層疊線圈的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供在將線圈設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)的層疊線圈中，能夠抑制在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近產(chǎn)生的層間剝離的層疊線圈。本發(fā)明的一方式的層疊線圈(1)具備層疊體(20)與線圈(30)。線圈(30)被設(shè)置成偏向?qū)盈B體20的上側(cè)，并通過(guò)線圈導(dǎo)體與通孔導(dǎo)體構(gòu)成。在線圈導(dǎo)體中存在第一線圈導(dǎo)體以及第二線圈導(dǎo)體，第二線圈導(dǎo)體的與上述第二線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積(S2)比第一線圈導(dǎo)體的與上述第一線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積(S1)小。另外，層疊線圈(1)中位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體(32f)為第二線圈導(dǎo)體，層疊體(20)的下表面為安裝面。
【專利說(shuō)明】層疊線圈

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊線圈，特別是涉及線圈被設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)的層疊線圈。

【背景技術(shù)】
[0002]作為現(xiàn)有的層疊線圈，例如已知有專利文獻(xiàn)I所記載的片式電感器。在這種層疊線圈中，在層疊了多個(gè)絕緣體層的層疊體內(nèi)置有線圈。另外，層疊體的下表面是將層疊線圈安裝于印刷電路基板時(shí)的安裝面。而且，在上述層疊線圈中，為了抑制由線圈產(chǎn)生的磁通與印刷電路基板上的導(dǎo)體圖案交鏈，而將線圈設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)。
[0003]然而，在上述層疊線圈中，由于線圈被設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)，因此在燒制時(shí)，在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分產(chǎn)生急劇的收縮率的差。因該急劇的收縮率的差，在上述層疊線圈中，有可能在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分的邊界附近的絕緣體層之間產(chǎn)生過(guò)大的應(yīng)力，而產(chǎn)生層間剝離。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2005-45103號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種層疊線圈，該層疊線圈的線圈被設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)，能夠抑制在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分的邊界附近產(chǎn)生的層間剝離。
[0006]本發(fā)明的一方式的層疊線圈的特征在于，具備:
[0007]由在上下方向?qū)盈B多個(gè)絕緣體層而構(gòu)成的層疊體；和
[0008]線圈，其被設(shè)置成偏向上述層疊體的上側(cè)，通過(guò)經(jīng)由貫通上述絕緣體層的通孔導(dǎo)體連接線狀的多個(gè)線圈導(dǎo)體而構(gòu)成，
[0009]上述多個(gè)線圈導(dǎo)體包括第一線圈導(dǎo)體以及第二線圈導(dǎo)體，
[0010]上述第二線圈導(dǎo)體的與上述第二線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積，比上述第一線圈導(dǎo)體的與上述第一線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積小，
[0011]上述多個(gè)線圈導(dǎo)體中位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體為上述第二線圈導(dǎo)體，
[0012]上述層疊體的下表面為安裝面。
[0013]在本發(fā)明的一方式的層疊線圈中，第二線圈導(dǎo)體的與上述第二線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積比第一線圈導(dǎo)體的與上述第一線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積小，層疊線圈所包含的多個(gè)線圈導(dǎo)體中位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體為第二線圈導(dǎo)體。換言之，位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體的截面積比位于該最下側(cè)的線圈導(dǎo)體的上側(cè)的線圈導(dǎo)體的截面積小。由此，在上述層疊線圈中，收縮率在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分的邊界附近逐漸變化。其結(jié)果，能夠緩和設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。
[0014]根據(jù)本發(fā)明所涉及的層疊線圈，能夠抑制在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置有線圈的部分的邊界附近產(chǎn)生的層間剝離。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是一實(shí)施方式的層疊線圈的外觀立體圖。
[0016]圖2是一實(shí)施方式的層疊線圈的分解立體圖。
[0017]圖3是圖1的A-A剖面的剖視圖。
[0018]圖4是第一變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0019]圖5是第二變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0020]圖6是第三變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0021]圖7是第四變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0022]圖8是第五變形例的層疊線圈的分解立體圖。
[0023]圖9是第五變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0024]圖10是第六變形例的層疊線圈的剖視圖。
[0025]附圖標(biāo)號(hào)的說(shuō)明:dl?d6…線寬；S1?S4…截面積；tl、t2…厚度;1、1A?IF…層疊線圈；20…層疊體；22a?221…絕緣體層；30…線圈；32a?32f…線圈導(dǎo)體；34a?34e、34aE、34bE…通孔導(dǎo)體。

【具體實(shí)施方式】
[0026]以下，對(duì)一實(shí)施方式的層疊線圈以及該層疊線圈的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0027](層疊線圈的結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D1、圖2)
[0028]以下，參照附圖對(duì)一實(shí)施方式的層疊線圈的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。其中，將層疊線圈I的層疊方向定義為z軸方向,將在從z軸方向俯視觀察時(shí)沿著層疊線圈的長(zhǎng)邊的方向定義為X軸方向，將沿著短邊的方向定義為I軸方向。其中，X軸、y軸以及z軸相互正交。
[0029]層疊線圈I具備層疊體20、線圈30以及外部電極40a、40b。另外，如圖1所示，層疊線圈I的形狀為立方體。
[0030]如圖2所示，通過(guò)將絕緣體層22a?221層疊為從z軸方向的正方向側(cè)依次排列而構(gòu)成層疊體20。另外，在從z軸方向俯視觀察時(shí)，各絕緣體層22a?221形成長(zhǎng)方形形狀。因此，如圖1所示，通過(guò)層疊絕緣體層22a?221而構(gòu)成的層疊體20的形狀為立方體。而且，層疊體20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面是將層疊線圈I安裝在印刷電路基板上時(shí)的安裝面。其中，以下，將各絕緣體層22a?221的z軸方向的正方向側(cè)的面稱為上表面，將各絕緣體層22a?221的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱為下表面。另外，作為絕緣體層22a?221的材料能夠列舉磁性體(鐵氧體等)或者非磁體(玻璃、氧化鋁等及其復(fù)合材料)。
[0031]如圖1所示，外部電極40a被設(shè)置成覆蓋層疊體20的X軸方向的正方向側(cè)的表面及其周?chē)拿娴囊徊糠帧Ａ硗?，外部電極40b被設(shè)置成覆蓋層疊體20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面及其周?chē)拿娴囊徊糠?。此外，外部電極40a、40b的材料為Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料。
[0032]如圖2所示，線圈30位于層疊體20的內(nèi)部，由線圈導(dǎo)體32a?32f以及通孔導(dǎo)體34a?34e構(gòu)成。另外，線圈30呈螺旋狀，該螺旋的中心軸與z軸平行。換言之，線圈30呈一邊沿層疊方向前進(jìn)一邊卷繞的螺旋狀。此外，線圈30的材料為Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料。
[0033]線圈導(dǎo)體32a (第一線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22b的上表面的線狀的導(dǎo)體。另夕卜，線圈導(dǎo)體32a被設(shè)置成沿著絕緣體層22b的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈口字形。而且，線圈導(dǎo)體32a的一端從絕緣體層22b的X軸方向的正方向側(cè)的外緣朝層疊體20的表面露出，而與外部電極40a連接。并且，線圈導(dǎo)體32a的另一端在絕緣體層22b的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角附近與在z軸方向貫通絕緣體層22b的通孔導(dǎo)體34a連接。
[0034]線圈導(dǎo)體32b (第一線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22c的上表面的線狀的導(dǎo)體。另夕卜，線圈導(dǎo)體32b被設(shè)置成沿著絕緣體層22c的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈口字形。而且，線圈導(dǎo)體32b的一端在絕緣體層22c的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與I軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角Cl的附近與通孔導(dǎo)體34a連接。并且，線圈導(dǎo)體32b的另一端在角Cl的附近與通孔導(dǎo)體34b連接，該通孔導(dǎo)體34b位于比線圈導(dǎo)體32b的一端更靠近絕緣體層22c的中心附近且在z軸方向貫通絕緣體層22c。
[0035]線圈導(dǎo)體32c (第一線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22d的上表面的線狀的導(dǎo)體。另夕卜，線圈導(dǎo)體32c被設(shè)置成沿著絕緣體層22d的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈口字形。而且，線圈導(dǎo)體32c的一端在絕緣體層22d的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與I軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角C2的附近與通孔導(dǎo)體34b連接。并且，線圈導(dǎo)體32c的另一端在角C2的附近與通孔導(dǎo)體34c連接，該通孔導(dǎo)體34c位于比線圈導(dǎo)體32b的一端更靠近絕緣體層22d的外緣附近且在z軸方向貫通絕緣體層22d。
[0036]線圈導(dǎo)體32d(第一線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22e的上表面的線狀的導(dǎo)體。另夕卜，線圈導(dǎo)體32d被設(shè)置成沿著絕緣體層22e的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈口字形。而且，線圈導(dǎo)體32d的一端在絕緣體層22e的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與I軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角C3的附近與通孔導(dǎo)體34c連接。并且，線圈導(dǎo)體32d的另一端在角C3的附近與通孔導(dǎo)體34d連接，該通孔導(dǎo)體34d位于比線圈導(dǎo)體32d的一端更靠近絕緣層22e的中心附近且在z軸方向貫通絕緣體層22e。
[0037]線圈導(dǎo)體32e (第一線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22f的上表面的線狀的導(dǎo)體。另夕卜，線圈導(dǎo)體32e被設(shè)置成沿著絕緣體層22f的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈口字形。而且，線圈導(dǎo)體32e的一端在絕緣體層22f的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與I軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角C4的附近與通孔導(dǎo)體34d連接。并且，線圈導(dǎo)體32e的另一端在角C4的附近與通孔導(dǎo)體34e連接，該通孔導(dǎo)體34e位于比線圈導(dǎo)體32e的一端更靠近絕緣體層22f的外緣附近且在z軸方向貫通絕緣體層22f。
[0038]線圈導(dǎo)體32f (第二線圈導(dǎo)體)為設(shè)置于絕緣體層22g的上表面的線狀的導(dǎo)體，其線寬d2比線圈導(dǎo)體32a?32e的線寬dl細(xì)。另外，線圈導(dǎo)體32f的厚度與線圈導(dǎo)體32a?32e的厚度實(shí)際上相等。因此，如圖3所示，線圈導(dǎo)體32f的與該線圈導(dǎo)體32f的延伸方向正交的截面的截面積S2比線圈導(dǎo)體32a?32e的與該線圈導(dǎo)體32a?32e的延伸方向正交的截面的截面積SI小。另外，如圖2所示，線圈導(dǎo)體32f被設(shè)置成沿著絕緣體層22g的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的負(fù)方向側(cè)的外緣，在從層疊方向觀察時(shí)呈大致3字形。而且，線圈導(dǎo)體32f的一端在絕緣體層22g的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所成的角C5的附近與通孔導(dǎo)體34e連接。并且，線圈導(dǎo)體32e的另一端從絕緣體層22g的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的外緣朝層疊體20的表面露出，而與外部電極40b連接。
[0039]在如以上那樣構(gòu)成的層疊線圈I中，線圈導(dǎo)體32a?32f的中心被設(shè)置于比層疊體20的中心更靠近z軸方向的上側(cè)。換言之，由線圈導(dǎo)體32a?32f以及通孔導(dǎo)體34a?34e構(gòu)成的線圈30被設(shè)置成偏向?qū)盈B體20的z軸方向的正方向側(cè)(上側(cè))。由此，從層疊體20的上表面到線圈導(dǎo)體32a的距離比從層疊體20的下表面到線圈導(dǎo)體32f的距離短。
[0040](制造方法)
[0041]以下，對(duì)一實(shí)施方式的層疊線圈的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。其中，將生片的層疊方向定義為z軸方向。另外，將通過(guò)一實(shí)施方式的層疊線圈的制造方法制成的層疊線圈I的長(zhǎng)邊方向定義為X軸方向，并將短邊方向定義為y軸方向。
[0042]首先，準(zhǔn)備要成為絕緣體層22a?221的陶瓷生片。具體而言，對(duì)以BaO、A1203、S12為主體的結(jié)構(gòu)成分稱重規(guī)定量，進(jìn)行混合，在進(jìn)行濕式粉碎成為漿液狀后，在850°C?950°C下進(jìn)行預(yù)燒，制成預(yù)燒粉末(瓷器組成物粉末)。相同地對(duì)以民03、1(20、5102為主體的結(jié)構(gòu)成分稱重規(guī)定量，進(jìn)行混合，在進(jìn)行濕式粉碎成為漿液狀后，在850°C?90(TC下進(jìn)行預(yù)燒，制成預(yù)燒粉末(硼硅酸玻璃粉末)。
[0043]對(duì)上述預(yù)燒粉末稱重規(guī)定量，添加結(jié)合劑(醋酸乙烯、水溶性丙烯酸等)、增塑劑、潤(rùn)濕劑、分散劑通過(guò)球磨機(jī)進(jìn)行混合，然后，通過(guò)減壓進(jìn)行消泡。通過(guò)刮片法使已獲得的陶瓷漿液在載片上形成片狀并對(duì)其進(jìn)行干燥，制成要成為絕緣體層22a?221的生片。
[0044]接下來(lái)，對(duì)要成為絕緣體層22b?22f的生片照射激光束，從而形成通孔。并且，將以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等為主成分的導(dǎo)電性糊填充于通孔，從而形成通孔導(dǎo)體34a?34e。此外，向通孔填充導(dǎo)電性糊的工序也可以與形成后述的線圈導(dǎo)體32a?32f的工序同時(shí)進(jìn)行。
[0045]在形成通孔后或者形成通孔導(dǎo)體后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在要成為絕緣體層22b?22g的印刷電路基板的表面上涂覆以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等為主成分的導(dǎo)電性糊，從而形成線圈導(dǎo)體32a?32g。
[0046]接下來(lái)，依次層疊、壓接要成為絕緣體層22a?221的生片，從而獲得未燒制的母層疊體。通過(guò)等靜壓等對(duì)已獲得的未燒制的母層疊體進(jìn)行加壓，而進(jìn)行正式壓接。
[0047]在正式壓接后，通過(guò)切割刀片將母層疊體切割成規(guī)定尺寸的層疊體20。然后，對(duì)未燒制的層疊體20實(shí)施脫粘合劑處理以及燒制。脫粘合劑處理例如在低氧環(huán)境中，在500°C的條件下進(jìn)行2小時(shí)。燒制例如在800°C?900°C的條件下進(jìn)行2.5小時(shí)。
[0048]在燒制后，形成外部電極40a、40b。首先，將由以Ag為主成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極糊涂覆在層疊體20的表面。接下來(lái)，將涂覆的電極糊以約800°C的溫度在I時(shí)間的條件下燒接在一起。由此，形成外部電極40a、40b的基底電極。
[0049]最后，對(duì)基底電極的表面實(shí)施鍍Ni/Sn。由此，形成外部電極40a、40b。通過(guò)以上的工序，層疊線圈I完成。
[0050](效果，參照?qǐng)D2、圖3)
[0051]在上述的一實(shí)施方式的層疊線圈I中，通過(guò)以下的理由，能夠抑制層間剝離。燒制時(shí)的絕緣體層22a?221的收縮率比燒制時(shí)的線圈導(dǎo)體32a?32f的收縮率大。因此，在層疊體20未設(shè)置有線圈30的第一部分的收縮率比在層疊體20設(shè)置有線圈30的第二部分的收縮率大。因此，在層疊線圈I中，如圖3所示，將位于未設(shè)置有線圈30的第一部分與設(shè)置有線圈30的第二部分的邊界附近的線圈導(dǎo)體32f的截面積S2設(shè)為比線圈導(dǎo)體32a?32e的截面積SI小。因此，在第一部分相對(duì)地設(shè)置有較多的導(dǎo)體，在第一部分與第二部分的邊界附近相對(duì)地設(shè)置有較少的導(dǎo)體，在第二部分未設(shè)置導(dǎo)體。換言之，按第一部分、邊界附近、第二部分的順序，含有導(dǎo)體的比例逐漸減少，從而按該順序收縮率逐漸增大。由此，能夠抑制收縮率的急激的變動(dòng)。其結(jié)果，能夠緩和設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。
[0052](第一變形例，參照?qǐng)D4)
[0053]第一變形例的層疊線圈IA與層疊線圈I的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32e的線寬。具體而言，如圖4所示，層疊線圈IA的線圈導(dǎo)體32e的線寬d3為線圈導(dǎo)體32a?32d的線寬dl以及線圈導(dǎo)體32f的線寬d2的中間的線寬。換言之，在層疊線圈I中，在位于線圈30的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的部分(下部)且在z軸方向(上下方向)相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體32e、32f中，位于z軸方向的負(fù)方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32f的截面積S2比位于z軸方向的正方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32e的截面積S3小。
[0054]此處，所謂線圈30的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的部分是距線圈30的z軸方向的下端規(guī)定的范圍內(nèi)的部分，是線圈30的一部分。在層疊線圈IA中，從線圈30的z軸方向的下端開(kāi)始的兩個(gè)線圈導(dǎo)體32e、32f相當(dāng)于線圈30的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的部分。然而，線圈30的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的部分并不局限于從線圈30的z軸方向的下端開(kāi)始的兩個(gè)線圈導(dǎo)體，也可以為一個(gè)線圈導(dǎo)體，也可以為三個(gè)以上的線圈導(dǎo)體。
[0055]在如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈IA中，與層疊線圈I相比，收縮率在設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近更加緩慢地變化。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步緩和設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IA的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈I相同。因此，在層疊IA中，線圈導(dǎo)體32e的線寬以外的說(shuō)明如在層疊線圈I中的說(shuō)明。
[0056](第二變形例，參照?qǐng)D5)
[0057]第二變形例的層疊線圈IB與層疊線圈I的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32a?32f的線寬。具體而言，如圖5所示，層疊線圈IB的線圈導(dǎo)體的線寬從位于z軸方向的正方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32a朝向位于z軸方向的負(fù)方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32f而逐漸變細(xì)。換言之，在層疊線圈I中，在z軸方向(上下方向)相鄰的線圈導(dǎo)體中的位于z軸方向的負(fù)方向側(cè)的線圈導(dǎo)體的截面積比位于z軸方向的正方向側(cè)的線圈導(dǎo)體的截面積小。
[0058]在如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈IB中，與層疊線圈I相比，收縮率從設(shè)置有線圈30的部分朝向未設(shè)置線圈30的部分進(jìn)一步緩慢地變化。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步緩和設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置部分的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IB中的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈I相同。因此，在層疊IB中，線圈導(dǎo)體32a?32f的線寬以外的說(shuō)明如在層疊線圈I中的說(shuō)明。
[0059](第三變形例，參照?qǐng)D6)
[0060]第三變形例的層疊線圈IC與層疊線圈I的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32a的線寬。具體而言，如圖6所示，層疊線圈IC的線圈導(dǎo)體32a的線寬d4比線圈導(dǎo)體321d?32e的線寬dl細(xì)。
[0061]在如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈IC中，與層疊線圈I相比，能夠減少在線圈30與外部電極40a、40b之間產(chǎn)生的雜散電容的產(chǎn)生。另外，與層疊線圈I相同地，在層疊線圈IC中，能夠抑制設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的層間剝離。此外，層疊線圈IC中的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈I相同。因此，在層疊I中，線圈導(dǎo)體32a的線寬以外的說(shuō)明如在層疊線圈I中的說(shuō)明。
[0062](第四變形例，參照?qǐng)D7)
[0063]第四變形例的層疊線圈ID與層疊線圈I的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32f的線寬以及厚度。具體而言，如圖7所示，層疊線圈ID的線圈導(dǎo)體32f的線寬是與線圈導(dǎo)體32a?32e的線寬dl相同的線寬。但是，層疊線圈ID的線圈導(dǎo)體32f的厚度t2比線圈導(dǎo)體32a?32e的厚度tl薄。
[0064]在如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈ID中，線圈導(dǎo)體32f的厚度t2比線圈導(dǎo)體32a?32e的厚度tl薄，因此線圈導(dǎo)體32f的截面積S4比線圈導(dǎo)體32a?32e的截面積SI小。由此，在層疊線圈ID中，收縮率在設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近逐漸變化。其結(jié)果，能夠緩和設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈ID中的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈I相同。因此，在層疊ID中，線圈導(dǎo)體32f的線寬以及厚度以外的說(shuō)明如在層疊線圈I中的說(shuō)明。
[0065](第五變形例，參照?qǐng)D8、圖9)
[0066]第五變形例的層疊線圈IE與層疊線圈I的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32b?32f的形狀以及它們的連接關(guān)系。以下，具體進(jìn)行說(shuō)明。
[0067]如圖8所示，層疊線圈IE的線圈導(dǎo)體32a與線圈導(dǎo)體32b為相同形狀，上述線圈導(dǎo)體以并聯(lián)的方式連接，并且與外部電極40a連接。
[0068]另外，層疊線圈IE的線圈導(dǎo)體32c以及線圈導(dǎo)體32d與層疊線圈I的線圈導(dǎo)體32b為相同形狀。并且，層疊線圈IE的線圈導(dǎo)體32c與線圈導(dǎo)體32d以并聯(lián)的方式連接，并且經(jīng)由通孔導(dǎo)體34aE，以串聯(lián)的方式與線圈導(dǎo)體32a以及線圈導(dǎo)體32b連接。
[0069]另外，層疊線圈IE的線圈導(dǎo)體32e以及線圈導(dǎo)體32f除了它們的一端朝向x軸方向的負(fù)方向側(cè)折彎之外，為與層疊線圈I的線圈導(dǎo)體32f大致相同的形狀。并且，層疊線圈IE的線圈導(dǎo)體32e與線圈導(dǎo)體32f以并聯(lián)的方式連接。而且，線圈導(dǎo)體32e的一端以及線圈導(dǎo)體32f的一端經(jīng)由通孔導(dǎo)體34bE以串聯(lián)的方式與線圈導(dǎo)體32c以及線圈導(dǎo)體32d連接，線圈導(dǎo)體32e的另一端以及線圈導(dǎo)體32f的另一端與外部電極40b連接。此外，如圖9所示，線圈導(dǎo)體32e、32f的線寬d5比線圈導(dǎo)體32a?32d的線寬dl細(xì)。換言之，在層疊線圈IE中，在位于線圈30的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的部分(下部)且在z軸方向(上下方向)相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體32e、32f中，位于z軸方向的負(fù)方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32f的截面積S5與位于z軸方向的正方向側(cè)的線圈導(dǎo)體32e的截面積S5相同。即線圈導(dǎo)體32f的截面積為線圈導(dǎo)體32e的截面積以下。
[0070]如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈IE是所謂的多重卷結(jié)構(gòu)的層疊線圈，與層疊線圈I相t匕，線寬較細(xì)的線圈導(dǎo)體的個(gè)數(shù)較多，收縮率在設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近進(jìn)一步緩慢地變化。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步緩和設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的絕緣體層之間的應(yīng)力，從而能夠抑制層間剝離。此外，層疊線圈IE中的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈I相同。因此，在層疊IE中，線圈導(dǎo)體32b?32f的形狀以及它們的連接關(guān)系以外的說(shuō)明如在層疊線圈I中的說(shuō)明。
[0071](第六變形例，參照?qǐng)D10)
[0072]第六變形例的層疊線圈IF與第五變形例的層疊線圈IE的不同點(diǎn)在于線圈導(dǎo)體32a、32b的線寬。具體而言，如圖10所示，層疊線圈IF的線圈導(dǎo)體32a、32b的線寬d6比線圈導(dǎo)體32c、32d的線寬dl細(xì)。
[0073]在如上述那樣構(gòu)成的層疊線圈IF中，與層疊線圈IE相比，能夠減少在線圈30與外部電極40a、40b之間產(chǎn)生的雜散電容的產(chǎn)生。另外，與層疊線圈IE相同地，在層疊線圈IF中，能夠抑制設(shè)置有線圈30的部分與未設(shè)置線圈30的部分的邊界附近的層間剝離。此夕卜，層疊線圈IF中的其他的結(jié)構(gòu)與層疊線圈IE相同。因此，在層疊IF中，線圈導(dǎo)體32a、32b的線寬以外的說(shuō)明如在層疊線圈IE中的說(shuō)明。
[0074](其他實(shí)施方式)
[0075]本發(fā)明所涉及的層疊線圈不限定于上述實(shí)施方式的層疊線圈，能夠在其要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行變更。例如，也可以將線圈導(dǎo)體32b的線寬形成比線圈導(dǎo)體32a的線寬更細(xì)，也可以將線圈導(dǎo)體32c的線寬形成與線圈導(dǎo)體32a的線寬相同。換言之，只要位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體的線寬比位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體的上側(cè)的任一個(gè)的線圈導(dǎo)體的線寬細(xì)即可。另外，在一個(gè)層疊線圈內(nèi)，也可以混合有通過(guò)線寬縮小截面積的線圈導(dǎo)體、以及通過(guò)厚度縮小線圈導(dǎo)體的截面積的線圈導(dǎo)體。換言之，也可以對(duì)上述的實(shí)施例及其變形例進(jìn)行組合。并且，也可以通過(guò)對(duì)線寬以及厚度進(jìn)行變更的雙方的方法縮小線圈導(dǎo)體的截面積。
[0076]工業(yè)上的可利用性
[0077]如以上那樣，本發(fā)明能夠在層疊線圈中加以利用，特別是在將線圈設(shè)置成偏向?qū)盈B體的上側(cè)的層疊線圈中，在能夠抑制在設(shè)置有線圈的部分與未設(shè)置線圈的部分的邊界附近產(chǎn)生的層間剝離這點(diǎn)優(yōu)越。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊線圈，其特征在于， 具備: 由在上下方向?qū)盈B多個(gè)絕緣體層而構(gòu)成的層疊體；和 線圈，其被設(shè)置成偏向所述層疊體的上側(cè)，通過(guò)經(jīng)由貫通所述絕緣體層的通孔導(dǎo)體連接線狀的多個(gè)線圈導(dǎo)體而構(gòu)成， 所述多個(gè)線圈導(dǎo)體包括第一線圈導(dǎo)體以及第二線圈導(dǎo)體， 所述第二線圈導(dǎo)體的與該第二線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積，比所述第一線圈導(dǎo)體的與該第一線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積小， 所述多個(gè)線圈導(dǎo)體中位于最下側(cè)的線圈導(dǎo)體為所述第二線圈導(dǎo)體， 所述層疊體的下表面為安裝面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 在位于所述線圈的下部的多個(gè)線圈導(dǎo)體中，在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于下側(cè)的線圈導(dǎo)體的與該位于下側(cè)的線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積為，在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于上側(cè)的線圈導(dǎo)體的與該位于上側(cè)的線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊線圈，其特征在于， 在位于所述線圈的下部的多個(gè)線圈導(dǎo)體中，在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于下側(cè)的線圈導(dǎo)體的與延伸方向正交的截面的截面積，比在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于上側(cè)的線圈導(dǎo)體的與延伸方向正交的截面的截面積小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的層疊線圈，其特征在于， 在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于下側(cè)的線圈導(dǎo)體的延伸方向正交的截面的截面積，比在上下方向相鄰的兩個(gè)線圈導(dǎo)體中位于上側(cè)的線圈導(dǎo)體的與延伸方向正交的截面的截面積小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的層疊線圈，其特征在于， 所述第二線圈導(dǎo)體的線寬比所述第一線圈導(dǎo)體的線寬小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的層疊線圈，其特征在于， 所述第二線圈導(dǎo)體的厚度比所述第一線圈導(dǎo)體的厚度薄。
【文檔編號(hào)】H01F27/28GK104347239SQ201410363799
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】山內(nèi)浩司, 小田原充 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所