技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種電荷載流子倍增寄存器的抗光暈結(jié)構(gòu)，在此結(jié)構(gòu)中抗光暈通道是通過(guò)電極2連接到溢出通道。CCM正常工作時(shí)輸入信號(hào)電荷載流子轉(zhuǎn)移過(guò)程中實(shí)現(xiàn)倍增，當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)大時(shí)經(jīng)過(guò)CCM發(fā)生信號(hào)電荷載流子倍增，會(huì)生成過(guò)量信號(hào)電荷載流子，多余的信號(hào)電荷載流子溢出通過(guò)抗光暈通道收集到溢出通道，通過(guò)溢出通道轉(zhuǎn)化成電流釋放，從而抑制了光暈現(xiàn)象，這種抗光暈結(jié)構(gòu)能夠保證CCM實(shí)現(xiàn)信號(hào)電荷載流子接近零噪聲的電荷放大倍增的基礎(chǔ)上，又大大提升了采用CCM結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的探測(cè)靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員：劉慶飛;胡明芬;鄒繼鑫;沈吉;張躍玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一四研究所蘇州研發(fā)中心
文檔號(hào)碼：201410287032
技術(shù)研發(fā)日：2014.06.25
技術(shù)公布日：2017.01.18