有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，包括：基板，所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層；黑硅結(jié)構(gòu)，布設(shè)于所述基板上且顯露出所述OLED有機(jī)層，用于吸收外界環(huán)境光以降低環(huán)境光的反射率。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在OLED有機(jī)層周圍設(shè)置黒硅結(jié)構(gòu)或者直接將OLED有機(jī)層制作在黒硅結(jié)構(gòu)中，利用黑硅結(jié)構(gòu)超強(qiáng)的光吸收性能，大大降低了環(huán)境光的反射率，實現(xiàn)在較小的發(fā)光亮度下就可在亮環(huán)境下有清晰的顯示效果，降低了顯示面板本身的發(fā)光亮度，節(jié)省功耗，并可減少膜層的層數(shù)和降低面板整體厚度，符合顯示面板輕薄化的趨勢。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有體積輕薄、制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、響應(yīng)速度快、易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)與集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]如圖1所示，OLED顯示器中的顯示裝置一般包括襯底基板1、依次設(shè)置在襯底基板上的半導(dǎo)體層2 (也稱為ITO層)和電極層6、以及設(shè)置在半導(dǎo)體層2與電極層6之間的結(jié)構(gòu)層，其中，半導(dǎo)體層2與電力正極相連而成為陽極，電極層6與電力負(fù)極相連而成為陰極；所述結(jié)構(gòu)層包括與半導(dǎo)體層2相連的空穴傳輸層(也成為HTL層)、與電極層6相連的電子傳輸層(ETL)、以及設(shè)置在空穴傳輸層3和電子傳輸層5之間的發(fā)光層4 (EL)。當(dāng)為半導(dǎo)體層2和電極層6施加適當(dāng)電壓時，陽極產(chǎn)生的空穴與陰極產(chǎn)生的電子就會在發(fā)光層中結(jié)合，發(fā)出光子，并且依其配方不同分別產(chǎn)生紅綠藍(lán)三原色，以構(gòu)成基本色彩。
[0004]由于電極層6 —般采用金屬制成，其反射率極高，故OLED顯示器在外界環(huán)境光較強(qiáng)的戶外使用時，會由于光反射而導(dǎo)致可讀性極差。
[0005]目前，業(yè)界普遍采用圓偏振片(線偏振片和四分之一波片組合)的方式來減小環(huán)境光的反射率，這種方法造價昂貴；且，由于環(huán)境光為非單色光，以及環(huán)境光除了經(jīng)過偏振片和四分之一波片外，也會經(jīng)過OLED材料和中間結(jié)構(gòu)，部分已經(jīng)純化的線偏振光會變?yōu)闄E圓偏振光，所以仍有很大一部分光會被反射出來，無法達(dá)到完全阻隔的效果。在亮環(huán)境下，就需要通過增大OLED的發(fā)光亮度來達(dá)到可讀效果，增加功耗；另外，OLED發(fā)出的光經(jīng)過偏振片后損失了 50%以上，浪費嚴(yán)重；再有，在高亮度下同時降低了面板的壽命。還有，偏光片的厚度大約為0.2mm，這不符合有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板輕薄化的趨勢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中反射光隔離效果欠佳、功耗較大且面板厚度不能有效降低等問題。
[0007]實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:
[0008]本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，包括:基板，所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層；黑硅結(jié)構(gòu)，布設(shè)于所述基板上且顯露出所述OLED有機(jī)層，用于吸收外界環(huán)境光以降低環(huán)境光的反射率。
[0009]采用上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，額外提供了黑硅結(jié)構(gòu)，通過在OLED有機(jī)層周圍設(shè)置黒硅結(jié)構(gòu)或者直接將OLED有機(jī)層制作在黒硅結(jié)構(gòu)中，利用黑硅結(jié)構(gòu)超強(qiáng)的光吸收性能，大大降低了環(huán)境光的反射率，實現(xiàn)在較小的發(fā)光亮度下就可在亮環(huán)境下有清晰的顯示效果，降低了顯示面板本身的發(fā)光亮度，節(jié)省功耗，并可減少膜層的層數(shù)和降低面板整體厚度，符合顯示面板輕薄化的趨勢。
[0010]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述黑硅結(jié)構(gòu)為布設(shè)于所述OLED發(fā)光器件之上的黑硅層，所述黑硅層開設(shè)有供顯露出其下的所述OLED有機(jī)層的開口。
[0011]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述黑硅結(jié)構(gòu)為與所述OLED有機(jī)層布設(shè)于同一平面層的黑硅層，所述黑硅層布設(shè)于所述OLED有機(jī)層的周緣。
[0012]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述OLED有機(jī)層采用蒸鍍工藝形成于所述黑硅結(jié)構(gòu)開設(shè)的開口內(nèi)。
[0013]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述OLED有機(jī)層布設(shè)于所述黑硅結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述黑硅結(jié)構(gòu)為凸出于所述OLED有機(jī)層的黑硅椎體。
[0014]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述黑硅結(jié)構(gòu)是在硅片上經(jīng)刻蝕工藝所形成的，表面具有尖峰狀結(jié)構(gòu)的微構(gòu)造。
[0015]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述幾何形狀的微構(gòu)造為尖峰狀。
[0016]本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述黑硅結(jié)構(gòu)對可見光的反射率小于1%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1和圖2為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第一實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第二實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0019]圖4為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第三實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]已知，在現(xiàn)有技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板多采用圓偏振片(線偏振片和四分之一波片組合)的方式來減小環(huán)境光的反射率，但這種方法造價昂貴且光線阻隔效果仍存在不足，在亮環(huán)境下，需要增大OLED的亮度來達(dá)到可讀效果，增加功耗及降低了面板的壽命。
[0021]有鑒于此，本發(fā)明的發(fā)明人提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，包括:基板，所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層；黑硅結(jié)構(gòu)，布設(shè)于所述基板上且顯露出所述OLED有機(jī)層，用于吸收外界環(huán)境光以降低環(huán)境光的反射率。
[0022]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，在OLED有機(jī)層周圍設(shè)置黒硅結(jié)構(gòu)或者直接將OLED有機(jī)層制作在黒硅結(jié)構(gòu)中，利用黑硅結(jié)構(gòu)超強(qiáng)的光吸收性能，大大降低了環(huán)境光的反射率，節(jié)省功耗，且符合顯示面板輕薄化的趨勢。
[0023]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0024]請參閱附圖。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0025]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0026]第一實施例:
[0027]請參閱圖1和圖2，其中，圖1為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第一實施例中的剖面圖，圖2為圖1的俯視圖。如圖1和圖2所示，本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:基板(未在圖式中予以顯示)，在所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層11，在OLED有機(jī)層11的周邊可布設(shè)有用于包圍住OLED有機(jī)層11的有機(jī)阻擋層12，進(jìn)一步地，在所述OLED有機(jī)阻擋層12之上則布設(shè)有黑硅層13，黑硅層13開設(shè)有供顯露出其下的OLED有機(jī)層11的開口 14，供OLED有機(jī)層11中光的出射。在實際工藝中，可在有機(jī)阻擋層12之上形成黑硅層13，之后，再在所形成的黑硅層13中與有機(jī)阻擋層12對應(yīng)的位置處通過刻蝕等工藝開設(shè)出開口 14，再通過蒸鍍形成OLED有機(jī)層11。
[0028]在本實施例中，OLED有機(jī)層11作為發(fā)光區(qū)，在這里，所述光可以是白光或三原色(紅色R、綠色G、以及藍(lán)色B)中的任一種。黑硅層13對光線具有極強(qiáng)的吸收性能，從而大大降低了環(huán)境光的反射率。實際上，黑硅是在硅片上經(jīng)刻蝕工藝所形成的，表面具有幾何形狀的微構(gòu)造，優(yōu)選為尖峰狀結(jié)構(gòu)的微構(gòu)造。所述刻蝕工藝具體包括:可以采用飛秒脈沖照射(femtosecond laser pulse irradiat1n)、金屬輔助蝕刻法(metal-assisted wetetching)、反應(yīng)離子蝕刻(reactive 1n etching and electrochemical etching)等方法，硅表面被刻蝕過的部分由原來的灰色變成了黑色，表明黑硅對可見光的吸收明顯強(qiáng)于普通硅。實驗測量表面，刻蝕后的黑硅對可見至近紅外波段的光(250nm至2500nm)幾乎全部吸收(對光的反射率可小于1% )。
[0029]第二實施例:
[0030]請參閱圖3，其為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第二實施例中的剖面圖，如圖3所示，本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:基板(未在圖式中予以顯示)，在所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層21，在OLED有機(jī)層的周緣布設(shè)有黑硅層23。在這里，黑硅層23是與OLED有機(jī)層21布設(shè)于同一平面層。在實際工藝中，先形成黑硅層23，之后利用刻蝕等工藝在黑硅層23上開設(shè)開口，再利用蒸鍍工藝在黑硅層23的開口內(nèi)形成OLED有機(jī)層21。
[0031]特別地，在第二實施例中，黑硅層23是與OLED有機(jī)層21布設(shè)于同一平面層，如此，相較于黑娃層13是布設(shè)于OLED有機(jī)層11之上的第一實施例，在仍具有極強(qiáng)的光線吸收性能以大大降低了環(huán)境光的反射率的優(yōu)勢下，還同時具有減少膜層的層數(shù)和降低面板整體厚度、以及起著阻隔相鄰其他OLED有機(jī)層所可能造成的光干擾影響的作用。
[0032]第三實施例:
[0033]請參閱圖4，其為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在第三實施例中的剖面圖，如圖4所示，本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:基板(未在圖式中予以顯示)，在所述基板上布設(shè)有黑硅椎體33，在相鄰兩個黑硅椎體33之間的間隙內(nèi)布設(shè)有OLED有機(jī)層31。在這里，黑硅椎體33為呈下寬上窄的椎體結(jié)構(gòu)，且凸出于OLED有機(jī)層31的。
[0034]在實際工藝中，先在基板上形成黑硅層，利用刻蝕等工藝去除所述黑硅層的部分椎體的底部以在椎體間隙內(nèi)形成上下同寬的結(jié)構(gòu)，再利用蒸鍍工藝在黑硅椎體33的間隙內(nèi)(即，黑硅椎體33的底部)形成OLED有機(jī)層31。
[0035]特別地，在第三實施例中，提供的是黑硅椎體33，OLED有機(jī)層31是形成于黑硅椎體33的底部，如此，黑硅椎體33仍具有極強(qiáng)的光線吸收性能以大大降低了環(huán)境光的反射率的優(yōu)點，以及起著阻隔相鄰其他OLED有機(jī)層所可能造成的光干擾影響的作用。更進(jìn)一步地，還可以通過改變黑硅椎體33的結(jié)構(gòu)(例如傾斜坡面的傾斜角等)來達(dá)到控制光的輸出角度和光吸收效率。
[0036]下面對本發(fā)明一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的有益效果進(jìn)行說明。
[0037]采用上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，額外提供了黑硅結(jié)構(gòu)，通過在OLED有機(jī)層周圍設(shè)置黒硅結(jié)構(gòu)或者直接將OLED有機(jī)層制作在黒硅結(jié)構(gòu)中，利用黑硅結(jié)構(gòu)超強(qiáng)的光吸收性能，大大降低了環(huán)境光的反射率，實現(xiàn)在較小的發(fā)光亮度下就可在亮環(huán)境下有清晰的顯示效果，降低了顯示面板本身的發(fā)光亮度，節(jié)省功耗。
[0038]另外，可以通過將黑硅結(jié)構(gòu)與OLED有機(jī)層制作于同一平面層，在仍具有極強(qiáng)的光線吸收性能以大大降低了環(huán)境光的反射率的優(yōu)勢下，還同時具有減少膜層的層數(shù)和降低面板整體厚度、以及起著阻隔相鄰其他OLED有機(jī)層所可能造成的光干擾影響的作用，符合顯示面板輕薄化的趨勢。
[0039]再有，還可以通過改變黑硅結(jié)構(gòu)的形狀結(jié)構(gòu)來達(dá)到控制光的輸出角度和光吸收效率。
[0040]以上結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對本發(fā)明做出種種變化例。因而，實施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，包括: 基板，所述基板上布設(shè)有OLED發(fā)光器件，所述OLED發(fā)光器件中具有OLED有機(jī)層； 黑硅結(jié)構(gòu)，布設(shè)于所述基板上且顯露出所述OLED有機(jī)層，用于吸收外界環(huán)境光以降低環(huán)境光的反射率。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述黑硅結(jié)構(gòu)為布設(shè)于所述OLED發(fā)光器件之上的黑硅層，所述黑硅層開設(shè)有供顯露出其下的所述OLED有機(jī)層的開口。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述黑硅結(jié)構(gòu)為與所述OLED有機(jī)層布設(shè)于同一平面層的黑硅層，所述黑硅層布設(shè)于所述OLED有機(jī)層的周緣。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述OLED有機(jī)層采用蒸鍍工藝形成于所述黑硅結(jié)構(gòu)開設(shè)的開口內(nèi)的。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述OLED有機(jī)層布設(shè)于所述黑硅結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述黑硅結(jié)構(gòu)為凸出于所述OLED有機(jī)層的黑硅椎體。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述黑硅結(jié)構(gòu)是在硅片上經(jīng)刻蝕工藝所形成的，表面具有幾何形狀的微構(gòu)造。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述幾何形狀的微構(gòu)造為尖峰狀。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，所述黑硅結(jié)構(gòu)對可見光的反射率小于I %。
【文檔編號】H01L51/52GK104037358SQ201410265412
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月16日
【發(fā)明者】李征 申請人:上海和輝光電有限公司