Oled顯示裝置及其封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施例提供OLED顯示裝置及其封裝方法。該OLED顯示裝置的封裝方法，包括：提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域；在所述顯示基板的周邊區(qū)域形成圍堰；并且采用同一個(gè)掩模板，在所述顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層，其中所述多個(gè)薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
【專利說(shuō)明】OLED顯示裝置及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及OLED顯示裝置及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,簡(jiǎn)稱0LED)顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為平板顯示領(lǐng)域中一種非常重要的顯示技術(shù)。
[0003]空氣中的水汽和氧氣等成分對(duì)OLED顯示裝置中的OLED器件的壽命影響很大。OLED器件的陰極通常采用鋁、鎂、鈣等金屬材質(zhì)形成，它們的化學(xué)性質(zhì)比較活波，極易與滲透進(jìn)來(lái)的水汽和氧氣發(fā)生反應(yīng)。另外，水汽和氧氣還會(huì)與OLED器件的空穴傳輸層以及電子傳輸層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這些反應(yīng)都會(huì)引起OLED器件的失效。因此，對(duì)OLED顯示裝置進(jìn)行有效的封裝，使OLED器件的各功能層與大氣中的水汽、氧氣等成分充分隔開(kāi),就可以大大延長(zhǎng)OLED器件的壽命，從而延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0004]OLED顯示裝置的封裝方法一般包括基板封裝和薄膜封裝(thin filmencapsulat1n,簡(jiǎn)稱TFE)兩種類型?；宸庋b是指在形成有OLED器件的顯示基板與封裝基板之間填充膠膜，膠膜固化后使顯示基板與封裝基板之間形成密閉的空間，從而達(dá)到封裝的效果。薄膜封裝是指在OLED器件表面覆蓋由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)薄膜組合的薄膜封裝層，以使水氧難以滲入OLED器件內(nèi)部。
[0005]圖1為一種采用薄膜封裝的OLED顯示裝置的截面示意圖。如圖1所示，OLED顯示裝置包括覆蓋在OLED器件(包括第一電極110、第二電極113以及位于它們之間的發(fā)光層112)上的薄膜封裝層，薄膜封裝層包括交替堆疊的多個(gè)第一薄膜封裝層130-1和第二薄膜封裝層130-2。第一薄膜封裝層130-1形成為大于第二薄膜封裝層130-2并包裹第二薄膜封裝層130-2的邊緣，以限制或防止空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣進(jìn)入OLED器件。在此情形下，需要采用兩塊掩模板來(lái)分別形成第一薄膜封裝層130-1和第二薄膜封裝層130-2。進(jìn)一步地，根據(jù)一種技術(shù)，在OLED器件上依次形成逐漸增大的多個(gè)薄膜封裝層并且上層的薄膜封裝層包裹下層的薄膜封裝層的邊緣，以更好地限制或防止空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣進(jìn)入OLED器件，在此情形下，就需要采用多個(gè)掩模板來(lái)分別形成該多個(gè)薄膜封裝層。
[0006]由上可見(jiàn)，需要采用至少兩塊掩模板才能完成薄膜封裝并且需要頻繁地更換掩模板，這提高了生產(chǎn)成本并使生產(chǎn)工藝復(fù)雜化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種OLED顯示裝置的封裝方法。該方法包括:提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域；在所述顯示基板的周邊區(qū)域形成圍堰；并且采用同一個(gè)掩模板，在所述顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層，其中所述多個(gè)薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0008]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元；所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；并且所述方法包括:將所述圍堰形成在所述像素界定層上。
[0009]例如，所述封裝方法包括:將所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
[0010]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元；所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；以及平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；并且所述方法包括:將所述圍堰形成在所述平坦化層上，將所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，其中所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0011]例如，所述封裝方法包括:將所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
[0012]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括OLED及驅(qū)動(dòng)所述OLED的驅(qū)動(dòng)TFT ;所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位于所述平坦化層的下方并將所述驅(qū)動(dòng)TFT與所述OLED隔開(kāi)；并且所述方法包括:所述圍堰形成在所述鈍化層上，將所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，其中所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0013]例如，所述封裝方法包括:將所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
[0014]例如，所述掩模板具有開(kāi)口，該開(kāi)口大于或等于圍堰的外周邊所圍成的區(qū)域。當(dāng)將所述掩模板放置在所述顯示基板上時(shí)，所述開(kāi)口恰好露出整個(gè)所述圍堰；或者當(dāng)將所述掩模板放置在所述顯示基板上時(shí)，所述開(kāi)口露出整個(gè)所述圍堰并露出所述顯示基板的位于所述圍堰外側(cè)的部分表面。
[0015]例如，沿垂直于所述顯示基板的的表面的方向截取所述圍堰的截面，該截面的形狀為上邊寬度小于底邊寬度的梯形或上邊寬度等于底邊寬度的矩形。
[0016]例如，所述圍堰的所述截面的形狀為非直角梯形。
[0017]例如，所述圍堰形成首尾相接的封閉環(huán)形，以圍繞所述顯示區(qū)域。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種OLED顯示裝置。該顯示裝置包括:顯示基板，所述顯示基板具有顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域；圍堰，形成在所述顯示基板的周邊區(qū)域中；以及多層封裝層，形成在所述顯示基板上并將將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0019]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元；所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；并且所述圍堰形成在所述像素界定層上。
[0020]例如，所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
[0021]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元；所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；以及平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；并且所述圍堰形成在所述平坦化層上，所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0022]例如，所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
[0023]例如，所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括OLED及驅(qū)動(dòng)所述OLED的驅(qū)動(dòng)TFT ;所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位于所述平坦化層的下方并將所述驅(qū)動(dòng)TFT與所述OLED隔開(kāi)；并且所述圍堰形成在所述鈍化層上，所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
[0024]例如，所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
[0025]例如，所述多個(gè)薄膜封裝層的邊緣位于所述圍堰的外側(cè)壁上，或者所述多個(gè)薄膜封裝層的邊緣位于所述顯示基板的位于所述圍堰外側(cè)的表面上。
[0026]例如，沿垂直于所述顯示基板的表面的方向截取所述圍堰的截面，該截面的形狀為上邊寬度小于底邊寬度的梯形或上邊寬度等于底邊寬度的矩形。
[0027]例如，所述圍堰的所述截面的形狀為非直角梯形。
[0028]例如，所述圍堰形成首尾相接的封閉環(huán)形，以圍繞所述顯示區(qū)域。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0030]圖1采用薄膜封裝的OLED顯示裝置的截面圖；
[0031]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的截面圖一；
[0032]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的截面圖二 ；
[0033]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的截面圖三；
[0034]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的截面圖四；以及
[0035]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的平面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)以及權(quán)利要求書(shū)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語(yǔ)也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語(yǔ)意指出現(xiàn)在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在“包括”或者“包含”后面列舉的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0038]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種OLED顯示裝置及其封裝方法，能夠在延緩空氣中的水汽和氧氣等從薄膜封裝層的邊緣侵入OLED器件的時(shí)間的同時(shí)采用一塊掩模板形成多個(gè)薄膜封裝層，因此延長(zhǎng)了 OLED器件的壽命，簡(jiǎn)化了薄膜封裝工藝并降低了薄膜封裝的成本。
[0039]下面，將參照?qǐng)D2至圖6，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置及其封裝方法。
[0040]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的封裝方法包括:提供顯示基板1，所述顯示基板I具有顯示區(qū)域01以及位于所述顯示區(qū)域01外側(cè)的周邊區(qū)域02 ;在所述顯示基板I的周邊區(qū)域02形成圍堰30 ;并且采用同一個(gè)掩模板，在所述顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層40，其中所述多個(gè)薄膜封裝層40將所述圍堰30包裹在內(nèi)。
[0041]例如，顯示基板I的顯示區(qū)域01具有以矩陣形式排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括OLED器件及用于驅(qū)動(dòng)OLED器件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(thin film transistor,簡(jiǎn)稱TFT)。
[0042]參見(jiàn)圖2至圖5，顯示基板I包括基底基板10以及依次形成在基底基板10上的緩沖層11、有源層12、柵絕緣層13、柵極層、層間絕緣層15、源漏金屬層、鈍化層18、以及平坦化層19。柵極層包括柵電極14,源漏金屬層包括源電極16和漏電極17。源電極16和漏電極17通過(guò)貫穿層間絕緣層15和柵絕緣層13的過(guò)孔連接到有源層12。有源層12、柵絕緣層13、柵電極14、層間絕緣層15、源電極16和漏電極17構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT。鈍化層18將驅(qū)動(dòng)TFT與后續(xù)形成的OLED器件隔開(kāi)。平坦化層19使顯示基板的表面平坦化。需要說(shuō)明的是，除驅(qū)動(dòng)TFT以外，顯示基板還包括例如開(kāi)關(guān)TFT、存儲(chǔ)電容以及柵線、數(shù)據(jù)線等結(jié)構(gòu)，與驅(qū)動(dòng)TFT 一起用于驅(qū)動(dòng)OLED器件，這些結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)中相同，此處不再贅述。
[0043]繼續(xù)參見(jiàn)圖2至圖5，顯示基板I還包括形成在平坦化層19上的像素界定層21及OLED器件。像素界定層21限定出所述多個(gè)像素單元。OLED器件形成在像素單元內(nèi)并包括第一電極20、第二電極23以及設(shè)置在第一電極20和第二電極23之間的有機(jī)發(fā)光層22。例如，有機(jī)發(fā)光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。OLED器件的第一電極20通過(guò)貫穿平坦化層19和鈍化層18的過(guò)孔連接到驅(qū)動(dòng)TFT的漏極17。
[0044]需要說(shuō)明的是，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT的各個(gè)層、鈍化層18、平坦化層19、像素界定層21及構(gòu)成OLED器件的各個(gè)層可由現(xiàn)有技術(shù)中用于制備這些層的任何已知的材料和方法形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0045]需要說(shuō)明的是，驅(qū)動(dòng)TFT和OLED器件可采用現(xiàn)有技術(shù)中任何已知的結(jié)構(gòu)并且驅(qū)動(dòng)TFT和OLED器件可具有任何已知的相對(duì)位置關(guān)系，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0046]在提供所述顯示基板I之后，在所述顯示基板I的周邊區(qū)域02形成圍堰30。例如，通過(guò)采用普通掩模板的圖案化工藝形成圍堰30。例如，圍堰的厚度為2?5 μ m，寬度為50 ?500 μ mD
[0047]例如，所述圍堰由無(wú)機(jī)材料形成，該無(wú)機(jī)材料為A1203、T12、ZrO2、MgO、HfO2^Ta2O5,Si3N4' AIN、SiN、SiNO, S1、S12, S1x、SiC 和 ITO 中的一種或幾種的組合。
[0048]例如，所述圍堰由有機(jī)材料形成，該有機(jī)材料為PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、PI (聚酰亞胺)、PVC (聚氯乙烯)、PS (聚苯乙烯)、PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、PSO (聚砜)、PES (聚對(duì)苯二乙基砜)、PE(聚乙烯)、PP (聚丙烯)、silicone (聚硅氧烷)、PA(聚酰胺)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、EVAL(乙烯-乙烯醇共聚物)、PAN(聚丙烯氰)、PVAc(聚乙酸乙烯酯)、Parylene (聚對(duì)二甲苯基)、Polyurea(聚脲)、PTFE (聚四氟乙烯)和epoxy resin(環(huán)氧樹(shù)脂)中的一種或幾種的組合。
[0049]例如，所述圍堰由上述無(wú)機(jī)材料中的一種或多種與上述有機(jī)材料中的一種或多種的組合形成。
[0050]例如，沿垂直于所述顯示基板I的方向截取圍堰30的截面，該截面的上邊寬度小于或等于底邊寬度，以利于后續(xù)形成的多個(gè)薄膜封裝層40緊密地覆蓋在OLED器件上而在薄膜封裝層40與OLED器件之間沒(méi)有間隙。進(jìn)一步地，例如所述截面的形狀為上邊寬度小于底邊寬度的梯形或上邊寬度等于底邊寬度的矩形。
[0051]需要說(shuō)明的是，“上邊”是所述截面的遠(yuǎn)離所述顯示基板I的邊，而“底邊”是所述截面的靠近所述顯示基板I的邊。
[0052]進(jìn)一步地，為了后續(xù)形成的多個(gè)薄膜封裝層40與圍堰30密切貼合，例如所述截面的形狀為非直角梯形，即所述截面的兩個(gè)側(cè)邊與所述顯示基板I所成的角度為銳角。
[0053]例如，圍堰30形成首尾相接的封閉環(huán)形，以圍繞顯示區(qū)域01，如圖6所示。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不局限于此，圍堰30也可根據(jù)實(shí)際需要而設(shè)置為具有開(kāi)口的環(huán)形。
[0054]繼續(xù)參見(jiàn)圖2至圖5，在形成圍堰30之后采用同一個(gè)掩模板(未示出)形成多個(gè)薄膜封裝層40，該多個(gè)薄膜封裝層40覆蓋OLED器件并將圍堰30包裹在內(nèi)。例如，掩模板具有開(kāi)口，在形成圍堰30之后將掩模板放置在顯示基板I上，通過(guò)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposit1n,簡(jiǎn)稱PECVD)依次形成多個(gè)薄膜封裝層薄膜，待沉積完畢之后將掩模板及位于掩模板的非開(kāi)口區(qū)域之上的薄膜封裝層薄膜移除而得到覆蓋OLED器件并將圍堰30包裹在內(nèi)的多個(gè)薄膜封裝層40。
[0055]例如，掩模板的開(kāi)口大于或等于圍堰30的外周邊所圍成的區(qū)域，S卩掩模板的開(kāi)口至少要覆蓋顯示基板的顯示區(qū)域以及圍堰30的外周邊到顯示區(qū)域之間的區(qū)域。當(dāng)掩模板的開(kāi)口等于圍堰30的外周邊所圍成的區(qū)域時(shí)，在將掩模板放置在顯示基板I上后掩模板的開(kāi)口恰好露出整個(gè)圍堰30而不露出顯示基板I的位于圍堰30外側(cè)的表面，在此情形下，如圖2至圖4所示所形成的多層薄膜封裝層40的邊緣位于圍堰30的外側(cè)壁上，這增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離，從而增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進(jìn)入OLED器件的距離，延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進(jìn)入OLED器件的時(shí)間。當(dāng)掩模板的開(kāi)口大于圍堰30的外周邊所圍成的區(qū)域時(shí)，在將掩模板放置在顯示基板I上后掩模板的開(kāi)口露出整個(gè)圍堰30并進(jìn)一步露出顯示基板I的位于圍堰30外側(cè)的部分表面，在此情形下，如圖5所示所形成的多層薄膜封裝層40的邊緣位于顯示基板I的位于圍堰30外側(cè)的表面上，這進(jìn)一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離，從而進(jìn)一步增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進(jìn)入OLED器件的距離，并進(jìn)一步延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層40的邊緣進(jìn)入OLED器件的時(shí)間。需要說(shuō)明的是，所述圍堰30的外周邊或外側(cè)均是指圍堰的遠(yuǎn)離顯示區(qū)域的一邊或一側(cè)。
[0056]例如，圍堰30的外周邊圍成的區(qū)域?yàn)閲?0的外側(cè)壁與顯示基板I的交線所圍成的區(qū)域。
[0057]例如，多個(gè)薄膜封裝層40包括交疊堆疊的多個(gè)無(wú)機(jī)薄膜封裝層41和多個(gè)有機(jī)薄膜封裝層42。在這里，不對(duì)多層薄膜封裝層40的具體層數(shù)進(jìn)行限制。例如，在兼顧阻水阻氧能力和輕薄化的情況下，可以形成2-20個(gè)薄膜封裝層40。例如，所述無(wú)機(jī)薄膜封裝層41的厚度為5-20nm，所述有機(jī)薄膜封裝層42的厚度為5nm_20nm。需要說(shuō)明的是，多層薄膜封裝層40可采用任何已知的材料和方法形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0058]參見(jiàn)圖2，圍堰30形成在像素界定層21上。在此情形下，為了簡(jiǎn)化工藝，圍堰30可以與像素界定層21 —體形成。需要說(shuō)明的是，“圍堰30與像素界定層21 —體形成”是指圍堰30與像素界定層21通過(guò)同一材料層并通過(guò)同一構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0059]參見(jiàn)圖3，圍堰30形成在平坦化層19上，像素界定層21將圍堰30包裹在內(nèi)，多層薄膜封裝層40將像素界定層21包裹在內(nèi)，這進(jìn)一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離。在此情形下，為了簡(jiǎn)化工藝，圍堰30可以與平坦化層19 一體形成。相似地，“圍堰30與平坦化層19 一體形成”是指圍堰30與平坦化層19通過(guò)同一材料層并通過(guò)同一構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0060]參見(jiàn)圖4，圍堰30形成在鈍化層18上，平坦化層19和像素界定層21依次將圍堰30包裹在內(nèi)，多層薄膜封裝層40將像素界定層21包裹在內(nèi)，這進(jìn)一步增大了多層薄膜封裝層40的邊緣與OLED器件之間的距離。在此情形下，為了簡(jiǎn)化工藝，圍堰30可以與鈍化層18 一體形成。相似地，“圍堰30與鈍化層18 —體形成”是指圍堰30與鈍化層18通過(guò)同一材料層并通過(guò)同一構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0061]如圖5所示，多個(gè)薄膜封裝層40的邊緣位于顯示基板I的位于圍堰30外側(cè)的表面上。在此情形下，盡管如圖5所示圍堰30形成在像素界定層21上，但是圍堰30也可與圖3或圖4相似地形成在平坦化層19或鈍化層18上。
[0062]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED顯示裝置的封裝方法中，在顯示基板I的周邊區(qū)域形成圍堰；并且采用同一個(gè)掩模板，在顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層，所述多個(gè)薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內(nèi)。由于在顯示基板的周邊區(qū)域形成了圍堰，因而可以通過(guò)同一個(gè)掩模板在顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層，簡(jiǎn)化了薄膜封裝工藝并降低了薄膜封裝的成本。另夕卜，由于在顯示基板的周邊區(qū)域形成了圍堰，多層薄膜封裝層的邊緣位于圍堰的外側(cè)壁上或者位于顯示基板的位于圍堰外側(cè)的表面上，增大了多層薄膜封裝層的邊緣與OLED器件之間的距離，從而增大了空氣中的水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層的邊緣進(jìn)入OLED器件的距離，延緩了水汽和氧氣等從多層薄膜封裝層的邊緣進(jìn)入OLED器件的時(shí)間，延長(zhǎng)了 OLED器件及OLED顯示裝置的壽命。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還提供一種OLED顯示裝置。該OLED顯示裝置包括:顯示基板1，所述顯示基板I具有顯示區(qū)域01及位于所述顯示區(qū)域01外側(cè)的周邊區(qū)域02 ；圍堰30，形成在所述顯示基板I的周邊區(qū)域02中；以及多層封裝層40，形成在所述顯示基板I上并將將所述圍堰30包裹在內(nèi)。在該OLED顯示裝置中，所述多個(gè)薄膜封裝層40的邊緣位于所述圍堰30的外側(cè)壁上，或者所述多個(gè)薄膜封裝層40的邊緣位于所述顯示基板I的位于所述圍堰30外側(cè)的表面上。該OLED顯示裝置的具體結(jié)構(gòu)及其技術(shù)效果可以參見(jiàn)上面的描述，在此不在贅述。
[0064]以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施例，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求確定。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED顯示裝置的封裝方法，包括: 提供顯示基板，所述顯示基板具有顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域； 在所述顯示基板的周邊區(qū)域形成圍堰；并且 采用同一個(gè)掩模板，在所述顯示基板上形成多個(gè)薄膜封裝層，其中所述多個(gè)薄膜封裝層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元； 所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；并且 所述方法包括:將所述圍堰形成在所述像素界定層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝方法，包括: 將所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元； 所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；以及平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；并且 所述方法包括:將所述圍堰形成在所述平坦化層上，將所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，其中所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝方法，包括: 將所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括OLED及驅(qū)動(dòng)所述OLED的驅(qū)動(dòng)TFT ； 所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位于所述平坦化層的下方并將所述驅(qū)動(dòng)TFT與所述OLED隔開(kāi)；并且 所述方法包括:所述圍堰形成在所述鈍化層上，將所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，其中所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝方法，包括: 將所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的封裝方法，其中 所述掩模板具有開(kāi)口，該開(kāi)口大于或等于圍堰的外周邊所圍成的區(qū)域； 當(dāng)將所述掩模板放置在所述顯示基板上時(shí)，所述開(kāi)口恰好露出整個(gè)所述圍堰；或者當(dāng)將所述掩模板放置在所述顯示基板上時(shí)，所述開(kāi)口露出整個(gè)所述圍堰并露出所述顯示基板的位于所述圍堰外側(cè)的部分表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的封裝方法，其中 所述圍堰的沿垂直于所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小于底邊寬度的梯形或上邊寬度等于底邊寬度的矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的封裝方法，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環(huán)形，以圍繞所述顯示區(qū)域。
11.一種OLED顯示裝置，包括: 顯示基板，所述顯示基板具有顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域； 圍堰，形成在所述顯示基板的周邊區(qū)域中；以及 多層封裝層，形成在所述顯示基板上并將將所述圍堰包裹在內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元； 所述顯示基板包括像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；并且 所述圍堰形成在所述像素界定層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中 所述圍堰與所述像素界定層一體形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元； 所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；以及平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；并且 所述圍堰形成在所述平坦化層上，所述像素界定層形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中 所述圍堰與所述平坦化層一體形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中 所述顯示基板的顯示區(qū)域具有矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括OLED及驅(qū)動(dòng)所述OLED的驅(qū)動(dòng)TFT ； 所述顯示基板包括:像素界定層，用以限定所述多個(gè)像素單元；平坦化層，位于所述像素界定層的下方并使所述顯示基板平坦化；以及鈍化層，位于所述平坦化層的下方并將所述驅(qū)動(dòng)TFT與所述OLED隔開(kāi)；并且 所述圍堰形成在所述鈍化層上，所述平坦化層和所述像素界定層依次形成在所述圍堰與所述多個(gè)薄膜封裝層之間，所述平坦化層和所述像素界定層將所述圍堰包裹在內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中 所述圍堰與所述鈍化層一體形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求11-17任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中 所述多個(gè)薄膜封裝層的邊緣位于所述圍堰的外側(cè)壁上，或者所述多個(gè)薄膜封裝層的邊緣位于所述顯示基板的位于所述圍堰外側(cè)的表面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求11-17任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中 所述圍堰的沿垂直于所述顯示基板的表面的方向的截面形狀為上邊寬度小于底邊寬度的梯形或上邊寬度等于底邊寬度的矩形。
20.根據(jù)權(quán)利要求11-17任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中所述圍堰形成首尾相接的封閉環(huán)形，以圍繞所述顯示區(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104241550SQ201410381365
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月5日
【發(fā)明者】張嵩 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司