有機(jī)發(fā)光二極管裝置及其制造方法
【專利摘要】本公開提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置及其制造方法。有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法包括：制備被限定為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的基板；在顯示區(qū)域中形成包括薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光部分，并且在非顯示區(qū)域中形成焊盤部分；在全部顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中順序地形成犧牲層和包封鈍化膜；以及通過激光的照射來(lái)從焊盤部分分離犧牲層和包封鈍化膜。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請(qǐng)涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置。更具體地，本申請(qǐng)涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法，其適于通過實(shí)現(xiàn)窄邊框來(lái)確保設(shè)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)力，并且本申請(qǐng)還涉及利用該方法制造的有機(jī)發(fā)光二極管裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管裝置被稱為有機(jī)發(fā)光顯示(0LED)裝置。有機(jī)發(fā)光二極管裝置通過下述方式來(lái)發(fā)射光:利用從電子注入電極和空穴注入電極注入到有機(jī)發(fā)光層的電子和空穴的復(fù)合形成激子并且將激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)。
[0003]因此，有機(jī)發(fā)光二極管裝置具有自發(fā)光性質(zhì)。換言之，有機(jī)發(fā)光二極管裝置不要求任何單獨(dú)的光源，這與液晶顯示裝置不同。據(jù)此，有機(jī)發(fā)光二極管裝置能夠減小厚度和重量。而且，有機(jī)發(fā)光二極管裝置具有低功耗、高亮度、快響應(yīng)速度等的優(yōu)異特性。因此，有機(jī)發(fā)光二極管裝置作為移動(dòng)設(shè)備的下一代顯示裝置受到公眾關(guān)注。此外，有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造過程簡(jiǎn)單。因此，與現(xiàn)有的液晶顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造成本較大地降低。
[0004]圖1A是示出普通有機(jī)發(fā)光二極管裝置的透視圖。圖1B是示出沿著圖1A的線1-1’截取的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的截面圖。
[0005]參考圖1A和圖1B，普通有機(jī)發(fā)光二極管裝置包括:第一基板20，第一基板20上形成有發(fā)光部分40 ;以及第二基板(未不出)，第二基板面對(duì)第一基板20。第一基板20和第二基板利用密封構(gòu)件彼此組合。
[0006]詳細(xì)地，第一基板20被限定為顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA。顯示區(qū)域AA用于顯示圖像。非顯示區(qū)域NA占用第一基板20的除了顯示區(qū)域AA之外的剩余區(qū)域。非顯示區(qū)域NA的一部分被限定為焊盤區(qū)域PA。
[0007]發(fā)光部分40形成在顯示區(qū)域AA上。如果有機(jī)發(fā)光二極管裝置在有源矩陣模式中，則彼此交叉的多條選通線GL和數(shù)據(jù)線DL形成在發(fā)光部分40內(nèi)。而且，由所述多條選通線GL和數(shù)據(jù)線DL在發(fā)光部分內(nèi)限定多個(gè)像素。薄膜晶體管形成在選通線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉處。每個(gè)薄膜晶體管連接到形成在相應(yīng)像素內(nèi)的第一電極31。有機(jī)發(fā)光層33和第二電極34順序地形成在第一電極31上。一般來(lái)說(shuō)，第一電極31用作陽(yáng)極，并且第二電極34用作陰極。當(dāng)形成了第二電極34時(shí)，完成了發(fā)光部分40。
[0008]同時(shí)，焊盤部分30形成在非顯示區(qū)域NA的焊盤區(qū)域PA中。焊盤部分30連接到顯示區(qū)域AA的選通線GL和數(shù)據(jù)線DL。這樣的焊盤部分30將選通線GL和數(shù)據(jù)線DL連接至IJ用作驅(qū)動(dòng)電路基板的外部印刷電路板(未示出)。
[0009]然而，有機(jī)發(fā)光二極管裝置具有非常容易受到環(huán)境中的濕氣和氧氣的性質(zhì)。因此，必須包封有機(jī)發(fā)光二極管裝置，以便于防止?jié)駳夂脱鯕獾那秩?。換言之，有機(jī)發(fā)光二極管裝置需要執(zhí)行包封處理。
[0010]圖2是例示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法的截面圖。詳細(xì)地，圖2是例示形成用于防止?jié)駳夂脱鯕馇秩氲陌忖g化膜的方法的截面圖。
[0011]參考圖2，有機(jī)發(fā)光二極管裝置的現(xiàn)有制造方法包括:制備被限定為顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA的第一基板20 ;在顯示區(qū)域AA上形成發(fā)光部分40 ;在非顯示區(qū)域NA的焊盤區(qū)域PA上形成焊盤部分30 ;在第一基板20的除了焊盤部分30之外的整個(gè)區(qū)域上形成包封鈍化膜60 ；以及將其上形成有包封鈍化膜60的第一基板與第二基板(未示出)組合。
[0012]更具體地，包封鈍化膜60的形成包括:在發(fā)光部分40的用作陰極的第二電極34上沉積若干有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料。這時(shí)，包封鈍化膜60形成為充分地覆蓋設(shè)置有發(fā)光部分40的顯示區(qū)域AA。然而，包封鈍化膜60必須未形成在設(shè)置有將與驅(qū)動(dòng)1C (集成電路)芯片和FPC(柔性印刷電路)膜接觸的焊盤部分30的焊盤區(qū)域PA上。
[0013]如上所述，有機(jī)發(fā)光二極管裝置易受到濕氣損害。由此，難以在形成發(fā)光部分40之后執(zhí)行濕法蝕刻處理。因此，在形成包封鈍化膜60時(shí)，使用掩模1來(lái)防止包封鈍化膜60在焊盤區(qū)域PA中的沉積。
[0014]使用掩模1能夠引起很多問題。例如，掩模1的卷曲或者掩模1的錯(cuò)位能夠引起故障，掩模1上的異物能夠使所形成的膜的質(zhì)量劣化，由于掩模1能夠?qū)е略谇皇抑挟a(chǎn)生弧放電，掩模1的材料質(zhì)量能夠使得沉積膜的質(zhì)量變得不同，并且由于掩模1能夠產(chǎn)生靜電。此外，使用掩模1能夠在沉積膜中產(chǎn)生陰影區(qū)域并且使處理裕減少。
[0015]上述問題成為使有機(jī)發(fā)光二極管裝置的產(chǎn)率劣化的因素。而且，掩模1要求昂貴的精細(xì)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。因此，額外地需要許多開銷來(lái)制造和維護(hù)該昂貴的設(shè)備。此外，精細(xì)的對(duì)準(zhǔn)處理不僅使間隔時(shí)間(tact time)增加，而且使有機(jī)發(fā)光二極管裝置的產(chǎn)率劣化。此外，由于在沉積膜中產(chǎn)生陰影區(qū)域，因此對(duì)于窄邊框難以設(shè)計(jì)面板。
[0016]本申請(qǐng)要求2013年6月28日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2013-0075306的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體并入這里。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法。該方法可以包括:在基板的顯示區(qū)域中形成發(fā)光部分；在基板的非顯示區(qū)域中形成焊盤部分；在發(fā)光部分和焊盤部分上方形成犧牲層；在犧牲層上方形成包封鈍化膜；以及借助于激光的照射來(lái)從焊盤部分移除犧牲層和包封鈍化膜。
[0018]犧牲層可以具有比包封鈍化膜更高的針對(duì)照射的激光的吸收速率。
[0019]可以僅在基板的非顯示區(qū)域的一部分中利用激光照射犧牲層和包封鈍化膜。
[0020]此外，可以以10?500nm的厚度范圍形成犧牲層。
[0021]此外，可以由非晶硅、氧化鋅和氧化錫中的至少一個(gè)來(lái)形成犧牲層。
[0022]該方法可以進(jìn)一步包括在犧牲層和包封鈍化膜之間形成粘附層。
[0023]在實(shí)施方式中，形成發(fā)光部分的步驟可以包括在基板的顯示區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光層。
[0024]在實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管裝置包括:基板，基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；發(fā)光部分，發(fā)光部分形成在基板的顯示區(qū)域中；焊盤部分，焊盤部分形成在基板的非顯示區(qū)域中；犧牲層，犧牲層形成在發(fā)光部分上方；以及包封鈍化膜，包封鈍化膜形成在犧牲層上方，其中，焊盤部分沒有犧牲層和包封鈍化膜。
[0025]包封鈍化膜可以與犧牲層物理接觸。
[0026]此外,發(fā)光部分包括有機(jī)發(fā)光層。
[0027]可以以10?500nm的厚度范圍形成犧牲層。
[0028]此外，可以由非晶硅、氧化鋅和氧化錫中的至少一個(gè)來(lái)形成犧牲層。
[0029]犧牲層可以具有用于提供由發(fā)光部分生成的光的相長(zhǎng)干涉的厚度。
[0030]此外，犧牲層可以具有用于提供由發(fā)光部分生成的藍(lán)光的相長(zhǎng)干涉的厚度。
[0031]在研讀以下附圖和詳細(xì)描述之后，將對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)(或變得)明顯。本說(shuō)明書中包括的全部這些附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)均旨在落入本公開的范圍內(nèi)，并且由所附權(quán)利要求保護(hù)。此部分的內(nèi)容不應(yīng)視作對(duì)權(quán)利要求的限制。其它方面和優(yōu)點(diǎn)在下面結(jié)合實(shí)施方式一起討論。應(yīng)該理解，對(duì)本公開的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本公開提供進(jìn)一步的解釋。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032]附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并且被并入本申請(qǐng)且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本公開的實(shí)施方式，并且與說(shuō)明書一起用于說(shuō)明本公開的原理。在附圖中:
[0033]圖1A是示出普通有機(jī)發(fā)光二極管裝置的透視圖；
[0034]圖1B是示出沿著圖1A中的線1-1’截取的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的截面圖；
[0035]圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法的截面圖；以及
[0036]圖3A至3H是一步一步地示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037]現(xiàn)在將根據(jù)本公開的實(shí)施方式詳細(xì)地說(shuō)明有機(jī)發(fā)光二極管裝置及其制造方法，在附圖中例示了本公開的實(shí)施方式的示例。作為示例提供了下文介紹的實(shí)施方式，以便向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員傳達(dá)本公開的精神。因此，這些實(shí)施方式可以以不同形狀實(shí)現(xiàn)，因而本公開不限于這里描述的這些實(shí)施方式。在附圖中，為了便于說(shuō)明，可夸大裝置的大小、厚度等。盡可能的，在整個(gè)包括附圖的本公開中使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)代表相同或類似部件。
[0038]圖3A至圖3H是一步一步地例示根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法的截面圖。換言之，圖3A至圖3H的截面圖主要地示出了顯示區(qū)域AA的一部分和非顯示區(qū)域NA的焊盤區(qū)域PA，以便于詳細(xì)地例示根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法。更詳細(xì)地，非顯示區(qū)域NA包括第一非顯示區(qū)域部分NA1和第二非顯示區(qū)域部分NA2。第一非顯示區(qū)域部分NA1被布置為與顯示區(qū)域AA直接相鄰，并且第二非顯示區(qū)域部分M2被布置為與顯示區(qū)域AA相距距離d，其中，第一非顯示區(qū)域部分Ml被布置在顯示區(qū)域AA與第二非顯示區(qū)域部分NA2之間。第二非顯示區(qū)域部分NA2的最近邊緣與顯示區(qū)域AA的最近邊緣之間的距離d可以在數(shù)mm到數(shù)cm的范圍內(nèi)，例如，在大約5mm至大約5cm的范圍內(nèi)。焊盤區(qū)域PA形成在第二非顯示區(qū)域部分NA2中。
[0039]參考圖3A，緩沖層201形成在被限定為顯示區(qū)域AA與非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上。
[0040]第一基板200能夠由選自包括玻璃、塑料、聚合物等的材料組的一種材料形成，但是其不限于此。如果第一基板200是受公眾關(guān)注的柔性基板，則第一基板200能夠由選自下述材料組中的任一種來(lái)形成，所述材料組包括:聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、透明聚酰亞胺(PI)、聚芳酯(PAR)、多環(huán)烯烴(PC0)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、交聯(lián)型環(huán)氧樹脂、交聯(lián)型氨基甲酸酯等。
[0041]緩沖層201在有源層210的形成或有機(jī)發(fā)光層233 (在圖3D中)的形成(將在后面執(zhí)行)時(shí)防止第一基板200的雜質(zhì)的擴(kuò)散。作為示例，緩沖層201能夠形成為氮化硅的單層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊層結(jié)構(gòu)。然而，緩沖層201能夠根據(jù)需要從第一基板200移除。
[0042]晶體管(例如，薄膜晶體管T)形成在顯示區(qū)域AA內(nèi)的緩沖層201上。晶體管(例如，薄膜晶體管T)包括形成在緩沖層201上的有源層210、源電極217、漏電極218和柵電極215。有源層210包括源極區(qū)域211、漏極區(qū)域213和溝道區(qū)域212。溝道區(qū)域212被設(shè)置在源極區(qū)域211與漏極區(qū)域213之間。換言之，溝道區(qū)域212將源極區(qū)域211和漏極區(qū)域213彼此連接。
[0043]接下來(lái)，覆蓋有源層210的柵極絕緣膜214形成在包括顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上。而且，柵電極215形成在顯示區(qū)域AA內(nèi)柵極絕緣膜214上，并且在與有源層210相反的一側(cè)。柵電極215能夠由金屬材料形成。例如，柵電極215能夠由選自包括MoW、Al、Cr和Al/Cr的金屬組中的任一種形成。之后，覆蓋柵電極215的層間絕緣膜216形成在包括顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上。
[0044]形成穿過層間絕緣膜216和柵極絕緣膜214的主接觸孔。主接觸孔使有源層210的源極區(qū)域211和漏極區(qū)域213暴露。源電極217和漏電極218形成在層間絕緣膜上，使得經(jīng)由主接觸孔分別電連接到暴露的源極區(qū)域211和漏極區(qū)域213。源電極217和漏電極218能夠由金屬材料形成。例如，源電極217和漏電極218能夠由Ti/Al和Ti/Al/Ti中的一種形成。
[0045]雖然說(shuō)明了薄膜晶體管形成為共面結(jié)構(gòu)，但是本公開不限于此。換言之，薄膜晶體管能夠形成為目前已知的每種結(jié)構(gòu)。例如，薄膜晶體管能夠形成為反向共面結(jié)構(gòu)、交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、反向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)及其等價(jià)結(jié)構(gòu)中的任一種。
[0046]同時(shí)，與源電極217和漏電極218材料相同的焊盤(未示出)形成在層間絕緣膜216上并對(duì)應(yīng)于焊盤區(qū)域PA。焊盤形成焊盤區(qū)域300。以另外的方式，焊盤能夠在柵電極215形成時(shí)由與柵電極215相同的材料同時(shí)形成。
[0047]焊盤部分300連接到顯示區(qū)域AA的選通線GL和數(shù)據(jù)線DL。而且，焊盤部分300使選通線GL和數(shù)據(jù)線DL與對(duì)應(yīng)于印刷電路板的外部驅(qū)動(dòng)器電路板(未示出)連接。
[0048]在完成薄膜晶體管T之后，在包括顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上順序地形成鈍化膜220和平坦化膜221。形成穿過平坦化膜221和鈍化膜220并且使漏電極218暴露的第二接觸孔222。
[0049]如圖3B中所示，第一電極231形成在顯示區(qū)域AA內(nèi)的平坦化膜221上。第一電極231通過第二接觸孔222電連接到薄膜晶體管T的漏電極218。
[0050]如果第一電極231用作陽(yáng)極，則第一電極231能夠由選自包括ΙΤ0 (銦錫氧化物)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO(銦鋅氧化物)等的材料組中的任一種形成。然而，本公開的第一電極231不限于上述材料。IT0(銦錫氧化物)膜能夠成為透明導(dǎo)電薄膜，其用于將空穴注入到有機(jī)發(fā)光層233 (圖3D中示出)中。
[0051]參考圖3C，在第一電極231形成在顯示區(qū)域AA內(nèi)的平坦化膜221上之后，形成限定像素的有機(jī)堤膜232。有機(jī)堤膜232限定紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素之間的邊界，并且允許像素之間的發(fā)光邊界域是確定的。而且，有機(jī)堤膜232將相鄰像素的第一電極231彼此隔離。這樣的有機(jī)堤膜232能夠由聚酰亞胺(PI)或其它材料制成，但是其不限于此。例如，借助于光刻和蝕刻(例如，干法蝕刻)在有機(jī)堤膜232中形成使第一電極231的一部分暴露的開口。
[0052]如圖3D中所不，有機(jī)發(fā)光層233形成在第一電極231上，第一電極231通過有機(jī)堤膜232的開口暴露。接下來(lái)，形成覆蓋整個(gè)顯示區(qū)域AA的第二電極234。
[0053]有機(jī)發(fā)光層233能夠包括發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和空穴傳輸層HTL。發(fā)光層EML通過電子和空穴的復(fù)合形成激子，并且通過激子的躍遷發(fā)射光。電子傳輸層ETL適當(dāng)?shù)乜刂齐娮拥钠扑俣取？昭▊鬏攲親TL適當(dāng)?shù)乜刂瓶昭ǖ钠扑俣取Ｓ袡C(jī)發(fā)光層233能夠進(jìn)一步包括形成在電子傳輸層ETL上的電子注入層EIL以及形成在空穴傳輸層HTL上的空穴注入層HIL。電子注入層EIL提高電子的注入效率?？昭ㄗ⑷雽親IL提高空穴的注入效率。
[0054]如果第二電極234用作陰極，則第二電極234能夠由選自由Al、Mg和Ag的合金、Mg和Ca的合金等構(gòu)成的金屬組中的任一種來(lái)形成。然而，第二電極234不限于上述金屬材料。
[0055]以此方式，通過順序地形成第一電極231、有機(jī)發(fā)光層233和第二電極234完成了發(fā)光部分240。
[0056]當(dāng)將電壓施加在第一電極231和第二電極234之間時(shí)，在第二電極234中產(chǎn)生的電子以及在第一電極231中產(chǎn)生的空穴朝向有機(jī)發(fā)光層233漂移。因此，通過所施加的電子和空穴的復(fù)合，在有機(jī)發(fā)光層233內(nèi)產(chǎn)生激子，并且激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)。因此，在有機(jī)發(fā)光層233中產(chǎn)生光。如一般情況一樣，當(dāng)?shù)谝浑姌O231用作陽(yáng)極并且第二電極234用作陰極時(shí)，能夠解釋上述發(fā)光現(xiàn)象。
[0057]參考圖3E，在發(fā)光部分240形成在顯示區(qū)域AA中之后，在包括顯示區(qū)域AA和設(shè)置有焊盤區(qū)域PA的非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上方，形成用于激光剝離過程的犧牲層250。因此，犧牲層250覆蓋顯示區(qū)域AA的整個(gè)表面，并且(在該階段)還覆蓋非顯示區(qū)域NA(包括第一非顯示區(qū)域部分NA1和第二非顯示區(qū)域部分NA2，因此還包括焊盤部分300)的整個(gè)表面。為此，能夠使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法或物理氣相沉積(PVD)方法。犧牲層250用于激光剝離過程(如下將更詳細(xì)描述的)。換言之，犧牲層250允許使用激光的包封鈍化膜260 (在圖3G中示出)的移除過程(將在之后容易地執(zhí)行)。
[0058]優(yōu)選地，犧牲層250形成為具有大約10?500nm的范圍的厚度。如果犧牲層250非常薄，則犧牲層的激光吸收速率劣化，并且不能夠完全地實(shí)現(xiàn)或執(zhí)行犧牲層250與焊盤部分300之間的界面分離。此外，通過犧牲層250的激光能夠影響元件。
[0059]犧牲層250能夠由非晶硅a-S1、氧化鋅ZnO、氧化錫Sn02等中的一種來(lái)形成。如果犧牲層250由非晶硅a-Si形成，則在激光剝離過程中能夠使用波長(zhǎng)為大約532nm的綠色激光。當(dāng)犧牲層250由氧化鋅ZnO和氧化錫Sn02中的一種形成時(shí)，在激光剝離過程中能夠使用波長(zhǎng)帶為大約710?1550nm的IR(紅外)激光。
[0060]之后，如圖3F中所示，在包括顯示區(qū)域AA和設(shè)置有焊盤區(qū)域PA的非顯示區(qū)域NA的第一基板200的整個(gè)表面上形成包封鈍化膜260。能夠使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、旋涂方法、熱沉積方法、噴墨印刷方法、濺射方法等中的一種來(lái)形成包封鈍化膜260。當(dāng)通過CVD方法形成包封鈍化膜260時(shí)，沒有使用任何掩模。例如，能夠通過以大約200nm的厚度在第一基板200的整個(gè)表面上(包括顯示區(qū)域AA和設(shè)置有焊盤區(qū)域PA的非顯示區(qū)域NA)沉積氮化硅Si3N4、二氧化硅Si02等來(lái)形成包封鈍化膜260。
[0061]接下來(lái)，如圖3G中所示，照射激光以便于移除焊盤部分300上方的包封鈍化膜260。優(yōu)選地，所照射的激光穿過包封鈍化膜260，并且被吸收到犧牲層250中。因此，包封鈍化膜260由具有高激光透射率的材料(例如，Si3N4、Si02)形成，例如，可以透射所照射的激光的大約98%，例如，針對(duì)具有532nm的波長(zhǎng)的激光。然而，應(yīng)注意的是，包封鈍化膜260的透射率獨(dú)立于所使用的激光的波長(zhǎng)。犧牲層250由具有高激光吸收率的材料形成。在各種實(shí)施方式中，激光可以聚焦到犧牲層250中，以便于提供高能量傳遞并且因此將熱傳遞到犧牲層250中。而且，能夠選擇小于包封鈍化膜260的帶隙能但是大于犧牲層250的帶隙能的激光。在各種實(shí)施方式中，犧牲層250薄于包封鈍化膜260。例如，包封鈍化膜260可以具有在大約500nm至大約2 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如，在大約750nm至大約1.5 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如，大約lym的厚度。此外，犧牲層250可以具有在大約25nm至大約75nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，在大約35nm至大約65nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，大約50nm的厚度。當(dāng)犧牲層250的材料變?yōu)闅鈶B(tài)時(shí)，犧牲層250的體積膨脹，并且因此產(chǎn)生壓力以分離焊盤區(qū)域中的包封鈍化膜260。
[0062]吸收激光L的犧牲層250的體積膨脹。據(jù)此，焊盤部分300上的犧牲層250與包封鈍化膜260 —起能夠從焊盤部分300分離。詳細(xì)地，由于吸收激光L，因此，犧牲層250的表面溫度瞬間升高并且犧牲層250的表面相改變。換言之，犧牲層250的表面部分從固相經(jīng)過液相變?yōu)闅庀?。液相被維持非常短的時(shí)間。因此，說(shuō)明犧牲層250的表面部分從固相變?yōu)闅庀?。犧牲?50的表面部分變成氣相的相變?cè)试S犧牲層250的表面部分的一部分被氣化并且被移除。據(jù)此，犧牲層250和包封鈍化膜260能夠與焊盤部分300分離。如上所述，第二非顯示區(qū)域部分M2中的焊盤區(qū)域PA被布置為與顯示區(qū)域AA的距離至少為d。距離d被選擇為足夠大以確保非顯示區(qū)域(特別地第一非顯示區(qū)域部分NA1)的包封鈍化膜260的碎片不會(huì)擴(kuò)展到顯示區(qū)域AA的包封鈍化膜260部分中。
[0063]另外，能夠在犧牲層250的形成處理與包封鈍化膜260的形成處理之間增加形成粘附層(未示出)的處理。粘附層使在包封鈍化膜260分離時(shí)犧牲層250與包封鈍化膜260 一起分尚。
[0064]參考圖3H，第二基板320與設(shè)置有包封鈍化膜260的第一基板200組合。換言之，第二基板320和第一基板200被組裝并且固定在一起。第一基板200和第二基板320通過密封材料310彼此組合。據(jù)此，完成了根據(jù)本公開的有機(jī)發(fā)光二極管裝置。
[0065]詳細(xì)地，第一基板200包括形成在顯示區(qū)域AA中的發(fā)光部分240、犧牲層250和包封鈍化膜260。而且，第一基板200包括形成在非顯示區(qū)域NA的焊盤區(qū)域PA中的焊盤部分300。
[0066]通過切割處理來(lái)移除面對(duì)第一基板200的第二基板320的邊緣部分。執(zhí)行切割處理以便外部地使第一基板200上的焊盤部分300暴露。而且，驅(qū)動(dòng)器1C(集成電路)芯片、柔性印刷電路(FPC)板等通過下述處理電連接到焊盤部分300。
[0067]以此方式，本公開能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框。因此，本公開能夠確保有機(jī)發(fā)光二極管裝置的設(shè)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0068]而且，本公開能夠省略CVD掩模過程。據(jù)此，本公開能夠減少有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造成本。
[0069]注意的是，犧牲層250可以相對(duì)于包封鈍化膜260形成有下述厚度，該厚度使得由于犧牲層250在包封鈍化膜260中可以導(dǎo)致待發(fā)射光的相長(zhǎng)干涉。這在頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管裝置的情況下是特別有利的。
[0070]此外，可以實(shí)現(xiàn)犧牲層250和包封鈍化膜260的針對(duì)藍(lán)光的透射率的增加。這對(duì)于藍(lán)色光部分的亮度的過度補(bǔ)償可以是有利的，并且可以使得能夠減小相應(yīng)藍(lán)色子像素的尺寸(特別是在0LED的領(lǐng)域中)。
[0071]此外，注意的是，在焊盤區(qū)域PA中沒有形成堤材料或陰極材料:這些材料僅形成在顯示區(qū)域AA中。
[0072]盡管僅關(guān)于以上描述的實(shí)施方式有限地說(shuō)明了本公開，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是，本公開不限于這些實(shí)施方式，而是在不背離本公開的精神的前提下能夠進(jìn)行本公開的各種修改和變型。因此，本公開的范圍將僅由所附的權(quán)利要求及其等同物確定，而不限于該詳細(xì)描述。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置的制造方法，所述方法包括: 在基板的顯示區(qū)域中形成發(fā)光部分； 在所述基板的非顯示區(qū)域中形成焊盤部分； 在所述發(fā)光部分和所述焊盤部分上方形成犧牲層； 在所述犧牲層上方形成包封鈍化膜；以及 借助激光的照射來(lái)從所述焊盤部分移除所述犧牲層和所述包封鈍化膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層具有比所述包封鈍化膜高的針對(duì)所照射的激光的吸收率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，僅在所述基板的所述非顯示區(qū)域的一部分中利用所述激光來(lái)照射所述犧牲層和所述包封鈍化膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，以10?500nm的厚度范圍形成所述犧牲層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，由非晶硅、氧化鋅和氧化錫中的至少一種來(lái)形成所述犧牲層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括在所述犧牲層和所述包封鈍化膜之間形成粘附層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成發(fā)光部分的步驟包括在所述基板的所述顯示區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光層。
8.一種有機(jī)發(fā)光二極管裝置，所述有機(jī)發(fā)光二極管裝置包括: 基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域； 發(fā)光部分，所述發(fā)光部分形成在所述基板的所述顯示區(qū)域中； 焊盤部分，所述焊盤部分形成在所述基板的所述非顯示區(qū)域中； 犧牲層，所述犧牲層形成在所述發(fā)光部分上方；以及 包封鈍化膜，所述包封鈍化膜形成在所述犧牲層上方， 其中，所述焊盤部分沒有所述犧牲層和所述包封鈍化膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置， 其中，所述包封鈍化膜與所述犧牲層物理接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置， 其中，所述發(fā)光部分包括有機(jī)發(fā)光層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置， 其中，所述犧牲層形成為具有10?500nm的厚度范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置， 其中，所述犧牲層由非晶硅、氧化鋅和氧化錫中的至少一種來(lái)形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其中，所述犧牲層具有用于提供由所述發(fā)光部分生成的光的相長(zhǎng)干涉的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管裝置，其中，所述犧牲層具有用于提供由所述發(fā)光部分生成的藍(lán)光的相長(zhǎng)干涉的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104253245SQ201410283411
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】丁相哲, 趙恒燮 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司