有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種在制造過程期間防止由掩模導(dǎo)致的對(duì)排線的損壞的改善的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在襯底上的顯示單元、形成在襯底上的顯示單元的一個(gè)外側(cè)的焊盤單元、在襯底上形成為多層結(jié)構(gòu)以將顯示單元耦合至焊盤單元的排線單元、覆蓋顯示單元的薄膜封裝層、以及位于顯示單元與薄膜封裝層之間且包括多個(gè)支撐突起的突起單元，其中支撐突起不與多層排線單元的排線的最上層重疊。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年7月24日提交至韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0087611號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置有由陽極電極和陰極電極之間的有機(jī)材料形成的發(fā)光層的多個(gè)顯示單元。當(dāng)電壓分別施加于陽極電極和陰極電極上時(shí)，從陽極電極注入的空穴和從陰極電極注入的電子在發(fā)光層重組以形成激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)下降至基態(tài)時(shí)，發(fā)射光并形成圖像。
[0005]同樣，因?yàn)楫?dāng)顯示單元的發(fā)光層直接與水分接觸時(shí)，發(fā)光屬性迅速惡化，因此可用封裝層覆蓋發(fā)光層以防止惡化。對(duì)于該封裝層，適于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的柔性的薄膜封裝層正在研究。
[0006]當(dāng)形成這種薄膜封裝層時(shí)，進(jìn)行使用掩模的沉積處理。此處，形成在襯底上的排線可被掩模損壞，從而惡化設(shè)備特征。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的方面涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，更具體地，涉及降低制造過程中由于掩模對(duì)排線的損壞可能性的改善的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0008]其他方面將在下面的描述中部分闡述并且將部分地通過描述而清楚，或者可通過實(shí)踐本實(shí)施方式而得知。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:位于襯底上的顯示單元；位于襯底上的顯示單元的一個(gè)外側(cè)的焊盤單元；排線單元，包括位于襯底上的多個(gè)排線層以將顯示單元耦合至焊盤單元，多個(gè)排線層的每個(gè)包括多個(gè)排線；位于顯示單元上的薄膜封裝層；以及位于所述顯示單元與所述薄膜封裝層之間的突起單元，所述突起單元包括不與排線單元的最上部排線層的多個(gè)排線重疊的多個(gè)支撐突起。
[0010]在形成薄膜封裝層時(shí)，突起單元配置成支撐掩模。
[0011]排線單元可包括:位于襯底上的第一排線層；位于第一排線層上的絕緣層；以及位于絕緣層上作為最上部排線層的第二排線層，并且突起單元的多個(gè)支撐突起可不與第二排線層的多個(gè)排線重疊。
[0012]顯示單元可包括:包括電耦合的有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管，第一排線層可包括與柵電極相同的材料并與柵電極位于同一層，第二排線層可包括與源電極和漏電極相同的材料并與源電極和漏電極位于同一層。
[0013]顯示單元還可包括:耦合至漏電極的像素電極；朝向像素電極的對(duì)電極；像素電極和對(duì)電極之間的發(fā)光層；漏電極和像素電極之間的平坦化層；以及分隔像素電極和對(duì)電極之間的發(fā)光層區(qū)域的像素定義層，支撐突起可包括與像素定義層相同的材料并與像素定義層位于同一層上。
[0014]突起單元還可包括位于排線單元上并支撐支撐突起的支撐基座。
[0015]支撐基座可包括與平坦化層相同的材料并與平坦化層位于同一層。
[0016]朝向支撐突起的支撐基座的頂表面可以是完全平坦的。
[0017]附加突起區(qū)域可形成在支撐突起和支撐基座之間。
[0018]薄膜封裝層可包括至少一個(gè)無機(jī)層并且可在突起單元上形成無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
[0019]薄膜封裝層可包括至少一個(gè)無機(jī)層，并且可在更靠近顯示單元處且在突起單元的頂表面之外形成無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
[0020]薄膜封裝層可包括交替層疊的至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層。
[0021]襯底可包括柔性襯底。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括:在襯底上形成顯示單元；在襯底上的顯示單元的一個(gè)外側(cè)形成焊盤單元；在襯底上形成包括多個(gè)排線層的排線單元以將顯示單元耦合至焊盤單元；在顯示單元上形成包括支撐突起的突起單元，支撐突起不與排線單元的最上層的排線重疊；在突起單元上設(shè)置掩模；以及形成覆蓋顯示單元的薄膜封裝層。
[0023]形成包括多個(gè)排線層的排線單元可包括:在襯底上形成第一排線層；在第一排線層上形成絕緣層；以及在絕緣層上形成作為最上層的第二排線層，形成突起單元可包括在除了第一排線層與第二排線層重疊的區(qū)域之外的區(qū)域中形成用于支撐掩模的支撐突起。
[0024]形成顯示單元可包括:形成包括電耦合的有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管，并且在形成排線單元期間，第一排線層可由與柵電極相同的材料形成并且與柵電極位于同一層，第二排線層可由與源電極和漏電極相同的材料形成并與源電極和漏電極位于同一層。
[0025]形成顯示單元還可包括:在薄膜晶體管上形成平坦化層；在平坦化層上形成耦合至漏電極的像素電極；形成分隔發(fā)光層區(qū)域的像素定義層；在像素電極上形成發(fā)光層；以及在發(fā)光層上形成對(duì)電極以朝向像素電極，并且在形成突起單元期間，支撐突起可由與像素定義層相同的材料形成。
[0026]形成突起單元還可包括在排線單元上形成支撐支撐突起的支撐基座。
[0027]支撐基座可由與平坦化層相同的材料形成并與平坦化層位于同一層上。
[0028]朝向支撐突起的支撐基座的頂表面可以是完全平坦的。
[0029]附加突起區(qū)域可設(shè)置在支撐突起和支撐基座之間。
[0030]薄膜封裝層可包括至少一個(gè)無機(jī)層并且可在突起單元上形成無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
[0031]薄膜封裝層可包括至少一個(gè)無機(jī)層，并且可在更靠近顯示單元處且在突起單元的頂表面之外形成焊盤單元側(cè)邊界。
[0032]薄膜封裝層可包括交替層疊的有機(jī)層和無機(jī)層。
[0033]襯底可包括柔性襯底。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]結(jié)合以下附圖，這些和/或其他方面將變得明顯并且從實(shí)施方式的下述描述更易于理解:
[0035]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面視圖；
[0036]圖2是沿著圖1的線11-11’獲得的剖視圖；
[0037]圖3是沿著圖1的線II1-1II’獲得的剖視圖；
[0038]圖4A是圖3的區(qū)域A的放大圖；
[0039]圖4B到圖4D是示出了圖4A所示的邊界線的各個(gè)位置的示意圖；
[0040]圖5A到5F是按照順序示出了制造圖2和圖3所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程的首丨J視圖;
[0041]圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式示出了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；以及
[0042]圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式示出了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述實(shí)施方式，實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中在全文中相似的參考數(shù)字指代相似的元件。就這點(diǎn)而言，本實(shí)施方式可具有不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為限于本文闡述的描述。因此，通過參考附圖，實(shí)施方式僅如下描述以解釋本說明書的多個(gè)方面。當(dāng)諸如“至少一個(gè)”的表述位于在一系列元件之前時(shí)，修飾元件的整個(gè)列表而并非修飾列表中的單個(gè)元件。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)使用“可以”指的是“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式?！?br> [0044]本發(fā)明的示例實(shí)施方式將參考附圖在下面更詳細(xì)地描述。
[0045]全文中相似的參考數(shù)字指代相似的元件。為了不會(huì)不必要地模糊本發(fā)明的重點(diǎn)，將不再重復(fù)已知功能或配置的詳細(xì)說明。
[0046]在附圖中，為了清楚起見，層或區(qū)域的厚度可被放大。同樣，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件(如層、膜、區(qū)域或板)被稱作“在”另一個(gè)元件“上”、“連接至另一個(gè)元件”或“耦合至”另一個(gè)元件時(shí)，其可直接在該另一個(gè)元件上、連接至或耦合至該另一個(gè)元件，或者可存在中間元件。
[0047]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面視圖。圖2是沿著圖1的線11-11’獲得的剖視圖。圖3是沿著圖1的線II1-1II’獲得的剖視圖。
[0048]參考圖1至圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯底100、設(shè)置在襯底100上以顯示圖像的顯示單元200以及顯示單元200上的薄膜封裝層300。薄膜封裝層300覆蓋顯示單元200。因此，顯示單元200可介于襯底100與薄膜封裝層300之間。顯示單元200可被安全地保護(hù)以避免水分滲透。使用的襯底100可以是如聚酰亞胺(PI)的柔性材料襯底。
[0049]用于將顯示單元200耦合至電源的焊盤單元110設(shè)置在襯底100上顯示單元200的一個(gè)外側(cè)(例如，顯示單元200外部的一側(cè))，并且具有多個(gè)第一排線410的第一排線層400A和具有多個(gè)第二排線420的第二排線層400B形成為排線單元400以將焊盤單元110耦合至顯示單元200。第一排線410和第二排線420形成在其間具有絕緣層232的不同層。另外，突起單元500形成在排線單元400上。因?yàn)橥黄饐卧?00在用于形成薄膜封裝層300的沉積過程中支撐掩模M，因此突起單元500可用于抑制或降低掩模M損壞排線單元400的可能性。
[0050]為了便于說明，與本發(fā)明的實(shí)施方式不同，比較示例為不具有突起單元500的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，如上所述，當(dāng)掩模M被設(shè)置以形成薄膜封裝層300時(shí)，因?yàn)樵O(shè)置在最上層上的第二排線420直接接觸掩模M而沒有任何防護(hù)層，因而可能發(fā)生諸如劃痕的損壞。同樣，設(shè)置在第一排線410和第二排線420之間的絕緣層232可能由于掩模的負(fù)荷而被破壞從而引起短路。
[0051]然而，在本發(fā)明的上述實(shí)施方式中，突起部分500支撐掩模M以防止排線單元400被損壞。即，因?yàn)樨Q立突起單元500而支撐掩模M從而第二排線420不直接接觸掩模M，因此可防止(例如，避免)缺陷(如劃痕)的潛在原因。突起單元500包括形成在排線單元400上的支撐基座510 (例如，沿著顯示單元200的側(cè)邊以比排線單元400窄的帶狀形式)，以及形成在支撐基座510上以支撐掩模M的支撐突起520。另外，如圖2所示，支撐突起520可形成在排線單元400上除了第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域之外的區(qū)域上。因此，由于掩模M的負(fù)荷而在第一排線410和第二排線420之間發(fā)生短路的可能性可被有效地降低。即，當(dāng)設(shè)置掩模M時(shí)，負(fù)荷主要施加在直接支撐掩模M的支撐突起520所在的位置。因此，如果第一排線410和第二排線420在支撐突起520下方重疊，絕緣層232可能被破壞并且短路的可能性增加。然而，如在上述結(jié)構(gòu)中，當(dāng)支撐突起520形成在排線單元400上除了第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域之外的區(qū)域上時(shí)，即使絕緣層232的一部分由于負(fù)荷而被破壞，但因?yàn)榈谝慌啪€410和第二排線420在絕緣層232被負(fù)荷破壞的區(qū)域不重疊，因此可防止或減少第一排線410和第二排線420之間的接觸，可有效地?cái)M制或減少故障(如短路)的發(fā)生。
[0052]另外，第一排線410可通過接觸孔耦合至焊盤單元110。第二排線420可與焊盤單元110齊平設(shè)置。此處，第二排線420可延伸為焊盤單元110的一部分。另外，第二排線420可通過其他元件耦合至焊盤單元110。
[0053]如圖3所示，第一排線410和第二排線420以及突起單元500可在形成顯示單元200的薄膜晶體管TFT和像素220的過程期間形成。即，它們不是通過單獨(dú)的附加過程形成的，而是在形成顯示單元200時(shí)一起形成的。
[0054]參考圖3，將對(duì)顯示單元200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行示意性說明。TFT可包括有源層211、柵電極212、源電極213以及漏電極214。柵極絕緣層231可設(shè)置在柵電極212和有源層211之間。另外，注入高密度雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)可形成在有源層211的兩個(gè)邊緣上，并且可分別耦合至源電極213和漏電極214。因此，當(dāng)適當(dāng)?shù)碾妷菏┘佑跂烹姌O212時(shí)，有源層211的源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域作為通道以允許電流從源電極213流向漏電極214。
[0055]像素220可包括耦合至TFT的漏電極214的像素電極221、作為陰極的對(duì)電極223以及設(shè)置在像素電極221和對(duì)電極223之間的發(fā)光層222。參考數(shù)字“233”表示平坦化層以及“234”表示分隔像素區(qū)域的像素定義層。
[0056]另外，排線單元400和突起單元500之間的位置關(guān)系可描述如下。排線單元400可包括:包括形成在襯底100上的多個(gè)第一排線410的第一排線層、形成在第一排線410上的絕緣層232以及包括形成在絕緣層232上的多個(gè)第二排線420的第二排線層。因此，第一排線410和第二排線420通過絕緣層232隔開。在圖1的平面視圖中第一排線410的一部分與第二排線420重疊。突起部分500的支撐基座510在排線單元400上方與第一排線410和第二排線420相交，并且支撐突起520不與作為最上層的第二排線420重疊。即，如上所述，第二排線420不與第一排線410重疊的區(qū)域代表形成有支撐突起520的區(qū)域，但不在第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域。即，當(dāng)設(shè)置掩模M時(shí)，負(fù)荷主要施加在直接支撐掩模M的支撐突起520的位置。因?yàn)橹瓮黄?20不形成在第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域，因此即使絕緣層232的一部分被負(fù)荷損壞，也可減少或防止第一排線410與第二排線420之間的接觸。
[0057]在下文中，將描述制造具有該結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程。
[0058]首先，如圖5A所示，顯示單元200的TFT的有源層211、柵極絕緣層231以及柵電極212按照順序形成在襯底100上。此處，高密度雜質(zhì)注入有源層211的兩個(gè)邊緣以形成源區(qū)和漏區(qū)，并且源電極213和漏電極214可分別耦合至源區(qū)和漏區(qū)。有源層211位于源區(qū)和漏區(qū)之間的中央部分形成為通道區(qū)域。另外，當(dāng)形成柵電極212時(shí)，排線單元400的第一排線410由與柵電極212相同的材料形成并與柵電極212位于同一層上。
[0059]此后，如圖5B所示，再形成絕緣層232，然后TFT的源電極213和漏電極214形成在絕緣層232上。此處，接觸孔形成(限定)在柵極絕緣層231和絕緣層232中以分別將源電極213耦合至有源層211的源區(qū)和將漏電極214耦合至有源層211的漏區(qū)。另外，排線單元400的第二排線420由與源電極213和漏電極214相同的材料形成并與源電極213和漏電極214位于同一層上。
[0060]此后，如圖5C所示，平坦化層233形成在顯示單元200上，像素220的像素電極221形成在平坦化層233上。此處，當(dāng)形成平坦化層時(shí)，突起單元500的支撐基座510由與平坦化層233相同的材料形成并與平坦化層233位于同一層上。
[0061]另外，如圖所示，像素220的像素定義層234、發(fā)光層222以及對(duì)電極223按照順序形成，并且在此處，當(dāng)形成像素定義層234時(shí)，突起單元500的支撐突起520由與像素定義層234相同的材料形成并與像素定義層234在同一層上。此處，如上所述的支撐突起520可形成在排線單元400上除了第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域之外的區(qū)域上。
[0062]接下來，形成用于覆蓋顯示單元200的薄膜封裝層300的無機(jī)層310。此處，如圖5E所示，用于形成薄膜封裝層300的掩模M固定(或放置)在支撐突起520上。如此，因?yàn)檠谀不直接接觸排線410和420，因此在形成無機(jī)層310時(shí)，由于掩模M而引起的排線410和420的損壞可被防止或降低。同樣，如上所述，因?yàn)橹瓮黄?20形成在排線單元400上除了第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域之外的區(qū)域上，即使設(shè)置在支撐突起520下方的絕緣層232由于掩模M的負(fù)荷而損壞，由于第一排線410和第二排線420之間的接觸而引起短路可被降低或擬制。此后，如圖5F所示，有機(jī)層和無機(jī)層再次交替層疊在無機(jī)層310上以完成薄膜封裝層300。薄膜封裝層300的層疊結(jié)構(gòu)的示例將在下面更詳細(xì)地說明。
[0063]當(dāng)形成薄膜封裝層300時(shí)，因?yàn)檠谀設(shè)置在支撐突起520上，因此通過掩模M的開口沉積的薄膜封裝層300在焊盤單元側(cè)上的邊界形成在突起單元500上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，如圖4A所示,薄膜封裝層300的焊盤單元側(cè)邊界L形成在突起單元500的中心位置。如圖4B所示，邊界L可替代地形成為更靠近顯示單元200。相反地，如圖4C所示，邊界L可形成為更靠近焊盤單元110。如圖4D所示，掩模M被設(shè)置以覆蓋突起單元500的整個(gè)頂表面從而邊界L可更靠近顯示單元200形成在突起單元500的上表面外部。
[0064]如上所述，薄膜封裝層300可由具有單層或多層結(jié)構(gòu)的無機(jī)層310形成，并且可具有至少一個(gè)無機(jī)層310和至少一個(gè)有機(jī)層交替層疊的多層結(jié)構(gòu)。無機(jī)層310可通過掩模M而具有邊界L，有機(jī)層可通過用于有機(jī)層的不同掩模而具有與無機(jī)層310不同的邊界。
[0065]例如，薄膜封裝層300可形成為包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或多層結(jié)構(gòu)。更具體地，無機(jī)層可包括SiNx、A1203、S12和T12中的至少一個(gè)。薄膜封裝層300暴露于外部的最上層可形成為無機(jī)層以防止或降低水分滲入顯示單元200中。另外，薄膜封裝層300可包括至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)，在該夾層結(jié)構(gòu)中，至少一個(gè)有機(jī)層插入至少兩個(gè)無機(jī)層之間。此外，薄膜封裝層300可包括至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)，在該夾層結(jié)構(gòu)中，至少一個(gè)無機(jī)層插入至少兩個(gè)有機(jī)層之間。薄膜封裝層300可包括按照順序?qū)盈B在顯示單元200上的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。另外，薄膜封裝層300可包括按照順序?qū)盈B在顯示單元200上的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無機(jī)層。另外，薄膜封裝層300可包括按照順序?qū)盈B在顯示單元200上的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無機(jī)層。包括LiF的鹵化金屬層可附加地包括在顯示單元200和第一無機(jī)層之間。當(dāng)通過濺射法或等離子體沉積法形成第一無機(jī)層時(shí)，鹵化金屬層可防止顯示單元200被損壞。第一有機(jī)層可具有比第二無機(jī)層更窄的區(qū)域，并且第二有機(jī)層可具有比第三無機(jī)層更窄的區(qū)域。此外，第一有機(jī)層可被第二無機(jī)層完全覆蓋。第二有機(jī)層可被第三無機(jī)層完全覆蓋。
[0066]有機(jī)層可由適當(dāng)?shù)母叻肿硬牧闲纬桑⑶铱梢允蔷蹖?duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧基樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種。在一個(gè)實(shí)施方式中，有機(jī)層由聚丙烯酸酯形成。更詳細(xì)地，有機(jī)層可包括聚合的單體組合物，其中聚合的單體組合物包括二丙烯酸酯系單體和丙烯酸酯系單體。單體組合物還可包括單丙烯酸酯系單體。此外，單體組合物還可包括合適的光引發(fā)劑(如ΤΡ0，但不限于此)。
[0067]因此，薄膜封裝層300可提供為各種形式，并且此處使用的掩模M可固定在突起單元500上以安全地使用而不損壞排線410和420。
[0068]在下文中，將描述基本結(jié)構(gòu)的可能變型的實(shí)施例。參考圖6，支撐突起520可與第二排線420形成在同一層上。此處，支撐突起520形成在絕緣層232中除了第一排線410與第二排線420重疊的區(qū)域之外的區(qū)域上。
[0069]另外，如圖7所示，現(xiàn)在描述其他實(shí)施例。如前述實(shí)施方式，突起單元500包括支撐基座510和支撐突起520。支撐基座510還可包括突起區(qū)域510a(例如，在第一排線和第二排線不重疊的區(qū)域中)。另外，支撐突起520可設(shè)置在支撐基座510的突起區(qū)域510a上。因此，支撐突起520與第一排線410和第二排線420之間的距離可進(jìn)一步增加。如在上述實(shí)施方式中，即使支撐基座510的表面可以是平的，但支撐基座510的表面可改變?yōu)檫M(jìn)一步包括突起區(qū)域510a(例如，在第一排線和第二排線不重疊的區(qū)域中)的形狀。同樣地，該結(jié)構(gòu)可以多種方式變化。
[0070]根據(jù)如上所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和其制造方法，由于掩模導(dǎo)致的對(duì)排線的損壞可有效地降低或防止。因此，產(chǎn)品缺陷率可顯著降低。
[0071]盡管本發(fā)明已經(jīng)參考附圖所示的示例性實(shí)施方式進(jìn)行了說明，應(yīng)當(dāng)理解，許多其他變型和實(shí)施方式可由本領(lǐng)域的技術(shù)人員設(shè)計(jì)出來。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附權(quán)利要求的精神和范圍及其等同來確定。
[0072]應(yīng)當(dāng)理解，此處描述的示例性實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為是描述意義而不是為了限制的目的。每個(gè)實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的說明通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其他實(shí)施方式中的其他相似特征和方面。
[0073]雖然本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式已經(jīng)參考附圖進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可在不脫離如下面的權(quán)利要求及其等同所定義的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 顯示單元，位于襯底上； 焊盤單元，位于所述襯底上的所述顯示單元的一個(gè)外側(cè)； 排線單元，包括位于所述襯底上的多個(gè)排線層以將所述顯示單元耦合至所述焊盤單元，所述多個(gè)排線層的每個(gè)包括多個(gè)排線； 薄膜封裝層，位于所述顯示單元上；以及 突起單元，位于所述顯示單元與所述薄膜封裝層之間且包括多個(gè)支撐突起，所述支撐突起不與所述排線單元的最上部排線層的多個(gè)排線重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述突起單元配置成在形成所述薄膜封裝層時(shí)支撐掩模。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述排線單元包括:位于所述襯底上的第一排線層；位于所述第一排線層上的絕緣層；以及位于所述絕緣層上作為所述最上部排線層的第二排線層， 所述突起單元的所述多個(gè)支撐突起不與所述第二排線層的多個(gè)排線重疊。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中:所述顯示單元包括:包括電耦合的有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管；所述第一排線層包括與所述柵電極相同的材料并與所述柵電極位于同一層，所述第二排線層包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料并與所述源電極和所述漏電極位于同一層上。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述顯示單元還包括: 耦合至所述漏電極的像素電極； 朝向所述像素電極的對(duì)電極； 所述像素電極和所述對(duì)電極之間的發(fā)光層； 所述漏電極和所述像素電極之間的平坦化層；以及 像素定義層，分隔所述像素電極和所述對(duì)電極之間的發(fā)光層區(qū)域， 其中，所述支撐突起包括與所述像素定義層相同的材料并與所述像素定義層位于同一層。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述突起單元還包括位于所述排線單元上并支撐所述支撐突起的支撐基座。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述支撐基座包括與所述平坦化層相同的材料并與所述平坦化層位于同一層。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 朝向所述支撐突起的所述支撐基座的頂表面是完全平坦的。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括: 所述支撐突起和所述支撐基座之間的附加突起區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)層并且在所述突起單元上形成所述無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)層，并且在更靠近所述顯示單元處且在所述突起單元的頂表面之外形成所述無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述薄膜封裝層包括交替層疊的至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述襯底包括柔性襯底。
14.用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在襯底上形成顯示單元； 在所述襯底上的所述顯示單元的一個(gè)外側(cè)形成焊盤單元； 在所述襯底上形成包括多個(gè)排線層的排線單元以將所述顯示單元耦合至所述焊盤單元; 在所述顯示單元上形成包括支撐突起的突起單元，所述支撐突起不與所述排線單元的最上層的排線重疊； 在所述突起單元上設(shè)置掩模；以及 形成覆蓋所述顯示單元的薄膜封裝層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中， 形成包括多個(gè)排線層的排線單元包括:在所述襯底上形成第一排線層；在所述第一排線層上形成絕緣層；以及在所述絕緣層上形成第二排線層作為所述最上層， 形成所述突起單元包括在除了所述第一排線層與所述第二排線層重疊的區(qū)域之外的區(qū)域中形成用于支撐所述掩模的所述支撐突起。
16.權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述顯示單元包括: 形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括電耦合的有源層、柵電極、源電極和漏電極，在形成所述排線單元過程中，所述第一排線層由與所述柵電極相同的材料形成并與所述柵電極位于同一層，所述第二排線層由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成并與所述源電極和所述漏電極位于同一層。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述顯示單元還包括: 在所述薄膜晶體管上形成平坦化層； 在所述平坦化層上形成耦合至所述漏電極的像素電極； 形成分隔發(fā)光層區(qū)域的像素定義層； 在所述像素電極上形成所述發(fā)光層；以及 在所述發(fā)光層上形成對(duì)電極以朝向所述像素電極， 在形成所述突起單元過程中，所述支撐突起由與所述像素定義層相同的材料形成。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中: 形成所述突起單元還包括在所述排線單元上形成支撐所述支撐突起的支撐基座。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中: 所述支撐基座由與所述平坦化層相同的材料形成并與所述平坦化層位于同一層上。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中: 朝向所述支撐突起的所述支撐基座的頂表面是完全平坦的。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中: 在所述支撐突起和所述支撐基座之間形成附加突起區(qū)域。
22.如權(quán)利要求14所述的方法，其中: 所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)層并且在所述突起單元上形成所述無機(jī)層的焊盤單元側(cè)邊界。
23.如權(quán)利要求14所述的方法，其中: 所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)層，并且在更靠近所述顯示單元處以及在所述突起單元的頂表面之外形成焊盤單元側(cè)邊界。
24.如權(quán)利要求14所述的方法，其中: 所述薄膜封裝層包括交替層疊的有機(jī)層和無機(jī)層。
25.如權(quán)利要求14所述的方法，其中: 所述襯底包括柔性襯底。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104347673SQ201410347304
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月24日
【發(fā)明者】金陽完, 郭源奎 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司