半導(dǎo)體及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體及其制造方法，其中所述半導(dǎo)體器件，包括形成在硅襯底的表面之上并包括縱向MOSFET的有源單元區(qū)，形成在所述硅襯底的表面之上并從硅襯底的背面引出縱向MOSFET的漏極的漏極電極，在漏極電極之上形成的外部漏極端子，以及形成在所述有源單元區(qū)之上，以便至少沿著所述有源單元區(qū)之上的外部漏極端子的外周的三個側(cè)面與漏極電極相對并連接到縱向MOSFET的源極的源極電極。
【專利說明】半導(dǎo)體及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]于2013年6月13日提交的日本專利申請?zhí)?013-124656的包含說明書、附圖和摘要的公開內(nèi)容以其全文并入本文作為參考。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且其可以適當(dāng)?shù)乇挥糜诰哂锌v向晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004]對于功率器件，例如用作針對大電流和高電壓的功率開關(guān)的功率MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，通常使用縱向M0SFET。在縱向MOSFET中，源極電極和柵極電極形成在一側(cè)(表面)，并且漏極電極形成在半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)(背面)，在該側(cè)上漏極電流在半導(dǎo)體襯底的縱向方向上流過。
[0005]在功率MOSFET中，操作期間的電阻(導(dǎo)通電阻)應(yīng)盡可能低，以便抑制功率消耗。因此,其中每單位面積的導(dǎo)通電阻被減小的縱向MOSFET已經(jīng)通過形成溝槽中的柵極電極以及在縱向方向上形成溝道區(qū)來開發(fā)，從而縮小了彼此的柵極電極之間的距離并增加了密度。
[0006]進(jìn)一步，在最近幾年中，已經(jīng)出現(xiàn)了其中縱向MOSFET的源極、柵極、和漏極的相應(yīng)端子形成在半導(dǎo)體襯底的一側(cè)(表面)上的表面漏極端子類型的芯片尺寸封裝。這樣的CSP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件被公開在，例如，日本未審專利申請
【發(fā)明者】青木崇, 是成貴弘 申請人:瑞薩電子株式會社