Ldmos器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LDMOS器件，其漂移區(qū)由第一漂移區(qū)和第二漂移區(qū)組成，第一漂移區(qū)由形成于硅襯底的選定區(qū)域中的離子注入?yún)^(qū)組成；第二漂移區(qū)由形成于硅襯底表面上的摻雜多晶硅組成，第二漂移區(qū)疊加在第一漂移區(qū)上，漏區(qū)形成在第二漂移區(qū)中。本發(fā)明的第二漂移區(qū)的設(shè)置能夠使得整個漂移區(qū)的厚度增加，從而能降低整個漂移區(qū)的寄生電阻越小，并能有效增加器件的線性電流、降低器件的導(dǎo)通電阻；本發(fā)明器件還能保持較高的擊穿電壓且工藝成本低。本發(fā)明還公開了一種LDMOS器件的制造方法。
【專利說明】LDMOS器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種橫向場效應(yīng)晶體管(LDM0S器件；本發(fā)明還涉及一種LDMOS器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]橫向場效應(yīng)晶體管(LDMOS)是普遍使用的半導(dǎo)體高壓器件，其廣泛應(yīng)用于電源管理、IXD及LED驅(qū)動、ESD保護(hù)等領(lǐng)域。應(yīng)用方式通常有模擬應(yīng)用和開關(guān)應(yīng)用兩種。當(dāng)LDMOS用作開關(guān)時(shí)，需要器件有很低的導(dǎo)通電阻(線性區(qū)的器件源漏電阻)，以降低開關(guān)功耗。LDMOS中，溝道長度遠(yuǎn)小于漂移區(qū)長度，器件的導(dǎo)通電阻由漂移區(qū)電阻主導(dǎo)，因此開關(guān)LDMOS都需盡可能增大漂移區(qū)摻雜濃度，減小漂移區(qū)長度，增加漂移區(qū)厚度，以達(dá)到減小導(dǎo)通電阻的目的。但LDMOS必須要滿足擊穿電壓的要求，漂移區(qū)摻雜濃度的提高和長度的縮小都受到一定的限制。漂移區(qū)厚度的增加在非外延工藝中只能通過大能量離子注入和長時(shí)間推阱形成，但這樣帶來過多的橫向擴(kuò)散，引起過大的短溝道效應(yīng)。外延性的LDMOS可形成厚漂移區(qū)，但工藝成本提高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種LDMOS器件，能有效增加器件的線性電流、降低器件的導(dǎo)通電阻，能保持較高的擊穿電壓，工藝成本低。為此，本發(fā)明還提供一種LDMOS器件的制造方法。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的LDMOS器件包括:
[0005]第一導(dǎo)電類型摻雜的硅襯底。
[0006]第一漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)組成。
[0007]溝道區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型阱區(qū)組成，所述第一漂移區(qū)的第一側(cè)和所述溝道區(qū)在橫向上相接觸。
[0008]多晶硅柵，形成于所述溝道區(qū)上方，所述多晶硅柵和所述硅襯底間隔離有柵介質(zhì)層，所述多晶硅柵覆蓋部分所述溝道區(qū)并延伸到所述第一漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道。
[0009]源區(qū)，由形成于所述溝道區(qū)中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述源區(qū)和所述多晶娃柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)。
[0010]第二漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底表面上的第二導(dǎo)電類型摻雜的多晶硅組成，所述第二漂移區(qū)位于所述第一漂移區(qū)的上方、且所述第二漂移區(qū)的底部和所述第一漂移區(qū)相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵的第二側(cè)的方向延伸。
[0011]漏區(qū)，由形成于所述第二漂移區(qū)選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述漏區(qū)靠近所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)且所述漏區(qū)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0012]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0013]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二漂移區(qū)的多晶硅和所述多晶硅柵的多晶硅采用相同工藝同時(shí)形成。
[0014]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)之間間隔有所述柵介質(zhì)層，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)的第二側(cè)外側(cè)的場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)底部的所述柵介質(zhì)層和所述場氧隔離層用作多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)的多晶硅的刻蝕。
[0015]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)通過氮化硅側(cè)墻隔離。
[0016]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二漂移區(qū)的雜質(zhì)在所述第二漂移區(qū)的多晶硅淀積時(shí)在位摻雜形成或者在淀積后通過離子注入摻雜形成。
[0017]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述LDMOS器件為N型器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或者，所述LDMOS器件為P型器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
[0018]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述LDMOS器件為非對稱器件；或者所述LDMOS器件為對稱器件。
[0019]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的LDMOS器件的制造方法包括如下步驟:
[0020]步驟一、提供一第一導(dǎo)電類型摻雜的硅襯底；在所述硅襯底上制作場氧隔離層。
[0021]步驟二、在所述硅襯底的選定區(qū)域中的進(jìn)行第一導(dǎo)電類型阱區(qū)的離子注入形成溝道區(qū)，形成所述溝道區(qū)的選定區(qū)域由光刻工藝定義。
[0022]步驟三、采用第二導(dǎo)電類型離子注入工藝在所述硅襯底的選定區(qū)域中形成第一漂移區(qū)，形成所述第一漂移區(qū)的選定區(qū)域由光刻工藝定義；所述第一漂移區(qū)的第一側(cè)和所述溝道區(qū)在橫向上相接觸。
[0023]步驟四、對所述溝道區(qū)和所述第一漂移區(qū)進(jìn)行爐管退火處理。
[0024]步驟五、在所述硅襯底表面生長柵介質(zhì)層。
[0025]步驟六、采用光刻刻蝕工藝對所述柵介質(zhì)層部分去除，被去除的部分所述柵介質(zhì)層為位于所述第一漂移區(qū)和后續(xù)的第二漂移區(qū)相接觸區(qū)域的所述柵介質(zhì)層。
[0026]步驟七、在所述柵介質(zhì)層刻蝕后的所述襯底正面淀積多晶硅；在所述多晶硅淀積過程中進(jìn)行在位第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)摻雜或不摻雜。
[0027]步驟八、采用全面離子注入工藝對所述多晶硅進(jìn)行第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)摻雜。
[0028]步驟九、采用快速熱退火工藝對所述多晶硅的摻雜雜質(zhì)進(jìn)行處理。
[0029]步驟十、采用光刻刻蝕工藝對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成多晶硅柵和第二漂移區(qū)。
[0030]所述多晶硅柵位于所述溝道區(qū)上方、且所述多晶硅柵覆蓋部分所述溝道區(qū)并延伸到所述第一漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道。
[0031]所述第二漂移區(qū)位于所述第一漂移區(qū)的上方、且所述第二漂移區(qū)的底部和所述第一漂移區(qū)相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵的第二側(cè)的方向延伸；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)之間間隔有所述柵介質(zhì)層，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)的第二側(cè)外側(cè)的所述場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)底部的所述柵介質(zhì)層和所述場氧隔離層用做多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)的多晶硅的刻蝕。
[0032]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0033]步驟十一、對所述多晶硅柵和所述第二漂移區(qū)的多晶硅表面進(jìn)行熱氧化形成一熱氧化層。
[0034]步驟十二、淀積氮化硅薄膜，對所述氮化硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕在所述多晶硅柵和所述第二漂移區(qū)的側(cè)面形成氮化硅側(cè)墻。
[0035]步驟十三、進(jìn)行第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s離子注入形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)形成于所述溝道區(qū)中、且所述源區(qū)和所述多晶硅柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)；所述漏區(qū)形成于所述第二漂移區(qū)選定區(qū)域中，所述漏區(qū)靠近所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)且所述漏區(qū)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0036]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述LDMOS器件為N型器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型，步驟二中所述溝道區(qū)的離子注入的雜質(zhì)為硼或銦，步驟七中所述多晶硅的在位摻雜的雜質(zhì)為磷，步驟八中所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為磷；或者，所述LDMOS器件為P型器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型，步驟二中所述溝道區(qū)的離子注入的雜質(zhì)為磷或砷，步驟七中所述多晶硅的在位摻雜的雜質(zhì)為硼，步驟八中所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為硼，步驟一中的N型摻雜的硅襯底由形成于P型硅襯底上的深N阱組成。
[0037]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中的所述爐管退火的溫度為900°C?1200°C、時(shí)間為0.5小時(shí)?5小時(shí)；步驟九中的所述快速熱退火的溫度為1000°C、時(shí)間為大于10秒；步驟i^一中形成的所述熱氧化層的厚度為20埃?100埃。
[0038]本發(fā)明的漂移區(qū)由形成于襯底中離子注入擴(kuò)散區(qū)組成的第一漂移區(qū)和由多晶硅摻雜組成的第二漂移區(qū)疊加而成，和現(xiàn)有技術(shù)中的漂移區(qū)僅由形成于襯底中離子注入擴(kuò)散區(qū)組成相比，本發(fā)明的第二漂移區(qū)的設(shè)置能夠使得整個漂移區(qū)的厚度增加，從而能降低整個漂移區(qū)的寄生電阻越小，并能有效增加器件的線性電流、降低器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，本發(fā)明并不需要通過增加第一漂移區(qū)和第二漂移區(qū)的摻雜濃度來降低漂移區(qū)的寄生電阻，所以本發(fā)明器件還能保持較高的擊穿電壓；本發(fā)明的第二漂移區(qū)由多晶硅組成，能夠和多晶硅柵所采用多晶硅同步形成，所以本發(fā)明的工藝成本低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0039]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0040]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3A是現(xiàn)有LDMOS器件的半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具(TechnologyComputer AidedDesign, TCAD)器件模擬圖；
[0043]圖3B是本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的TCAD器件模擬圖；
[0044]圖3C是本發(fā)明實(shí)施例一和現(xiàn)有LDMOS器件的TCAD模擬的線性源漏電流和柵壓的關(guān)系曲線比較圖；
[0045]圖4A-圖41是本發(fā)明實(shí)施例一方法各步驟中LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]本發(fā)明實(shí)施例LDMOS器件包括:
[0047]第一導(dǎo)電類型摻雜的硅襯底。
[0048]第一漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)組成。
[0049]溝道區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型阱區(qū)組成，所述第一漂移區(qū)的第一側(cè)和所述溝道區(qū)在橫向上相接觸。
[0050]多晶硅柵，形成于所述溝道區(qū)上方，所述多晶硅柵和所述硅襯底間隔離有柵介質(zhì)層，所述多晶硅柵覆蓋部分所述溝道區(qū)并延伸到所述第一漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道。
[0051]源區(qū)，由形成于所述溝道區(qū)中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述源區(qū)和所述多晶娃柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)。
[0052]第二漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底表面上的第二導(dǎo)電類型摻雜的多晶硅組成，所述第二漂移區(qū)位于所述第一漂移區(qū)的上方、且所述第二漂移區(qū)的底部和所述第一漂移區(qū)相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵的第二側(cè)的方向延伸。
[0053]漏區(qū)，由形成于所述第二漂移區(qū)選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述漏區(qū)靠近所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)且所述漏區(qū)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0054]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0055]所述第二漂移區(qū)的多晶硅和所述多晶硅柵的多晶硅采用相同工藝同時(shí)形成。
[0056]所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)之間間隔有所述柵介質(zhì)層，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)的第二側(cè)外側(cè)的場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)底部的所述柵介質(zhì)層和所述場氧隔離層用作多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)的多晶硅的刻蝕。
[0057]所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)通過氮化硅側(cè)墻隔離。
[0058]所述第二漂移區(qū)的雜質(zhì)在所述第二漂移區(qū)的多晶硅淀積時(shí)在位摻雜形成或者在淀積后通過離子注入摻雜形成。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例LDMOS器件能為非對稱器件或?qū)ΨQ器件。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例LDMOS器件能為N型LDMOS和P型LDMOS器件。如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件為N型LDMOS器件，第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型；本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件包括:
[0061]P型摻雜的硅襯底101。在所述硅襯底101上形成有場氧隔離層102。
[0062]第一漂移區(qū)103，由形成于所述硅襯底101的選定區(qū)域中的N型離子注入?yún)^(qū)組成。
[0063]溝道區(qū)104，由形成于所述硅襯底101的選定區(qū)域中的P型阱區(qū)組成，所述第一漂移區(qū)103的第一側(cè)和所述溝道區(qū)104在橫向上相接觸。
[0064]多晶娃柵106,形成于所述溝道區(qū)104上方,所述多晶娃柵106和所述娃襯底101間隔離有柵介質(zhì)層105，較佳為，所述柵介質(zhì)層5為柵氧化層；所述多晶硅柵106覆蓋部分所述溝道區(qū)104并延伸到所述第一漂移區(qū)103上方，被所述多晶硅柵106覆蓋的所述溝道區(qū)104表面用于形成溝道。
[0065]源區(qū)108，由形成于所述溝道區(qū)104中的N型重?fù)诫s區(qū)組成，所述源區(qū)108和所述多晶娃柵106的第一側(cè)自對準(zhǔn)。
[0066]第二漂移區(qū)107，由形成于所述硅襯底101表面上的N型摻雜的多晶硅組成，所述第二漂移區(qū)107位于所述第一漂移區(qū)103的上方、且所述第二漂移區(qū)107的底部和所述第一漂移區(qū)103相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵106的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)和所述多晶硅柵106的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵106的第二側(cè)的方向延伸。
[0067]所述第二漂移區(qū)107的多晶硅和所述多晶硅柵106的多晶硅采用相同工藝同時(shí)形成。所述第二漂移區(qū)107的摻雜為N型輕摻雜，所述多晶硅柵106的摻雜為N型重?fù)诫s，分別滿足作為柵極和漂移區(qū)的需要。在所述第二漂移區(qū)107和所述多晶硅柵106的表面都形成有熱氧化層110，在所述第二漂移區(qū)107和所述多晶硅柵106的側(cè)面都形成有氮化硅側(cè)墻111。所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)和所述多晶硅柵106的第二側(cè)通過氮化硅側(cè)墻111隔離。所述第二漂移區(qū)107的雜質(zhì)在所述第二漂移區(qū)107的多晶硅淀積時(shí)在位摻雜形成或者在淀積后通過離子注入摻雜形成。
[0068]漏區(qū)109，由形成于所述第二漂移區(qū)107選定區(qū)域中的N型重?fù)诫s區(qū)組成，所述漏區(qū)109靠近所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)且所述漏區(qū)109和所述多晶硅柵106的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例一中，通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)107的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)107的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0070]較佳為，所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)103之間間隔有所述柵介質(zhì)層105，所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)103的第二側(cè)外側(cè)的場氧隔離層102上，所述第二漂移區(qū)107底部的所述柵介質(zhì)層105和所述場氧隔離層102用作多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)107的多晶硅的刻蝕。
[0071]如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件為P型LDMOS器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。通過對本發(fā)明實(shí)施例一的摻雜的導(dǎo)電類型進(jìn)行P型和N型的互換即可得到本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件結(jié)構(gòu)；具體為，本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件包括:
[0072]N型摻雜的硅襯底200，本發(fā)明實(shí)施例二所述硅襯底200還是選用P型摻雜結(jié)構(gòu)，通過在P型硅襯底200中形成N型摻雜的深N阱201實(shí)現(xiàn)N型摻雜的硅襯底200結(jié)構(gòu)。在所述硅襯底101上形成有場氧隔離層202。
[0073]第一漂移區(qū)203，由形成于所述硅襯底200的深N阱201的選定區(qū)域中的P型離子注入?yún)^(qū)組成。
[0074]溝道區(qū)204，由形成于所述硅襯底200的深N阱201的選定區(qū)域中的N型阱區(qū)組成，所述第一漂移區(qū)203的第一側(cè)和所述溝道區(qū)204在橫向上相接觸。
[0075]多晶娃柵206,形成于所述溝道區(qū)204上方,所述多晶娃柵206和所述娃襯底200的深N阱201間隔離有柵介質(zhì)層205，較佳為，所述柵介質(zhì)層205為柵氧化層；所述多晶硅柵206覆蓋部分所述溝道區(qū)204并延伸到所述第一漂移區(qū)203上方，被所述多晶硅柵206覆蓋的所述溝道區(qū)204表面用于形成溝道。
[0076]源區(qū)208，由形成于所述溝道區(qū)204中的P型重?fù)诫s區(qū)組成，所述源區(qū)208和所述多晶硅柵206的第一側(cè)自對準(zhǔn)。
[0077]第二漂移區(qū)207，由形成于所述硅襯底200的深N阱201表面上的P型摻雜的多晶硅組成；所述第二漂移區(qū)207的多晶硅和所述多晶硅柵206的多晶硅采用相同工藝同時(shí)形成。所述第二漂移區(qū)207的摻雜為P型輕摻雜，所述多晶硅柵206的摻雜為P型重?fù)诫s，分別滿足作為柵極和漂移區(qū)的需要。
[0078]所述第二漂移區(qū)207位于所述第一漂移區(qū)203的上方、且所述第二漂移區(qū)207的底部和所述第一漂移區(qū)203相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵206的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)和所述多晶硅柵206的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵206的第二側(cè)的方向延伸。
[0079]在所述第二漂移區(qū)207和所述多晶硅柵206的表面都形成有熱氧化層210，在所述第二漂移區(qū)207和所述多晶硅柵206的側(cè)面都形成有氮化硅側(cè)墻211。所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)和所述多晶硅柵206的第二側(cè)通過氮化硅側(cè)墻211隔離。所述第二漂移區(qū)207的雜質(zhì)在所述第二漂移區(qū)207的多晶硅淀積時(shí)在位摻雜形成或者在淀積后通過離子注入摻雜形成。
[0080]所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)203之間間隔有所述柵介質(zhì)層205，所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)203的第二側(cè)外側(cè)的場氧隔離層202上，所述第二漂移區(qū)207底部的所述柵介質(zhì)層205和所述場氧隔離層202用作多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)207的多晶硅的刻蝕。
[0081]漏區(qū)209，由形成于所述第二漂移區(qū)207選定區(qū)域中的P型重?fù)诫s區(qū)組成，所述漏區(qū)209靠近所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)且所述漏區(qū)209和所述多晶硅柵206的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0082]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)207的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)207的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0083]如圖3A和3B所示，分別是現(xiàn)有LDMOS器件和本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的TCAD器件模擬圖；圖3C是本發(fā)明實(shí)施例一和現(xiàn)有LDMOS器件的TCAD模擬的線性源漏電流和柵壓的關(guān)系曲線比較圖；可知，本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件比現(xiàn)有LDMOS器件增加了一個由多晶硅組成的第二漂移區(qū)后，漂移區(qū)的厚度會增加、能夠降低整個漂移區(qū)的寄生電阻，圖3C中的曲線301對應(yīng)于現(xiàn)有LDMOS器件的線性源漏電流和柵壓的關(guān)系曲線、曲線302對應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的線性源漏電流和柵壓的關(guān)系曲線，可知本發(fā)明實(shí)施例一LDMOS器件的線性電流得到增加，器件的導(dǎo)通電阻得到降低；這充分驗(yàn)證了本發(fā)明實(shí)施例一增加了第二漂移區(qū)后確實(shí)能有效增加器件的線性電流、降低器件的導(dǎo)通電阻，能保持較高的擊穿電壓。
[0084]如圖4A至圖41所示，是本發(fā)明實(shí)施例一方法各步驟中LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例一 LDMOS器件的制造方法包括如下步驟:
[0085]步驟一、如圖4A所示，提供一 P型摻雜的硅襯底101 ;在所述硅襯底101上制作場氧隔離層102。場氧隔離層102為局部場氧隔離層(LOCOS)或淺溝槽隔離層(STI)。
[0086]步驟二、如圖4B所示，在所述硅襯底101的選定區(qū)域中的進(jìn)行P型阱區(qū)的離子注入形成溝道區(qū)104，形成所述溝道區(qū)104的選定區(qū)域由光刻工藝定義。所述溝道區(qū)104的離子注入的雜質(zhì)為硼或銦，能采用多次離子注入形成。
[0087]步驟三、如圖4C所示，采用N型離子注入工藝在所述硅襯底101的選定區(qū)域中形成第一漂移區(qū)103，形成所述第一漂移區(qū)103的選定區(qū)域由光刻工藝定義；所述第一漂移區(qū)103的第一側(cè)和所述溝道區(qū)104在橫向上相接觸。所述第一漂移區(qū)103的離子注入的雜質(zhì)通常為磷，能采用不同能量的多次離子注入形成。
[0088]步驟四、如圖4C所示，對所述溝道區(qū)104和所述第一漂移區(qū)103進(jìn)行爐管退火處理。較佳為，所述爐管退火的溫度為900°C?1200°C、時(shí)間為0.5小時(shí)?5小時(shí)。
[0089]步驟五、如圖4D所示，在所述硅襯底101表面生長柵介質(zhì)層105，較佳為，所述柵介質(zhì)層105為棚氧化層。
[0090]步驟六、如圖4E所示，采用光刻刻蝕工藝對所述柵介質(zhì)層105部分去除，被去除的部分所述柵介質(zhì)層105為位于所述第一漂移區(qū)103和后續(xù)的第二漂移區(qū)107相接觸區(qū)域的所述柵介質(zhì)層105。
[0091]步驟七、如圖4F所示，在所述柵介質(zhì)層105刻蝕后的所述襯底正面淀積多晶硅106a ;在所述多晶硅106a淀積過程中進(jìn)行在位N型雜質(zhì)摻雜或不摻雜，較佳為在位N型摻雜的雜質(zhì)為磷。
[0092]步驟八、如圖4F所示，采用全面離子注入工藝對所述多晶硅106a進(jìn)行N型雜質(zhì)摻雜。較佳為，所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為磷。
[0093]步驟九、如圖4F所示，采用快速熱退火工藝對所述多晶硅106a的摻雜雜質(zhì)進(jìn)行處理。較佳為，所述快速熱退火的溫度為1000°c、時(shí)間為大于10秒。
[0094]步驟十、如圖4G所示，采用光刻刻蝕工藝對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成多晶硅柵106和第二漂移區(qū)107。
[0095]所述多晶硅柵106位于所述溝道區(qū)104上方、且所述多晶硅柵106覆蓋部分所述溝道區(qū)104并延伸到所述第一漂移區(qū)103上方，被所述多晶硅柵106覆蓋的所述溝道區(qū)104表面用于形成溝道。
[0096]所述第二漂移區(qū)107位于所述第一漂移區(qū)103的上方、且所述第二漂移區(qū)107的底部和所述第一漂移區(qū)103相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵106的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)和所述多晶硅柵106的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵106的第二側(cè)的方向延伸；所述第二漂移區(qū)107的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)103之間間隔有所述柵介質(zhì)層105，所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)103的第二側(cè)外側(cè)的所述場氧隔離層102上，所述第二漂移區(qū)107底部的所述柵介質(zhì)層105和所述場氧隔離層102用做多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)107的多晶硅的刻蝕。
[0097]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)107的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)107的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0098]步驟^^一、如圖4H所示，對所述多晶硅柵106和所述第二漂移區(qū)107的多晶硅表面進(jìn)行熱氧化形成一熱氧化層110。較佳為，所述熱氧化層110的厚度為20埃?100埃。
[0099]步驟十二、如圖41所示，淀積氮化硅薄膜，對所述氮化硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕在所述多晶硅柵106和所述第二漂移區(qū)107的側(cè)面形成氮化硅側(cè)墻111。
[0100]步驟十三、如圖1所示，進(jìn)行N型重?fù)诫s離子注入形成源區(qū)108和漏區(qū)109，所述源區(qū)108形成于所述溝道區(qū)104中、且所述源區(qū)108和所述多晶硅柵106的第一側(cè)自對準(zhǔn)；所述漏區(qū)109形成于所述第二漂移區(qū)107選定區(qū)域中，所述漏區(qū)109靠近所述第二漂移區(qū)107的第二側(cè)且所述漏區(qū)109和所述多晶硅柵106的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0101]以下步驟請參考圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例二 LDMOS器件的制造方法包括如下步驟:
[0102]步驟一、提供一 N型摻雜的硅襯底；在所述硅襯底上制作場氧隔離層。本發(fā)明實(shí)施例中N型摻雜的硅襯底采用P型摻雜的硅襯底200加上形成于P型硅襯底200中的深N阱201替換。
[0103]步驟二、在所述硅襯底200的深N阱201的選定區(qū)域中的進(jìn)行N型阱區(qū)的離子注入形成溝道區(qū)204，形成所述溝道區(qū)204的選定區(qū)域由光刻工藝定義。
[0104]步驟三、采用P型離子注入工藝在所述硅襯底200的深N阱201的選定區(qū)域中形成第一漂移區(qū)203，形成所述第一漂移區(qū)203的選定區(qū)域由光刻工藝定義；所述第一漂移區(qū)203的第一側(cè)和所述溝道區(qū)204在橫向上相接觸。
[0105]步驟四、對所述溝道區(qū)204和所述第一漂移區(qū)203進(jìn)行爐管退火處理。較佳為，所述爐管退火的溫度為900°C?1200°C、時(shí)間為0.5小時(shí)?5小時(shí)。
[0106]步驟五、在所述硅襯底200的深N阱201表面生長柵介質(zhì)層205。較佳為，所述柵介質(zhì)層205為柵氧化層。
[0107]步驟六、采用光刻刻蝕工藝對所述柵介質(zhì)層205部分去除，被去除的部分所述柵介質(zhì)層205為位于所述第一漂移區(qū)203和后續(xù)的第二漂移區(qū)207相接觸區(qū)域的所述柵介質(zhì)層 205。
[0108]步驟七、在所述柵介質(zhì)層205刻蝕后的所述襯底正面淀積多晶硅；在所述多晶硅淀積過程中進(jìn)行在位P型雜質(zhì)摻雜或不摻雜；較佳為在位P型摻雜的雜質(zhì)為硼。
[0109]步驟八、采用全面離子注入工藝對所述多晶硅進(jìn)行P型雜質(zhì)摻雜。較佳為，所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為硼。
[0110]步驟九、采用快速熱退火工藝對所述多晶硅的摻雜雜質(zhì)進(jìn)行處理。較佳為，所述快速熱退火的溫度為1000°c、時(shí)間為大于10秒。
[0111]步驟十、采用光刻刻蝕工藝對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成多晶硅柵206和第二漂移區(qū)207。
[0112]所述多晶硅柵206位于所述溝道區(qū)204上方、且所述多晶硅柵206覆蓋部分所述溝道區(qū)204并延伸到所述第一漂移區(qū)203上方，被所述多晶硅柵206覆蓋的所述溝道區(qū)204表面用于形成溝道。
[0113]所述第二漂移區(qū)207位于所述第一漂移區(qū)203的上方、且所述第二漂移區(qū)207的底部和所述第一漂移區(qū)203相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵206的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)和所述多晶硅柵206的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵206的第二側(cè)的方向延伸；所述第二漂移區(qū)207的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)203之間間隔有所述柵介質(zhì)層205，所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)203的第二側(cè)外側(cè)的所述場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)207底部的所述柵介質(zhì)層205和所述場氧隔離層用做多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)207的多晶硅的刻蝕。
[0114]通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)207的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)207的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
[0115]步驟十一、對所述多晶硅柵206和所述第二漂移區(qū)207的多晶硅表面進(jìn)行熱氧化形成一熱氧化層210。較佳為，所述熱氧化層210的厚度為20埃?100埃。
[0116]步驟十二、淀積氮化硅薄膜，對所述氮化硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕在所述多晶硅柵206和所述第二漂移區(qū)207的側(cè)面形成氮化硅側(cè)墻211。
[0117]步驟十三、進(jìn)行P型重?fù)诫s離子注入形成源區(qū)208和漏區(qū)209，所述源區(qū)208形成于所述溝道區(qū)204中、且所述源區(qū)208和所述多晶硅柵206的第一側(cè)自對準(zhǔn)；所述漏區(qū)209形成于所述第二漂移區(qū)207選定區(qū)域中，所述漏區(qū)209靠近所述第二漂移區(qū)207的第二側(cè)且所述漏區(qū)209和所述多晶硅柵206的第二側(cè)相隔一橫向距離。
[0118]以上通過具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括: 第一導(dǎo)電類型摻雜的娃襯底； 第一漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)組成；溝道區(qū)，由形成于所述硅襯底的選定區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型阱區(qū)組成，所述第一漂移區(qū)的第一側(cè)和所述溝道區(qū)在橫向上相接觸； 多晶硅柵，形成于所述溝道區(qū)上方，所述多晶硅柵和所述硅襯底間隔離有柵介質(zhì)層，所述多晶硅柵覆蓋部分所述溝道區(qū)并延伸到所述第一漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道； 源區(qū)，由形成于所述溝道區(qū)中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述源區(qū)和所述多晶硅柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)； 第二漂移區(qū)，由形成于所述硅襯底表面上的第二導(dǎo)電類型摻雜的多晶硅組成，所述第二漂移區(qū)位于所述第一漂移區(qū)的上方、且所述第二漂移區(qū)的底部和所述第一漂移區(qū)相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵的第二側(cè)的方向延伸； 漏區(qū)，由形成于所述第二漂移區(qū)選定區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成，所述漏區(qū)靠近所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)且所述漏區(qū)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一橫向距離；通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小。
2.如權(quán)利要求1所述LDMOS器件，其特征在于:所述第二漂移區(qū)的多晶硅和所述多晶硅柵的多晶硅采用相同工藝同時(shí)形成。
3.如權(quán)利要求1或2所述LDMOS器件，其特征在于:所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)之間間隔有所述柵介質(zhì)層，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)的第二側(cè)外側(cè)的場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)底部的所述柵介質(zhì)層和所述場氧隔離層用作多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)的多晶硅的刻蝕。
4.如權(quán)利要求1或2所述LDMOS器件，其特征在于:所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)通過氮化硅側(cè)墻隔離。
5.如權(quán)利要求1或2所述LDMOS器件，其特征在于:所述第二漂移區(qū)的雜質(zhì)在所述第二漂移區(qū)的多晶硅淀積時(shí)在位摻雜形成或者在淀積后通過離子注入摻雜形成。
6.如權(quán)利要求1或2所述LDMOS器件，其特征在于:所述LDMOS器件為N型器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；或者，所述LDMOS器件為P型器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
7.如權(quán)利要求1或2所述LDMOS器件，其特征在于:所述LDMOS器件為非對稱器件；或者所述LDMOS器件為對稱器件。
8.一種LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、提供一第一導(dǎo)電類型摻雜的娃襯底；在所述娃襯底上制作場氧隔離層； 步驟二、在所述硅襯底的選定區(qū)域中的進(jìn)行第一導(dǎo)電類型阱區(qū)的離子注入形成溝道區(qū)，形成所述溝道區(qū)的選定區(qū)域由光刻工藝定義； 步驟三、采用第二導(dǎo)電類型離子注入工藝在所述硅襯底的選定區(qū)域中形成第一漂移區(qū)，形成所述第一漂移區(qū)的選定區(qū)域由光刻工藝定義；所述第一漂移區(qū)的第一側(cè)和所述溝道區(qū)在橫向上相接觸； 步驟四、對所述溝道區(qū)和所述第一漂移區(qū)進(jìn)行爐管退火處理； 步驟五、在所述硅襯底表面生長柵介質(zhì)層； 步驟六、采用光刻刻蝕工藝對所述柵介質(zhì)層部分去除，被去除的部分所述柵介質(zhì)層為位于所述第一漂移區(qū)和后續(xù)的第二漂移區(qū)相接觸區(qū)域的所述柵介質(zhì)層； 步驟七、在所述柵介質(zhì)層刻蝕后的所述襯底正面淀積多晶硅；在所述多晶硅淀積過程中進(jìn)行在位第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)摻雜或不摻雜； 步驟八、采用全面離子注入工藝對所述多晶硅進(jìn)行第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)摻雜； 步驟九、采用快速熱退火工藝對所述多晶硅的摻雜雜質(zhì)進(jìn)行處理； 步驟十、采用光刻刻蝕工藝對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成多晶硅柵和第二漂移區(qū)；所述多晶硅柵位于所述溝道區(qū)上方、且所述多晶硅柵覆蓋部分所述溝道區(qū)并延伸到所述第一漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道； 所述第二漂移區(qū)位于所述第一漂移區(qū)的上方、且所述第二漂移區(qū)的底部和所述第一漂移區(qū)相接觸并疊加形成LDMOS器件的漂移區(qū)；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)靠近所述多晶硅柵的第二側(cè)且所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一段距離，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)向遠(yuǎn)離所述多晶硅柵的第二側(cè)的方向延伸；所述第二漂移區(qū)的第一側(cè)底部和所述第一漂移區(qū)之間間隔有所述柵介質(zhì)層，所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)延伸到位于所述第一漂移區(qū)的第二側(cè)外側(cè)的所述場氧隔離層上，所述第二漂移區(qū)底部的所述柵介質(zhì)層和所述場氧隔離層用做多晶硅刻蝕的終點(diǎn)從而方便所述第二漂移區(qū)的多晶硅的刻蝕； 通過調(diào)節(jié)所述第二漂移區(qū)的厚度調(diào)節(jié)所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻，所述第二漂移區(qū)的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移區(qū)的寄生電阻越小、所述LDMOS器件的導(dǎo)通電阻越小； 步驟十一、對所述多晶硅柵和所述第二漂移區(qū)的多晶硅表面進(jìn)行熱氧化形成一熱氧化層； 步驟十二、淀積氮化硅薄膜，對所述氮化硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕在所述多晶硅柵和所述第二漂移區(qū)的側(cè)面形成氮化硅側(cè)墻； 步驟十三、進(jìn)行第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s離子注入形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)形成于所述溝道區(qū)中、且所述源區(qū)和所述多晶硅柵的第一側(cè)自對準(zhǔn)；所述漏區(qū)形成于所述第二漂移區(qū)選定區(qū)域中，所述漏區(qū)靠近所述第二漂移區(qū)的第二側(cè)且所述漏區(qū)和所述多晶硅柵的第二側(cè)相隔一橫向距離。
9.如權(quán)利要求8所述方法，其特征在于:所述LDMOS器件為N型器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型，步驟二中所述溝道區(qū)的離子注入的雜質(zhì)為硼或銦，步驟七中所述多晶硅的在位摻雜的雜質(zhì)為磷，步驟八中所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為磷；或者，所述LDMOS器件為P型器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型，步驟二中所述溝道區(qū)的離子注入的雜質(zhì)為磷或砷，步驟七中所述多晶硅的在位摻雜的雜質(zhì)為硼，步驟八中所述多晶硅的離子注入雜質(zhì)為硼，步驟一中的N型摻雜的硅襯底由形成于P型硅襯底上的深N阱組成。
10.如權(quán)利要求8或9所述方法，其特征在于:步驟四中的所述爐管退火的溫度為900°C?1200°C、時(shí)間為0.5小時(shí)?5小時(shí)；步驟九中的所述快速熱退火的溫度為1000°C、 時(shí)間為大于10秒；步驟十一中形成的所述熱氧化層的厚度為20埃?100埃。
【文檔編號】H01L21/265GK104518027SQ201410262236
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月13日
【發(fā)明者】錢文生 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司