一種led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其包括用于保護并承載LED芯片的封裝基板；位于所述封裝基板之上的反射層；位于所述反射層上的光轉(zhuǎn)換層；位于所述光轉(zhuǎn)換層上的無反射層的LED芯片，其可雙向發(fā)射特定波長的光；本封裝結(jié)構(gòu)的特征在于，若定義所述封裝結(jié)構(gòu)出光方向為正，則光轉(zhuǎn)換層位于LED芯片的背面；所述LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)出的光由所述LED芯片發(fā)射的光及其由所述光轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換的其它波長的光組成。由于一部分光不經(jīng)過光轉(zhuǎn)換層，不被吸收，從而減少損失，提升光效。
【專利說明】一種LED封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及基于發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別是涉及含光轉(zhuǎn)換材料 的封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 固體照明，特別是發(fā)光二極管（LED)由于其壽命長、無污染、光效高正越來越多地 取代熒光燈/白熾燈等成為新一代的光源。由于直接生產(chǎn)制備出來的LED都是單色光，要 獲得白光，必須有多種顏色混合才能形成。最常用的制備白光LED的方式是利用藍/紫外 光LED激發(fā)光轉(zhuǎn)換材料，由LED自身發(fā)出的光和經(jīng)光轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換的互補光共同形成白光。
[0003] 圖1所示的就是利用現(xiàn)有技術(shù)制備的LED封裝體。其制備流程一般為：提供一 LED 封裝基板101，將LED芯片102固晶在封裝基板上，打線后再在芯片上涂覆上光轉(zhuǎn)換層103 (如熒光粉)，最后烘烤成型。從LED芯片發(fā)出的藍光R lb經(jīng)過熒光粉層后，一部分被熒光粉 吸收后轉(zhuǎn)換成黃光（Rly(^RRlyi);另一部分經(jīng)過突光粉層后未轉(zhuǎn)換波長，仍是藍光（R lb。和 Rlbi)，這部分未轉(zhuǎn)換的藍光（Rlb。和Rlbi)經(jīng)過熒光粉層時雖然未發(fā)生波長轉(zhuǎn)換，但仍要被熒 光粉層吸收一部分能量，使光效降低。同時，這部分未轉(zhuǎn)換的藍光經(jīng)熒光粉散射后，分別射 向封裝體外R lb。和封裝體內(nèi)Rlbi。其中射向封裝體內(nèi)的Rlbi經(jīng)熒光粉層再次吸收，能量進一 步損失。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提升含光轉(zhuǎn)換材料的封裝結(jié)構(gòu)的光效，主要通過減少光轉(zhuǎn)換材 料對發(fā)光二極管所發(fā)光的不必要吸收來實現(xiàn)。
[0005] 為達到這一目的，本發(fā)明提供一 LED封裝結(jié)構(gòu)，包括：封裝基板，具有相對的上、 下表面；反射層，位于所述封裝基板的上表面或下表面上，反射指向封裝基板的光；光轉(zhuǎn)換 層，位于所述反射層上，吸收特定波長的光并轉(zhuǎn)換成其它波長的光；LED芯片，位于所述光 轉(zhuǎn)換層上，上、下雙向發(fā)射特定波長的光；本封裝結(jié)構(gòu)的特征在于：若定義所述封裝結(jié)構(gòu)出 光方向為正，則光轉(zhuǎn)換層位于LED芯片的背面；所述LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)出的光由所述LED芯片 發(fā)射的未經(jīng)過光轉(zhuǎn)換層的光及其經(jīng)過所述光轉(zhuǎn)換層的光組成。所述LED芯片向上發(fā)出的光 不經(jīng)過光轉(zhuǎn)換層，不被吸收，從而減少損失，提升光效。
[0006] 在一些實施例中，所述LED封裝基板含熒光粉，所述LED芯片為倒裝芯片，直接鍵 合到封裝基板的凸點上，無需打線制程。
[0007] 在一些實施例中，所述LED封裝基板含熒光粉，所述LED芯片為正裝/垂直芯片， 固晶貼合在熒光粉上，需打線連接到封裝基板上。
[0008] 在一些實施例中，所述LED封裝基板具有一凸起平臺，所述LED芯片為正裝/垂直 芯片，固晶貼合在封裝基板凸起平臺上，再打線連接到封裝基板上。
[0009] 在一些實施例中，所述LED封裝基板不含突光粉，所述LED芯片的一側(cè)表面含突光 粉，所述熒光粉預(yù)先沉積在LED表面，沉積方式可以是旋涂、噴涂、電泳等。
[0010] 在一些實施例中，所述LED封裝基板不含熒光粉，所述LED芯片由陶瓷熒光粉片與 LED芯片鍵合而成。
[0011] 在一些實施例中，所述的LED封裝結(jié)構(gòu)還包含一選擇性反射透鏡，其完全透過 500nm-780nm波長的光，而部分反射/透過400nm-500nm波長的光。
[0012] 本發(fā)明還提供了一種LED封裝基板，其包括：基座，其用于承載封裝基板的其余部 分；位于所述基座上的反射層；位于所述反射層上的光轉(zhuǎn)換層。如此芯片朝上發(fā)出的第一 波長的光和經(jīng)反射層反射的第二波長的光一起混合后可形成白光。
[0013] 在一些實施例中，所述基座為陶瓷基座，在其上預(yù)先布置好電路，用于后續(xù)使用時 與LED芯片導(dǎo)通；然后在所述陶瓷基座表面鍍反光材料用作反射層。其中，在所述基座電路 上鍍導(dǎo)電材料，如銀等。在其余部位鍍絕緣材料，如DBR等；最后，將陶瓷熒光粉片對準貼合 到陶瓷基座上，在5〇(rc-io〇(rc下燒結(jié)成型；其中，所述陶瓷熒光粉片預(yù)先鉆好通孔，并在 通孔內(nèi)填入導(dǎo)電材料。
[0014] 在一些實施例中，先提供一陶瓷熒光粉片，在其上鉆好通孔，并在通孔內(nèi)填入導(dǎo)電 材料；在所述陶瓷熒光粉片背面用絕緣材料制作隔斷欄，分隔正負電極通孔；在所述陶瓷 熒光粉片背面鍍導(dǎo)電反光材料用作反射層，如銀等；在所述陶瓷熒光粉片背面的反光層下 鍍一層厚的導(dǎo)電材料層，用于保護支撐熒光粉片和反射層，起到基座的作用。本封裝基板的 導(dǎo)電反光層和導(dǎo)電材料層均由所述隔斷欄在正負電極通孔間隔開。
[0015] 在一些實施例中，提供一基座，其上預(yù)先布置好凹槽、電路和焊接凸點。凹槽用于 放置熒光粉層；電路和焊接凸點用于與LED芯片形成電連接；在所述基座表面鍍反光材料 用作反射層，其中電路部分形成導(dǎo)電材料，如銀等，在其余部位形成絕緣材料，如DBR等；將 在所述基座表面涂覆配好的熒光膠，在l〇〇°C -500°C烘烤成型；研磨/切削平坦化熒光膠表 面，露出焊接凸點。
[0016] 雖然在下文中將結(jié)合一些示例性實施及使用方法來描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人 員應(yīng)當理解，并不旨在將本發(fā)明限制于這些實施例。反之，旨在覆蓋包含在所附的權(quán)利要求 書所定義的本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)的所有替代品、修正及等效物。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實 施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按 比例繪制。
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)制備的LED封裝體。
[0019] 圖2為常用于反射層的金屬材料在不同波段的反射率。
[0020] 圖：Γ5為本發(fā)明實施例1的剖面示意圖。
[0021] 圖6為本發(fā)明實施例2的剖面示意圖。
[0022] 圖7為本發(fā)明實施例3的剖面示意圖。
[0023] 圖8為本發(fā)明實施例4的剖面示意圖。
[0024] 圖9為本發(fā)明實施例5的剖面示意圖。
[0025] 圖l(Tll為本發(fā)明實施例6的剖面示意圖，圖12為本發(fā)明實施例7的剖面示意圖。
[0026] 圖中各標號表不： Rlb :芯片發(fā)出的藍光 Rlb。：芯片發(fā)出的經(jīng)熒光粉層后向外散射的藍光 Rlbi :芯片發(fā)出的經(jīng)熒光粉層后向內(nèi)散射的藍光 Rly。：芯片發(fā)出的經(jīng)熒光粉層吸收轉(zhuǎn)換后向外發(fā)射的黃光 Rlyi :芯片發(fā)出的經(jīng)熒光粉層吸收轉(zhuǎn)換后向內(nèi)發(fā)射的黃光 R2b:芯片朝上發(fā)射的藍光 R2y :芯片朝下發(fā)射的藍光經(jīng)光轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換后的黃光 101、 301、401、501、601、701、801、901 :封裝基板 102、 302、402、502、602、702 :LED 芯片 103、 303、403、503、603、703、803 :光轉(zhuǎn)換層 304、 404、504、604、704、804、904 :反射層 305、 405、505、705、805 :導(dǎo)電柱 301a :陶瓷本體 301b :陶瓷基板下電路 301c :陶瓷基板上電路 30Id :陶瓷基板內(nèi)部通孔導(dǎo)電柱 301e :絕緣塊 302a :襯底 302b :n型層 302c :有源層 302d :p型層 304a、804a :Ag 反射層 304b、804b :DBR 反射層 406、506、606 :導(dǎo)線 507 :凸起平臺 605、905 :封裝基板的焊接凸點 708 :選擇性反射透鏡 901a :絕緣本體 901b :電路 903 :熒光膠。

【具體實施方式】
[0027] 以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用 技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明 的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0028] 下面實施例公開了一種LED封裝基板，其將LED芯片固定在封裝基板上，之后烘烤 成型，若定義該封裝結(jié)構(gòu)出光方向為正，貝 1J一光轉(zhuǎn)換層位于LED芯片的背面，該LED封裝結(jié) 構(gòu)發(fā)出的光由該LED芯片發(fā)射的光及其由光轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換的其它波長的光組成。由于一部分 光不經(jīng)過光轉(zhuǎn)換層，不被吸收，從而減少損失，提升光效。
[0029] 實施例1 圖3顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，該封裝結(jié)構(gòu)包括：基板 301、LED芯片302、光轉(zhuǎn)換層303、反射層304。
[0030] 具體的，封裝基板301可以選用由塑料、金屬、陶瓷的一種或多種組合而成。圖4 顯示了一種陶瓷基板的結(jié)構(gòu)，其可適用于本實施例。請參看圖4,該陶瓷基板301包含陶瓷 本體301a、下表面電路301b、上表面電路301c、連通上下表面電路的陶瓷基座內(nèi)部的通孔 導(dǎo)電柱301d，其中同一表面的電路以絕緣塊301e隔開。陶瓷本體301a可以是氧化鋁、氮化 鋁等，較佳選用氧化鋁。上下表面電路及通孔導(dǎo)電柱的材質(zhì)可以選用銅、銀、金中的一種或 其合金，優(yōu)選的，以銅為導(dǎo)電材質(zhì)。絕緣塊301e所用材質(zhì)是氧化鋁。
[0031] 反射層304形成于封裝基板301上，可以金屬鏡面、光子晶體、反射涂料的一種或 多種組合而成。當采用圖4所示陶瓷基板時，反射層304分為兩部分，上表面電路301c上 鍍導(dǎo)電反射材料304a (如銀、鋁等高反射率金屬材料)，絕緣塊301e上鍍絕緣材料304b，優(yōu) 選為分布式布拉格反射層(英文縮寫為DBR)。
[0032] 光轉(zhuǎn)換層303位于反射層304上，其上具有內(nèi)部含導(dǎo)電材料的通孔。該光轉(zhuǎn)換層 303的光轉(zhuǎn)換材料可由以突光粉、量子點、有機突光/磷光材料的一種或多種組合而成。在 本實施例中，選用一體成型陶瓷熒光粉片作為光轉(zhuǎn)換層，具有熒光粉片的導(dǎo)電柱305與封 裝基板的電路相連接。采用圖4所示陶瓷基板301時，將光轉(zhuǎn)換層303對準貼合到陶瓷基 板301上，在500°C?1000°C下燒結(jié)成型，優(yōu)選在850°C燒結(jié)。封裝基板301與陶瓷熒光粉片 一體成型，各部位結(jié)合好，結(jié)構(gòu)強度更高，導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能更優(yōu)。同時，熒光粉涂覆方式不需 分別在不同封裝支架上進行涂覆，解決了傳統(tǒng)點膠方式色點差異大的問題，更適合大批量 制作生產(chǎn)。在本實施例中，LED背向發(fā)出的藍光在熒光粉片內(nèi)的行程是其厚度的兩倍，因此 可以用更薄的熒光粉轉(zhuǎn)換出更多的黃光，最佳的厚度為小于1_。
[0033] LED芯片302位于光轉(zhuǎn)換層303,本實施例選用下、上表面雙向發(fā)光的倒裝LED芯 片，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示，包括藍寶石襯底302a、η型層302b、有源層302c和p型層 302d。該芯片302通過共晶方式與光轉(zhuǎn)換層303的導(dǎo)電柱305形成電連接，同時通過填充 LED芯片302與光轉(zhuǎn)換層303的間隙，在LED芯片與封裝基板間形成熱傳導(dǎo)通路，從而實現(xiàn) 熱電傳導(dǎo)的分離，提高熱電傳導(dǎo)效率。該LED芯片302發(fā)出450nm-460nm波長的藍光，分別 朝上下兩個方向發(fā)射，其中朝下發(fā)射的藍光經(jīng)光轉(zhuǎn)換層303轉(zhuǎn)換成570nm-580nm波長的黃 光R 2y，經(jīng)反射層304反射后與芯片朝上發(fā)射的藍光R2b -起混合成白光。由于朝上發(fā)射的 藍光R2b不經(jīng)過熒光粉層，能量不被吸收，從而減少損失，提升光效。同時，由于封裝基板上 已預(yù)先制備好陶瓷熒光粉片，在封裝段省略了配膠、點膠制程，使得封裝制程變得更簡便易 行，節(jié)省制備工時。再者，封裝基板表面設(shè)有反射層，而常見的金屬反射層（Au/Ag，如圖2所 示）往往隨波長變長，反射率變高，如此LED芯片302朝下發(fā)射的藍光經(jīng)光轉(zhuǎn)換層303轉(zhuǎn)換 成570nm-580nm波長的黃光，再射向封裝基板時反射率提高，可以進一步提升光效。
[0034] 實施例2 圖6顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，本實施例與實施例1的區(qū) 別在于：選用上、下表面雙向發(fā)光的正裝LED芯片402,兩個電極通過導(dǎo)線406與光轉(zhuǎn)換層 403的導(dǎo)電柱405形成電連接。
[0035] 實施例3 圖7顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，本實施例與實施例1的區(qū) 別在于：封裝基板501具有一凸起平臺507, LED芯片502為正裝/垂直芯片，固晶連接于該 凸起平臺507上，與光轉(zhuǎn)換層(熒光粉層）503隔離。在本實施例中，LED芯片所發(fā)的熱量不 會影響到熒光粉，使得熒光粉不至于因溫度太高導(dǎo)致量子發(fā)光效率降低。該凸起平臺下方 為透明/鏤空設(shè)計，有利于LED芯片朝熒光粉發(fā)射光。
[0036] 實施例4 圖8顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，本實施例與實施例1的區(qū) 別在于：LED芯片602底部含有熒光粉層603,經(jīng)過打線606與封裝基板601的焊接凸點605 形成電性連接。LED芯片上的熒光粉層可以通過下面兩種方法獲得：1)在外延晶片整面噴 涂/旋涂熒光粉層，烘烤成型后劃裂切割成芯片；2)陶瓷熒光粉片與外延晶片鍵合后，再 切割劃裂成芯片。
[0037] 實施例5 圖9顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，本實施例與實施例1的區(qū) 別在于：封裝體外加蓋一個選擇性反射透鏡708,該透鏡708能完全透過>500nm波長的紅 黃光，而部分反射<500nm的藍光，從而使得部分藍光經(jīng)選擇性反射透鏡反射回?zé)晒夥蹖樱?轉(zhuǎn)換成更多的黃光，本封裝結(jié)構(gòu)更加適用于黃/藍光比例高的應(yīng)用。
[0038] 實施例6 圖10顯示了根據(jù)本發(fā)明第六實施例的LED封裝基板的剖面圖，該基板包括：陶瓷熒光 粉片803,形成于該陶瓷熒光粉片803背面的電導(dǎo)反射層804a和DBR反射層804b，形成于 導(dǎo)電反射層804a下方的導(dǎo)電材料層801，其厚度100微米以上，用于保護支撐熒光粉片和反 射層，起到基座的作用。其中，DBR反射層804b作為隔斷欄，分隔正負電極通孔。
[0039] 圖11顯示了該LED封裝基板的制備流程。首先，提供一預(yù)先制備好的陶瓷熒光 粉片803,其內(nèi)部含通孔導(dǎo)電柱805。接著，將陶瓷熒光粉片803的背面劃分為導(dǎo)電區(qū)和隔 離區(qū)，在隔離區(qū)形成絕緣材料制作隔斷欄，分隔正負電極通孔，在本實施例中采用DBR反射 層，可采用氧化硅和氧化鈦的組合，在陶瓷熒光粉片803的導(dǎo)電區(qū)沉積Ag層作為反射層 803a ;最后，在陶瓷熒光粉片803的背面沉積一層導(dǎo)電材料層作為基板801，用于保護支撐 熒光粉片和反射層，導(dǎo)電材料層801的材料可以為銅銀金或其合金，厚度大于100微米。較 佳的，該導(dǎo)電材料層801與Ag反光層803a的總厚度大于DBR反射層的厚度。在本實施例 中，可先在整個陶瓷熒光粉片803背面形成DBR反射層，在DBR反射層用光刻膠開出圖形， 需要絕緣的區(qū)域用光刻膠阻擋，需導(dǎo)電的位置暴露出來，然后利用相同的光刻膠圖形形成 導(dǎo)電反射層803a和導(dǎo)電材料層801。
[0040] 本實施例節(jié)省了陶瓷基座，在成本上更有優(yōu)勢，其可應(yīng)用于實施例1飛所公開的 任意一種封裝結(jié)構(gòu)。
[0041] 實施例7 圖12顯示了根據(jù)本發(fā)明第七實施例的LED封裝基板的剖面圖，該基板包括一絕緣本體 901a，該絕緣本體901a具有一個凹槽，用于填充熒光膠903,電路901b分布于凹槽底部并穿 過絕緣本體901a延伸至絕緣本體901a的側(cè)壁。該絕緣本體901a的上表面選擇性涂覆反 光漆用作反射層904 (除焊接凸點905以外)。熒光膠903填充在絕緣本體901a凹槽，其表 面平坦，露出焊接凸點905,用于安裝LED芯片。
[0042] 該封裝基板適用于前述實施例1~5的任意一種封裝結(jié)構(gòu)。
[〇〇43] 惟以上所述者，僅為本發(fā)明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發(fā)明實施之范 圍，即大凡依本發(fā)明申請專利范圍及專利說明書內(nèi)容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍 屬本發(fā)明專利涵蓋之范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括： 封裝基板，具有相對的上、下表面； 反射層，位于所述封裝基板的上表面或下表面上，反射指向封裝基板的光； 光轉(zhuǎn)換層，位于所述反射層上，吸收特定波長的光并轉(zhuǎn)換成其它波長的光； LED芯片，位于所述光轉(zhuǎn)換層上，上、下雙向發(fā)射特定波長的光； 本封裝結(jié)構(gòu)的特征在于：若定義所述封裝結(jié)構(gòu)出光方向為正，則光轉(zhuǎn)換層位于LED芯 片的背面，所述LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)出的光由所述LED芯片發(fā)射的未經(jīng)過光轉(zhuǎn)換層的光及其經(jīng) 過所述光轉(zhuǎn)換層的光組成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝基板的表面上具有正、 負電路，兩者之間通過一絕緣區(qū)隔離。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射層由導(dǎo)電反射層和DBR 反射層構(gòu)成，其中導(dǎo)電反射層形成于所述封裝基板的電路之上，所述DBR反射層形成于所 述封裝基板的絕緣區(qū)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝基板具有凸起平臺，其 高出于所述光轉(zhuǎn)換層，所述LED芯片安裝于該凸起平臺上，不與所述光轉(zhuǎn)換層直接接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝基板具有一絕緣本體 和電路，該絕緣本體的具有一凹槽，所述電路分布于該凹槽底部并穿過該絕緣本體延伸至 該絕緣本體的側(cè)壁。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射層形成于所述封裝基 板的上表面上，所述光轉(zhuǎn)換層填充所述凹槽，與所述封裝基板構(gòu)成一表面平坦的整體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝基板由兩導(dǎo)電塊構(gòu)成， 之間通過一絕緣體隔離，所述反射層形成于所述兩導(dǎo)電上，并由該絕緣體隔離為兩個電性 區(qū)域。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射層由金屬鏡面、光子晶 體、反射涂料的一種或多種組合而成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換層的光轉(zhuǎn)換材料由 突光粉、量子點、有機突光/磷光材料的一種或多種組合而成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換層是由熒光粉和硅 膠混合而成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換層是陶瓷熒光粉 片。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換層的厚度小于1mm。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換層具有內(nèi)部填充導(dǎo) 電材料的通孔。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片發(fā)出400nm-500nm 波長的藍光，所述光轉(zhuǎn)換層吸收所述LED芯片發(fā)出的藍光，發(fā)出500nm-780nm波長的光。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：其還包含一透鏡，其完全透過 500nm-780nm波長的光，而部分反射/透過400nm-500nm波長的光。
【文檔編號】H01L33/50GK104091875SQ201410316144
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】梁興華, 卓佳利, 鄭建森, 李佳恩, 夏德玲, 蔡培崧, 林素慧, 徐宸科 申請人:廈門市三安光電科技有限公司