一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜，電纜的中心設(shè)有多股鍍銀銅線絞合而成的內(nèi)導(dǎo)體，在內(nèi)導(dǎo)體外繞包多層低密度微孔聚四氟乙烯帶作為絕緣層，在絕緣層外纏繞鍍銀扁銅帶作為外導(dǎo)體，在外導(dǎo)體外繞包一層鋁塑復(fù)合帶作為信號(hào)反射層，在反射層外編織一層鍍銀圓銅線抗電磁輻射層，在抗電磁輻射層外繞外由聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜構(gòu)成的護(hù)套層。該電纜有著良好的耐高低溫性和較強(qiáng)的抗電磁輻射能力，衰減小，外徑小，重量輕?？捎米魍ㄓ崱⒏?、警戒、移動(dòng)基站等系統(tǒng)中無(wú)線電設(shè)備的柔軟傳輸饋線。
【專利說(shuō)明】一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜，屬于電線電纜領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子、通信技術(shù)的發(fā)展，預(yù)警機(jī)相控陣?yán)走_(dá)、移動(dòng)基站、衛(wèi)星及導(dǎo)彈的監(jiān)控以 及其它數(shù)字化相敏電子系統(tǒng)等武器裝備系統(tǒng)技術(shù)的不斷提高，對(duì)射頻低損耗細(xì)同軸電纜的 外徑、傳輸損耗以及重量提出了新的要求，這就引發(fā)了人們對(duì)怎樣降低外徑、重量和傳輸損 耗小與材料和制作工藝關(guān)系的研究。低密度微孔聚四氟乙烯帶絕緣介電常數(shù)小，可以在信 號(hào)傳輸過(guò)程中有效的降低傳輸損耗，聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜具有優(yōu)越的電性能及 較高的機(jī)械強(qiáng)度，密度較小，薄膜標(biāo)稱厚度僅為〇. 03 mm，可以減小電纜的外徑，減輕電纜的 重量，但是在繞包過(guò)程中存在起皺現(xiàn)象，由于該電纜對(duì)結(jié)構(gòu)的均勻性、穩(wěn)定性要求非常苛 亥IJ，一旦出現(xiàn)起皺，電信號(hào)在傳輸過(guò)程中就會(huì)出現(xiàn)衰減大，電纜外徑不均勻，因此必須通過(guò) 良好的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇以及工藝控制，可以使電纜衰減小、外徑小以滿足電子設(shè)備的需 要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明目的是提供了一種著良好的耐高低溫性和較強(qiáng)的抗電磁輻射能力的射頻 低損耗細(xì)同軸電纜，從組成材料的選擇到結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及工藝的控制完全能達(dá)到市場(chǎng)使用需 求。
[0004] 本發(fā)明的方案如下：一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜，電纜的中心設(shè)有多股鍍銀銅線 絞合而成的內(nèi)導(dǎo)體，在內(nèi)導(dǎo)體外繞包多層低密度微孔聚四氟乙烯帶作為絕緣層，在絕緣層 外纏繞鍍銀扁銅帶作為外導(dǎo)體，在外導(dǎo)體外繞包一層鋁塑復(fù)合帶作為信號(hào)反射層，在反射 層外編織一層鍍銀圓銅線抗電磁輻射層，在抗電磁輻射層外繞外由聚酰亞胺+聚四氟乙烯 復(fù)合薄膜構(gòu)成的護(hù)套層。
[0005] 進(jìn)一步，所述內(nèi)導(dǎo)體由10股以上鍍銀銅導(dǎo)體絞合構(gòu)成，且銀層厚度為4um，并采用 正規(guī)絞合形式。
[0006] 進(jìn)一步，所述的低密度微孔聚四氟乙烯帶寬度為5mm。
[0007] 進(jìn)一步，所述的聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜厚度為0.03mm，薄膜繞包重疊率 為 50. 5% ?54. 0%。
[0008] 本發(fā)明的有益效果： 1、傳輸損耗小：通過(guò)設(shè)計(jì)，采用低密度微孔聚四氟乙烯薄膜帶繞包絕緣和在外導(dǎo)體和 抗電磁輻射層中間繞包一層鋁塑復(fù)合帶信號(hào)反射層。通過(guò)控制低密度微孔聚四氟乙烯薄膜 帶的寬度和電纜繞包帶張力大小，重疊率的大小，來(lái)提高繞包帶的穩(wěn)定性與均勻性，避免出 現(xiàn)起皺的現(xiàn)象，降低電纜的等效介電常數(shù)，使得電纜信號(hào)在傳輸過(guò)程中的損耗降低。普通 射頻低損耗細(xì)同軸電纜損耗2. 09dB/m (18GHz)，而本發(fā)明射頻低損耗細(xì)同軸電纜損耗僅為 1. 85dB/m(18GHz)。
[0009] 2、外徑小：通過(guò)設(shè)計(jì)，采用繞包聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜作為護(hù)套。控制 聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜的厚度、密度，節(jié)距與繞包機(jī)的牽引、繞包頭轉(zhuǎn)速、繞包帶 張力衡定，通過(guò)新設(shè)備軟件功能的設(shè)定進(jìn)行補(bǔ)償，達(dá)到張力大小的恒定，解決繞包起皺的現(xiàn) 象，使新型射頻低損耗細(xì)同軸電纜的外徑比普通射頻低損耗細(xì)同軸電纜小1.0mm左右，重 量輕15%左右。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010] 圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0012] 一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜，該電纜的中心設(shè)有多股鍍銀銅線絞合而成的內(nèi)導(dǎo)體 1，在內(nèi)導(dǎo)體1外繞包多層低密度微孔聚四氟乙烯帶構(gòu)成絕緣層2,其包帶的搭蓋率控制在 48%±2,一直繞包到規(guī)定外徑，在多層低密度微孔聚四氟乙烯帶絕緣層2外纏繞鍍銀扁銅 帶作為外導(dǎo)體3,在鍍銀扁銅帶外導(dǎo)體3外繞包一層鋁塑復(fù)合帶信號(hào)反射層4,在鋁塑復(fù)合 帶信號(hào)反射層4外編織一層鍍銀圓銅線抗電磁輻射層5,在鍍銀圓銅線抗電磁輻射層5外繞 包聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜作為外護(hù)套6,為最終成品。
[0013] 具體實(shí)施中，所述內(nèi)導(dǎo)體由10股以上鍍銀銅導(dǎo)體絞合構(gòu)成，且銀層厚度為4um，并 采用正規(guī)絞合形式。所述的低密度微孔聚四氟乙烯帶寬度為5mm。所述的聚酰亞胺+聚四 氟乙烯復(fù)合薄膜厚度為0. 03mm，薄膜繞包重疊率為50. 5%?54. 0%。
[0014] 盡管上文對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】給予了詳細(xì)描述和說(shuō)明，但是應(yīng)該指明的是， 我們可以依據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種等效改變和修改，其所產(chǎn)生的功能作 用仍未超出說(shuō)明書所涵蓋的精神時(shí)，均應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種射頻低損耗細(xì)同軸電纜，其特征在于：電纜的中心設(shè)有多股鍍銀銅線絞合而成 的內(nèi)導(dǎo)體（1)，在內(nèi)導(dǎo)體（1)外繞包多層低密度微孔聚四氟乙烯帶作為絕緣層（2)，在絕緣 層（2)外纏繞鍍銀扁銅帶作為外導(dǎo)體（3)，在外導(dǎo)體（3)外繞包一層鋁塑復(fù)合帶作為信號(hào)反 射層（4)，在反射層（4)外編織一層鍍銀圓銅線抗電磁輻射層（5)，在抗電磁輻射層（5)外繞 外由聚酰亞胺+聚四氟乙烯復(fù)合薄膜構(gòu)成的護(hù)套層（6)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻低損耗細(xì)同軸電纜，其特征在于：所述內(nèi)導(dǎo)體（1)由10 股以上鍍銀銅導(dǎo)體絞合構(gòu)成，且銀層厚度為4um，并采用正規(guī)絞合形式。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述新型射頻低損耗細(xì)同軸電纜，其特征在于：所述的低密度微孔 聚四氟乙烯帶寬度為5mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述新型射頻低損耗細(xì)同軸電纜，其特征在于：所述的聚酰亞胺+ 聚四氟乙烯復(fù)合薄膜厚度為0. 03mm，薄膜繞包重疊率為50. 5%?54. 0%。
【文檔編號(hào)】H01B11/18GK104143677SQ201410328704
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】姜緒宏, 劉輝, 姜茂盛, 余小葵, 張小平, 丁云春 申請(qǐng)人:安徽宏源特種電纜集團(tuán)有限公司