜，減少漏電流，提高LED的電學(xué)性能。
[0028](4)本發(fā)明采用采脈沖激光沉積工藝金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝與相結(jié)合，先低溫生長AlN緩沖層，防止Si在高溫下擴(kuò)散至AlN緩沖層破壞表面形貌，再高溫生長LED外延層，以提高GaN薄膜的均勻性及生長速度。
[0029]綜上所述，本發(fā)明使用Si為襯底，同時結(jié)合金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝和脈沖激光沉積工藝，避開采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlN所需經(jīng)過的預(yù)鋪Al工序，防止高溫下Si擴(kuò)散至AlN緩沖層破壞表面形貌，獲得的LED外延片性能好、晶體質(zhì)量高，適合應(yīng)用在LED器件中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明的生長在Si襯底上的LED外延片截面示意圖。
[0031]圖2為本發(fā)明實施例1的生長在Si襯底上的LED外延片X射線回擺曲線圖。
[0032]圖3為本發(fā)明實施例2的生長在Si襯底上的LED外延片X射線回擺曲線圖。
[0033]圖4為本發(fā)明實施例3的生長在Si襯底上的LED外延片X射線回擺曲線圖。
[0034]圖5為本發(fā)明實施例3的生長在Si襯底上的LED外延片的PL譜測試圖。
【具體實施方式】
[0035]下面，結(jié)合【具體實施方式】，對本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0036]實施例1:
[0037]請參照圖1，本發(fā)明的生長在Si襯底上的LED外延片包括Si襯底11、第一 AlN緩沖層 12、第二 AlN 緩沖層 13、AlGaN 步進(jìn)緩沖層 14、U-GaN 層 15、n_GaN 層 16、InGaN/GaN 量子阱層17及p-GaN層18 ；
[0038]上述生長在Si襯底上的LED外延片采用如下方法獲得:
[0039](I)襯底以及其晶向的選取:采用Si襯底，選取(111)面偏(100)方向0.5°的晶體取向。
[0040](2)采用脈沖激光沉積工藝生長第一 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為650°C，反應(yīng)室壓力為lmTorr，V /III比為30，生長速度為0.5ML/s，第一 AlN緩沖層的厚度為20nmo
[0041](3)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長第二 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為860°C，反應(yīng)室壓力為50Torr，V /III比為2000，生長速度為0.2 μ m/h，第二 AlN緩沖層的厚度為30nm。
[0042](4)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlGaN步進(jìn)緩沖層，工藝條件為:保持襯底為960°C，反應(yīng)室壓力為50Torr，NH3流量為lOslm，TMAl流量為200sccm條件下，改變TMGa流量及生長速度，第一層為5sccm，生長速度為0.2 μ m/h,生長90nm厚AlGaN薄膜，Al的摻雜量為85% ;第二層為20sccm，生長速度為0.4ym/h，生長120nm厚AlGaN薄膜，Al的摻雜量為65% ;第三層為65sccm，生長速度為0.5ym/h，生長200nm厚AlGaN薄膜，Al的摻雜量為35%。
[0043](5)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長U-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000°C，反應(yīng)室壓力為150Torr，V /III比為3000，生長速度為3.0 μ m/h, U-GaN層的厚度為
1μ m
[0044](6)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長n-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000°C，反應(yīng)室壓力為150Torr，V /III比為3000，生長速度為3.5 μ m/h，η-GaN層的厚度為
2μ m[0045](7)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長InGaN/GaN量子阱層，工藝條件為:襯底溫度為1000°c，反應(yīng)室壓力為150Torr，V /III比為2500，生長速度為0.6 μ m/h，InGaN/GaN量子阱層的厚度為75nm。
[0046](8)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長P-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000°C，反應(yīng)室壓力為150Torr，V /III比為3500，生長速度為0.5 μ m/h，p-GaN層的厚度為200nm。
[0047]請參照圖2，從X射線回擺曲線圖中可以看到，LED外延片中GaN(002)的半峰寬(FffHM)值為391&1^%(3，表明在31(111)面上外延生長出了低缺陷密度的高質(zhì)量LED外延片。
[0048]實施例2:
[0049]本實施例的特點是:
[0050]所述生長在Si襯底上的LED外延片采用如下方法獲得:
[0051](I)襯底以及其晶向的選取:采用Si襯底，選取(111)面偏(100)方向1°的晶體取向。
[0052](2)采用脈沖激光沉積工藝生長第一 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為850°C，反應(yīng)室壓力為1mTorr, V /III比為45，生長速度為0.6ML/s，第一 AlN緩沖層的厚度為1nm0
[0053](3)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長第二 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為960°C，反應(yīng)室壓力為lOOTorr，V /III比為2500，生長速度為0.1 μ m/h，第二 AlN緩沖層的厚度為40nm。
[0054](4)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlGaN步進(jìn)緩沖層，工藝條件為:保持襯底為1060°C，反應(yīng)室壓力為lOOTorr，NH3流量為15slm，TMAl流量為250sccm條件下，改變TMGa流量及生長速度，第一層為lOsccm，生長速度為0.3 μ m/h,生長120nm厚AlGaN薄膜，Al的摻雜量為80% ;第二層為25sccm，生長速度為0.3ym/h，生長150nm厚AlGaN薄膜，Al的摻雜量為60% ;第三層為70sccm，生長速度為0.6 μ m/h,生長250nm厚AlGaN, Al的摻雜量為30%。
[0055](5)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長U-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1060°C，反應(yīng)室壓力為220Torr，V /III比為2500，生長速度為3.5 μ m/h，U-GaN層的厚度為L 5 μ m。
[0056](6)米用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長n-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1100°C，反應(yīng)室壓力為220Torr，V /III比為4000，生長速度為3.0 μ m/h，n_GaN層的厚度為 2.5 μ m。
[0057](7)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長InGaN/GaN量子阱層，工藝條件為:襯底溫度為1060°C，反應(yīng)室壓力為220Torr，V /III比為3000，生長速度為0.7 μ m/h, InGaN/GaN量子阱層的厚度為85nm。
[0058](8)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長P-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1060°C，反應(yīng)室壓力為220Torr，V/III比為3000，生長速度為0.4 μ m/h，p-GaN層的厚度為250nmo
[0059]請參照圖3，從X射線回擺曲線圖中可以看到，LED外延片中GaN(002)的半峰寬(FffHM)值為388&1^%(3，表明在51(111)面上外延生長出了低缺陷密度的高質(zhì)量LED外延片。
[0060]實施例3:
[0061]本實施例是在實施例1的基礎(chǔ)上進(jìn)行改行的，不同之處在于:在生長AlN緩沖層前，對襯底依次進(jìn)行表面清洗、退火處理步驟，具體方法如下:
[0062]表面清洗處理:將Si襯底先放在丙酮溶液中超聲清洗，然后再放在去離子水中超聲清洗；接著在異丙酮溶液中超聲清洗；然后在氫氟酸溶液中超聲清洗，再在去離子水中浸泡；再將Si襯底放在硫酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；最后將Si襯底放入氫氟酸中浸泡，用去離子水沖洗，氮氣吹干。
[0063]退火處理:將襯底在900-1000°C下高溫烘烤3_5h。
[0064]請參照圖4，從X射線回擺曲線圖中可以看到，LED外延片中GaN(002)的半峰寬(FffHM)值為375&1^%(3，表明在51(111)面上外延生長出了低缺陷密度的高質(zhì)量LED外延片。
[0065]請參照圖5，從PL譜測試圖可以看到，LED外延片的發(fā)光波長為438nm，PL半峰寬(FffHM)值為1911111，表明在31(111)面上外延生長的LED外延片具有優(yōu)異的光學(xué)性能。
[0066]對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.生長在Si襯底上的LED外延片，其特征在于:其包括Si襯底，生長在Si襯底上的第一 AlN緩沖層，在第一 AlN緩沖層上依次生長出第二 AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、U-GaN層、n-GaN層、InGaN/GaN量子阱層及p-GaN層；所述Si襯底的晶體取向為(111)晶面朝(100)方向偏 0.5-1°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在Si襯底上的LED外延片，其特征在于:所述AlGaN步進(jìn)緩沖層包含三層，由下而上依次為:第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層；其中，第一 AlGaN層的厚度為80-150nm;第二 AlGaN層的厚度為100_200nm ;第三AlGaN層的厚度為200-300nm ;第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層中Al的摻雜量依次降低。
3.—種生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用Si襯底，選取Si襯底的(111)晶面朝(100)方向偏0.5-1°的晶體取向，先生長出第一 AlN緩沖層，再依次生長出第二 AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、U-GaN層、n_GaN層、InGaN/GaN量子阱層及p-GaN 層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用脈沖激光沉積工藝生長第一 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為650-850°C，反應(yīng)室壓力為 1-1Om Torr，V / III比為 30-50，生長速度為 0.5-0.7ML/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長第二 AlN緩沖層，工藝條件為:襯底溫度為860-960°C，反應(yīng)室壓力為50-100Torr, V / III比為1000-2500，生長速度為0.1-0.2 μ m/h。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長AlGaN步進(jìn)緩沖層，工藝條件為:保持襯底為960-1060°C，反應(yīng)室壓力為 50-100Torr，MV流量為 10_15slm，TMAl 流量為 200_250sccm 條件下，通過改變TMGa流量和生長速率，由下而上依次獲得:第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層；其中，第一 AlGaN層的厚度為80-150nm ;第二AlGaN層的厚度為100_200nm ;第三AlGaN層的厚度為200-300nm ;第一 AlGaN層、第二 AlGaN層和第三AlGaN層中Al的摻雜量依次降低。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:改變TMGa流量及生長速率，具體做法如下=TMGa流量為5-10sccm，生長速率為0.2-0.3 μ m/h，生長出第一 AlGaN層.Al的摻雜量70-85 % ；TMGa流量為20-30sccm，生長速率為0.3-0.4 μ m/h，生長出第二 AlGaN層，Al的摻雜量50-65% ;TMGa流量為65_75sccm，生長速率為0.5-0.7 μ m/h，生長出第三AlGaN層，Al的摻雜量20-35 %。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長U-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000-1060°C，反應(yīng)室壓力為 150-220Torr, V / III比為 2500-3000,生長速度為 3.0-3.5 μ m/h。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長n-GaN層，工藝條件為:襯底溫度為1000-1100°C，反應(yīng)室壓力為 150-220Torr, V / III比為 2000-4000，生長速度為 3.0-4.0 μ m/h。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生長在Si襯底上的LED外延片的制備方法，其特征在于:在生長AlN緩沖層之前，對Si襯底依次進(jìn)行表面清洗、退火處理步驟； 表面清洗的具體方法是:將Si襯底先放在丙酮溶液中超聲清洗，然后再放在去離子水中超聲清洗；接著在異丙酮溶液中超聲清洗；然后在氫氟酸溶液中超聲清洗，再在去離子水中浸泡；再將Si襯底放在硫酸和雙氧水的混合溶液中浸泡；最后將Si襯底放入氫氟酸中浸泡，用去離子水沖洗，氮氣吹干； 退火處理的具體 方法是:將Si襯底在900-1000°C下高溫烘烤3-5h。
【文檔編號】H01L33/16GK104037287SQ201410256386
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月10日
【發(fā)明者】李國強(qiáng) 申請人:廣州市眾拓光電科技有限公司