多層陶瓷電子元件及其制備方法

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多層陶瓷電子元件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多層陶瓷電子元件及其制備方法，其中，該多層陶瓷電子元件包括：包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷體，以及配置在所述陶瓷體的至少一個表面上且與所述內(nèi)電極電連接的電極層。含有金屬粒子和基體樹脂的導電樹脂層配置在所述電極層上。當所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比為A，并且所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比為B時，A大于B。根據(jù)本發(fā)明的所述多層電子元件能夠改善所述電鍍性能和所述導電樹脂層和所述鍍層之間的耦合強度。
【專利說明】多層陶瓷電子元件及其制備方法
[0001] 相關申請的交叉參考
[0002] 本申請要求2013年10月2日向韓國知識產(chǎn)權局提交的申請?zhí)枮?10-2013-0118113的韓國專利申請的優(yōu)先權，將其公開的全部內(nèi)容并入本申請作為參考。

【技術領域】
[0003] 本發(fā)明所公開的內(nèi)容涉及一種多層陶瓷電子元件及其制備方法。

【背景技術】
[0004] 在陶瓷電子元件中，多層陶瓷電容器（MLCCs)包括多個堆疊的介電層、配置的相互面向的且在其間插入一個介電層的內(nèi)電極，以及與內(nèi)電極電連接的外電極。
[0005] MLCCs已經(jīng)廣泛地用作電腦、移動通訊設備如個人數(shù)字助理（PDAs)、移動電話等中的元件，這是由于其具有的如小尺寸、高電容、易裝配等優(yōu)點。
[0006] 目前，由于電子產(chǎn)品已然小型化且多功能化，芯片元件（chip components)也趨向于小型化和多功能化。因此，需要具有高電容的小尺寸的多層陶瓷電容器。
[0007] 為此，制備了這樣的多層陶瓷電容器，在其中，堆疊的介電層的數(shù)量在增加，但是介電層和內(nèi)電極的厚度在降低，并且外電極的厚度也在削減。
[0008] 此外，隨著本領域的設備和裝置的多種功能需要高度可靠性，例如車輛或醫(yī)療設備這樣的設備和裝置，已經(jīng)數(shù)字化并對這方面的需要也在增加，在多層陶瓷電容器中也需要高度可靠性。
[0009] 引起實現(xiàn)如上所述的高度可靠性的問題的因素，可能包括在電鍍過程中發(fā)生的鍍液滲漏、外部沖擊導致的裂紋的產(chǎn)生等。
[0010] 因此，作為解決這些問題的方式，將含有導電材料的樹脂組合物施用在外電極的電極層和鍍層之間以緩沖（absorb)外部沖擊并防止鍍液滲漏，從而改善產(chǎn)品的可靠性。
[0011] 然而，對于在外電極的電極層和鍍層之間提供導電樹脂層來說，在導電樹脂層和鍍層間可能發(fā)生界面分離現(xiàn)象，并且可能會發(fā)生在導電樹脂層上形成鍍層的時候將形成非電鍍區(qū)域（non-plating region)的電鍍?nèi)毕荩╬lating defect)。
[0012] 因此，需要一種能夠降低導電樹脂層和鍍層間的界面分離現(xiàn)象以及非電鍍?nèi)毕莸?發(fā)生率的多層陶瓷電容器。
[0013] [相關技術文獻]
[0014] (專利文獻1)日本專利特開2005-051226號公報
[0015] (專利文獻2)日本專利特開2008-085280號公報
[0016] (專利文獻3)日本專利特開2006-295077號公報
[0017] (專利文獻4)韓國專利特開2012-0099803號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018] 本發(fā)明的一些實施方式可以提供一種能夠改善電鍍性能（plating properties) 以及導電樹脂層和鍍層間的耦合強度的多層陶瓷電子元件及其制備方法。
[0019] 本發(fā)明所公開的內(nèi)容的一方面涉及一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷體，以及配置在所述陶瓷體的至少一個表面上且與所述內(nèi)電極電連接的電極層。含有金屬粒子和基體樹脂的導電樹脂層配置在所述電極層上。當所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比為A，并且所述導電樹脂層的內(nèi)部的金屬和碳的重量比為B時，A大于B。
[0020] A/B可以在1. 2-2. 0的范圍內(nèi)。
[0021] 所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比A可以為3. 5-4. 5。
[0022] 所述金屬粒子可以部分地從所述基體樹脂暴露出。
[0023] 部分金屬粒子可以從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
[0024] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面。
[0025] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面，該凹凸表面包括暴露在所述導電樹脂層外部的金屬粒子的表面。
[0026] 部分金屬粒子可以從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部，并且所述基體樹脂的表面可以以指定的高度在所述基體樹脂和突出的金屬粒子之間的界面上升，以圍住該突出的金屬粒子。
[0027] 所述金屬粒子可以包括銅、銀、鎳和它們的合金中的一種或多種。
[0028] 所述金屬粒子可以包括涂有銀的銅。
[0029] 所述多層陶瓷電子元件還可以包括配置在所述導電樹脂層上的鍍層。
[0030] 所述陶瓷體可以具有300-700 ii m的長度以及150-400 ii m的寬度。
[0031] 本發(fā)明所公開的內(nèi)容的另一方面包括多層陶瓷電子元件的制備方法，該方法包括：形成包括介電層和內(nèi)電極的陶瓷體。在所述陶瓷體的一個端面上形成與所述內(nèi)電極的一端電連接的電極層。將導電樹脂組合物施用在所述電極層上，所述導電樹脂組合物含有金屬粒子、在室溫下呈現(xiàn)為固態(tài)的固態(tài)樹脂（solid-phase resin)以及在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài)的液態(tài)樹脂（liquid-phase resin)。固化所述導電樹脂組合物以形成導電樹脂層，從而所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比高于所述導電樹脂層的內(nèi)部的金屬和碳的重量比。
[0032] 以所述固態(tài)樹脂和所述液態(tài)樹脂的總量為100重量份為基準，所述導電樹脂組合物可以含有50-70重量份的液態(tài)樹脂。
[0033] 當所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比為A，并且所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比為B時，A/B可以在1.2-2. 0的范圍內(nèi)。
[0034] 所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比A可以為3. 5-4. 5。
[0035] 部分金屬粒子可以從所述基體樹脂突出來，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
[0036] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面。
[0037] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面，該凹凸表面包括所述金屬粒子當中的暴露在外部的金屬離子的表面。
[0038] 部分金屬粒子可以從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部，并且所述基體樹脂的表面可以以指定的高度在所述基體樹脂和突出的金屬粒子之間的界面上升，以圍住該突出的金屬粒子。
[0039] 本發(fā)明所公開的內(nèi)容的再一方面涉及一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷體，配置在所述陶瓷體的至少一個表面上且與所述內(nèi) 電極電連接的電極層。含有金屬粒子和基體樹脂的導電樹脂層配置在所述電極層上。部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
[0040] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面。
[0041] 所述導電樹脂層可以具有凹凸表面，該凹凸表面包括所述金屬粒子當中的暴露在外部的金屬離子的表面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042] 通過以下詳細說明并結合附圖，將更為清楚地理解本發(fā)明所公開的內(nèi)容的以上和其他方面、特征和其他優(yōu)點，附圖中同樣的引用符號可以表示遍布不同圖片中的相同的或類似的部分。這些圖片并無必要去衡量，其重點應該放在對本發(fā)明的實施方式的原則進行說明上。在這些圖片中，層和區(qū)域的厚度可能為了清楚而擴大了。
[0043] 圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的透視圖。
[0044] 圖2是沿著圖1的A-A'線的橫截面圖。
[0045] 圖3是圖2的p部分的放大圖。
[0046] 圖4A是說明根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的暴露在導電樹脂層表面的金屬粒子的圖，以及圖4B是說明根據(jù)對比例的配置在導電樹脂層上的金屬粒子的圖。
[0047] 圖5A是說明根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的導電樹脂層表面的圖像，以及圖5B是說明根據(jù)對比例的多層陶瓷電子元件的導電樹脂層表面的圖像。
[0048] 圖6A是在根據(jù)圖5A所示的典型實施方式的導電樹脂層上形成的鍍層表面的圖像，以及圖6B是在根據(jù)圖5B所示的對比例的導電樹脂層上形成的鍍層表面的圖像。
[0049] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法的制備過程的流程圖。

【具體實施方式】
[0050] 在下文中，將參考附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細的描述。本發(fā)明所公開的內(nèi) 容可以以許多不同的形式呈現(xiàn)，然而并不應當被理解為限制成本文中所描述的實施方式。當然，提供這些實施方式，本發(fā)明所公開的內(nèi)容將可以透徹、完整，并全面地向本領域技術人員表達本發(fā)明所公開的內(nèi)容的范圍。在附圖中，元件的形狀和尺寸可以為了清楚而進行擴大，并且全文中同樣的引用數(shù)字將指定同樣的或類似的元件。
[0051] 在下文中，將通過多層陶瓷電子元件的實例的方式對多層陶瓷電子元件進行描述，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0052] 圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電子元件100的透視圖，以及圖2是沿著圖1的A-A'線的橫截面圖。
[0053] 參考圖1和圖2,根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電子元件100可以是包括陶瓷體110以及外電極131和132的多層陶瓷電容器。
[0054] 陶瓷體110可以包括作為陶瓷體一部分的有助于電容器形成的活性層（active layer)，以及形成在該活性層的上表面和下表面的上覆蓋層和下覆蓋層以分別作為上邊緣部分和下邊緣部分。所述活性層可以包括介電層111以及內(nèi)電極121和122，并且多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122可交替地形成，且介電層111插入它們之間。
[0055] 在本發(fā)明的一種典型實施方式中，陶瓷體110的形狀并沒有特別的限定，但可以大致為六面體形狀。根據(jù)在燒結芯片時陶瓷粉的燒結收縮和內(nèi)電極圖案的存在或不存在可以產(chǎn)生不同厚度的陶瓷體110?？蓪⑺鎏沾审w的邊緣部分進行打磨，這樣陶瓷體110就不會具有完美的六面體形狀，而是可能具有大致的六面體形狀。
[0056] 為了清楚地描述本發(fā)明的典型實施方式，將對六面體的方向進行定義。如附圖 (見圖1)中所示的L、W和T分別是指長度方向、寬度方向和厚度方向。在此，厚度方向可以和介電層堆疊的堆疊方向相同。
[0057] 內(nèi)電極可以包括第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122。所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi) 電極可以配置為相互面向且在它們之間插入介電層111。第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和 122,是具有不同極性的成對電極，可以通過在介電層111上以指定的厚度在介電層111的堆疊方向上印刷上含有導電金屬的導電漿料形成，以交替地暴露在陶瓷體110的兩個端面上（例如在圖2中的面向外電極131和132的端面）。第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122 可以通過配置在它們之間的介電層111而彼此電絕緣。
[0058] 例如，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122可以通過它們交替暴露在陶瓷體110 的兩個端面上的部分而分別與外電極電連接。所述外電極可以包括第一外電極和第二外電極131和132。第一內(nèi)電極121可以與第一外電極131電連接，而第二內(nèi)電極122可以與第二外電極132電連接。
[0059] 因此，當在第一外電極和第二外電極131和132上施加電壓時，電荷可以在相互面向的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122之間累積。在這種情況下，多層陶瓷電容器100 的電容可以與第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122的重疊區(qū)域的面積成比例。
[0060] 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122的厚度可以根據(jù)它們的預期用途來確定。例如，考慮到陶瓷體110的尺寸和電容，所述厚度可以確定在0. 2-1. 0 i! m的范圍內(nèi)，但是本發(fā) 明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0061] 此外，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122含有的導電金屬可以為鎳（Ni)、銅 (Cu)、鈀（Pd)或它們的合金，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0062] 在這種情況下，介電層111的厚度可以根據(jù)多層陶瓷電容器的電容設計選擇性地進行調(diào)整。在燒結后，考慮到陶瓷體110的尺寸和電容，單一介電層的厚度可以為 0. 1-lOiim，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0063] 此外，介電層111可以含有具有高介電常數(shù)的陶瓷粉，例如基于鈦酸鋇（BaTi03) 的陶瓷粉、基于鈦酸鍶（SrTi03)陶瓷粉等，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0064] 所述上覆蓋層和下覆蓋層可以與介電層111具有同樣的材料和構型，除了內(nèi)電極不包括在其中。所述上覆蓋層和下覆蓋層可以通過在垂直方向上分別在所述活性層的上表面和下表面上堆疊單一介電層或兩個或兩個以上介電層來形成，并且通常用以防止第一內(nèi) 電極和第二內(nèi)電極121和122受到物理或化學應力的損壞。
[0065] 第一外電極131可以包括第一電極層131a和導電樹脂層131b，并且第二外電極 132可以包括第二電極層132a和導電樹脂層132b。
[0066] 此外，第一和第二外電極131和132還可以包括形成在導電樹脂層131b和132b 上的鍍層（未顯示）。
[0067] 第一和第二電極層131a和132a可以直接與第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122 相連以確保所述外電極和內(nèi)電極之間的電連接性。
[0068] 第一電極層和第二電極層131a和132a可以含有導電金屬，所述導電金屬可以為鎳（Ni)、銅（Cu)、鈀（Pd)、金（Au)或它們的合金，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。 [0069] 第一電極層和第二電極層131a和132a可以為通過燒結含有所述導電金屬的漿料而形成的燒結型電極（sintering-type electrodes)。
[0070] 導電樹脂層131b和132b可以配置在第一和第二電極層131a和132a上。例如，所述導電樹脂層可以配置在所述第一和第二外電極層的外表面上。
[0071] 此外，盡管并未在附圖中示出，鍍層可以配置在導電樹脂層131b和132b的外表面上。
[0072] 圖3是圖2的p部分的放大圖。
[0073] 盡管p部分，即第一外電極131的橫截面部分，在圖3中進行了放大并說明，但是，第一和第二外電極131和132的構型是彼此相似的，除了第一外電極131與第一內(nèi)電極121 電連接，第二外電極132與第二內(nèi)電極122電連接。因此，在下文中，僅提供基于第一外電極131的描述，但是該描述可以以相似的方式應用到第二外電極132上。
[0074] 如圖3所示的，導電樹脂層131b可以含有金屬粒子11和基體樹脂12,并且基體樹脂12可以包括熱固性樹脂。所示熱固性樹脂可以為環(huán)氧樹脂，但并不限于此。
[0075] 金屬粒子11可以包括銅、銀、鎳和它們的合金中的一種或多種，并且可以包括涂有銀的銅。金屬粒子11可以部分地暴露在導電樹脂層131b的表面上的外部。
[0076] 此外，導電樹脂層131b中含有的基體樹脂12的量在表面部分S中的要少于在內(nèi) 部I中的基體樹脂12的量。例如，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式，盡管臨近所述導電樹脂層表面的金屬粒子并未全部地嵌入在所述基體樹脂中，但是臨近所述導電樹脂層表面的金屬粒子可以部分從所述基體樹脂突出而不是嵌入在所述基體樹脂中，所述導電樹脂層的表面部分S中的所述基體樹脂的含量要少于內(nèi)部中的。
[0077] 所述"表面部分S"是指從含有金屬粒子和基體樹脂的所述導電樹脂層的最外面到其內(nèi)配置的部分的距離約1 U m以下的部分（如圖3所示），以及除了所述"表面部分S"的其他區(qū)域可定義為所述"內(nèi)部I"。
[0078] 所述最外面可以定義為通過無形地連接從所述基體樹脂突出來的金屬粒子的頂點來獲得的虛擬的表面（例如，金屬粒子的峰端區(qū)域，其中金屬顆粒突了出來）。換句話說，所述最外面可以定義為與從所述基體樹脂突出來的金屬粒子的頂點（例如，所述金屬粒子的突出區(qū)域的峰端）接觸的虛擬表面。
[0079] 此外，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的導電樹脂層131b可以具有凹凸表面，這是由于未嵌入在所述基體樹脂中的金屬粒子從其中突了出來。
[0080] 當金屬粒子以部分地從導電樹脂層131b的表面突出的方式暴露時，可增加所述導電樹脂層表面中被所述導電金屬占據(jù)的和被基體樹脂12占據(jù)的面積比。如此，在所述導電樹脂層表面上形成所述鍍層時，非電鍍區(qū)域便不能形成，而是可以形成均勻的鍍層。
[0081] 另外，由于導電樹脂層131b含有基體樹脂12和金屬粒子11，因此，導電樹脂層 131b含有碳和金屬。當將在所述表面部分S中的金屬和碳的重量比定義為A，且將在所述導電樹脂層的所述內(nèi)部I中的金屬和碳的重量比定義為B，那么A可以大于B(A>B)。
[0082] 在所述表面部分S中的金屬和碳的重量比A是指在導電樹脂層131b的所述表面部分S中金屬的wt%與該表面部分S中碳的wt%的比例（金屬/碳（wt% /wt% ))，并且在所述內(nèi)部I中的金屬和碳的重量比B是指在導電樹脂層131b的所述表面部分S中金屬的wt%與該內(nèi)部I中碳的wt%的比例（金屬/碳（wt% /wt% ))。
[0083] 在所述表面部分S和內(nèi)部I中的金屬和碳的重量比可以通過能量擴散X射線譜儀 (EDS)定量分析來測量。EDS分析可以在每個表面部分S和內(nèi)部I的至少5個點上進行，然后從測量值計算出平均值。
[0084] 此外，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式，當將在導電樹脂層131b的所述表面部分 S中的金屬和碳的重量比定義為A，且將在所述導電樹脂層的內(nèi)部I中的金屬和碳的重量比定義為B時，A/B可以在1. 2-2. 0的范圍內(nèi)（1. 2彡A/B彡2. 0)。
[0085] 當A/B小于1. 2時，在表面中的基體樹脂的量將相對較大。因此，在所述導電樹脂層上形成所述鍍層的情況下，就會產(chǎn)生如形成非電鍍區(qū)域這樣的電鍍?nèi)毕?。在增加所述?面部分和所述內(nèi)部的金屬和碳的重量比而保持A/B小于1. 2以防止所述電鍍?nèi)毕莸那闆r 下，將降低所述導電樹脂層中的整個基體樹脂的量，這樣將不能確保與電極層的粘合力。 [0086] 因此，為了確保所述導電樹脂層和電極層間的粘合力的同時防止所述電鍍?nèi)毕荩?A/B可以為1.2或以上。
[0087] 此外，當A/B大于2. 0時，在所述導電樹脂層上形成所述鍍層時，電鍍性能可以顯著地增加，但是由于所述導電樹脂層的表面部分和內(nèi)部間的樹脂分布的差異增加，所述表面部分中的樹脂可能會迅速地降低。因此，所述導電樹脂層表面上的金屬粒子可能從所述導電樹脂層脫離出來。
[0088] 在形成所述導電樹脂層后進行電鍍過程的時候，將插入到桶中的鍍液（plating bath)中的芯片（在其上形成有包括導電樹脂層的多層陶瓷電子元件）通過桶的旋轉在桶中運動使得彼此混合。在這種情況下，當A/B大于2. 0時，所述表面部分的樹脂將迅速地降低。結果，當芯片遭受物理損壞時，由于所述芯片之間或桶的內(nèi)表面和芯片之間的沖擊，所述表面的金屬粒子將從所述導電樹脂層脫離出來，可能導致所述鍍層不均勻。
[0089] 此外，當在所述導電樹脂層上形成所述鍍層時，由于所述金屬粒子從表面脫離，可能導致所述鍍層從所述導電樹脂層脫離或在所述導電樹脂層和所述鍍層間發(fā)生層離 (delamination)。并且，當所述導電樹脂層的表面部分含有的基體樹脂的水平使得所述導電樹脂層的表面的金屬粒子不會脫離且A/B大于2. 0時，那么所述內(nèi)部的金屬粒子水平就會降低，從而，所述導電樹脂層的等效串聯(lián)電阻（ESR)可能增加。
[0090] 根據(jù)本發(fā)明構思的一種典型實施方式，在導電樹脂層131b的表面部分S中的金屬和碳的重量比（A)可以為3. 5-4. 5。
[0091] 例如，在所述表面部分S中的金屬的wt% /碳的wt%可以為3. 5-4. 5。
[0092] 當重量比，A，小于3. 5時，在所述導電樹脂層的表面中的基體樹脂占據(jù)的面積將增加，并且在所述導電樹脂層上形成所述鍍層時，可能發(fā)生如形成非電鍍區(qū)域這樣的電鍍缺陷。另一方面，當A大于4. 5時，所述基體樹脂的量對金屬粒子來說相對較低，并且所述基體樹脂固定暴露在表面的金屬粒子的粘合力可能降低。結果，金屬粒子可能脫離出來因而從所述導電樹脂脫離。
[0093] 在所述導電樹脂層表面的金屬粒子從其中脫離出來并從所述導電樹脂中脫離的區(qū)域中，所述基體樹脂可能存在于表面，而并非是金屬粒子。因此，當大量所述導電樹脂層表面的金屬粒子脫離出來時，在所述表面上被基體樹脂占據(jù)的面積就會增加，這樣可能導致所述電鍍性能惡化。
[0094] 此外，當在所述鍍層在所述導電樹脂層上形成后，與所述鍍層耦合的金屬粒子從所述導電樹脂脫離出來，可能導致所述鍍層和所述導電樹脂層之間的夾層層離 (interlayer delamination)〇
[0095] 此外，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式，陶瓷體110的長度可以為300-70(^ m，且它的寬度可以為150-400i!m。根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式，甚至在將本發(fā)明所公開的內(nèi)容應用到具有這樣小尺寸的陶瓷體的情況下，所述電鍍性能可以充分地得到改善。
[0096] 然而，本發(fā)明所公開的內(nèi)容的應用并不限于小尺寸的芯片，而是，本發(fā)明所公開的內(nèi)容可以應用到不考慮其尺寸的陶瓷體上。
[0097] 相關技術文獻1顯示出了將金屬粒子配置到導電樹脂層的表面上，但是所述金屬粒子并不包含在所述導電樹脂層中，而是以一種獨立結構配置在導電樹脂層的表面。然而，不同于相關技術文獻1的是，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，金屬粒子包含在作為單層形成的導電樹脂層中暴露在所述導電樹脂層的表面。
[0098] 具體地，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，包含在所述導電樹脂層中并且從其中突出因而暴露的所述導電樹脂層表面的金屬粒子不同于相關技術文獻1中的在所述導電樹脂層形成后再將金屬粒子獨立地配置在其表面上。換句話說，在相關技術文獻1中，導電樹脂層和在導電樹脂層表面上的金屬粒子層是彼此分開的兩個層。然而，在本發(fā)明的一種實施方式中，配置在作為單層形成的所述導電樹脂層表面上的金屬粒子暴露在所述導電樹脂層的外部。
[0099] 此外，在相關技術文獻1中，存在與在表面的金屬粒子接觸的基體樹脂相對較少的問題，從而配置在導電樹脂層表面的金屬粒子可能較容易地從該導電樹脂層脫離出來。
[0100] 圖4A是說明根據(jù)本發(fā)明的一種實施典型方式的暴露在導電樹脂層表面的金屬粒子的圖，以及圖4B是說明在相關技術文獻1中公開的配置在導電樹脂層上金屬粒子的圖。
[0101] 當金屬粒子如相關技術文獻1中獨立地配置在導電樹脂層表面上時，如圖4B中所示的對導電樹脂層加壓，在導電樹脂層中含有的基體樹脂12'和在所示表面附近的金屬粒子11'之間的接觸面積將降低，從而金屬粒子可能輕易地從導電樹脂層脫離出來。另一方面，在本發(fā)明的一種典型實施方式中，如圖4A中所示的，當所述導電樹脂層中的金屬粒子暴露出來時，由于表面張力，所述基體樹脂和突出的金屬粒子之間的界面的基體樹脂上升增加了所述基體樹脂和暴露在表面的金屬粒子之間的接觸面積，因此，金屬粒子就不會輕易地從所述導電樹脂層脫離出來。
[0102] 此外，當將所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比定義為A且將所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比定義為B時，對比與本發(fā)明所公開的內(nèi)容，在相關技術文獻1中并沒有公開相當A或A/B的關系。
[0103] 進一步地，在相關技術文獻2中，導電樹脂層由兩個層組成且在第二導電樹脂層中金屬粒子的含量要高于第一導電樹脂層中的金屬粒子的含量。在相關技術文獻2中，由于形成的是獨立的導電樹脂層，每個樹脂層具有指定的厚度，并且使用漿料形成導電樹脂層的過程需要進行兩次。然而，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，由于所述導電樹脂層由單層構成，可以形成相對較薄的導電樹脂層，并且采用漿料形成所述導電樹脂層的過程可以是簡化的。
[0104] 在相關技術文獻3中，金屬粒子暴露在導電樹脂層的表面，但是該金屬粒子是通過拋光處理（polishing process)而不是突出來而暴露在外的。在這種情況下，導電樹脂層的表面部分和內(nèi)部的金屬和碳的重量比之間是一樣的，從而在這一點上，相關技術文獻3 和本發(fā)明所公開的內(nèi)容是不一樣的。
[0105] 另外，對于如相關技術文獻3中的拋光導電樹脂層表面來暴露金屬粒子的方法的情況，并不容易將該方法應用到相對較小的芯片上（由于拋光效率（polishing efficiency)的限制），并且出于拋光效率的限制可能導致非電鍍?nèi)毕荨?br> [0106] 然而，在本發(fā)明所公開的內(nèi)容中，因為金屬粒子不需要進行單獨的拋光處理而暴露在所述導電樹脂層表面上（結合圖7參見以下所描述的制備過程），其處理過程可以是簡化的。甚至當在所述導電樹脂層表面上存在的金屬粒子上還些微地殘留有基體樹脂且進行了拋光處理時，所述基體樹脂的量也相對較小。結果，覆蓋配置在所述導電樹脂層表面上的金屬粒子的基體樹脂可以輕易地除去甚至在拋光效率相對較低的時候。
[0107] 換句話說，不同于相關技術文獻3,根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，在所述導電樹脂層上形成所述鍍層的時候，不管陶瓷體的尺寸如何電鍍性能可以有所改善，并且可以輕易地將本發(fā)明所公開的內(nèi)容應用到制備小尺寸的電子元件（包括具有長度為300-700 y m且寬度為150-400 ii m的陶瓷體110)上。
[0108] 圖5A是說明根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電子元件的導電樹脂層表面的圖像，以及圖5B是說明根據(jù)對比例的多層陶瓷電子元件的導電樹脂層表面的圖像，其中，所述金屬粒子不同于本發(fā)明所公開的情況，不暴露在導電樹脂層的表面。
[0109] 應當理解的是，在根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電子元件的導電樹脂層表面上，金屬粒子是暴露的，正如圖5A中清楚地顯示的金屬粒子那樣，而不是圖5B中那樣，金屬粒子被導電樹脂覆蓋，因此并不清楚。
[0110] 圖6A是通過在根據(jù)圖5A所示的典型實施方式的導電樹脂層上形成鍍層然后并對該鍍層的表面拍照而得的圖像，以及圖6B是通過在根據(jù)圖5B所示的對比例的導電樹脂層上形成的鍍層并對該鍍層的表面拍照而得的圖像?？梢源_定的是，當如在本發(fā)明的典型實施方式中，將金屬粒子暴露在所述導電樹脂層的表面時，如圖6A所示的，所述鍍層可以均勻地形成在所述導電樹脂層表面上，并且沒有非電鍍區(qū)域。然而，當金屬粒子不暴露在所述導電樹脂層的表面時，如圖6B中所示的，在導電樹脂層上形成鍍層時，該鍍層可能不均勻地形成，并且其中可能形成了非電鍍區(qū)域，例如電鍍?nèi)毕荨?br> [0111] 多層陶瓷電容器的制各方法
[0112] 在下文中，將對根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法進行描述，但是本發(fā)明并不限于此。在下文中，將通過列舉實施例的方式對所述多層陶瓷電容器的制備方法進行描述。
[0113] 此外，在對根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制備方法的描述中，將省略對根據(jù)前述的本發(fā)明的典型實施方式的上述多層陶瓷電容器的重復描述。
[0114] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法的制備過程的流程圖。
[0115] 參考圖7,根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制備方法可以包括形成包括介電層和內(nèi)電極的陶瓷體（S1)?？梢栽谒鎏沾审w的一個端面上形成電極層以與所述內(nèi)電極的一端電連接（S2)。可以將導電樹脂組合物（含有金屬粒子、在室溫下呈現(xiàn)為固態(tài)的固態(tài)樹脂以及在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài)的液態(tài)樹脂）施用在所述電極層上（S3)。固化所述導電樹脂組合物以形成導電樹脂層，從而所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比高于它的內(nèi)部的金屬和碳的重量比（S4)。
[0116] 在根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的多層陶瓷電容器的制備方法中，首先，將含有如鈦酸鋇（BaTi03)粉等這樣的粉末的漿料施用到載體膜上并在其上干燥以制得多個陶瓷印刷電路基板（ceramic green sheets),從而形成介電層和覆蓋層。
[0117] 所述陶瓷印刷電路基板可以通過混合陶瓷粉、粘合劑和溶劑以制得所述漿料并將制得的楽料制成具有數(shù)的厚度的片狀（通過刮片法（doctor blade method))來制得。
[0118] 然后，制備含有鎳粉的用于內(nèi)電極的導電漿料。
[0119] 將用于內(nèi)電極的導電漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法施用到所述印刷電路基板上以形成所述內(nèi)電極后，將多個其上印刷有內(nèi)電極的印刷電路基板進行堆疊，并且將多個其上未印刷有內(nèi)電極的印刷電路基板在該多層體的上表面和下表面進行堆疊，接著進行燒結，從而制得陶瓷體110。所述陶瓷體可以包括第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122、介電層111 和所述覆蓋層。所述介電層可以通過燒結其上印刷有內(nèi)電極的印刷電路基板來形成，以及所述覆蓋層可以通過燒結其上未印刷有內(nèi)電極的印刷電路基板來形成。
[0120] 所述內(nèi)電極可以包括第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極121和122。
[0121] 第一內(nèi)電極層和第二電極層131a和132a可以在所述陶瓷體的外表面形成以分別與第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極電連接。所述第一內(nèi)電極層和第二電極層可以通過燒結含有導電金屬和玻璃的漿料來形成。
[0122] 對所述導電金屬并沒有特別的限定，但可以是，例如，選自銅（Cu)、銀（Ag)、鎳 (Ni)以及它們的合金中的一種或多種。
[0123] 對所述玻璃并沒有特別的限定，但可以是與用于形成常規(guī)的多層陶瓷電容器的外電極的玻璃具有相同成分的材料。
[0124] 接著，將含有金屬粒子、固態(tài)樹脂和液態(tài)樹脂的所述導電樹脂組合物在所述第一電極層和第二電極層的外表面施用并固化，從而形成導電樹脂層131b和132b。
[0125] 所述金屬粒子可以包括銅（Cu)、銀（Ag)、鎳（Ni)、它們的合金以及涂有銀的銅中的一種或多種，但并不限于此。
[0126] 所述固態(tài)樹脂和所述液態(tài)樹脂可以包括熱固性樹脂，例如，環(huán)氧樹脂。
[0127] 所述固態(tài)樹脂是指在室溫下呈現(xiàn)為固態(tài)的樹脂并且沒有溶劑時不會液化，可以是軟化點高于室溫的環(huán)氧樹脂。
[0128] 所述液態(tài)樹脂是指在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài)的樹脂。所述液態(tài)樹脂在固化前可以具有 100g/mol或以下的分子量，且是一種由于分子量和分子間結合強度（binding strength) 相對較低，因而軟化點與室溫相同或低于室溫的樹脂。所述液態(tài)樹脂可以直接地應用于所述導電樹脂組合物而不需要溶劑。換句話說，所述液態(tài)樹脂可以不需要溶劑而形成一種漿料。
[0129] 所述液態(tài)樹脂可以是，例如，由于低分子質(zhì)量而在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài)的樹脂，如雙酚A樹脂、乙二醇環(huán)氧樹脂、酚醒清漆環(huán)氧樹脂（novolac epoxy resins)或它們的衍生物，但并非限于此。
[0130] 更詳細地，作為所述液態(tài)樹脂的實例為聚丙氧基雙酚A (polypropoxylate bisphenol A(PBPA))以及 D. E. R?330、D. E. R?332、D. E. R?362、D. E. R?364 和 D. E. R?383 等，也可以采用由DOW公司制備的環(huán)氧產(chǎn)品，但是本發(fā)明所公開的內(nèi)容并非限于此。
[0131] 在根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法中，用于形成所述導電樹脂層的組合物可以含有液態(tài)樹脂，這樣在固化所述導電樹脂組合物以形成所述導電樹脂層時，就可以使得形成的導電樹脂層中，其表面部分的金屬和碳的重量比大于其內(nèi)部的金屬和碳的重量比。
[0132] 此外，根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式，所述導電樹脂層可以通過施用所述導電樹脂組合物來形成，所述導電樹脂組合物含有50-70重量份的液態(tài)樹脂（基于所述固態(tài)樹脂和所述液態(tài)樹脂的總量為100重量份）。在施用所述導電樹脂組合物并對所施用的導電樹脂組合物進行熱處理以固化所述導電樹脂組合物的情況中，在臨近所述導電樹脂層表面處存在的液態(tài)樹脂可以在溫度達到固化溫度前輕易地揮發(fā)掉。另一方面，在所述導電樹脂層內(nèi) 部存在的液態(tài)樹脂將被所述固態(tài)樹脂所封閉而不會揮發(fā)，這樣所述液態(tài)樹脂可以保留下來以與所述固態(tài)樹脂一起形成基體樹脂。
[0133] 在本發(fā)明的典型實施方式中，當在臨近所述導電樹脂層表面處存在的液態(tài)樹脂揮發(fā)從而在固化前去除掉時，包含在所述導電樹脂層中的金屬粒子可以穿過所述導電樹脂層表面而暴露在外部。
[0134] 當整個樹脂組分中含有的液態(tài)樹脂的量少于50重量份時，由于在固化過程中流動性可能退化且表面揮發(fā)作用可能降低，金屬粒子可能不會暴露在所述導電樹脂層的表面，并且剩余的覆蓋金屬粒子的樹脂組分可能增加，這樣可能導致非電鍍問題。此外，在整個樹脂組分中含有的液態(tài)樹脂的量大于70重量份的情況下，所述導電樹脂組合物的流動性可能在固化的加熱環(huán)節(jié)增強，這樣可能難以控制所述導電樹脂層的形狀，并且在同時形成多個電容器的情況下，可能發(fā)生芯片粘結缺陷（其中相互臨近的電容器的外電極將相互粘結）。
[0135] 更詳細地，采用根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法，所述金屬粒子可以部分地暴露在所述導電樹脂層表面的外部，并且暴露的金屬粒子部分可以從所述導電樹脂層表面突出。此外，由于該突出的金屬粒子，所述導電樹脂層可以具有凹凸表面。
[0136] 例如，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式，金屬粒子可以不經(jīng)過拋光處理而暴露在所述導電樹脂層表面，并且無需對金屬粒子進行獨立的附著處理（attachment process), 金屬粒子就可以從所述導電樹脂層表面突出。此外，即使在所述導電樹脂組合物不由兩個或兩個以上的層組成的情況下，也可以形成表面部分和內(nèi)部中的金屬和碳的重量比不同的導電樹脂層。
[0137] 所述導電樹脂層的固化條件可以取決于對流的傳熱速率、依賴其溫度的樹脂流動性、固化速率等，以形成表面部分中的金屬和碳的重量比高于內(nèi)部中的金屬和碳的重量比的導電樹脂層。
[0138] 此外，當將所形成的導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比定義為A且將所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比定義為B時，可以將用于固化所述導電樹脂組合物的加熱條件調(diào)節(jié)至使得A/B在1. 2-2. 0的范圍內(nèi)。
[0139] 另外，所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比A可以為3. 5-4. 5。
[0140] 如本發(fā)明的典型實施方式中的，在采用含有液態(tài)樹脂的導電樹脂組合物來形成導電樹脂層的情況下，所述表面上存在的液態(tài)樹脂可以部分地揮發(fā)，但是所述液態(tài)樹脂可以部分地保留，然后固化從而與固態(tài)環(huán)氧樹脂一起形成基體樹脂。更詳細地，固化前在所述導電樹脂組合物的表面中的液相中存在的所述液態(tài)樹脂，由于液體的表面張力，可以從金屬粒子和所述液態(tài)樹脂的界面以指定的高度上升，從而使得所述液態(tài)樹脂圍住了金屬粒子。其后，當固化完成時，所述液態(tài)樹脂因此就轉化為所述基體樹脂，根據(jù)所指定的上升高度可以改善所述基體樹脂和金屬粒子間的粘合力（見圖4A)。
[0141] 此外，根據(jù)本發(fā)明的一種典型實施方式的多層陶瓷電子元件的制備方法還包括，在形成所述導電樹脂層后，在所述導電樹脂層上形成鍍層。如在本發(fā)明的一種典型實施方式中的，當在形成所述導電樹脂層然后在該導電樹脂層上形成鍍層的情況中時，可以在不形成非電鍍區(qū)域的情況下形成均勻的鍍層。
[0142] 另一方面，在相關技術文獻4中，使用了一種樹脂電極漿料（其中將具有高軟化點的樹脂和低軟化點的樹脂混合），但是該具有低軟化點的樹脂并非是在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài) 的樹脂，并且具有高軟化點的樹脂和具有低軟化點的樹脂的混合比例也與本發(fā)明所公開的內(nèi)容不同。
[0143] 實施例
[0144] 下表1顯示的數(shù)據(jù)指明了通過改變液態(tài)樹脂的含量（以該導電樹脂組合物中含有的樹脂組分為1〇〇重量份為基準）和改變固化的加熱條件得到的A/B值（A :導電樹脂層的表面部分的金屬和碳的重量比，B :導電樹脂層的內(nèi)部的金屬和碳的重量比）。該數(shù)據(jù)還指明，基于A/B，在導電樹脂層上形成鍍層時的電鍍性能、表面的金屬粒子是否脫離，以及加熱固化導電樹脂組合物時由于流動性增加控制所述導電樹脂層的形狀的容易程度。
[0145] 在所述實驗實施例中，所述導電樹脂組合物中含有的銅離子作為金屬粒子，具有約50, 000平均分子質(zhì)量（Mw)的基于雙酚A(BPA)的環(huán)氧樹脂作為固態(tài)樹脂、在室溫下 (25°C )具有流動性約為lOOOOcp的基于雙酚A(BPA)的液態(tài)樹脂作為液態(tài)樹脂，以及具有 200-250°C沸點的溶劑。
[0146] 在表1中，固化的加熱條件1、11和III如下所示。固化的加熱條件I是指溫度保持階段（例如在保持指定的溫度期間，不會出現(xiàn)在溶劑揮發(fā)溫度和固化溫度之間）的加熱設定（heating profile)。固化的加熱條件II是指加熱速率與固化的加熱條件I相同的加熱設定，除了在加熱條件II的加熱設定階段中維持溫度（約120-140°C )時延遲固化，從而保證在指定的時間溫度達到固化溫度前樹脂的流動性，以增加流動性。最后，加熱條件III 是指呈現(xiàn)出與加熱條件II中相同的溫度保持階段的加熱設定，但是總的加熱速率較低，從而能夠顯著地確保樹脂流動性，例如，比加熱條件II更加確保。
[0147] 雖然呈現(xiàn)了加熱條件中的不同，但從實驗結果可以理解的是，具有這樣一種總體趨勢：固化的加熱條件越接近加熱條件I的固化的加特條件，A/B就越接近1，而固化的加熱條件越接近加熱條件III的固化的加特條件，A/B的值就越大。
[0148]表 1

【權利要求】
1. 一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷體；配置在所述陶瓷體的至少一個表面上且與所述內(nèi)電極電連接的電極層；以及配置在所述電極層上且含有金屬粒子和基體樹脂的導電樹脂層；其中，當所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比為A，并且所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比為B時，A大于B。
2. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，A/B在1. 2-2. 0的范圍內(nèi)。
3. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比A為3. 5-4. 5。
4. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述金屬粒子部分地從所述基體樹脂暴露出來。
5. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
6. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面。
7. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面，該凹凸表面包括暴露在所述導電樹脂層外部的金屬粒子的表面。
8. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部，并且所述基體樹脂的表面在所述基體樹脂和突出的金屬粒子之間的界面以指定的高度上升，從而圍住該突出的金屬粒子。
9. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述金屬粒子包括銅、銀、鎳和它們的合金中的一種或多種。
10. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述金屬粒子包括涂有銀的銅。
11. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，該多層陶瓷電子元件還包括配置在所述導電樹脂層上的鍍層。
12. 根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷體具有300-700 y m的長度以及150-400 iim的寬度。
13. -種多層陶瓷電子元件的制備方法，該方法包括：形成包括介電層和內(nèi)電極的陶瓷體；在所述陶瓷體的端面上形成與所述內(nèi)電極的一端電連接的電極層；在所述電極層上施用導電樹脂組合物，該組合物含有金屬粒子、在室溫下呈現(xiàn)為固態(tài) 的固態(tài)樹脂以及在室溫下呈現(xiàn)為液態(tài)的液態(tài)樹脂；以及固化所述導電樹脂組合物以形成導電樹脂層，從而所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比高于所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比。
14. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，以所述固態(tài)樹脂和所述液態(tài)樹脂的總量為100 重量份為基準，所述導電樹脂組合物含有50-70重量份的液態(tài)樹脂。
15. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，當所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比為A，并且所述導電樹脂層的內(nèi)部中的金屬和碳的重量比為B時，A/B在1. 2-2. 0 的范圍內(nèi)。
16. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述導電樹脂層的表面部分中的金屬和碳的重量比A為3. 5-4. 5。
17. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
18. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面。
19. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面，該凹凸表面包括暴露在所述導電樹脂層外部的金屬粒子的表面。
20. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部，并且所述基體樹脂的表面在所述基體樹脂和突出的金屬粒子之間的界面以指定的高度上升，從而圍住該突出的金屬粒子。
21. -種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷體；配置在所述陶瓷體的至少一個表面上且與所述內(nèi)電極電連接的電極層；以及配置在所述電極層上且含有金屬粒子和基體樹脂的導電樹脂層；其中，部分金屬粒子從所述基體樹脂突出，從而部分地暴露在所述導電樹脂層的外部。
22. 根據(jù)權利要求21所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面。
23. 根據(jù)權利要求21所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電樹脂層具有凹凸表面，該凹凸表面包括暴露在所述導電樹脂層外部的金屬粒子的表面。
【文檔編號】H01G4/005GK104517724SQ201410340526
【公開日】2015年4月15日申請日期:2014年7月17日優(yōu)先權日:2013年10月2日
【發(fā)明者】全炳珍, 文濟益, 韓在煥, 庾勝熙申請人:三星電機株式會社

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