發(fā)光器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括多個(gè)發(fā)光單元；和橋接電極，該橋接電極電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元，并且多個(gè)發(fā)光單元包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極，其中橋接電極具有比第一電極和第二電極厚的部分。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光器件
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年7月22日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)如.10-2013-0085959和于2014年7月4日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)如.10-2014-0083640的優(yōu)先權(quán)，正如在此得到充分闡述的那樣，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0004]根據(jù)薄膜生長(zhǎng)方法和器件材料的發(fā)展使用III；或者族化合物半導(dǎo)體材料的諸如發(fā)光二極管([￡0)或者激光二極管(⑶)的發(fā)光器件呈現(xiàn)諸如紅、綠、藍(lán)的各種顏色和紫外線。發(fā)光器件使用熒光材料或者組合顏色有效地實(shí)現(xiàn)白射線，并且與諸如熒光燈和白熾燈的傳統(tǒng)光源相比較具有諸如低功率、半永久的壽命、高響應(yīng)速度、穩(wěn)定性和環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]因此，發(fā)光元件越來(lái)越多地應(yīng)用于光學(xué)通信單元的傳輸模塊、作為冷陰極熒光燈(00^1)的替代的發(fā)光二極管背光、使用白色發(fā)光二極管作為用于熒光燈或者白熾燈的替代的照明設(shè)備、用于車(chē)輛和交通燈的頭燈。
[0006]包括串聯(lián)或者并聯(lián)的多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光器件可以包括電氣地接觸相鄰的發(fā)光單元的橋接電極。在具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中可能導(dǎo)致發(fā)光器件的可靠性的劣化，諸如橋接電極150被燒焦。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]實(shí)施例提供一種提供增加橋接電極的區(qū)域并且防止發(fā)光器件的可靠性劣化的發(fā)光器件。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括多個(gè)發(fā)光單元和橋接電極，所述橋接電極電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元。多個(gè)發(fā)光單元包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極；以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極。橋接電極具有比第一電極和第二電極厚的部分。
[0009]橋接電極的寬度可以大于第一電極層的寬度或者第二電極層的寬度。
[0010]發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括蝕刻區(qū)域，所述蝕刻區(qū)域暴露第一半導(dǎo)體層的部分，并且第一電極層可以被布置在第一半導(dǎo)體層的被暴露的部分上。
[0011]橋接電極可以包括:第一部分，所述第一部分接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一電極；第二部分，所述第二部分接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二電極；以及第三部分，所述第三部分被布置在第一部分和第二部分之間。
[0012]在第一部分、第二部分、以及第三部分的厚度當(dāng)中第三部分的厚度可以是最大的。
[0013]第三部分可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。
[0014]第一部分的高度可以等于第一電極的高度并且第二部分的高度可以等于第二電極的高度。
[0015]橋接電極在數(shù)目上是多個(gè)。
[0016]第一部分的一部分可以被布置在第一電極上并且第二部分的一部分可以被布置在第二電極上。
[0017]橋接電極可以進(jìn)一步包括:第四部分，所述第四部分被布置在第一部分和第三部分之間以及在第二部分和第三部分之間，其中，第四部分的厚度可以小于第一部分的厚度、第二部分的厚度以及第三部分的厚度。
[0018]在另一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件，包括:多個(gè)發(fā)光單兀；和多個(gè)橋接電極，所述多個(gè)橋接電極電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元，其中，所述多個(gè)發(fā)光單元包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；其中，橋接電極將在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層電氣地連接到兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層并且多個(gè)橋接電極被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。
[0019]多個(gè)發(fā)光單兀可以進(jìn)一步包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極；和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極，其中，多個(gè)橋接電極被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一電極和在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二電極之間并且被相互隔開(kāi)。
[0020]第一電極和第二電極可以具有第一長(zhǎng)度方向，并且多個(gè)橋接電極可以具有與第一長(zhǎng)度方向不同的第二長(zhǎng)度方向。
[0021]多個(gè)橋接電極可以包括:第一部分，所述第一部分在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；第二部分，所述第二部分在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；以及第三部分，所述第三部分在第一部分和第二部分之間。
[0022]在第一部分、第二部分、以及第三部分的厚度當(dāng)中第三部分的厚度可以是最大的。
[0023]第一部分的厚度或者第一部分的厚度可以等于第三部分的厚度。
[0024]橋接電極中的每個(gè)的寬度可以大于第一電極層的寬度或者第二電極層的寬度。
[0025]發(fā)光器件可以進(jìn)一步包括:襯底，所述襯底被布置在多個(gè)橋接電極下面；和第一粗糙，所述第一粗糙被形成在相鄰的發(fā)光單元之間的襯底的上表面的一個(gè)區(qū)域上。
[0026]第三部分可以被布置在相鄰的發(fā)光單元之間的襯底的上表面的一個(gè)區(qū)域上，并且與第一粗糙相對(duì)應(yīng)的第二粗糙可以被形成在第三部分的上表面上。
[0027]第三部分的上表面的高度可以低于或者等于第一部分的上表面的高度。
[0028]發(fā)光器件可以進(jìn)一步包括:布置在發(fā)光單元和橋接電極之間的絕緣層。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]可以參考下面的附圖詳細(xì)地描述布置和實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記指代相同的兀件并且其中:
[0030]圖1是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面視圖。
[0031]圖2是延伸圖1的部分的平面視圖。
[0032]圖3是沿著在圖2中示出的發(fā)光器件的方向-截取的截面圖。
[0033]圖4是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的部分的放大的平面視圖。
[0034]圖5是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的部分的放大的平面視圖。
[0035]圖6是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的部分的放大的平面視圖。
[0036]圖7是沿著方向仏截取的截面圖。
[0037]圖8是沿著方向仏截取的根據(jù)第五實(shí)施例的截面圖。
[0038]圖9是沿著方向仏截取的根據(jù)第六實(shí)施例的截面圖。
[0039]圖10是根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的平面視圖。
[0040]圖11是圖10的部分的放大的平面視圖。
[0041]圖12是沿著圖11的方向88截取的前截面圖。
[0042]圖13是沿著方向88截取的根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0043]圖14是沿著方向88截取的根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0044]圖15是根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的平面視圖。
[0045]圖16是圖15的部分的放大的平面視圖。
[0046]圖17是沿著方向88截取的圖16的截面圖。
[0047]圖18是沿著方向88截取的根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0048]圖19是根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0049]圖20是根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0050]圖21圖示根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝。
[0051]圖22圖示根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的頭燈。
[0052]圖23是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示裝置的視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0053]在下文中，結(jié)合附圖和實(shí)施例從描述中將會(huì)清楚地理解實(shí)施例。
[0054]在描述實(shí)施例之前，關(guān)于優(yōu)選實(shí)施例的描述，將會(huì)理解的是，當(dāng)諸如層(膜)、區(qū)域或者結(jié)構(gòu)的一個(gè)元件被稱(chēng)為是在諸如襯底、層(膜〉、區(qū)域、焊盤(pán)或者圖案的另一元件“上”或者“下”時(shí)，一個(gè)元件可以被直接地形成在另一元件“上”或者“下”，或者經(jīng)由其間存在的中間元件被間接地形成在另一元件“上”或者“下”。當(dāng)元件被稱(chēng)為是在“上”或者“下”時(shí)，基于元件能夠包括“在元件下”以及“在元件上”。
[0055]在附圖中，為了描述的方便和清楚起見(jiàn)，每層的厚度或者尺寸被擴(kuò)大、省略、或者示意性地圖示。而且，每個(gè)組成元件的尺寸或者區(qū)域沒(méi)有完全地反映其實(shí)際尺寸。
[0056]圖1是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件200八的平面視圖。圖2是沿著圖1的部分的平面視圖。圖3是沿著在圖2中示出的發(fā)光器件的方向-截取的截面圖。
[0057]參考圖1至圖3，發(fā)光器件200八包括多個(gè)發(fā)光單元100、和被電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0058]多個(gè)發(fā)光單元100可以包括發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管被形成有多個(gè)III；族化合物半導(dǎo)體，例如，包括III和V族元素或者II和VI族元素的半導(dǎo)體層。并且發(fā)光二極管可以是發(fā)射紅、藍(lán)、或者綠光的彩色120、白色120、或者—120?？梢酝ㄟ^(guò)各種材料和組合從120發(fā)射的光可以與各種實(shí)施例被一起實(shí)現(xiàn)。
[0059]襯底110被布置在多個(gè)發(fā)光單元110下面。多個(gè)發(fā)光單元110由襯底110支撐并且被布置在襯底上并且被相互隔開(kāi)。
[0060]襯底110可以是由適合于半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)的材料形成。另外，襯底110可以是由具有高的導(dǎo)熱性的材料形成并且可以是導(dǎo)電襯底或者絕緣襯底。
[0061]例如，襯底110可以是藍(lán)寶石(八或者包括(?隊(duì)310、2=0、31、&1？、1成、^1203以及中的至少一個(gè)的材料。襯底110可以在上表面上具有粗糙或者不平坦以提高光提取。通過(guò)濕法蝕刻或者等離子體加工可以去除在襯底的表面上的雜質(zhì)。
[0062]多個(gè)發(fā)光單兀110可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu),該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126、以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126之間的有源層124 ；和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一電極；以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二電極。
[0063]發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積、化學(xué)汽相淀積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積、分子束外延、或者氫化物氣相外延等等被形成，但是本公開(kāi)不限于此。
[0064]第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層122可以被形成有半導(dǎo)體化合物?？梢酝ㄟ^(guò)III；族或者1141族化合物半導(dǎo)體等等來(lái)實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層122，并且其可以被摻雜有第一導(dǎo)電雜質(zhì)。
[0065]當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層122是型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電雜質(zhì)可以是包括31、66, &1、86, 16的型雜質(zhì)，但是本公開(kāi)不限于此。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層122是1)型半導(dǎo)體層時(shí)，第一導(dǎo)電雜質(zhì)可以是包括啦、分、83的￠1型雜質(zhì)，但是本公開(kāi)不限于此。
[0066]可以從具有彡X彡1,0彡7彡1，0彡叉+丫彡1)的組成公式的半導(dǎo)體材料中選擇第一半導(dǎo)體層122。第一半導(dǎo)體層122可以包括&1、X、II1、八1、八8、或者？中的至少一個(gè)。例如，第一半導(dǎo)體層122可以包括(?隊(duì)1抓、八1隊(duì)1=(?隊(duì)八 111^31(^^8、1116^8, ^11116^8, 68？, ^168？,或者 III？中的至少一個(gè)。
[0067]第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126可以被形成有半導(dǎo)體化合物。通過(guò)III；族或者族化合物半導(dǎo)體等等可以實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126，并且其可以被摻雜有第二導(dǎo)電雜質(zhì)。
[0068]當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126是？型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電雜質(zhì)可以是包括啦、211, 01、&'、88的？型雜質(zhì)，但是本公開(kāi)不限于此。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126是!1型半導(dǎo)體層時(shí)，第二導(dǎo)電雜質(zhì)可以是包括31、66、811 ? 36、16的II型雜質(zhì)，但是本公開(kāi)不限于此。
[0069]可以是從具有彡X彡1,0彡7彡1，0彡叉+丫彡1)的組成公式的半導(dǎo)體材料中選擇第二半導(dǎo)體層126。第二半導(dǎo)體層126可以包括&1、X、II1、八1、八8、或者？中的至少一個(gè)。例如，第二半導(dǎo)體層126可以包括八 111^31(^^8、1116^8, ^11116^8, 68？, ^168？,或者 III？中的至少一個(gè)。
[0070]在下文中，將會(huì)描述作為實(shí)施例的具有型的第一半導(dǎo)體層122、和具有型的第二半導(dǎo)體層126。
[0071]具有與第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126相反的極性的半導(dǎo)體層(未示出)可以被形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126上。例如，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126是1)型半導(dǎo)體層時(shí)，II型半導(dǎo)體層可以被形成在第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層126上。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括
？-隊(duì)以及？州-？結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。
[0072]有源層124可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126之間?；谠陔娮雍涂昭ǖ膹?fù)合的過(guò)程中產(chǎn)生并且通過(guò)材料的能帶決定的能量有源層124產(chǎn)生光。
[0073]當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層122是!1型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126是型半導(dǎo)體層時(shí)，可以從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122供應(yīng)電子并且可以從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126供應(yīng)空穴。
[0074]有源層124可以具有單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)果、量子線結(jié)構(gòu)或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。例如，通過(guò)使用11(?氣體、順3氣體、吧氣體、以及11?氣體有源層124可以被形成以具有多阱結(jié)構(gòu)，但是本公開(kāi)不限于此。
[0075]當(dāng)有源層124是多阱結(jié)構(gòu)時(shí)，其可以包括從隊(duì)(^抓/八1(?隊(duì)
(?八8 (111(?八8)/八1(?八8、或者八1&1？當(dāng)中選擇的包括阱層和阻擋層的一對(duì)以上，但是本公開(kāi)不限于此。阱層可以是由具有比阻擋層帶隙低的材料制成。
[0076]緩沖層112可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底110之間。緩沖層112可以用作減少在襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的晶格常數(shù)的差。
[0077]緩沖層112可以是包括III和V族元素的氮化物半導(dǎo)體。例如，緩沖層112可以包括(?隊(duì)1抓、八1隊(duì)1^1(?隊(duì)或者八11抓中的至少一個(gè)。
[0078]另外，為了提高第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122的結(jié)晶性，未被摻雜的半導(dǎo)體層114可以被插入在襯底110和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122之間。未被摻雜的半導(dǎo)體層114可以是由與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122相同的材料形成，或者可以是由不同于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122的材料形成。與第一半導(dǎo)體層122相比較，未被摻雜的半導(dǎo)體層114具有低導(dǎo)電性，因?yàn)槲幢粨诫s的半導(dǎo)體層沒(méi)有被摻雜有第一導(dǎo)電雜質(zhì)。在緩沖層112上的未被摻雜的半導(dǎo)體層114接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122。與緩沖層112相比較，在比緩沖層112高的生長(zhǎng)溫度可以生長(zhǎng)未被摻雜的半導(dǎo)體層114并且其具有更好的結(jié)晶性。
[0079]發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁可以具有傾斜的表面。當(dāng)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁具有傾斜的表面時(shí)，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁和襯底110之間的角可以是鈍角。
[0080]發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122的部分的蝕刻區(qū)域2。例如，可以通過(guò)部分地蝕刻第二半導(dǎo)體層126、有源層124以及第一半導(dǎo)體層122可以暴露第一半導(dǎo)體層122的部分。
[0081]第一電極130可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122的暴露部分上。例如，第一電極130可以被布置在通過(guò)蝕刻區(qū)域2暴露的第一半導(dǎo)體層122上并且第二電極140可以被布置在沒(méi)有被蝕刻的第二半導(dǎo)體層126上。第一電極130可以電氣地連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122，并且第二電極140可以電氣地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126。
[0082]第一電極130和第二電極140可以包括導(dǎo)電材料，例如，10、0、附、八11、八1、11、？七、^、胃、？^。、!^、或者4中的至少一個(gè)并且具有單層或者多層結(jié)構(gòu)。
[0083]在第二電極140被形成之前透明電極層142可以被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上。
[0084]在另一實(shí)施例中，透明電極層142的部分可以被打開(kāi)以暴露第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126可以接觸第二電極140。
[0085]在其它實(shí)施例中，如通過(guò)圖3所示，透明電極層142可以被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126和第二電極140之間，并且通過(guò)透明電極層142，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126可以被電氣地連接第二電極140。
[0086]透明電極層142可以提高電氣特性和與第二電極140的電氣接觸，并且被形成為層或者具有多個(gè)圖案。
[0087]透明導(dǎo)電層或者金屬可以被選擇性地用于導(dǎo)電層130。例如，導(dǎo)電層130可以包括例如，氧化銦錫(110),氧化錫(10)、氧化銦鋅(120),氧化銦錫鋅(1120),氧化銦鋁鋅(1八20)、氧化銦鎵鋅氧化銦鎵錫氧化鋁鋅(八20)、氧化銻錫010)、氧化鎵鋅(620)、120 氮化物、八 1-(? 2=0(^20)、1=-(? 2110(1620)、2=0、1池、尺咖、附0、尺咖/
或者把中的至少一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物，但是本公開(kāi)不限于此。
[0088]橋接電極150被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間。通過(guò)橋接電極150兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100被相互電氣地連接。
[0089]如通過(guò)圖1至圖3所示，橋接電極150可以將兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130繼續(xù)地連接到兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140并且多個(gè)發(fā)光單元110可以被串聯(lián)地連接。
[0090]在另一實(shí)施例中，如沒(méi)有被示出，具有兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100的相同極性的電極可以被相互連接，并且多個(gè)發(fā)光單元100可以被并聯(lián)地連接。
[0091]例如，參考圖3，橋接電極150可以將兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)連接到兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)。
[0092]例如，經(jīng)由兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100的側(cè)面，橋接電極150可以從兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第二電極140被延伸到兩個(gè)發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第一電極130。
[0093]橋接電極150可以被形成以包括與第一電極130和第二電極140相同的材料。例如，橋接電極150可以包括導(dǎo)電材料，例如，10、0、附、八11、八丨、!！、？^、^、？、？^!、。、!^、或者
11-中的至少一個(gè)并且具有單層或者多層結(jié)構(gòu)。
[0094]絕緣層160被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)130的側(cè)面上。絕緣層160可以被布置在發(fā)光單元100和橋接電極150之間。
[0095]絕緣層160可以用作電氣地絕緣相鄰的發(fā)光單元100，或者電氣地絕緣橋接電極150與發(fā)光單元100?？梢酝ㄟ^(guò)絕緣層160防止在相鄰的發(fā)光單元100之間的電氣短路?？梢酝ㄟ^(guò)絕緣層160防止在一個(gè)發(fā)光單元中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126之間的電氣短路。
[0096]絕緣層160可以是由非導(dǎo)電氧化層或者氮化層，例如，氧化硅層3102、氧化氮層、或者氧化鋁層形成，本公開(kāi)不限于此。
[0097]橋接電極150的厚度不可以是均勻的。橋接電極150可以具有比第一電極130和第二電極厚的部分。即，橋接電極150的部分可以比第一電極130和第二電極厚。
[0098]橋接電極150可以包括接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130的第一部分151、接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140的第二部分
152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。
[0099]第一部分151可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130并且被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。
[0100]第二部分152可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140并且被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上。
[0101]第一部分151可以被布置在通過(guò)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域2暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。第一部分151可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122兩者上。
[0102]第二部分152可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上。
[0103]第三部分153可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間并且被布置在襯底110上。換言之，第三部分153可以被布置在襯底110上的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間的空間上。
[0104]第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之間的發(fā)光單元的側(cè)表面上，并且被布置在第二部分152和第三部分153之間的發(fā)光單元的側(cè)表面上。第四部分可以將第一部分151電氣地連接到第三部分153并且將第二部分152連接到第三部分153。
[0105]第三部分153的厚度183可以大于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度丁2。橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的并且第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度。
[0106]第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁2，或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152以及154當(dāng)中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0107]在實(shí)施例中，橋接電極的至少一部分的厚度可以比第一電極130或者第二電極140的厚度厚以增加橋接電極150的區(qū)域。從而其防止發(fā)光器件的可靠性的劣化，諸如橋接電極150被在具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中燒焦。
[0108]在另一實(shí)施例中，第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度可以等于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度。
[0109]第一部分151的高度可以等于第一電極130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二電極140的高度。即，第一部分151可以接觸第一電極130并且第一部分151的上表面可以不具有與第一電極130的上表面的臺(tái)階。并且第二部分152可以接觸第二電極140并且第二部分152的上表面不可以具有與第二電極140的上表面的臺(tái)階。
[0110]參考圖1，發(fā)光單元1002^的第二電極140可以包括第二電極焊盤(pán)140？，以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。例如，發(fā)光單元1002^^以被布置在發(fā)光單元布置的一個(gè)邊緣中。類(lèi)似地，發(fā)光單元10022的第一電極130可以包括第一電極焊盤(pán)130？，以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。例如，發(fā)光單元10022可以被布置在發(fā)光單元布置的另一邊緣中。
[0111]圖4是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的一部分的放大的平面視圖。相同的附圖標(biāo)記表示相同的配置并且在上面描述的內(nèi)容被省略或者概述。沿著方向-截取的截面圖等于圖3，可以一起參考圖3。
[0112]參考圖4，發(fā)光器件2008可以包括多個(gè)發(fā)光單元100 ；和橋接電極150，該橋接電極150相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元。橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的。橋接電極150可以具有比第一電極130或者第二電極140厚的部分。
[0113]橋接電極150可以包括第一部分151，該第一部分151接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130 ；第二部分152，該第二部分152接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140 ；以及第三部分153，該第三部分153被布置在第一部分151和第二部分152之間。橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)表面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。
[0114]第三部分153的厚度183可以大于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度丁2。橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的并且第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁3。
[0115]第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁2，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154當(dāng)中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0116]第一實(shí)施例200八和第二實(shí)施例2008之間的不同在于，第二實(shí)施例2008中的橋接電極150的寬度大于第一電極130的寬度評(píng)1，或者第二電極140的寬度胃2。
[0117]橋接電極150的寬度可以是25 9 III?35 9 III。例如，橋接電極150的寬度可以是30 9111。第一電極130的寬度評(píng)1、或者第二電極140的寬度胃2可以是5 ^?10 9爪。例如，第一電極130的寬度II，或者第二電極140的寬度12可以是7 ^ 111，并且第一電極130的寬度II可以小于或者等于第二電極140的寬度12。
[0118]在第二實(shí)施例中，橋接電極150的寬度可以大于第一電極130的寬度II或者第二電極140的寬度12，并且從而橋接電極150的區(qū)域可以被增加。通過(guò)增加橋接電極150的區(qū)域，發(fā)光器件的可靠性可以被提高并且可以防止橋接電極150的斷開(kāi)。另外，通過(guò)增加橋接電極150的寬度\引起的光學(xué)吸收可以被最小化，因?yàn)闃蚪与姌O150被布置在發(fā)光單元的邊緣區(qū)域上。
[0119]圖5是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的一部分的放大的平面視圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。沿著方向-截取的圖5的截面圖等于圖3。可以一起參考圖3。
[0120]參考圖5，發(fā)光器件200(:可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0121]第三實(shí)施例200(:和第一實(shí)施例200八之間的不同在于，在第三實(shí)施例2000中，多個(gè)橋接電極150可以被布置在相鄰的發(fā)光單元之間。例如，兩個(gè)橋接電極150可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間并且在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間被相互隔開(kāi)。
[0122]彼此隔開(kāi)的兩個(gè)橋接電極150的寬度可以大于第一電極130的寬度或者第二電極140的寬度。
[0123]相互隔開(kāi)的兩個(gè)橋接電極150中的每一個(gè)的寬度可以是15 0111?25 0111。例如，兩個(gè)橋接電極150中的每一個(gè)的寬度可以是20^111。第一電極130的寬度或者第二電極140的寬度可以與在圖4中描述的相同。
[0124]橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的。圖5中的橋接電極150中的每一個(gè)可以具有比第一電極130或者第二電極140厚的部分。
[0125]圖5中的橋接電極150中的每一個(gè)可以包括接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130的第一部分151、接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。圖5中的橋接電極150中的每一個(gè)可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)表面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。
[0126]圖5中的第三部分153的厚度183可以大于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度12。圖5中的橋接電極150中的每一個(gè)的厚度可以不是完全均勻的并且圖5中的第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度丁吣
[0127]圖5中的第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1%，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154當(dāng)中圖5中的第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0128]在第三實(shí)施例中，通過(guò)將圖5中的多個(gè)橋接電極150布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間可以增加用于橋接電極的總區(qū)域。即使橋接電極150中的一個(gè)被斷開(kāi)，其它的橋接電極可以相互連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元，并且從而可以提高發(fā)光器件的可靠性。另外，通過(guò)增加大量的橋接電極引起的光學(xué)吸收可以被最小化，因?yàn)闃蚪与姌O150被布置在發(fā)光單元的邊緣區(qū)域上。
[0129]圖6是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的一部分的放大的平面視圖，并且圖7是沿著方向^截取的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0130]參考圖6和圖7，發(fā)光器件2000可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和被相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0131]在圖6中的橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的。圖6中的橋接電極150可以具有比第一電極130或者第二電極140厚的部分。
[0132]圖7中的橋接電極150可以包括接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130的第一部分151、接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)表面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分 153。
[0133]圖7中的第一部分151可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130的上表面。即，第一部分151的一部分可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上并且第一部分151的其它部分可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130上。
[0134]圖7中的第二部分152可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140的上表面。即，第二部分152的一部分可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上并且第二部分152的其它部分可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極130上。
[0135]圖7中的第三部分153的厚度183可以大于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度12。圖7中的橋接電極150的厚度可以不是完全均勻的并且圖7中的第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1^。
[0136]圖7中的第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1%，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154當(dāng)中圖7中的第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0137]在第四實(shí)施例中，接觸具有高電阻的發(fā)光單元的第一和第二電極130和140的橋接電極150的一部分的區(qū)域可以被增加，并且從而防止發(fā)光器件的可靠性的劣化，諸如橋接電極150被具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中燒焦。
[0138]圖8是沿著方向—截取的根據(jù)第五實(shí)施例的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。圖8的平面視圖等于圖6，可以一起參考圖6。
[0139]參考圖8，發(fā)光器件2002可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0140]圖8中的橋接電極150可以包括第一部分151，該第一部分151接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130 ；第二部分152，該第二部分152接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單兀100中的另一個(gè)中的第二電極140 ；以及第三部分153，該第三部分153被布置在第一部分151和第二部分152之間。
[0141]圖8中的橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)表面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。
[0142]圖8中的第一部分151可以接觸第一電極130的上表面和第一電極130的至少一個(gè)側(cè)面。圖8中的第一部分151可以被布置以包圍第一電極130。并且圖8中的第二部分152可以接觸第一電極130的上表面和第二電極140的至少一個(gè)側(cè)面。圖8中的第二部分152可以被布置以包圍第二電極140。
[0143]被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一部分151的一部分的厚度11^可以大體上等于被布置在第一電極130上的第一部分151的另一部分的厚度1812。
[0144]被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二部分152的一部分的厚度1821可以大體上等于被布置在第二電極140的第二部分152的另一部分的厚度1822。
[0145]圖9是沿著方向—截取的根據(jù)第六實(shí)施例的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0146]參考圖9，發(fā)光器件200？可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0147]鈍化層160可以被布置在除了將橋接電極150電氣地連接到第一電極130和第二電極140的連接部分之外的發(fā)光器件200？的表面上。
[0148]圖10是根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的平面視圖，并且圖11是圖10的部分的放大的平面視圖，并且圖12是沿著圖11的方向88截取的前截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0149]參考圖9至圖12，發(fā)光器件300八可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0150]襯底110可以被布置在多個(gè)發(fā)光器件100下面。多個(gè)發(fā)光單元100可以由襯底110被支撐，并且被相互隔開(kāi)。
[0151]多個(gè)橋接電極150可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間。多個(gè)橋接電極150可以相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100。
[0152]多個(gè)橋接電極150可以將兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122電氣地連接到兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126。
[0153]在第七實(shí)施例中，通過(guò)將圖11中的多個(gè)橋接電極150布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間用于橋接電極的總區(qū)域可能被增加。即使圖11中的橋接電極150中的一個(gè)被斷開(kāi)，其它的橋接電極可以相互連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元，并且從而發(fā)光器件的可靠性可以被提聞。
[0154]圖11中的橋接電極150中的每一個(gè)可以包括在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一部分151、在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。圖11中的第一部分151可以被布置在通過(guò)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。
[0155]第三部分153可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間，并且被布置在襯底上。即，第三部分153可以被布置在襯底110上的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間的空間上。
[0156]在第一部分151和第三部分153之間以及在第二部分152和第三部分153之間的橋接電極150的部分可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面上。
[0157]在第七實(shí)施例中，在沒(méi)有額外的第一和第二電極的情況下橋接電極150可以將兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122直接地連接到兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126。即，橋接電極150的第一部分151可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122，并且橋接電極150的第二部分152可以接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126。
[0158]參考圖10，被布置在發(fā)光單元布置的一個(gè)邊緣中的發(fā)光單元1002^可以包括在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二電極焊盤(pán)140？以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。類(lèi)似地，被布置在發(fā)光單元布置的另一邊緣中的發(fā)光單元10022可以包括在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一電極焊盤(pán)130？以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。
[0159]圖13是沿著方向88截取的根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。圖13的平面視圖等于圖11，可以一起參考圖11。
[0160]參考圖13，發(fā)光器件3008可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0161]第八實(shí)施例3008和第七實(shí)施例300八之間的不同在于，第八實(shí)施例3008中的橋接電極150的厚度不是完全均勻的。
[0162]圖13中的橋接電極150可以包括在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一部分151、在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。
[0163]圖13中的橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。圖13中的第一部分151可以被布置在通過(guò)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。
[0164]圖13中的第三部分153可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間，并且被布置在襯底上。即，第三部分153可以被布置在襯底110上的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間的空間上。
[0165]第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之間、以及在第二部分152和第三部分153之間的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元110的側(cè)面上。第四部分154可以將第一部分151電氣地連接到第三部分153并且將第二部分152電氣地連接到第三部分153。
[0166]第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度1?或者第二部分152的厚度182。第四部分154的厚度184可以等于或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152、以及154當(dāng)中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0167]在第八實(shí)施例中，橋接電極150中的至少一部分可以被厚地形成以增加橋接電極150的區(qū)域。從而其防止發(fā)光器件的可靠性的劣化，諸如橋接電極150被具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中燒焦。
[0168]圖14是沿著方向88截取的根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。圖14的平面視圖等于圖11，可以一起參考圖11。
[0169]參考圖14，發(fā)光器件300(:可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0170]圖14中的橋接電極150可以包括在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一部分151、兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。
[0171]圖14中的橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。圖13中的第一部分151可以被布置在通過(guò)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。
[0172]第九實(shí)施例300(:和第八實(shí)施例3008之間的不同在于，第九實(shí)施例3000中的第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度I大于第四部分154的厚度1^。
[0173]第九實(shí)施例300(:中的第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182可以小于或者類(lèi)似于第三部分153的厚度?、?。
[0174]在第九實(shí)施例中，具有高電阻的連接部分的區(qū)域可以被增加，并且從而其防止發(fā)光器件的可靠性的劣化。例如，可以防止橋接電極150被具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中燒焦。例如，連接部分可以是在發(fā)光單元的第一和第二半導(dǎo)體層122和126與橋接電極150之間的接觸區(qū)域。
[0175]圖15是根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的平面視圖，圖16是圖15的部分的放大的平面視圖，并且圖17是沿著方向88截取的圖16的截面視圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0176]參考圖15至圖17，發(fā)光器件3000可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0177]襯底110可以被布置在多個(gè)發(fā)光單元100的下面。多個(gè)發(fā)光單元100可以由襯底110被支撐，并且被相互隔開(kāi)。橋接電極可以相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100。
[0178]多個(gè)橋接電極150可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130和兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140之間，并且被相互隔開(kāi)。
[0179]圖17中的橋接電極150中的每一個(gè)可以包括接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130的第一部分151、接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。
[0180]第一部分151可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上并且接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一電極130。第二部分152可以被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上并且接觸兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二電極140。第一部分151可以被布置在通過(guò)蝕刻區(qū)域2暴露的第一半導(dǎo)體層122上。圖17中的第三部分153可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間，并且被布置在襯底上。即，第三部分153可以被布置在襯底110上的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間的空間上。
[0181]在圖17中的第一部分151和第三部分153之間和在第二部分152和第三部分153之間的橋接電極150的部分可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)面上。
[0182]參考圖16，第一電極130和第二電極140可以被布置以具有第一長(zhǎng)度方向。多個(gè)橋接電極150可以具有第二長(zhǎng)度方向。例如，第一長(zhǎng)度方向可以垂直于第二長(zhǎng)度方向。
[0183]具有第二長(zhǎng)度方向的多個(gè)橋接電極150可以被布置在具有第一長(zhǎng)度方向的第一電極130和具有第一長(zhǎng)度方向的第二電極140之間。例如，橋接電極150中的每一個(gè)的第一部分151可以接觸第一電極130，并且橋接電極150中的每一個(gè)的第二部分152可以接觸第二電極140。
[0184]圖17中的第一部分151的厚度可以等于第一電極130的厚度，并且第二部分152的厚度可以等于第二電極140的厚度。
[0185]圖17中的第一部分151的高度可以等于第一電極130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二電極140的高度。即，圖17中的第一部分151可以接觸第一電極130并且第一部分151的上表面可以不具有與第一電極130的上表面的臺(tái)階。圖17中的第二部分152可以接觸第二電極140并且第二部分152的上表面可以不具有與第二電極140的上表面的臺(tái)階。
[0186]參考圖15，被布置在發(fā)光單元布置的一個(gè)邊緣中的發(fā)光單元1002^可以包括在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二電極焊盤(pán)140？以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。類(lèi)似地，被布置在發(fā)光單元布置的另一邊緣中的發(fā)光單元10022可以包括在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一電極焊盤(pán)130？以確保用于引線結(jié)合的區(qū)域。
[0187]圖18是沿著方向88截取的根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。圖18的平面視圖等于圖16，可以一起參考圖16。
[0188]參考圖18，發(fā)光器件3002可以包括多個(gè)發(fā)光單元100和相互電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的橋接電極150。
[0189]在第^^一實(shí)施例3002和第十實(shí)施例3000中的不同在于，第^^一實(shí)施例3002中的橋接電極的厚度不是完全均勻的。
[0190]圖18中的橋接電極150可以包括兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上的第一部分151、兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層126上的第二部分152、以及第一部分151和第二部分152之間的第三部分153。
[0191]在圖18中的橋接電極150可以進(jìn)一步包括第四部分154，該第四部分154被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的側(cè)面上以將第一部分151電氣地連接到第三部分153或者將第二部分152電氣地連接到第三部分153。在圖13中的第一部分151可以被布置在通過(guò)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層122上。
[0192]圖18中的第三部分153可以被布置在兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間，并且被布置在襯底上。即，第三部分153可以被布置在襯底110上的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元100之間的空間上。
[0193]圖18中的第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之間，以及在第二部分152和第三部分153之間的兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元110的側(cè)面上。第四部分154可以將第一部分151電氣地連接到第三部分153并且將第二部分152電氣地連接到第三部分
153。
[0194]圖18中的第三部分153的厚度183可以大于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度12。圖18中的橋接電極的厚度可以不是完全均勻的并且圖18中的第三部分153的厚度可以大于第一部分151的厚度1?或者第二部分152的厚度丁82。
[0195]圖18中的第四部分154的厚度184可以等于或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152、以及154當(dāng)中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0196]在第^^一實(shí)施例中，橋接電極150中的至少一部分可以被厚地形成以增加橋接電極150的區(qū)域。從而，其防止發(fā)光器件的可靠性的劣化，諸如橋接電極150被具有狹窄的區(qū)域的橋接電極上的電流集中燒焦。
[0197]第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度可以等于第一電極130的厚度或者第二電極140的厚度。
[0198]第一部分151的高度可以等于第一電極130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二電極140的高度。即，第一部分151可以接觸第一電極130并且第一部分151的上表面可以不具有與第一電極130的上表面的臺(tái)階。并且第二部分152可以接觸第二電極140并且第二部分152的上表面可以不具有與第二電極140的上表面的臺(tái)階。
[0199]圖19是根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件400八的截面圖。上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0200]參考圖19，粗糙1103可以被形成在襯底110的表面上以通過(guò)散射來(lái)自發(fā)光結(jié)構(gòu)120的光提高光提取。例如，襯底110可以是構(gòu)圖的藍(lán)寶石襯底。粗糙1103可以被附加地形成在相鄰的發(fā)光單元110之間的襯底110的上表面的一個(gè)區(qū)域(在下文中，被稱(chēng)為第一區(qū)域(31))上。
[0201]被形成在第一區(qū)域(31)上的粗糙1103上布置的絕緣層160的一部分可以具有彎曲的表面。彎曲的表面的形狀可以等于粗糙1103的外圍的形狀。
[0202]與襯底110的粗糙1103相對(duì)應(yīng)的粗糙153&可以被形成在位于襯底110的第一區(qū)域31中的絕緣層上布置的第三部分153的上表面上。
[0203]第三部分153的粗糙1533可以包括從橋接電極150的第三部分153的上表面突出的多個(gè)突出部分。
[0204]第三部分153的厚度183可以大于橋接電極150的第一部分151的厚度或者橋接電極150的第二部分152的厚度。
[0205]第三部分153的厚度183可以小于或者等于第一部分151的厚度和第一厚度的總和。第一厚度可以是緩沖層115、未被摻雜的半導(dǎo)體層114、以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120的蝕刻區(qū)域2的厚度的總和。即，相對(duì)于襯底的上表面第三部分153的上表面的高度可以低于或者等于第一部分151的上表面的高度。
[0206]圖20是根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件4008的截面圖。在上面描述的內(nèi)容被省略或者被概述。
[0207]參考圖20，被布置在位于襯底110的第一區(qū)域31中的絕緣層上的第三部分153可以包括與襯底110的粗糙1103相對(duì)應(yīng)的粗糙1533。第三部分153的粗糙1533可以包括從橋接電極150的第三部分153的上表面突出的多個(gè)突出部分。
[0208]第十三實(shí)施例4008和第十二實(shí)施例400八之間的不同在于，在第十三實(shí)施例4008中的第一部分151、第二部分152、以及第三部分153的厚度彼此相等。
[0209]圖21圖示根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝。
[0210]參考圖21，發(fā)光器件封裝400包括封裝主體310，該封裝主體310包括腔體；在封裝主體上的第一和第二引線框架421和422 ；以及發(fā)光器件200或者300，該發(fā)光器件200或者300電氣地連接第一和第二引線框架421和422 ；以及在封裝主體310的腔體中的模制構(gòu)件440。發(fā)光器件200或者300可以被實(shí)現(xiàn)成包括被串聯(lián)或者并聯(lián)地連接的多個(gè)發(fā)光單元100的一個(gè)芯片。
[0211]封裝主體310可以在其上表面處被設(shè)置有腔體。腔體的側(cè)壁可以被傾斜。在圖21中示出的封裝主體310具有腔體，但是本公開(kāi)不限于此。在另一實(shí)施例中，封裝主體可以不具有腔體。
[0212]封裝主體310具有在其一個(gè)側(cè)面區(qū)域處帶有腔體的結(jié)構(gòu)。在此，腔體的側(cè)壁可以被傾斜。封裝主體310可以是由具有優(yōu)異的絕緣性和導(dǎo)熱性的基板，諸如硅基晶圓級(jí)封裝、硅基板、碳化硅(義^、氮化鋁(八爪)等等形成，并且可以具有其中多個(gè)基板被堆疊的結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)不限于在上面描述的封裝主體310的材料、結(jié)構(gòu)和形狀。
[0213]封裝主體310可以是由像金屬一樣的導(dǎo)電材料形成。如果封裝主體310是由像金屬一樣的導(dǎo)電材料形成，則絕緣層(未示出)可以被涂覆在封裝主體310的表面上并且防止在第一和第二引線框架421和422之間的電氣短路。
[0214]考慮到發(fā)光器件200或者300的散熱或者安裝，第一引線框架421和第二引線框架422被布置在封裝主體310的表面上以便被相互電氣地隔開(kāi)。第一引線框架421和第二引線框架422可以將電流供應(yīng)給發(fā)光器件200或者300。第一引線框架421和第二引線框架422可以反射從發(fā)光器件200或者300發(fā)射的光以增強(qiáng)光提取效率。
[0215]發(fā)光器件200或者300被布置在封裝主體310、第一引線框架421或者第二引線框架422上。發(fā)光器件200或者300被電氣地連接到第一引線框架421和第二引線框架422。
[0216]在圖21中，第一引線框架421被直接地連接到發(fā)光器件200或者300，并且通過(guò)布線430第二電極422被連接到發(fā)光器件200或者300。通過(guò)除了引線結(jié)合之外的倒裝芯片結(jié)合或者管芯結(jié)合發(fā)光器件200或者300可以被連接到引線框架421和422。
[0217]模制構(gòu)件440包圍并且保護(hù)發(fā)光器件200或者300。模制構(gòu)件440可以包括熒光體450，以改變從發(fā)光器件200或者300發(fā)射的光的波長(zhǎng)。
[0218]熒光體450可以包括石榴石熒光體、硅酸鹽熒光體、氮化物熒光體、或者氧氮化物熒光體。例如，石榴石熒光體可以是%八15012: (^+)或者1: 0，并且硅酸鹽熒光體可以是(&'，83，18,(^)4104:仙2\并且氮化物熒光體可以是包括的
并且氧氮化物熒光體可以是包括310^的凡-,:21^+(04^6)。
[0219]具有第一波長(zhǎng)的從發(fā)光器件200或者300發(fā)射的光可以由熒光體450激勵(lì)，并且被變成具有第二波長(zhǎng)的光，并且可以通過(guò)經(jīng)過(guò)透鏡(未示出)來(lái)改變具有第二波長(zhǎng)的光的光學(xué)路徑。
[0220]根據(jù)本實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光器件封裝的陣列可以被安裝在基板上，并且光學(xué)構(gòu)件，諸如導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片等等可以被布置在發(fā)光器件封裝的光學(xué)路徑上。發(fā)光器件封裝、基板以及光學(xué)構(gòu)件可以用作背光單元。
[0221]根據(jù)其它的實(shí)施例，根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝可以組成顯示設(shè)備、指示設(shè)備以及照明系統(tǒng)，并且例如，照明系統(tǒng)可以包括燈或者街燈。
[0222]圖22圖示根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的頭燈。參考圖22，頭燈可以包括發(fā)光模塊710、反射體720、遮光物730、以及透鏡740。
[0223]從發(fā)光模塊710照射的光被反射在反射體720和遮光物730上，經(jīng)過(guò)透鏡740并且朝著汽車(chē)主體的前面延伸。發(fā)光模塊710可以包括被安裝在印制電路板上的多個(gè)發(fā)光器件。
[0224]圖23是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示裝置的視圖。參考圖23，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置800包括底蓋810、反射板820，該反射板820被布置在底蓋810上；發(fā)光模塊830和835，該發(fā)光模塊830和835發(fā)射光；導(dǎo)光板840，該導(dǎo)光板840被設(shè)置在反射板820的前面以朝著顯示裝置的前面直射從發(fā)光模塊發(fā)射的光；光學(xué)片，該光學(xué)片包括被設(shè)置在導(dǎo)光板840前面的棱鏡片850和860 ；顯示面板870，該顯示面板870被設(shè)置在光學(xué)片的前面；圖像信號(hào)輸出電路，該圖像信號(hào)輸出電路被連接到顯示面板870并且將圖像信號(hào)供應(yīng)給顯示面板870 ；以及濾色片880，該濾色片880被設(shè)置在顯示面板870的前面。底蓋810、反射板820、發(fā)光模塊830和835、導(dǎo)光板840以及光學(xué)片可以組成背光單兀。
[0225]發(fā)光模塊包括被安裝在電路基板830上的發(fā)光器件封裝835。電路基板830可以是？(?等等并且發(fā)光器件封裝835與在圖20中圖示的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝相同。
[0226]底蓋810可以容納顯示裝置800的組成組件。反射板820可以被提供作為單獨(dú)的元件，如在附圖中所圖示，或者可以被涂覆有被設(shè)置在導(dǎo)光板840的后表面或者底蓋810的前表面上的具有高反射率的材料。
[0227]在此，反射板820可以是由能夠以超薄膜的形式起作用的高反射材料制成，并且其示例包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯⑴價(jià))。
[0228]另外，導(dǎo)光板840可以是由聚甲基丙烯酸甲酯嫩)、聚碳酸酯或者聚乙烯飾)形成。
[0229]使用透光和彈性聚合體，第一棱鏡片850被形成在支撐膜的側(cè)面處并且聚合體可以包括具有多個(gè)被重復(fù)地形成的三維結(jié)構(gòu)的棱鏡層。在此，多個(gè)圖案，如在附圖中所圖示，可以被提供作為其中突出和凹槽重復(fù)地交替的條紋狀圖案。
[0230]被布置在第二棱鏡片860中的支撐膜的一側(cè)上的突出和凹槽的方向可以垂直于被布置在第一棱鏡片850中的支撐膜的一側(cè)上的突出和凹槽的方向，使得從發(fā)光模塊和反射板傳輸?shù)墓饪梢员痪鶆虻胤植荚陲@不面板870的所有方向上。
[0231〕 盡管未不出，擴(kuò)散片可以被布置在導(dǎo)光板840和第一棱鏡片850之間。擴(kuò)散片可以是由聚酯或者聚碳酸酯材料制成并且最大化通過(guò)折射和散射從背光單元入射的光的投射角。并且，擴(kuò)散片包括包含光擴(kuò)散體的支撐層；和第一層和第二層，該第一層和第二層被形成在發(fā)光表面(第一棱鏡片方向)和光入射表面(反射片方向)上并且不具有光擴(kuò)散體。
[0232]在實(shí)施例中，第一棱鏡片850和第二棱鏡片860組成光學(xué)片并且光學(xué)片可以是例如，被提供作為微透鏡陣列、一個(gè)或者多個(gè)擴(kuò)散片和微透鏡陣列的組合、或者一個(gè)棱鏡片和微透鏡陣列的組合。
[0233]除了液晶面板860之外，顯示面板870可以是液晶面板并且要求光源的其它顯示裝置可以被布置。
[0234]從上面的描述中顯然的是，實(shí)施例提供一種發(fā)光器件以提高熒光體板的粘附精確度并且防止被熱引起的突光體板的變色((118⑶和裂縫。
[0235]雖然已經(jīng)參考其多個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例而描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)明白，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)落在本公開(kāi)的原理的精神和范圍內(nèi)的多種其他修改和實(shí)施例。更具體地，在本公開(kāi)、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的部件部分和/或布置中，各種改變和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改變和修改，替代使用也對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 多個(gè)發(fā)光單元；和 橋接電極，所述橋接電極電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元， 其中，所述多個(gè)發(fā)光單元包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層； 所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極；以及 所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極， 其中，所述橋接電極具有比所述第一電極和所述第二電極厚的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述橋接電極的寬度大于第一電極層的寬度或者第二電極層的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括蝕刻區(qū)域，所述蝕刻區(qū)域暴露第一半導(dǎo)體層的部分，并且第一電極層被布置在所述第一半導(dǎo)體層的被暴露的部分上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述橋接電極包括: 第一部分，所述第一部分接觸所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一電極； 第二部分，所述第二部分接觸所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二電極；以及 第三部分，所述第三部分被布置在所述第一部分和所述第二部分之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，在所述第一部分、所述第二部分、以及所述第三部分的厚度當(dāng)中所述第三部分的厚度是最大的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第三部分被布置在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第一部分的高度等于所述第一電極的高度并且所述第二部分的高度等于所述第二電極的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述橋接電極在數(shù)目上是多個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第一部分的一部分被布置在所述第一電極上并且所述第二部分的一部分被布置在所述第二電極上。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述橋接電極進(jìn)一步包括: 第四部分，所述第四部分被布置在所述第一部分和所述第三部分之間以及在所述第二部分和所述第三部分之間， 其中，所述第四部分的厚度小于所述第一部分的厚度、所述第二部分的厚度以及所述第三部分的厚度。
11.一種發(fā)光器件，包括: 多個(gè)發(fā)光單元；和 多個(gè)橋接電極，所述多個(gè)橋接電極電氣地連接兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元， 其中，所述多個(gè)發(fā)光單元包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層； 其中，所述橋接電極將在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層電氣地連接到所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，并且所述多個(gè)橋接電極被布置在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)發(fā)光單元進(jìn)一步包括: 所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極；和 所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極， 其中，所述多個(gè)橋接電極被布置在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的一個(gè)中的第一電極和在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二電極之間并且被相互隔開(kāi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極和所述第二電極具有第一長(zhǎng)度方向并且所述多個(gè)橋接電極具有與所述第一長(zhǎng)度方向不同的第二長(zhǎng)度方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)橋接電極包括: 第一部分，所述第一部分在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元的一個(gè)中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上； 第二部分，所述第二部分在所述兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元中的另一個(gè)中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；以及 第三部分，所述第三部分在所述第一部分和所述第二部分之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，在所述第一部分、所述第二部分、以及所述第三部分的厚度當(dāng)中所述第三部分的厚度是最大的。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述第一部分的厚度或者所述第一部分的厚度等于所述第三部分的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，所述橋接電極中的每個(gè)的寬度大于第一電極層的寬度或者第二電極層的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括: 襯底，所述襯底被布置在所述多個(gè)橋接電極下面；和 第一粗糙，所述第一粗糙被形成在相鄰的發(fā)光單元之間的襯底的上表面的一個(gè)區(qū)域上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中，所述第三部分被布置在相鄰的發(fā)光單元之間的襯底的上表面的一個(gè)區(qū)域上，并且與所述第一粗糙相對(duì)應(yīng)的第二粗糙被形成在所述第三部分的上表面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中，所述第三部分的上表面的高度低于或者等于所述第一部分的上表面的高度。
21.根據(jù)權(quán)利要求11至20中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括:布置在所述發(fā)光單元和所述橋接電極之間的絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L27/15GK104332482SQ201410351833
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月22日
【發(fā)明者】吳沼泳, 崔炳然, 李知桓 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司