一種高耐久性廣角發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高耐久性廣角發(fā)光二極管，包括芯片、電極和封裝，封裝為沿中軸開設(shè)有方形凹槽的結(jié)構(gòu)，凹槽底部有裸露電極與外電極聯(lián)通，發(fā)光芯片放置在凹槽的底部，通過導(dǎo)線將芯片的電極與凹槽底部的裸露電極連接，高耐久性廣角發(fā)光二極管還包括摻有擴散粒子的光擴散層以及貼近芯片位置的導(dǎo)熱透光層，光擴散層及導(dǎo)熱透光層在凹槽內(nèi)，將芯片密封在封裝底部。本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于在解決發(fā)光二級管光中心光點所造成的背光照射不均勻問題的基礎(chǔ)上進一步增加了產(chǎn)品的熱穩(wěn)定性及耐久性。
【專利說明】一種高耐久性廣角發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，特別是一種高耐久性廣角發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，在日常生活應(yīng)用中，大量地使用發(fā)光二極管(light emitting d1de，LED)。一般的發(fā)光二極管的原理是在連有發(fā)光二極管晶片的兩個電極端子之間施加電壓，晶片中PN結(jié)的空穴與電子轉(zhuǎn)移結(jié)合產(chǎn)生能量并發(fā)光。發(fā)光二極管具有發(fā)光效率高、體積小、壽命長、污染低等特性，于照明、背光以及顯示燈領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。通常發(fā)光二極管的主要結(jié)構(gòu)為芯片、連接在芯片上的正負極管腳以及密封包覆晶片的封裝，負極管腳的上端為長條形柱，其上端為一倒梯形的負極片，負極片的上端有一凹槽，發(fā)光二級的芯片安裝在凹槽內(nèi)，正極腳管為一較短的長條形柱，其上端與負極片保持適當距離，發(fā)光二極管的芯片用一導(dǎo)線與正極片連接，封裝為透明環(huán)氧樹脂將正負極腳管上的正負極片連通位與凹槽內(nèi)的晶片封裝為一個整體從而成為發(fā)光二極管成品。發(fā)光二級管的發(fā)光體為晶片，為常規(guī)意義上的電光源，采用發(fā)光二極管為光源通常會存在一個最亮的發(fā)光點，使得近距離的光照區(qū)域內(nèi)的均勻性不強，局部過亮，從而影響作為背光光源的使用和發(fā)光效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述問題，本發(fā)明公開了一種高耐久性廣角發(fā)光二極管，通過在封裝的光擴散層內(nèi)加入微球，利用兩種材料的折射率不同所導(dǎo)致的反射、折射等實現(xiàn)了光照強度的均勻分布。通過封裝內(nèi)的導(dǎo)熱透光層，由于包裹芯片，工作中的芯片產(chǎn)生的熱量被迅速傳導(dǎo)至封裝上，及時與外界進行熱交換，利于降低芯片工作溫度，提升發(fā)光效率及耐久性。
[0004]本發(fā)明公開了一種高耐久性廣角發(fā)光二極管，包括芯片、電極和封裝，封裝為沿中軸開設(shè)有方形凹槽的結(jié)構(gòu)，凹槽底部有裸露電極與外電極聯(lián)通，發(fā)光芯片放置在凹槽的底部，通過導(dǎo)線將芯片的電極與凹槽底部的裸露電極連接，高耐久性廣角發(fā)光二極管還包括摻有擴散粒子的光擴散層以及貼近芯片位置的導(dǎo)熱透光層，光擴散層及導(dǎo)熱透光層在凹槽內(nèi)，將芯片密封在封裝底部。本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于在解決發(fā)光二級管光中心光點所造成的背光照射不均勻問題的基礎(chǔ)上進一步增加了產(chǎn)品的熱穩(wěn)定性及耐久性。
[0005]本發(fā)明公開的高耐久廣角發(fā)光二極管的一種改進，擴散粒子是直徑為10微米的二氧化硅微球。本改進通過采用10微米尺寸的擴散粒子，在有效地提高光照均勻性的同時，還避免出現(xiàn)由于擴散粒子尺寸過小所帶來的霧化效果和擴散粒子尺寸過大所導(dǎo)致的光強直線衰減。
[0006]本發(fā)明公開的廣角發(fā)光二極管的又一種改進，芯片內(nèi)環(huán)氧樹脂區(qū)分為兩種功能層。本改進融合了散光及導(dǎo)熱的功能于一體。很大地提高了發(fā)光二極管封裝的散熱和導(dǎo)熱能力，提高發(fā)光二級管的散熱性能，降低了二級管發(fā)熱對晶片發(fā)光效率的影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1、本發(fā)明公開的一種高耐久廣角發(fā)光二極管。
[0008]附圖標明列表。
[0009]1、光擴散層 2、封裝 3、內(nèi)電極引線 4、芯片 5、導(dǎo)熱透光層 6、外電極。

【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0011]如圖1所示，本發(fā)明公開的廣角發(fā)光二極管，包括芯片4、電極6和封裝2，封裝2為沿中軸開設(shè)有方形凹槽的結(jié)構(gòu)，凹槽底部有裸露電極與外電極6聯(lián)通，芯片4放置在凹槽的底部,通過內(nèi)電極引線3將芯片4的電極與凹槽底部的裸露電極連接，高耐久性廣角發(fā)光二極管還包括摻有擴散粒子的光擴散層I以及貼近芯片位置的導(dǎo)熱透光層5，光擴散層I及導(dǎo)熱透光層5在凹槽內(nèi)，將芯片4密封在封裝底部。通過本發(fā)明公開的廣角發(fā)光二極管，采用在導(dǎo)光柱內(nèi)參入擴散粒子方法，利用擴散例的漫反射以及擴散粒子與導(dǎo)光柱的材料因而折射率不同所帶來的折射和全反射，增強了二級管晶片發(fā)出光在導(dǎo)光柱內(nèi)的擴散和分散能力，使得二級管發(fā)射的光線的均勻性增加，進而提高背光效果。
[0012]作為一種優(yōu)選，光擴散層I中的擴散粒子是直徑為10微米的二氧化硅微球。通過采用10微米尺寸的擴散粒子，在有效地提高光照均勻性的同時，還避免出現(xiàn)由于擴散粒子尺寸過小所帶來的霧化效果和擴散粒子尺寸過大所導(dǎo)致的光強直線衰減。
[0013]作為一種優(yōu)選，所述的導(dǎo)熱透光層5包裹于芯片。
[0014]本發(fā)明方案所公開的技術(shù)手段不僅限于上述技術(shù)手段所公開的技術(shù)手段，還包括由以上技術(shù)特征任意組合所組成的技術(shù)方案。
[0015]本發(fā)明公開了一種高耐久性廣角發(fā)光二極管，通過在封裝的光擴散層內(nèi)加入微球，利用兩種材料的折射率不同所導(dǎo)致的反射、折射等實現(xiàn)了光照強度的均勻分布。通過封裝內(nèi)的導(dǎo)熱透光層，由于包裹芯片，工作中的芯片產(chǎn)生的熱量被迅速傳導(dǎo)至封裝上，及時與外界進行熱交換，利于降低芯片工作溫度，提升發(fā)光效率及耐久。
【權(quán)利要求】
1.一種高耐久性廣角發(fā)光二極管，包括芯片、電極和封裝，封裝為沿中軸開設(shè)有方形凹槽的結(jié)構(gòu)，凹槽底部有裸露電極與外電極聯(lián)通，發(fā)光芯片放置在凹槽的底部，通過導(dǎo)線將芯片的電極與凹槽底部的裸露電極連接，高耐久性廣角發(fā)光二極管還包括摻有擴散粒子的光擴散層以及貼近芯片位置的導(dǎo)熱透光層，光擴散層及導(dǎo)熱透光層在凹槽內(nèi)，將芯片密封在封裝底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣角發(fā)光二極管，其特征在于:所述的光擴散層是由直徑為10微米的二氧化硅小球與環(huán)氧樹脂均勻混合組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣角發(fā)光二極管，其特征在于:所述的光擴散層透過率介于40%-70% 之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣角發(fā)光二極管，其特征在于:所述的導(dǎo)熱透光層位于光擴散層與芯片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣角發(fā)光二極管，其特征在于:所述的導(dǎo)熱透光層包裹于芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣角發(fā)光二極管，其特征在于:所述的導(dǎo)熱透光層光透過率大于等于95%。
【文檔編號】H01L33/64GK104167481SQ201410354705
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】朱長進, 于振波, 周夢雅 申請人:南京燦華光電設(shè)備有限公司