一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，通過腐蝕性氣體與多晶硅片化學(xué)反應(yīng)來刻蝕多晶硅片表面，腐蝕性氣體由混合酸溶液加熱蒸發(fā)產(chǎn)生，或由混合酸溶液與硅反應(yīng)產(chǎn)生，或由混合酸溶液加熱蒸發(fā)及與硅反應(yīng)共同產(chǎn)生，該方法不僅可以得到比現(xiàn)行混合酸溶液刻蝕制絨更好的減反射效果，還可以解決金剛石切割太陽電池用多晶硅片的表面制絨問題。
【專利說明】-種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明為一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，尤其是一種能夠解決金 剛石線鋸切割太陽電池用多晶硅片表面減反射刻蝕制絨難題的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)代光伏產(chǎn)業(yè)85%以上基于晶體硅片太陽電池，其中一半以上基于多晶硅片太陽 電池。與單晶硅片不同，多晶硅片無法采用堿溶液刻蝕得到密布微小金字塔的理想減反射 絨面，生產(chǎn)上一般采用混合酸溶液刻蝕得到一種不盡理想的絨面，其表面反射率高于24%， 而堿溶液刻蝕的單晶硅片的表面反射率低于13%。
[0003] 近年來出現(xiàn)一種基于等離子體氣氛反應(yīng)刻蝕（國際上一般稱RIE技術(shù))的干法制絨 技術(shù)，能夠在多晶硅片表面制得反射率低于10%的絨面。但該技術(shù)設(shè)備復(fù)雜昂貴，依賴氟化 物類特殊氣體原料，成本過高，迄今只有日本京瓷用于多晶硅太陽電池生產(chǎn)。
[0004] 太陽電池用硅片傳統(tǒng)上都是采用鋼絲線配合碳化硅磨料漿來線切割生產(chǎn)。采用 在鋼絲線上涂布了金剛石磨料的金剛石線鋸來切割硅片具有切割速率高、環(huán)境負(fù)荷小的 優(yōu)點(diǎn)，已逐步成功應(yīng)用于單晶硅片的切割生產(chǎn)。但金剛石線鋸切割的多晶硅片卻存在難 以制絨的問題：用現(xiàn)行普通多晶硅片制絨工藝完全不能得到與之同等的減反射效果，而且 也不能消除其表觀切割紋；調(diào)整混合酸配方和工藝條件也不能使之有所改觀（Meinel B， Koschwitz T, Acker J. Textural development of SiC and diamond wire sawn sc-silicon wafer. Energy Procedia, 2012，27: 330-336)。這成為金剛石線鍋切割多晶娃片應(yīng)用發(fā) 展的難題之一。日本Takato等近年提出了對金剛石切割多晶硅片進(jìn)行噴砂預(yù)處理，經(jīng)此 預(yù)處理后再米用常規(guī)制絨工藝進(jìn)行制絨，可以解決上述問題（TakatoH, Sakata I，MaseK, Ishibashi S, Harada T, Kondo Y, Asai Y. Method for fabricating substrate for solar cell and solar cell, US Patent 20130306148 Al, Nov.，2013)。但是這一技術(shù)需附加噴 砂處理生產(chǎn)線，所需設(shè)備復(fù)雜，附加成本高，還面臨硅片表面污染與生產(chǎn)環(huán)境粉塵污染的問 題，所以迄今未見有生產(chǎn)應(yīng)用報(bào)道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，通過腐蝕 性氣體與多晶硅片化學(xué)反應(yīng)來刻蝕多晶硅片表面，不僅可以得到比現(xiàn)行混合酸溶液刻蝕制 絨更好的減反射效果，還可以解決金剛石切割太陽電池用多晶硅片的表面制絨問題。
[0006] -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，為通過腐蝕性氣體與多晶硅片化 學(xué)反應(yīng)來刻蝕多晶娃片表面的方法。
[0007] 其中腐蝕性氣體由氫氟酸和硝酸組成的混合酸溶液加熱蒸發(fā)產(chǎn)生；或由氫氟酸和 硝酸組成的混合酸溶液與硅反應(yīng)產(chǎn)生；或由氫氟酸和硝酸組成的混合酸溶液加熱蒸發(fā)及與 娃反應(yīng)共同產(chǎn)生。
[0008] 其中混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 1-10 :〇. 1-10,氫氟酸質(zhì)量 濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為40-110°C，每升混合酸溶液添加3-50克硅， 刻蝕時(shí)間為3-10分鐘。
[0009] -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，將多晶硅片懸置于混合酸溶液槽 上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水 =1 :0. 1-10 :0. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為40-110°C， 產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3 %的NaOH水溶液漂洗，再用 純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0010] 一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，將多晶硅片懸置于混合酸溶液槽 上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水 =1 :0. 1-10 :0. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入 碎硅塊，每升混合酸溶液添加3-50克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體， 使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干， 即得所需絨面。
[0011] -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，將多晶硅片懸置于混合酸溶液槽 上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水 =1 :0. 1-10 :0. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，然后將混合酸溶液加 熱到40-110°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加3-50克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液 反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3 %的NaOH水溶 液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0012] 其中多晶硅片為金剛石線鋸切割或砂漿線鋸切割。
[0013] 目前常規(guī)酸制絨方法是讓硅片直接浸入混合酸溶液中進(jìn)行刻蝕，這樣制得的絨面 的減反射效果不佳，特別是對于金剛石線鋸切割的硅片，不能制出生產(chǎn)上可接受的絨面，而 且還不能消除其切割紋。而本發(fā)明的氣相刻蝕制絨方法不僅使得刻蝕絨面的減反射效果優(yōu) 于常規(guī)酸制絨方法，而且可以對難于制絨的金剛石線鋸切割多晶硅表面進(jìn)行制絨，形成高 質(zhì)量的絨面，并消除其切割紋。如圖1、圖2所示：形成密布表面、大小均勻、形狀圓整、較深 的刻蝕坑；或者如圖3、圖4所示：在刻蝕坑基礎(chǔ)上進(jìn)一步產(chǎn)生較大微觀粗糙度。
[0014]

【專利附圖】

【附圖說明】： 圖1采用本發(fā)明工藝在金剛石線鋸切割多晶硅片表面制得的第一類絨面形貌（掃描電 鏡照片，低倍放大)。
[0015] 圖2采用本發(fā)明工藝在金剛石線鋸切割多晶硅片表面制得的第一類絨面形貌 (掃描電鏡照片，高倍放大)。
[0016] 圖3采用本發(fā)明工藝在金剛石線鋸切割多晶硅片表面制得的第二類絨面形貌（掃 描電鏡照片，低倍放大)。
[0017] 圖4采用本發(fā)明工藝在金剛石線鋸切割多晶硅片表面制得的第二類絨面形貌 (掃描電鏡照片，高倍放大)。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0019] 實(shí)施例1 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方2cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 1 :〇. 1，氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為40°C，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片3分鐘，然后用質(zhì) 量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0020] 實(shí)施例2 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方l〇cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :5 :6,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸 質(zhì)量濃度為65 %，加熱溫度為70°C，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片5分鐘，然后用質(zhì)量濃 度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0021] 實(shí)施例3: 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方20cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :10 :10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝 酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為11(TC，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片10分鐘，然后用質(zhì) 量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0022] 實(shí)施例4 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方2cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 1 :〇. 1，氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加3克碎硅塊，碎硅 塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片3分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3 %的NaOH 水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0023] 實(shí)施例5 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方l〇cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :6 :5,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸 質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加25克碎硅塊，碎硅塊 與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片7分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水 溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0024] 實(shí)施例6 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方20cm，待制絨一面水平面向混 合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :1〇 :1〇,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加50克碎硅塊，碎 硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3 %的 NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0025] 實(shí)施例7 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方2cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 1 :〇. 1，氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，然后將混合酸溶液加熱到40°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添 加3克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片3分鐘，然 后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0026] 實(shí)施例8 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方11cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :7 :4,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸 質(zhì)量濃度為65%，然后將混合酸溶液加熱到70°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加30 克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片6分鐘，然后用 質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0027] 實(shí)施例9 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方20cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :1〇 :1〇,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝 酸質(zhì)量濃度為65%，然后將混合酸溶液加熱到110°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加 50克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片10分鐘，然 后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0028] 實(shí)施例10 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方25cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :11 :11，氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝 酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為115°C，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片12分鐘，然后用質(zhì) 量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0029] 實(shí)施例11 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方2cm，待制絨一面水平面向混 合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 08 :0. 09,氫氟酸質(zhì)量濃度為 40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加2克碎硅 塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片2分鐘，然后用質(zhì)量濃度為 3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0030] 實(shí)施例12 : 將金剛石線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方30cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :11 :〇. 08,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65 %，然后將混合酸溶液加熱到35°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添 加52克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片12分鐘， 然后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0031] 實(shí)施例13 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例1。
[0032] 實(shí)施例14 : 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方13cm，待制絨一面水平面向混合酸 溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :4 :7,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì) 量濃度為65%，加熱溫度為100°C，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片7分鐘，然后用質(zhì)量濃度 為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0033] 實(shí)施例15 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例3。
[0034] 實(shí)施例16 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例4。
[0035] 實(shí)施例17 : 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方15cm，待制絨一面水平面向混合酸 溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :8 :4,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì) 量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加30克碎硅塊，碎硅塊與 混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片8分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3 %的NaOH水溶 液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0036] 實(shí)施例18 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例6。
[0037] 實(shí)施例19 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例7。
[0038] 實(shí)施例20 : 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方8cm，待制絨一面水平面向混合酸 溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 8 :6,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸 質(zhì)量濃度為65 %，然后將混合酸溶液加熱到50°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加15 克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片4分鐘，然后用 質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0039] 實(shí)施例21 : 多晶硅片為將砂漿線鋸切割，其余同實(shí)施例9。
[0040] 實(shí)施例22 : 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方1. 5cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 09 :12,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為10(TC，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片13分鐘，然后用 質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0041] 實(shí)施例23: 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方23cm，待制絨一面水平面向混合 酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :11 :〇. 2,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%， 硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加55克碎硅塊，碎 硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片15分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3%的 NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0042] 實(shí)施例24 : 將砂漿線鋸切割多晶硅片懸置于混合酸溶液槽上方30cm，待制絨一面水平面向混合酸 溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :12 :13,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸 質(zhì)量濃度為65 %，然后將混合酸溶液加熱到120°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加 2 克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片2分鐘，然后用 質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
[0043] 表1采用本發(fā)明方法與常規(guī)酸刻蝕方法對多晶硅片制絨后的減反射效果對照一 覽表（以400?900納米波長范圍光的反射率的平均值衡量）

【權(quán)利要求】
1. 一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：為通過腐蝕性氣體與多 晶硅片化學(xué)反應(yīng)來刻蝕多晶硅片表面的方法。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：腐 蝕性氣體由氫氟酸和硝酸組成的混合酸溶液加熱蒸發(fā)產(chǎn)生。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：腐 蝕性氣體由氫氟酸和硝酸組成的混合酸溶液與硅反應(yīng)產(chǎn)生。
4. 如權(quán)利要求1所述的一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：腐 蝕性氣體由氫氟酸和硝酸組成的混合酸溶液加熱蒸發(fā)及與硅反應(yīng)共同產(chǎn)生。
5. 如權(quán)利要求2或3或4中任意一項(xiàng)所述的一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨 方法，其特征為：混合酸溶液的體積配比為硝酸：氫氟酸：水=1 :〇. 1-10 :〇. 1-10,氫氟酸質(zhì) 量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度為40-110°C，每升混合酸溶液添加3-50克 硅，刻蝕時(shí)間為3-10分鐘。
6. -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：將多晶硅片懸置于混合 酸溶液槽上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸： 氫氟酸：水=1 :〇. 1-10 :〇. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，加熱溫度 為40-110°C，產(chǎn)生腐蝕性氣體，使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水 溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
7. -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：將多晶硅片懸置于混合 酸溶液槽上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸： 氫氟酸：水=1 :〇. 1-10 :〇. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，再向混合 酸溶液加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加3-50克碎硅塊，碎硅塊與混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐 蝕性氣體，使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3%的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂 洗，烘干，即得所需絨面。
8. -種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨方法，其特征為：將多晶硅片懸置于混合 酸溶液槽上方2-20cm，待制絨一面水平面向混合酸溶液，混合酸溶液的體積配比為硝酸： 氫氟酸：水=1 :〇. 1-10 :〇. 1-10,氫氟酸質(zhì)量濃度為40%，硝酸質(zhì)量濃度為65%，然后將混 合酸溶液加熱到40-110°C，并加入碎硅塊，每升混合酸溶液添加3-50克碎硅塊，碎硅塊與 混合酸溶液反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕性氣體和蒸汽，使其刻蝕硅片3-10分鐘，然后用質(zhì)量濃度為3% 的NaOH水溶液漂洗，再用純水漂洗，烘干，即得所需絨面。
9. 如權(quán)利要求6或7或8中任意一項(xiàng)所述的一種太陽電池用多晶硅片的氣相刻蝕制絨 方法，其特征為：多晶硅片為金剛石線鋸切割或砂漿線鋸切割。
【文檔編號】H01L31/0236GK104051578SQ201410311173
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月2日
【發(fā)明者】周浪, 陳文浩, 劉小梅, 李妙 申請人:周浪