免打線封裝的led芯片及封裝工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種免打線封裝的LED芯片，免打線封裝的LED芯片，由上至下依次包括透明導(dǎo)電層、發(fā)光層及襯底，還包括正電極、負(fù)電極及隔離區(qū)，所述正電極沿襯底向上延伸至透明導(dǎo)電層，所述隔離區(qū)設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間并向上延伸至透明導(dǎo)電層。還公開一種封裝工藝，包括如下步驟：在襯底上設(shè)置負(fù)電極；在襯底上設(shè)置正電極，并使正電極連接透明導(dǎo)電層；開設(shè)使負(fù)電極與正電極隔離開的隔離走道。本發(fā)明克服了因帶線造成的良品率低的問題，提高了產(chǎn)品的良品率。
【專利說明】免打線封裝的LED芯片及封裝工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及照明設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種免打線封裝的LED芯片及封裝工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]LED芯片是LED等的核心部件，主要功能是將電能轉(zhuǎn)化為光能，目前傳統(tǒng)LED芯片具體的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其由上至下依次包括透明導(dǎo)電層1、第一透光層2、發(fā)光層3、第二透光層4、反射層5及襯底6等，該結(jié)構(gòu)中各層都采用導(dǎo)電材料制作，該種LED芯片用襯底連接負(fù)電極，在透明導(dǎo)電層上采用打線的方式連接正電極。
[0003]制作該種LED芯片時(shí)因所使用的襯底6為可導(dǎo)電之半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述雖然制成垂直式芯片是最為直接合理的作法，但也因此限制住LED芯片后繼的封運(yùn)裝費(fèi)，無法避免因打線造成的良率損失與成本上升，也無法克服因電極遮蔽造成的出光量下降等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種良品率高、可有效增強(qiáng)出光效率的免打線封裝的LED芯片，還提供一種封裝工藝。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種免打線封裝的LED芯片，由上至下依次包括透明導(dǎo)電層、發(fā)光層及襯底，還包括正電極、負(fù)電極及隔離區(qū)，所述正電極沿襯底向上延伸至透明導(dǎo)電層，所述隔離區(qū)設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間，所述隔離區(qū)向上延伸至透明導(dǎo)電層。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種封裝工藝，包括如下步驟:
[0007]在襯底上設(shè)置負(fù)電極；
[0008]在襯底上設(shè)置正電極，并使正電極連接透明導(dǎo)電層；
[0009]開設(shè)使負(fù)電極與正電極隔離開的隔離走道。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在LED芯片底部設(shè)置正電極、負(fù)電極及隔離區(qū)，該正電極向上連接透明導(dǎo)電層，負(fù)電極設(shè)置在襯底上并與襯底電連接，隔離區(qū)向上延伸穿過第一透光層，使正電極及負(fù)電極在LED的底部和中部形成隔離，加電后該LED芯片的中的正電極、各層狀結(jié)構(gòu)及負(fù)電極形成回路，保證了 LED芯片穩(wěn)定發(fā)光。本發(fā)明不用進(jìn)行打線處理，將正負(fù)極引導(dǎo)至LED芯片的底部，克服了因帶線造成的良品率低的問題，提高了產(chǎn)品的良品率。其次，由于電極設(shè)置在底部，克服了電極造成的遮光現(xiàn)象，使出光量及出光效率進(jìn)一步提升。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的LED芯片剖視圖；
[0012]圖2是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0013]圖3是本發(fā)明開設(shè)隔離走道及電極孔后的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0014]圖4是圖3的仰視圖；
[0015]圖5是本發(fā)明安裝有連接電極的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0016]圖6是本發(fā)明安裝本發(fā)明連接電極前的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0017]圖7是圖6的俯視圖。
[0018]標(biāo)號說明:
[0019]1、透明導(dǎo)電層；2、第一透光層；3、發(fā)光層；4、第二透光層；5、反射層；6、襯底；7、電極孔；8、隔離走道；9、連接電極；10、連接通道；11、正電極；12、負(fù)電極；13、絕緣體。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。
[0021]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比技術(shù)中，正電極沿襯底向上延伸至透明導(dǎo)電層，所述隔離區(qū)設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間，所述隔離區(qū)設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間并向上延伸至透明導(dǎo)電層。本發(fā)明將正負(fù)極引導(dǎo)至LED芯片的底部，克服了因帶線造成的良品率低的問題，提聞了廣品的良品率。
[0022]如圖2所示免打線封裝的LED芯片，由上至下依次包括透明導(dǎo)電層1、第一透光層
2、發(fā)光層3、第二透光層4及襯底6，還包括正電極11、負(fù)電極12及隔離區(qū)，該正電極11沿襯底6向上延伸至透明導(dǎo)電層1，隔離區(qū)設(shè)置在正電極11與負(fù)電極12之間，且隔離區(qū)向上延伸至透明導(dǎo)電層I。當(dāng)然，為了進(jìn)一步增加LED芯片的出光量，減少襯底6對光的吸收，在第二透光層4與襯底6之間還設(shè)置一層反射層5。當(dāng)然，本實(shí)施例中設(shè)置第一透光層及第二透光層可明顯改善射出的光線，在其他一些實(shí)施例中，該第一、第二透光層還可為其他的結(jié)構(gòu)如PN節(jié)等。
[0023]一同參閱圖3及圖4，本發(fā)明在襯底6上設(shè)置正電極11、負(fù)電極12及隔離區(qū)，該正電極11向上連接透明導(dǎo)電層1，負(fù)電極12設(shè)置在襯底6上并與襯底6電連接，隔離區(qū)向上延伸穿過第一透光層2，使正電極11及負(fù)電極12在LED的底部和中部形成隔離，此舉主要為防止正電極11及負(fù)電極12直接連接造成的短路，又由于正電極11連通透明導(dǎo)電層1，加電后該LED結(jié)構(gòu)的中的正電極、透明導(dǎo)電層1、第一透光層2、發(fā)光層3、第二透光層4、反射層5、襯底6及負(fù)電極12形成回路。本發(fā)明不用進(jìn)行打線處理，將正負(fù)極引導(dǎo)至LED芯片的底部，克服了因帶線造成的良品率低的問題，提高了產(chǎn)品的良品率。其次，由于電極設(shè)置在底部，克服了電極造成的遮光現(xiàn)象，使出光量及出光效率進(jìn)一步提升。
[0024]該正電極11包括沿襯底6向上開設(shè)的電極孔7及填充在電極孔7內(nèi)的導(dǎo)電體，電極孔7延伸至透明導(dǎo)電層1，本實(shí)施例中，該電極孔7為圓形并間隔設(shè)置的多個(gè)孔，在孔內(nèi)填充導(dǎo)電體即形成正電極11。
[0025]該隔離區(qū)包括沿襯底6向上開設(shè)的隔離走道8，該隔離走道8為弧形，弧形的隔離走道8圍繞正電極11設(shè)置，隔離走道8的作用為完全隔離正電極11與負(fù)電極12，當(dāng)然在其他一些實(shí)施例中，該隔離走道8的樣式及大小樣式并不限于此，只要能將正負(fù)電極12的區(qū)域分隔開，并且達(dá)到最佳的發(fā)光效率即可。
[0026]為進(jìn)一步達(dá)到更好的隔離效果，隔離走道8內(nèi)及正電極11與負(fù)電極12之間還填充有絕緣體13，該隔離通道內(nèi)的絕緣體13第一是將該LED結(jié)構(gòu)的中部及下部隔離開來，保證有效絕緣，第二是填充該種絕緣體13可有效增強(qiáng)該LED芯片的整體機(jī)械強(qiáng)度。
[0027]一同參閱如5、圖6及圖7，由于在制作大功率LED芯片時(shí)，因?yàn)樾酒娣e較大，電流散步范圍可能無法覆蓋整顆芯片，造成部分區(qū)域的發(fā)光效率降低，為改善此狀況，該透明導(dǎo)電層I沿橫向設(shè)置有連接電極9，該連接電極9與正電極11電連接并向負(fù)電極12所在區(qū)域方向延伸。
[0028]進(jìn)一步地，該透明導(dǎo)電層I中或者透明導(dǎo)電層I上設(shè)置連接通道10，本實(shí)施例中，該連接通道10設(shè)置在透明導(dǎo)電層I上，連接通道10連通電極孔7并向負(fù)電極12所在區(qū)域方向延伸，該連接通道10內(nèi)設(shè)置連接電極9。
[0029]另外，還提供上述結(jié)構(gòu)的封裝工藝，包括如下步驟:
[0030]在襯底6上設(shè)置負(fù)電極12 ；
[0031]在襯底6上設(shè)置正電極11，并使正電極11連接透明導(dǎo)電層I ;
[0032]開設(shè)使負(fù)電極12與正電極11隔離開的隔離區(qū)。
[0033]進(jìn)一步，該隔離區(qū)的制作包括如下步驟:沿襯底6向上開設(shè)穿過第一透光層2的隔離走道8，在襯底6表面及隔離走道8內(nèi)設(shè)置絕緣層，并預(yù)留負(fù)電極12位，本實(shí)施例中，該隔離走道8為刻蝕而成，主要是將正電極11與負(fù)電極12隔離開。
[0034]該正電極11的制作包括如下步驟:沿襯底6向上開設(shè)延伸至透明導(dǎo)電層I的電極孔7，并填充導(dǎo)電體，本實(shí)施例中，該該電極孔7為圓形間隔設(shè)置的多個(gè)孔，在孔內(nèi)填充導(dǎo)電體即形成正電極11。
[0035]為進(jìn)一步改善發(fā)光效率，在透明導(dǎo)電層I中或透明導(dǎo)電層I上沿開設(shè)連接通道10，在連接通道10內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體。
[0036]綜上，本發(fā)明不用進(jìn)行打線處理，將正負(fù)極引導(dǎo)至LED芯片的底部，克服了因帶線造成的良品率低的問題，提高了產(chǎn)品的良品率。其次，由于電極設(shè)置在底部，克服了電極造成的遮光現(xiàn)象，使出光量及出光效率進(jìn)一步提升。在此基礎(chǔ)上，隔離走道8內(nèi)及正電極11與負(fù)電極12之間還填充有絕緣體13，該隔離通道內(nèi)的絕緣體13第一是將該LED結(jié)構(gòu)的中部及下部隔離開來，保證有效絕緣，第二是填充該種絕緣體13可有效增強(qiáng)該LED芯片的整體機(jī)械強(qiáng)度。進(jìn)一步為解決因?yàn)樾酒娣e較大，電流散步范圍可能無法覆蓋整顆芯片，造成部分區(qū)域的發(fā)光效率降低的問題，該透明導(dǎo)電層I沿橫向設(shè)置有連接電極9，該連接電極9與正電極11電連接并向負(fù)電極12延伸，有效提高了出光效率。
[0037]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種免打線封裝的LED芯片，包括正電極、負(fù)電極、由上至下依次設(shè)置的透明導(dǎo)電層、發(fā)光層及襯底，其特征在于，還包括隔離區(qū)，所述正電極沿襯底向上延伸至透明導(dǎo)電層，所述隔離區(qū)設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間并向上延伸至透明導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的免打線封裝的LED芯片，其特征在于:所述正電極包括沿襯底向上開設(shè)的電極孔及填充在電極孔內(nèi)的導(dǎo)電體，所述電極孔延伸至透明導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的免打線封裝的LED芯片，其特征在于:所述隔離區(qū)包括沿襯底向上開設(shè)的隔離走道，所述隔離走道為弧形，所述隔離走道圍繞所述正電極設(shè)置并將正電極與負(fù)電極隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的免打線封裝的LED芯片，其特征在于:所述隔離走道內(nèi)及正電極與負(fù)電極之間還填充有絕緣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的免打線封裝的LED芯片，其特征在于:所述透明導(dǎo)電層沿橫向設(shè)置有連接電極，所述連接電極與所述正電極電連接并向負(fù)電極所在區(qū)域方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的免打線封裝的LED芯片，其特征在于:所述透明導(dǎo)電層中或者透明導(dǎo)電層上設(shè)置連接通道，所述連接通道連通電極孔并向負(fù)電極所在區(qū)域方向延伸，所述連接通道內(nèi)設(shè)置所述連接電極。
7.一種封裝工藝，其特征在于，包括如下步驟: 在襯底上設(shè)置負(fù)電極； 在襯底上設(shè)置正電極，并使正電極連接透明導(dǎo)電層； 開設(shè)具有使負(fù)電極與正電極隔尚開的隔尚走道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝工藝，其特征在于:所述隔離走道的制作包括如下步驟: 沿襯底向上開設(shè)穿過第一透光層的隔離走道，在襯底表面及隔離走道內(nèi)設(shè)置絕緣層，并預(yù)留負(fù)電極位。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝工藝，其特征在于:所述正電極的制作包括如下步驟: 沿襯底向上開設(shè)延伸至透明導(dǎo)電層的電極孔，并填充導(dǎo)電體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的封裝工藝，其特征在于:在透明導(dǎo)電層中或透明導(dǎo)電層上沿開設(shè)連接通道，在連接通道內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電體。
【文檔編號】H01L33/38GK104078544SQ201410350590
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月22日
【發(fā)明者】龐曉東, 陳浩明, 王瑞慶, 劉鎮(zhèn) 申請人:深圳市兆明芯科技控股有限公司