一體式熔斷器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一體式熔斷器，包括絕緣殼體和熔體，所述絕緣殼體的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo)電端，所述熔斷部設(shè)置于所述容置腔內(nèi)，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端，所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端伸出所述容置腔；所述容置腔內(nèi)設(shè)置有屏蔽所述熔斷部的屏蔽層。根據(jù)本發(fā)明提供的一體式熔斷器，其結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
【專利說明】一體式熔斷器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電器安全保護裝置，尤其涉及一種實現(xiàn)短路和過載保護的熔斷 器。

【背景技術(shù)】
[0002] 熔斷器通常包括熔體、包覆熔體的絕緣管和固定連接于絕緣管兩端并與熔體電連 接的端帽。外部電路電兩端帽以使電流流過熔體，當(dāng)流過熔體的電流超過規(guī)定值時，熔體本 身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路，從而起到短路和過電流的保護的作用，是應(yīng)用最普遍 的電路保護器件之一。
[0003] 目前的熔斷器，熔體和端帽呈分體結(jié)構(gòu)，其一方面使得熔斷器的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，生 產(chǎn)成本較高，另一方面，呈分體結(jié)構(gòu)的熔體和端帽生產(chǎn)組裝不當(dāng)容易出現(xiàn)接觸不良的情況， 影響電路的正常運行。
[0004] 因此，需要提供一種結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定的熔斷器，以降低熔斷器的生產(chǎn)和使用成 本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定的熔斷器，以降低熔斷器的生產(chǎn)和 使用成本。
[0006] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一體式熔斷器，包括絕緣殼體和熔體，所述絕緣 殼體的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo)電端，所述熔 斷部設(shè)置于所述容置腔內(nèi)，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電 端，所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端伸出所述容置腔；所述容置腔內(nèi)設(shè)置有屏蔽所述熔 斷部的屏蔽層。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一體式熔斷器，于絕緣殼體的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成 容置腔，使得容置腔僅于絕緣殼體的一側(cè)開口，其一方面方便將熔體裝入容置腔內(nèi)并進行 定位，另一方面方便對位于容置腔內(nèi)的熔體進行屏蔽；熔斷部、第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo)電端相 連接，且第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo)電端伸出容置腔以便連接外部的電源，其一方面簡化一體式 熔斷器的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝，另一方面降低一體式熔斷器接觸不良的可能性。根據(jù)本發(fā)明提 供的一體式熔斷器，其結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
[0008] 較佳的，所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端沿所述容置腔的內(nèi)壁伸出所述容置腔 并向所述絕緣殼體的兩側(cè)外壁彎折；其一方面可以定位熔體和絕緣殼體的相對位置，另一 方面，將一體式熔斷器卡接于電路中時，伸出至絕緣殼體兩側(cè)外壁的第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo) 電端可方便地與外部電路電連接。
[0009] 在一實施例中，所述熔體還包括彈力部，兩所述彈力部的一端分別連接于所述熔 斷部，兩所述彈力部的另一端分別連接于所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端；所述絕緣殼 體具有容置所述彈力部并供所述彈力部發(fā)生彈性變形的避讓腔；當(dāng)一體式熔斷器通電時， 熔體發(fā)熱膨脹，驅(qū)動彈力部于避讓腔內(nèi)發(fā)生彈性變形，從而使得熔體在一定范圍內(nèi)發(fā)生變 形而不會導(dǎo)致熔體斷開，避免一體式熔斷器在正常工況下斷開而影響電器件的正常使用。 [0010] 具體的，所述熔體的兩側(cè)設(shè)置有定位凸塊，所述定位凸塊的上方設(shè)置有蓋板；所述 蓋板和所述絕緣殼體的底部圍成所述避讓腔。
[0011] 具體的，所述容置腔的內(nèi)壁向所述容置腔內(nèi)凸伸形成所述定位凸塊。
[0012] 具體的，所述蓋板連接于所述容置腔，所述蓋板構(gòu)成所述屏蔽層。
[0013] 在一優(yōu)選實施例中，所述蓋板上側(cè)和/或周側(cè)設(shè)有粘結(jié)所述容置腔和所述蓋板的 粘結(jié)劑。
[0014] 在另一優(yōu)選實施例中，所述蓋板上側(cè)設(shè)置有所述屏蔽層。
[0015] 較佳的，所述彈力部的彈性變形方向與所述一體式熔斷器的通電方向一致；熔體 通常于通電方向上設(shè)置一強度較弱、受熱過度會融化的熔斷部，當(dāng)熔體受熱發(fā)生形變時，熔 斷部即使熔體容易斷開的薄弱位置，將彈力部的彈性變形方向與一體式熔斷器的通電方向 一致，以減少薄弱的熔斷部受到的形變應(yīng)力，從而減少熔體斷開的可能性。
[0016] 在另一實施例中，所述容置腔內(nèi)填充有屏蔽介質(zhì)形成所述屏蔽層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1為本發(fā)明一體式熔斷器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 圖2為本發(fā)明一體式熔斷器第一實施例的剖面圖。
[0019] 圖3為本發(fā)明一體式熔斷器第一實施例的分解示意圖。
[0020] 圖4為本發(fā)明一體式熔斷器第一實施例的俯視圖。
[0021] 圖5為本發(fā)明一體式熔斷器第二實施例的剖面圖。

【具體實施方式】
[0022] 為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式 并配合附圖詳予說明。
[0023] 圖1-圖4所示為本發(fā)明一體式熔斷器第一實施例的示意圖。
[0024] 如圖1和圖2所示的一體式熔斷器，包括絕緣殼體100、熔體200和屏蔽層300。絕 緣殼體100的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成容置腔110,使得容置腔110的周側(cè)封閉、僅上部開口；熔 體200包括熔斷部210、第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230,熔斷部210設(shè)置于容置腔110 內(nèi)，熔斷部210的兩端分別連接于第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230,第一導(dǎo)電端220和第 二導(dǎo)電端230伸出容置腔110 ;屏蔽層300設(shè)置于容置腔110內(nèi)以屏蔽熔斷部210。結(jié)合圖 3和圖4所示，更具體的：
[0025] 如圖3所示，容置腔110的底部和側(cè)壁封閉、僅頂部開口。熔體200包括熔斷部 210、第一導(dǎo)電端220、第二導(dǎo)電端230和兩彈力部240。兩彈力部240的一端分別連接于熔 斷部210 ;兩彈力部240的另一端分別連接于第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230。其中，熔 斷部210和兩彈力部240設(shè)置于容置腔110內(nèi)，第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230沿容置 腔110的內(nèi)壁伸出容置腔110并向絕緣殼體100的兩側(cè)外壁彎折；第一導(dǎo)電端220和第二 導(dǎo)電端230向絕緣殼體100的兩側(cè)外壁彎折的設(shè)置，一方面可以定位熔體200和絕緣殼體 100的相對位置，使得熔斷部210和兩彈力部240懸設(shè)于容置腔110內(nèi)，另一方面，將一體 式熔斷器卡接于電路中時，伸出至絕緣殼體100兩側(cè)外壁的第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端 230可方便地與外部電路電連接。
[0026] 熔體200通常于通電方向上設(shè)置一強度較弱、受熱過度會融斷的熔斷部位（在本 實施例中，即為熔斷部210)，當(dāng)熔體200受熱發(fā)生形變時，熔斷部210構(gòu)成使熔體200斷開 的薄弱位置；本發(fā)明提供的一體式熔斷器，彈力部240的彈性變形方向與一體式熔斷器的 通電方向一致，以減少薄弱的熔斷部210受到的形變應(yīng)力，從而減少熔體200斷開的可能 性。在本實施例中，將熔斷部210設(shè)置于兩彈力部240之間，通過兩側(cè)的彈力部240吸收形 變應(yīng)力，減少熔斷部210的受力，從而減少熔斷部210在形變應(yīng)力作用下發(fā)生斷裂的可能 性。較佳的，彈力部240呈波浪狀或S狀，當(dāng)然彈力部240亦可以為其他彈性結(jié)構(gòu)。
[0027] 進一步的，絕緣殼體100還具有容置彈力部210并供彈力部210發(fā)生彈性變形的 避讓腔112。具體的，請參閱圖3所示，容置腔110的底部向上凸伸形成定位凸塊120。定位 凸塊120的位置請結(jié)合圖4所示：定位凸塊120共有四個，四個定位凸塊120對稱的設(shè)置于 容置腔110的兩側(cè)；定位凸塊120從容置腔110的底部和側(cè)壁的連接處向外凸伸形成。進 一步的，定位凸塊120亦可以由容置腔110的側(cè)壁向容置腔110內(nèi)凸伸形成。在本實施例 中，定位凸塊120為立方體結(jié)構(gòu)，但不以此為限，在不同于本實施例的其他實施例中，定位 凸塊120亦可以為圓柱體、圓臺狀或其他結(jié)構(gòu)。熔體200與絕緣殼體100的結(jié)構(gòu)如圖2所 示：第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230分別卡抵于容置腔110的兩側(cè)壁，使得熔斷部210和 彈力部240懸設(shè)于容置腔110內(nèi)，熔斷部210和彈力部240位于四個定位凸塊120之間，且 熔斷部210和彈力部240的位置低于定位凸塊120的上端。定位凸塊120上方設(shè)置有蓋板 310 ;定位凸塊120和蓋板310的設(shè)置，將容置腔110分隔為蓋板310上側(cè)的填料腔111和 蓋板310下側(cè)的避讓腔112,其中，填料腔111為由蓋板310和容置腔110側(cè)壁圍成的上部 開口的腔體，避讓腔112為由蓋板310和容置腔110的底部及側(cè)壁圍成的大致呈封閉的腔 體。
[0028] 在一實施例中，于蓋板310的上側(cè)和/或周側(cè)填充粘結(jié)蓋板310和容置腔110的 粘結(jié)劑，使得蓋板310連接于絕緣殼體100。在該實施例中，蓋板310為絕緣材質(zhì)，蓋板310 構(gòu)成本發(fā)明一體式熔斷器的屏蔽層。在另一實施例中，如圖2所示，于填料腔111內(nèi)填充屏 蔽介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明一體式熔斷器的屏蔽層300。
[0029] 在如圖5所示的本發(fā)明一體式熔斷器第二實施例，與本發(fā)明一體式熔斷器第一實 施例相同的：包括絕緣殼體1〇〇'和熔體200'，絕緣殼體100的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成容置腔 110'，使得容置腔110'的周側(cè)封閉、僅上部開口；熔體200'包括熔斷部210'、第一導(dǎo)電端 220'和第二導(dǎo)電端230'，熔斷部210'設(shè)置于容置腔110'內(nèi)，熔斷部210'的兩端分別連接 于第一導(dǎo)電端220'和第二導(dǎo)電端230'，第一導(dǎo)電端220'和第二導(dǎo)電端230'伸出容置腔 110'。與本發(fā)明一體式熔斷器第一實施例不同的：熔體200'不包括彈力部，使得本發(fā)明一 體式熔斷器第二實施例的熔體200'不具有彈性，相應(yīng)的，容置腔110'內(nèi)部亦無需設(shè)置避讓 腔，即，容置腔110'不具有定位凸塊和蓋板；直接于容置腔110'內(nèi)填充屏蔽介質(zhì)構(gòu)成屏蔽 層 300'。
[0030] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一體式熔斷器，于絕緣殼體100的一側(cè)向內(nèi)凹陷 形成容置腔110,使得容置腔110僅于絕緣殼體100的一側(cè)開口，其一方面方便將熔體200 裝入容置腔110內(nèi)并進行定位，另一方面方便對位于容置腔110內(nèi)的熔體200進行屏蔽；熔 斷部210、第一導(dǎo)電端220和第二導(dǎo)電端230相連接，且第一導(dǎo)電端210和第二導(dǎo)電端220 伸出容置腔110以便連接外部的電源，其一方面簡化一體式熔斷器的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝，另 一方面降低一體式熔斷器接觸不良的可能性。根據(jù)本發(fā)明提供的一體式熔斷器，其結(jié)構(gòu)簡 單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
[0031] 以上所揭露的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利 范圍，因此依本發(fā)明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種一體式烙斷器，包括絕緣殼體和烙體，其特征在于：所述絕緣殼體的一側(cè)向內(nèi) 凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導(dǎo)電端和第二導(dǎo)電端，所述熔斷部設(shè)置于所述 容置腔內(nèi)，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電端，所述第一導(dǎo) 電端和所述第二導(dǎo)電端伸出所述容置腔；所述容置腔內(nèi)設(shè)置有屏蔽所述熔斷部的屏蔽層。
2. 如權(quán)利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述第一導(dǎo)電端和所述第二導(dǎo)電 端沿分別所述容置腔的內(nèi)壁伸出所述容置腔并向所述絕緣殼體的兩側(cè)外壁彎折。
3. 如權(quán)利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述熔體還包括彈力部，兩所述彈 力部的一端分別連接于所述熔斷部，兩所述彈力部的另一端分別連接于所述第一導(dǎo)電端和 所述第二導(dǎo)電端；所述絕緣殼體具有容置所述彈力部并供所述彈力部發(fā)生彈性變形的避讓 腔。
4. 如權(quán)利要求3所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述熔體的兩側(cè)設(shè)置有定位凸塊， 所述定位凸塊的上方設(shè)置有蓋板；所述蓋板和所述絕緣殼體的底部圍成所述避讓腔。
5. 如權(quán)利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述容置腔的內(nèi)壁向所述容置腔 內(nèi)凸伸形成所述定位凸塊。
6. 如權(quán)利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述蓋板連接于所述容置腔，所述 蓋板構(gòu)成所述屏蔽層。
7. 如權(quán)利要求6所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述蓋板上側(cè)和/或周側(cè)設(shè)有粘 結(jié)所述容置腔和所述蓋板的粘結(jié)劑。
8. 如權(quán)利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述蓋板上側(cè)設(shè)置有所述屏蔽層。
9. 如權(quán)利要求3所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述彈力部的彈性變形方向與所 述一體式熔斷器的通電方向一致。
10. 如權(quán)利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于：所述容置腔內(nèi)設(shè)有屏蔽介質(zhì)形成 所述屏蔽層。
【文檔編號】H01H85/143GK104103463SQ201410339367
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月16日
【發(fā)明者】何旭斌, 趙志成, 郭曉冬 申請人:東莞市博鉞電子有限公司