X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器的制造方法
【專利摘要】X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，涉及微波技術。本發(fā)明包括微帶轉(zhuǎn)接器、基片集成波導和鐵氧體，其特征在于，所述鐵氧體為三角形鐵氧體，其外接圓半徑R滿足下述公式：c為光速，f0為中心頻率，εrf為鐵氧體介電常數(shù)，μe為鐵氧體等效磁導率。本發(fā)明高了器件環(huán)行性能的穩(wěn)定性，保證了器件的可靠性，具有較大的商業(yè)應用價值。
【專利說明】X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及微波技術。

【背景技術】
[0002] 高性能X波段環(huán)行器在軍事上的有源相控陣雷達、微波電路系統(tǒng)中起著隔離、保 護電路、單向傳輸能量等重要作用，有著非常廣泛的應用。然而傳統(tǒng)環(huán)行器采用的矩形波 導、同軸波導等傳輸方式具有體積大、質(zhì)量大、成本高、不易與平面電路集成、調(diào)試復雜等缺 陷，采用微帶、帶線等傳輸方式具有低品質(zhì)因數(shù)、電磁輻射較大、高頻插入損耗較大等缺 點。因此傳統(tǒng)環(huán)行器已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代電子技術的發(fā)展要求：小型化、寬頻帶、小插損、高隔 離?；刹▽В⊿IW)是一種新型的高Q值、低損耗集成波導結構，彌補了傳統(tǒng)平面波導、 非平面波導的缺點，能方便地實現(xiàn)與微帶線、共面波導等平面?zhèn)鬏斁€的集成，且易于設計和 加工、混合集成，可以廣泛應用于微波毫米波集成電路中?；赟IW平臺的環(huán)行器相對于傳 統(tǒng)帶線環(huán)行器、波導環(huán)行器在結構上、性能上具有明顯的優(yōu)勢?，F(xiàn)有的X波段環(huán)行器工作帶 寬不夠滿帶，性能指標不夠優(yōu)良。其主要原因是波導結構本身的缺陷，以及環(huán)行器設計、匹 配電路之間的阻抗匹配困難。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術問題是，提供一種X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，具有 小型化、高性能、易加工集成、功率容量大等優(yōu)點
[0004] 本發(fā)明解決所述技術問題采用的技術方案是，X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，包 括微帶轉(zhuǎn)接器、基片集成波導和鐵氧體，其特征在于，所述鐵氧體為三角形鐵氧體，其外接 圓半徑R滿足下述修正計算公式：

【權利要求】
1. X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，包括微帶轉(zhuǎn)接器、基片集成波導和鐵氧體，其特征 在于，所述鐵氧體為三角形鐵氧體，其外接圓半 徑R滿足下述公式：
c為光速為中心頻率，為鐵氧體介電常數(shù)，μ e為鐵氧體等效磁導率。
2. 如權利要求1所述的X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，其特征在于，微帶轉(zhuǎn)接器與中 心結連接處有圓弧過渡。
3. 如權利要求2所述的X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，其特征在于，各項結構參數(shù) 為：三角形鐵氧體外接圓半徑R = 3. 59mm，集成波導端口寬度a = 7. 72mm，微帶轉(zhuǎn)接器寬度 A = 2. 18mm,寬度W2 = 0· 6mm,長度L = 3. 5mm，波導通孔直徑d = 0· 4mm，波導通孔的孔間 距p = 0· 7mm，微帶轉(zhuǎn)接器與中心結的連接處圓弧的倒角半徑札=1. 05mm。
4. 如權利要求3所述的X波段滿帶基片集成波導環(huán)行器，其特征在于，環(huán)行器的介質(zhì)基 板高度為〇.635mm，介電常數(shù)為10. 2,損耗角為0.0022,長寬為12mm xl2mm，鐵氧體所占器 件整體體積百分比為11.6%，鐵氧體介電常數(shù)為15.3，飽和磁化強度4^1|^ = 25006&11%。
【文檔編號】H01P1/38GK104064842SQ201410266061
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權日:2014年6月16日
【發(fā)明者】羅力兢, 陳良, 汪曉光, 鄧龍江, 朱帥, 黃成 , 陳帥 申請人:電子科技大學