布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，該激光器由下至上依次包括：n面電極、GaSb襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、第一中心腔、第二中心腔、上波導(dǎo)層、上限制層、蓋層和p面電極，第一中心腔和第二中心腔內(nèi)設(shè)有有源層；下波導(dǎo)層包括多對n型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡；上波導(dǎo)層包括多對p型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡。本發(fā)明利用布拉格反射波導(dǎo)限制光場分布，可有效改善傳統(tǒng)GaSb基邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器端面災(zāi)變性毀壞、燒空、電熱燒毀和光束成絲等效應(yīng)，提高激光機(jī)的光束質(zhì)量，有效的降低了垂直發(fā)散角，其橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角半高全寬可達(dá)到10°以下。
【專利說明】布拉格反射波導(dǎo)基半導(dǎo)體激光器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器。

【背景技術(shù)】
[0002]中紅外2 ”波段(--基半導(dǎo)體激光器在環(huán)境監(jiān)測、天氣預(yù)測、醫(yī)療、軍事以及通信等方面有著極大的市場潛力，隨著應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，對于該激光器的性能要求也逐步提高，高的輸出功率、高的光束質(zhì)量、穩(wěn)定的單橫模輸出、低的發(fā)散角等等都成為提升激光器性能的目標(biāo)。
[0003]從2004到2013年，中紅外2 ^ 0波段(--基半導(dǎo)體激光器研究有了很大的進(jìn)步，在輸出功率方面，國際上室溫連續(xù)激射功率最高達(dá)到4.21。我國中國科學(xué)院半導(dǎo)體所也證明了室溫連續(xù)輸出功率82.21111，并實(shí)現(xiàn)了高溫801連續(xù)激射。然而，作為高功率中紅外激光器，2 9 III波段(--基激光器主要存在著發(fā)散角大035° ),光束質(zhì)量差，亮度低的問題。此外，小的光模式尺寸會(huì)使器件的功率密度增大，容易發(fā)生災(zāi)變光腔鏡損傷，器件輸出功率受到限制，這些因素限制了其激光器的應(yīng)用。關(guān)于降低(--基激光器發(fā)散角，當(dāng)前國際上八.八 1-11止8皿8 等人(20101222^.811(1 8&1111 ^0681^11 0？ 8111811068111 10? 1111-081101(1, 1011^ 1^61611^1:11 6&813 18861~8?0 通過在 X 型包層中加入V型弱波導(dǎo)將2 ^ 0波段(--基激光器遠(yuǎn)場發(fā)散角最低僅降低到了 35。。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的(--基半導(dǎo)體激光器垂直方向的遠(yuǎn)場發(fā)散角過高的問題，而提供一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器。
[0005]本發(fā)明提供一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器，該激光器由下至上依次包括:
[0006]面電極、(--襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、第一中心腔、第二中心腔、上波導(dǎo)層、上限制層、蓋層和？面電極；所述的第一中心腔和第二中心腔內(nèi)設(shè)有有源層；
[0007]所述的下波導(dǎo)層包括多對型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡；所述的上波導(dǎo)層包括多對？型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡。
[0008]本發(fā)明所述的II型摻雜的高折射率層和？型摻雜的高折射率層的折射率和厚度相同；所述的II型摻雜的低折射率層和？型摻雜的低折射率層的折射率和厚度相同。
[0009]本發(fā)明所述的所述上波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)與下波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)相同。
[0010]本發(fā)明所述的每一對II型摻雜的高、低折射率材料層和13型摻雜的高、低折射率材料層的厚度為0.8 ^ III?1.4 ^ III，對數(shù)為3-6對，高、低折射率材料層的厚度比為1: (3?7)，高、低折射率分別為3.647和3.548。
[0011]本發(fā)明所述的每一對II型摻雜的高、低折射率材料層和13型摻雜的高、低折射率材料層的厚度為1.2 0 %對數(shù)為5對，高、低折射率材料層的厚度比為1:4，高、低折射率分別為 3.647 和 3.548。
[0012]本發(fā)明所述的型或1)型摻雜的高、低折射率材料層采用不同鋁組分的八1(--材料。
[0013]本發(fā)明所述的有源區(qū)為多層量子阱結(jié)構(gòu)。
[0014]本發(fā)明的工作原理
[0015]本發(fā)明提供一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器，所述的下波導(dǎo)層和上波導(dǎo)層分別包括多對II型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡；由于II面(11型摻雜部分)和？面(1)型摻雜部分)采用對稱的布拉格反射波導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)利用光子帶隙效應(yīng)替代傳統(tǒng)的全反射原理進(jìn)行光場限制，通過增大垂直光模式尺寸，從而降低垂直方向光束發(fā)散角，實(shí)現(xiàn)大模式體積、穩(wěn)定單模工作。
[0016]本發(fā)明的有益效果
[0017]本發(fā)明提供一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器，該激光器利用布拉格反射波導(dǎo)限制光場分布，可有效改善傳統(tǒng)(--基邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器端面災(zāi)變性毀壞、燒空、電熱燒毀和光束成絲等效應(yīng)，提高激光機(jī)的光束質(zhì)量，降低整形難度，提高光纖耦合效率，并且有效的降低了垂直發(fā)散角，其橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角半高全寬①肌通)可達(dá)到10。以下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的超低橫向發(fā)散角(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)立體圖。
[0019]圖2(幻(幻(0)分別為實(shí)施例1布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0020]圖3(幻(幻(0)分別為實(shí)施例2布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0021]圖4(幻㈦(0)分別為實(shí)施例3布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0022]圖5(幻(幻(0)分別為實(shí)施例4布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0023]圖6(8)(幻(0)分別為實(shí)施例5布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0024]圖7(8)(幻(0)分別為實(shí)施例6布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。
[0025]圖8(幻(幻(0)分別為實(shí)施例7布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器折射率分布、基橫模近場和遠(yuǎn)場發(fā)散角示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)說明。
[0027]如圖1所不，本發(fā)明一種布拉格反射波導(dǎo)(--基半導(dǎo)體激光器，包括II面電極1，(--襯底2，下限制層3,11-081？高折射率層4^4^4(^4^46,11-088低折射率層5^51^5(^5己、56，第一中心腔6，有源層7，第二中心腔8，？-081？高折射率層9^9^9(^9(^96, ？-08尺低折射率層103、106、10(3、10(1、106，上限制層11，蓋層12，？面電極13 ；所述的襯底2上面依次長有限制層3、11-081？高低折射率層、第一中心腔6、有源層7、第二中心腔8^-088高低折射率層、上限制層11和蓋層12，襯底2下面鍍有II面電極1 ；？面電極13放置在蓋層12的頂面上，且電連接到蓋層12 ；所述11-081？是采用多層!1型摻雜高、低折射率材料沿2方向周期交替分布的布拉格反射波導(dǎo)層，『081？是采用多層？型摻雜高、低折射率材料沿2方向周期交替分布的布拉格反射波導(dǎo)層；所述第一中心腔6、第二中心腔8為光子晶體缺陷層，有源層7位于光子晶體缺陷層內(nèi)，所述的上限制層11和與其相連的1)-088高低折射率層的一部分形成脊形波導(dǎo)。
[0028]本實(shí)施方式所述的在(--基半導(dǎo)體激光器中引入布拉格反射波導(dǎo)，最關(guān)鍵的是如何確定布拉格反射鏡(08?的厚度以及中心腔厚度等這幾項(xiàng)重要外延生長參數(shù)，本發(fā)明運(yùn)用布洛赫理論與矩陣光學(xué)理論對高折射率中心層雙邊布拉格反射波導(dǎo)(881)結(jié)構(gòu)的模式場分布以及模式色散方程進(jìn)行了推倒，并理論上計(jì)算和模擬了該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并模擬了遠(yuǎn)場發(fā)散角腿以及光場限制因子「，最終優(yōu)化設(shè)計(jì)出一種具有超低垂直發(fā)散角的29！11邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器。
[0029]本實(shí)施方式所述的II型摻雜的高折射率層和13型摻雜的高折射率層的折射率和厚度相同；所述的II型摻雜的低折射率層和？型摻雜的低折射率層的折射率和厚度相同，基模橫向傳輸常數(shù)位于兩個(gè)波導(dǎo)的交疊帶隙處；所述上波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)與下波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)相同。
[0030]本實(shí)施方式所述的每一對II型摻雜的高、低折射率材料層和13型摻雜的高、低折射率材料層的厚度優(yōu)選為0.8 9 III?1.4 9 III，對數(shù)為3-6對，高、低折射率材料層的厚度比為1: (3?7)，高、低折射率分別為3.647和3.548 ；更優(yōu)選為每一對II型摻雜的高、低折射率材料層和？型摻雜的高、低折射率材料層的厚度為1.2 9 III，對數(shù)為5對，中心腔厚度為0.611 III，折射率為3.584，高、低折射率材料層的厚度比為1:4，高、低折射率分別為3.647和3.548。
[0031]本實(shí)施方式所述的上、下限制層采用心腔8采用材料，有源區(qū)為多層量子阱結(jié)構(gòu)，位于中心腔中央，11-081？，『081？高低折射率波導(dǎo)層采用不同鋁組分的八1(--材料；蓋層為？型(--材料，？面電極為了1？1:八11合金，II面電極為八11(?附合金。
[0032]以下結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明。
[0033]實(shí)施例1
[0034]如圖2(51)40^2((3)所示，為一種單對08尺厚度為0.8 4 111對稱結(jié)構(gòu)的超低橫向發(fā)散角(--基(波長為2 9 一布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用11-八込抑八材料，第一中心腔和第二中心腔采用六八材料，厚度為0.69111，折射率為3.584，有源區(qū)為1?.多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，11-081？，『^^尺高低折射率波導(dǎo)層采用^對周期生長的“㈧⑶部/“^^⑶部材料，高、低折射率08尺厚度比為1: 4，高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為11？認(rèn)11合金，II面電極為八11(?附合金。從圖2()3)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，由圖2((3)所示，極大的降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬？肌通可降低到為14.66°。
[0035]實(shí)施例2
[0036]如圖3(21)3 0^3((3)所示，為一種單對08尺厚度為1.4 ^ 0對稱結(jié)構(gòu)的超低橫向發(fā)散角中紅外(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用11-八込抑八材料，第一中心腔和第二中心腔采用六八材料，厚度為0.69111，折射率為3.584，有源區(qū)為1?.多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，11-081 高低折射率波導(dǎo)層采用5對周期生長的材料，高、低折射率08尺厚度比為1: 4，高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為11？認(rèn)11合金，II面電極為八1166附合金。從圖2()3)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，但由于單對081？厚度過厚也導(dǎo)致了近場分布的最高峰值不在中心，因此會(huì)導(dǎo)致光限制因子降低，由圖2((3)所示，該設(shè)計(jì)充分的降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬腿僅為8.4°。
[0037]實(shí)施例3
[0038]如圖4(3) ,4(?) ,4(0)所示，為一種11-081？，高低折射率波導(dǎo)層采用3對周期生長的材料的對稱結(jié)構(gòu)(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用11-八材料，第一中心腔和第二中心腔采用八10.356^80.02?材料，厚度為0.6 ^111，折射率為3.584，有源區(qū)為多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，單對081？厚度為1.4 ^ III，高、低折射率081？厚度比為1: 4，高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為II？認(rèn)11合金，II面電極為如(?附合金。從圖2(6)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，由圖2(0所示，降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬？I腿可降低到為16.18。。
[0039]實(shí)施例4
[0040]如圖5(3) ,5(?) ,5(0)所示，為一種11-081？，高低折射率波導(dǎo)層采用6對周期生長的材料的對稱結(jié)構(gòu)(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用材料，第一中心腔和第二中心腔采用八材料，厚度為0.6 ^ III，折射率為3.584，有源區(qū)為1%多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，單對081？厚度為1.4 ^ III，高、低折射率081？厚度比為1:4，，高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為II？認(rèn)11合金，II面電極為如(?附合金。從圖5(6)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，由圖5(0所示，該設(shè)計(jì)充分的降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬冊!通僅為8.71。，081？對數(shù)的增加雖可降低遠(yuǎn)場發(fā)散角，但外延層生長的難度也隨之增加，因此需要合理選擇081？對數(shù)，才可達(dá)到最優(yōu)化的結(jié)構(gòu)。
[0041]實(shí)施例5
[0042]如圖6(2^6(13)4(0)所示，為一種高、低折射率086厚度比為1:3的對稱結(jié)構(gòu)的超低橫向發(fā)散角(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用11-八込抑八材料，第一中心腔和第二中心腔采用六八材料，厚度為0.69111，折射率為3.584，有源區(qū)為1?.多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，11-081？，『^^尺高低折射率波導(dǎo)層采用^對周期生長的“㈧⑶部/“^^⑶部材料，單對08尺厚度為1.411111,高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為了1？1:八11合金，II面電極為八11(?附合金。從圖6()3)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，但由于單對081？厚度過厚也導(dǎo)致了近場分布的最高峰值不在中心，因此會(huì)導(dǎo)致光限制因子降低，由圖6(0所示，該設(shè)計(jì)充分的降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬腿僅為9.35。。
[0043]實(shí)施例6
[0044]如圖7^).7(13)3((3)所示，為一種高、低折射率086厚度比為1:7的對稱結(jié)構(gòu)的超低橫向發(fā)散角(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布示意圖。結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用11-八込抑八材料，第一中心腔和第二中心腔采用六八材料，厚度為0.69111，折射率為3.584，有源區(qū)為1?.多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，11-081？，『^^尺高低折射率波導(dǎo)層采用^對周期生長的“㈧⑶部/“^^⑶部材料，單對08尺厚度為1.411111,高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為了1？1:八11合金，II面電極為八11(?附合金。從圖7 (^)激光器的基橫模近場分布可以看出，該設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，由圖7((3)所示，該設(shè)計(jì)降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬？I腿為13.78。。
[0045]實(shí)施例7
[0046]如圖8 0?)、8⑶、8⑷所示，為一種最優(yōu)化的對稱結(jié)構(gòu)超低橫向發(fā)散角(--基布拉格反射波導(dǎo)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的折射率分布、基橫模近場分布、以及遠(yuǎn)場分布不意圖。該結(jié)構(gòu)為對稱分布的布拉格反射波導(dǎo)激光器，結(jié)構(gòu)中所說的襯底為(--襯底，上、下限制層采用材料，第一中心腔和第二中心腔采用材料，厚度為0.6 ^ III，折射率為3.584，有源區(qū)為1?.356^?.。2%多層量子阱，位于第一中心腔和第二中心腔中央，11-081？，『081？高低折射率波導(dǎo)層采用5對周期生長的八八材料，單對08卩厚度為1.2 ^111，高、低折射率081？厚度比為1:4，高、低折射率分別為3.647和3.548，蓋層為？型(--材料，？面電極為II？認(rèn)11合金，II面電極為八成6附合金。從圖8(6)激光器的基橫模近場分布可以看出，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了中紅外(--基半導(dǎo)體激光器的光模式擴(kuò)展，由圖8(0所不，極大的降低了激光器的橫向遠(yuǎn)場發(fā)散角，半高全寬冊!通僅為9.68。。
[0047]本發(fā)明設(shè)計(jì)的激光器為在中紅外(--基半導(dǎo)體激光器中引入布拉格反射波導(dǎo)，11-081 同時(shí)都使用高低折射率交替分布的材料，利用光子帶隙效應(yīng)替代傳統(tǒng)的全反射原理進(jìn)行光場限制，通過增大垂直光模式尺寸，從而降低垂直方向光束發(fā)散角，實(shí)現(xiàn)大模式體積、高光束質(zhì)量、穩(wěn)定單模工作的目的，且本發(fā)明的激光器性能穩(wěn)定、容易推廣。
【權(quán)利要求】
1.一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，該激光器由下至上依次包括:n面電極(I)、GaSb襯底(2)、下限制層(3)、下波導(dǎo)層、第一中心腔(6)、第二中心腔(8)、上波導(dǎo)層、上限制層(11)、蓋層(12)和P面電極(12);所述的第一中心腔(6)和第二中心腔⑶內(nèi)設(shè)有有源層(7);其特征在于，所述的下波導(dǎo)層包括多對η型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡；所述的上波導(dǎo)層包括多對P型摻雜的高、低折射率材料層周期交替生長的布拉格反射鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的η型摻雜的高折射率層和P型摻雜的高折射率層的折射率和厚度相同；所述的η型摻雜的低折射率層和P型摻雜的低折射率層的折射率和厚度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述上波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)與下波導(dǎo)層包括的布拉格反射鏡的對數(shù)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，每一對η型摻雜的高、低折射率材料層和P型摻雜的高、低折射率材料層的厚度為0.8 μ m?1.4μπι，對數(shù)為3-6對，高、低折射率材料層的厚度比為1:(3?7)，高、低折射率分別為3.647 和 3.548。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器,其特征在于,每一對η型摻雜的高、低折射率材料層和P型摻雜的高、低折射率材料層的厚度為1.2 μ m，對數(shù)為5對，高、低折射率材料層的厚度比為1:4，高、低折射率分別為3.647和3.548。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器,其特征在于,所述的η型或P型摻雜的高、低折射率材料層采用不同鋁組分的AlGaSb材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布拉格反射波導(dǎo)GaSb基半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的有源層(7)為InGaSb/AlGaAsSb多層量子阱結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01S5/22GK104409965SQ201410345364
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月18日
【發(fā)明者】佟存柱, 戎佳敏, 汪麗杰, 邢恩博, 田思聰, 劉云, 王立軍 申請人:中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所