具有地形玻璃護(hù)層的led芯片封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，地形玻璃護(hù)層用于增強(qiáng)散熱的效果。另外，可以設(shè)置一個(gè)筒狀反射壁，用以圍繞LED芯片，反射LED芯片的光線至前方；地形玻璃護(hù)層可以進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋到筒狀反射壁的內(nèi)壁面，更提高散熱效果。玻璃護(hù)層面積愈大，傳導(dǎo)熱量愈多，使得LED芯片封裝產(chǎn)品的散熱效果愈好。本發(fā)明具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，因?yàn)榫哂休^高的散熱效率，比起傳統(tǒng)的LED芯片而言，本發(fā)明具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝具有較長(zhǎng)的產(chǎn)品壽命。
【專利說明】具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，尤其涉及一種具有沿著地形高低做玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，玻璃護(hù)層可以提供LED芯片封裝產(chǎn)品較佳的散熱效果。

【背景技術(shù)】
[0002]圖1顯示了一種常見LED芯片封裝，LED芯片11安置在中央銅塊10的上方，左邊銅塊101被設(shè)置于中央銅塊10的左邊；右邊銅塊102被設(shè)置于中央銅塊10的右邊。將封裝膠體14填充在銅塊101、10、102之間的間隙，提供電性絕緣并提供銅塊之間的固定功能。LED芯片11具有第一表面電極與第二表面電極,第一表面電極通過金屬線121電性稱合至左邊銅塊101 ;第二表面電極通過金屬線122電性耦合至右邊銅塊102。
[0003]眾所周知，LED芯片點(diǎn)亮?xí)r會(huì)發(fā)熱，長(zhǎng)時(shí)間點(diǎn)亮的熱量累積，會(huì)縮短LED芯片的壽命，如果該些熱量可以更有效地從LED芯片封裝中快速移除，則LED芯片11的壽命可以持續(xù)更長(zhǎng)的時(shí)間。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，根據(jù)實(shí)施例，希望提供一種能快速、有效地移除LED芯片點(diǎn)亮?xí)r發(fā)出的熱量，具有較高的散熱效率，能有效延長(zhǎng)LED芯片使用壽命的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝。
[0005]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含LED芯片、中間銅塊、左邊銅塊、右邊銅塊、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；中間銅塊承載LED芯片；左邊銅塊安置于中間銅塊的左邊；右邊銅塊安置于中間銅塊的右邊；第一金屬線電性耦合第一表面電極到左邊銅塊；第二金屬線電性耦合第二表面電極到右邊銅塊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于LED芯片和銅塊的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
[0006]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的另一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含左邊銅塊、右邊銅塊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層；LED芯片具有第一底面電極和第二底面電極，LED芯片跨坐于左邊銅塊與右邊銅塊上方，第一底面電極電性耦合至左邊銅塊，第二底面電極電性耦合至右邊銅塊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于銅塊以及LED芯片的上表面。
[0007]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的另一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含陶瓷基材、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，左邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面右邊；LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；第一金屬線電性稱合第一表面電極到左邊金屬墊；第二金屬線電性耦合第二表面電極到右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于陶瓷基材、金屬墊以及LED芯片的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
[0008]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的另一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含陶瓷基材、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層，左邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面右邊；LED芯片跨坐于左邊金屬墊以及右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于金屬墊、LED芯片以及陶瓷基材的上表面。
[0009]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的另一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含MCPCB基材、電性絕緣層、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，MCPCB基材具有金屬核心；電性絕緣層設(shè)置于金屬核心的上表面；左邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面右邊；LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；第一金屬線電性稱合第一表面電極至左邊金屬墊；第二金屬線電性耦合第二表面電極至右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于電性絕緣層、金屬墊以及LED芯片的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
[0010]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的另一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，包含MCPCB基材、電性絕緣層、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層，MCPCB基材具有金屬核心；電性絕緣層設(shè)置于金屬核心的上表面；左邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面右邊；LED芯片跨坐于左邊金屬墊與右邊金屬墊上面；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于電性絕緣層、金屬墊以及LED芯片的上表面。
[0011]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種具有地形玻璃護(hù)層的晶圓，其特征是，包含晶圓和地形玻璃護(hù)層，地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于晶圓的上表面。
[0012]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種具有地形玻璃護(hù)層的芯片，其特征是，包含芯片和地形玻璃護(hù)層，芯片具有垂直邊壁；地形玻璃護(hù)層覆蓋于芯片的上表面；地形玻璃護(hù)層具有垂直邊壁，與芯片的垂直邊壁呈齊平狀。
[0013]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種具有地形玻璃護(hù)層的晶圓制程，包含如下步驟:
[0014]準(zhǔn)備晶圓；
[0015]進(jìn)行地形玻璃護(hù)層的涂布。
[0016]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種具有地形玻璃護(hù)層的芯片制程，包含如下步驟:
[0017]準(zhǔn)備芯片；
[0018]準(zhǔn)備玻璃護(hù)層材料，沿著地形高低涂布于芯片表面。
[0019]眾所周知，空氣的導(dǎo)熱系數(shù)是0.024W/mK，而玻璃的導(dǎo)熱系數(shù)為0.8ff/mK ;換算一下，可知玻璃的導(dǎo)熱系數(shù)是空氣的導(dǎo)熱系數(shù)的33倍。因此，玻璃的導(dǎo)熱效果顯然比空氣的導(dǎo)熱效果好很多。本發(fā)明施加地形玻璃護(hù)層(Topographical Glass Coating ；TGC)于LED芯片的上表面，可以將芯片所產(chǎn)生的熱量快速傳遞出去，可以提高LED芯片的散熱效果而延長(zhǎng)LED芯片(以及LED芯片封裝)的壽命。本發(fā)明將地形玻璃護(hù)層施作于LED芯片表面，另外，也可以將地形玻璃護(hù)層的涂布區(qū)域延伸到芯片的周邊區(qū)域，沿著地形的高低作更大面積的地形玻璃護(hù)層的涂布，使得LED芯片所產(chǎn)生的熱量，可以較快地傳送發(fā)散到上面的空氣中。一般的LED芯片的厚度約為50?250微米，本發(fā)明的地形玻璃護(hù)層的厚度小于20nm，相對(duì)于芯片厚度，本發(fā)明的地形玻璃護(hù)層為非常薄的一層護(hù)層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是常見LED芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3A?圖3B是本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖5是本發(fā)明第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖6是本發(fā)明第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖7是本發(fā)明第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖8是本發(fā)明第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖9是本發(fā)明第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖10是本發(fā)明第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖11是本發(fā)明第十實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖12是本發(fā)明第i^一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖13是本發(fā)明的地形玻璃封裝芯片的第一制程的流程圖。
[0033]圖14A?圖14B是圖13所描述的方法制成的產(chǎn)品的示意圖。
[0034]圖15是本發(fā)明的地形玻璃封裝芯片的第二制程的流程圖。
[0035]圖16A?圖16B是圖15所描述的方法制成的產(chǎn)品的示意圖。
[0036]圖17是本發(fā)明的可靠度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)列表圖。
[0037]圖18是圖17的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖標(biāo)。
[0038]其中:11, 21為芯片;10，101，102為銅塊；121，122為金屬線；13為筒狀反射壁；131為內(nèi)壁面；14為封裝膠體；201，202為玻璃護(hù)層；26為電性絕緣層；30為陶瓷基材；40為金屬核心；401，402為銅塊；40為金屬核心印刷電路板；41，42，51，52為金屬墊；60為晶圓；600為具有地形玻璃護(hù)層的晶圓；601為玻璃護(hù)層；602為切割晶圓；61，71為芯片；62為切割線；63，64為垂直邊壁；65，75為具有地形玻璃護(hù)層的芯片；70為切割用膠布；701為玻璃薄膜；702為垂直面；72為空間。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。這些實(shí)施例應(yīng)理解為僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。在閱讀了本發(fā)明記載的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等效變化和修飾同樣落入本發(fā)明權(quán)利要求所限定的范圍。
[0040]本發(fā)明第一實(shí)施例
[0041]圖2顯示一個(gè)具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝。圖中顯示LED芯片11安置在一個(gè)中央銅塊10的上面，LED芯片11具有第一表面電極和第二表面電極，左邊銅塊101設(shè)置于中心銅塊10的左邊。右邊銅塊102設(shè)置于中心銅塊10的右邊。第一金屬線121電性耦合第一表面電極至左邊銅塊101，第二金屬線122電性耦合第二表面電極至右邊銅塊102。地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，包裹覆蓋于金屬線121，122的外表面；地形玻璃護(hù)層201并延著LED芯片11的上表面地形的高低而覆蓋；地形玻璃護(hù)層201并延著銅塊101、10、102的上表面地形的高低而覆蓋之。
[0042]可用于地形玻璃護(hù)層201的材料，可以是氧化硅(S1x)，其中X = 1.5?2、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、和碳氮化硅(SiCxNy)。傳統(tǒng)的濺射處理可以被執(zhí)行，以產(chǎn)生鋁化合物的地形玻璃護(hù)層；一個(gè)傳統(tǒng)的電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposit1n ;PECVD)制程，可用于生產(chǎn)娃化合物的地形玻璃護(hù)層。
[0043]本發(fā)明第二實(shí)施例
[0044]圖3A顯示了一個(gè)具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝；圖中顯示筒狀反射壁13被建立了，圍繞著LED芯片11，用以反射LED芯片11發(fā)出的光線至前方。筒狀反射壁13圍繞LED芯片11、以及金屬線121、122 ;筒狀反射壁13具有內(nèi)壁面131，反射LED芯片11的光線至前方。地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，覆蓋于LED芯片11的上表面，也覆蓋筒狀反射壁13所包圍的區(qū)域的上表面；也就是說，地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，覆蓋LED芯片10的上表面以及銅塊101、10、102的上表面。
[0045]圖3B顯示圖3A的KK’截面圖。圖3B顯示了一個(gè)LED芯片11被安置在中央銅塊10的上表面，地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，覆蓋于筒狀反射壁13所包圍的區(qū)域的上表面；地形玻璃護(hù)層202也分別包裹金屬線121，122的外表面。
[0046]本發(fā)明第三實(shí)施例
[0047]圖4顯示LED芯片11被筒狀反射壁13所包圍。除了筒狀反射壁13所包圍的面積被地形玻璃護(hù)層201覆蓋以外，地形玻璃護(hù)層201更延伸涂布，覆蓋于筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131與上方。本發(fā)明地形玻璃護(hù)層201覆蓋面積愈大，導(dǎo)熱效果愈顯著，因?yàn)椴ＡУ臒醾鲗?dǎo)系數(shù)遠(yuǎn)大于空氣的熱傳導(dǎo)系數(shù)。
[0048]本發(fā)明第四實(shí)施例
[0049]圖5顯示一個(gè)左邊銅塊401和右邊銅塊402，封裝膠體14填充于兩個(gè)銅塊401、402之間的隙縫。左邊銅塊401的上表面、封裝膠體14的上表面、與右邊銅塊402的上表面為共平面。LED芯片21具有雙底面電極，安置在兩個(gè)銅塊401、402上面，分別電性耦合至銅塊401、402。換言之，LED芯片21具有第一底面電極和第二底面電極，LED芯片21橫跨安置在左邊銅塊401和右邊銅塊402上面。LED芯片21的第一底面電極電性耦合至左邊銅塊401，LED芯片21的第二底面電極電性耦合至右邊銅塊402，一個(gè)地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，覆蓋LED芯片21上表面，也覆蓋于銅塊401、402的上表面。一個(gè)筒狀反射壁13可以是選擇性地被建構(gòu)起來，以圍繞LED芯片21 ;地形玻璃護(hù)層201延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131與上方。
[0050]本發(fā)明第五實(shí)施例
[0051]圖6顯示一個(gè)陶瓷基材30被用作為封裝基材。左邊金屬墊41設(shè)置于陶瓷基材30的上表面左邊，右邊金屬墊42設(shè)置于陶瓷基材30的上表面右邊。LED芯片11具有第一表面電極和第二表面電極，第一金屬線121電性稱合第一表面電極至左邊金屬墊41,第二金屬線122電性耦合第二表面電極至右邊金屬墊42 ;地形玻璃護(hù)層201，覆蓋LED芯片11的上表面，也沿著地形高低，覆蓋于金屬墊41、42、陶瓷基材30的上表面。同時(shí)，地形玻璃護(hù)層202包裹著金屬線121、122的外表面。
[0052]本發(fā)明第六實(shí)施例
[0053]圖7顯示具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，它類似于圖6。主要區(qū)別在于，增加設(shè)置了一個(gè)筒狀反射壁13，用以圍繞LED芯片11，用于反射從LED芯片11的光線至前方；地形玻璃護(hù)層201，還延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131與上方表面。
[0054]本發(fā)明第七實(shí)施例
[0055]圖8顯示一個(gè)陶瓷基材30被用作封裝基材。左邊金屬墊41設(shè)置于陶瓷基材30的上表面左邊；右邊金屬墊42設(shè)置于陶瓷基材30的上表面右邊。LED芯片21具有第一底面電極與第二底面電極，跨坐于金屬墊41、42上；第一底面電極電性耦合至左邊金屬墊41，第二底面電極電性耦合至右邊金屬墊42。地形玻璃護(hù)層201覆蓋于LED芯片21、金屬墊41，42、以及陶瓷基材30的上表面。
[0056]一個(gè)筒狀反射壁13可以被建立起來，用以包圍LED芯片21、和金屬墊41，42 ;地形玻璃護(hù)層201還延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131。
[0057]本發(fā)明第八實(shí)施例
[0058]圖9顯不一個(gè)金屬核心印刷電路板(MCPCB)被用作封裝基材。電性絕緣層26形成于金屬核心40的上表面。在這里，鋁(Al)金屬可以是作為金屬核心40的一個(gè)例子。左邊金屬墊51設(shè)置于電性絕緣層26的上表面左邊,右邊金屬墊52設(shè)置于電性絕緣層26的上表面右邊；LED芯片21具有第一表面電極和第二表面電極。第一金屬線121電性稱合第一表面電極至左邊金屬墊51,第二金屬線122電性稱合第二表面電極至右邊金屬墊52 ;地形玻璃護(hù)層201覆蓋LED芯片11、金屬墊51，52、電性絕緣層26的上表面。地形玻璃護(hù)層202覆蓋包裹著金屬線121，122的外表面。
[0059]本發(fā)明第九實(shí)施例
[0060]圖10顯示具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，它類似于圖9。主要區(qū)別在于，增加建立了一個(gè)筒狀反射壁13，用以包圍LED芯片11以及金屬墊51，52，用于反射從LED芯片11發(fā)出的光線到前方。地形玻璃護(hù)層201還延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131以及上方。
[0061]本發(fā)明第十實(shí)施例
[0062]圖11顯示另一 LED芯片封裝。LED芯片21是覆晶芯片，具有第一底面電極與第二底面電極；LED芯片21被安置在金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed CircuitBoard, MCPCB)上面。MCPCB基材具有金屬核心40，在這里，鋁(Al)金屬可以被用作于此一金屬核心40的一個(gè)例子；電性絕緣層26設(shè)置于金屬核心40的上表面，左邊金屬墊51設(shè)置于電性絕緣層26的上表面左邊；右邊金屬墊52設(shè)置于電性絕緣層26的上表面右邊。LED芯片21是覆晶芯片，具有第一底面電極與第二底面電極,跨坐于金屬墊51、52上。第一底面電極電性耦合至左邊金屬墊51，第二底面電極電性耦合至右邊金屬墊52，地形玻璃護(hù)層201沿著地形高低，覆蓋LED芯片21、金屬墊51，52、以及電性絕緣層26的上表面。
[0063]本發(fā)明第i^一實(shí)施例
[0064]圖12是圖11的修飾版本的產(chǎn)品，顯示一個(gè)筒狀反射壁13可以被建立起來，用以圍繞LED芯片21和金屬墊51，52 ;地形玻璃護(hù)層201還延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁13的內(nèi)壁面131。
[0065]本發(fā)明地形玻璃封裝芯片的第一制程
[0066]圖13顯示產(chǎn)生地形玻璃護(hù)層芯片的制程，包含:準(zhǔn)備晶圓60 ;進(jìn)行地形玻璃護(hù)層的涂布601 ;制成具有地形玻璃護(hù)層的晶圓600 ;晶圓切割602 ;以及制成具有地形玻璃護(hù)層的芯片65。
[0067]圖14A顯示晶圓60被準(zhǔn)備了 ；晶圓60上制作有多個(gè)芯片61 ;然后，將玻璃護(hù)層材料，依據(jù)地形高低，施加在晶圓60的上表面，以產(chǎn)生具有地形玻璃護(hù)層的晶圓600。圖14B顯示圖14A的AA’截面圖。圖14B顯示玻璃護(hù)層601，依據(jù)地形高低，施加于各芯片61的上表面；制成具有地形玻璃護(hù)層的晶圓600 ;然后，依據(jù)切割線62加以切割，以產(chǎn)生多個(gè)具有地形玻璃護(hù)層的芯片65。圖中顯示:地形玻璃護(hù)層601具有垂直邊壁63，與芯片61的垂直邊壁64齊平。
[0068]本發(fā)明的地形玻璃封裝芯片的第二制程
[0069]圖15顯示具有地形玻璃護(hù)層的芯片的第二制程，包含:準(zhǔn)備芯片71 ;該些芯片71系安置于切割用膠布70上者；進(jìn)行地形玻璃護(hù)層的涂布701 ;以及制成具有地形玻璃護(hù)層的芯片75。
[0070]圖16A顯示切割用膠布70的上表面貼附有芯片71，該些芯片71搜集自晶圓切割以后挑選出來的多個(gè)芯片71?？臻g72存在于相鄰的芯片71之間，然后將玻璃護(hù)層材料701，依據(jù)地形高低，涂布于芯片71上面。此外，芯片71的前后左右四個(gè)垂直側(cè)面702也被玻璃護(hù)層701所披覆。圖16B顯示圖16A的BB ’截面圖。圖16B顯示了玻璃護(hù)層701施加于各芯片71的上表面以及四個(gè)垂直側(cè)面702的邊壁。
[0071]圖17顯示對(duì)于本發(fā)明產(chǎn)品實(shí)施的一個(gè)可靠度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，本實(shí)驗(yàn)進(jìn)行濕氣和高溫工作壽命(Wet and High~Temperature Operat1n Life, WHTOL),測(cè)試圖 9 的產(chǎn)品在具有S1x玻璃護(hù)層201的芯片封裝產(chǎn)品，比對(duì)于并未涂布S1x玻璃護(hù)層201的芯片封裝產(chǎn)品。實(shí)驗(yàn)組為具有S1 X玻璃護(hù)層的芯片封裝產(chǎn)品，對(duì)照組為未涂布S1x玻璃護(hù)層的芯片封裝產(chǎn)品。實(shí)驗(yàn)條件為:在攝氏85度、相對(duì)濕度85%的條件下進(jìn)行測(cè)試；經(jīng)過1008小時(shí)測(cè)試以后，數(shù)據(jù)顯示一個(gè)35W的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝產(chǎn)品，仍保持100.3%的光強(qiáng)度；而對(duì)照組(不具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝產(chǎn)品)則只剩下78.2%的光強(qiáng)度。圖18顯示，Y坐標(biāo)為光強(qiáng)度(light intensity)、X坐標(biāo)為測(cè)試時(shí)間。在1，008小時(shí)的測(cè)試以后，具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝產(chǎn)品，變化如較高的線型所示，保持幾乎不變的光照強(qiáng)度或100.3%光照強(qiáng)度。然而，不具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝產(chǎn)品，變化如較低的線型所示，只剩下78.2%的光強(qiáng)度。顯然，本發(fā)明在LED芯片的上表面上涂布地形玻璃護(hù)層，確實(shí)對(duì)于產(chǎn)品的散熱有很大的改進(jìn)效果。
【權(quán)利要求】
1.一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含LED芯片、中間銅塊、左邊銅塊、右邊銅塊、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；中間銅塊承載LED芯片；左邊銅塊安置于中間銅塊的左邊；右邊銅塊安置于中間銅塊的右邊；第一金屬線電性耦合第一表面電極到左邊銅塊；第二金屬線電性耦合第二表面電極到右邊銅塊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于LED芯片和銅塊的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片以及金屬線；地形玻璃護(hù)層覆蓋于筒狀反射壁所包圍的區(qū)域的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
4.一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含左邊銅塊、右邊銅塊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層；LED芯片具有第一底面電極和第二底面電極，LED芯片跨坐于左邊銅塊與右邊銅塊上方，第一底面電極電性耦合至左邊銅塊，第二底面電極電性耦合至右邊銅塊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于銅塊以及LED芯片的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片；地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋于筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
7.一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含陶瓷基材、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，左邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面右邊；LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；第一金屬線電性耦合第一表面電極到左邊金屬墊；第二金屬線電性耦合第二表面電極到右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于陶瓷基材、金屬墊以及LED芯片的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片以及金屬線；地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
10.一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含陶瓷基材、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層，左邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于陶瓷基材的上表面右邊；LED芯片跨坐于左邊金屬墊以及右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于金屬墊、LED芯片以及陶瓷基材的上表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片與金屬墊；地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
13.—種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含MCPCB基材、電性絕緣層、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片、第一金屬線、第二金屬線和地形玻璃護(hù)層，MCPCB基材具有金屬核心；電性絕緣層設(shè)置于金屬核心的上表面；左邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面右邊；LED芯片具有第一表面電極和第二表面電極；第一金屬線電性耦合第一表面電極至左邊金屬墊；第二金屬線電性耦合第二表面電極至右邊金屬墊；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于電性絕緣層、金屬墊以及LED芯片的上表面，并包裹覆蓋在金屬線的外表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片與金屬墊；地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
16.一種具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，包含MCPCB基材、電性絕緣層、左邊金屬墊、右邊金屬墊、LED芯片和地形玻璃護(hù)層，MCPCB基材具有金屬核心；電性絕緣層設(shè)置于金屬核心的上表面；左邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面左邊；右邊金屬墊設(shè)置于電性絕緣層的上表面右邊；LED芯片跨坐于左邊金屬墊與右邊金屬墊上面；地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于電性絕緣層、金屬墊以及LED芯片的上表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，進(jìn)一步包含筒狀反射壁，筒狀反射壁包圍LED芯片與金屬墊；地形玻璃護(hù)層進(jìn)一步延伸涂布，覆蓋于筒狀反射壁的內(nèi)壁面。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有地形玻璃護(hù)層的LED芯片封裝，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
19.一種具有地形玻璃護(hù)層的晶圓，其特征是，包含晶圓和地形玻璃護(hù)層，地形玻璃護(hù)層沿著地形高低，覆蓋于晶圓的上表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的具有地形玻璃護(hù)層的晶圓，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
21.一種具有地形玻璃護(hù)層的芯片，其特征是，包含芯片和地形玻璃護(hù)層，芯片具有垂直邊壁；地形玻璃護(hù)層覆蓋于芯片的上表面；地形玻璃護(hù)層具有垂直邊壁，與芯片的垂直邊壁呈齊平狀。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的具有地形玻璃護(hù)層的芯片，其特征是，玻璃護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧氮化鋁、二氧化硅或碳氮化硅。
23.一種具有地形玻璃護(hù)層的晶圓制程，其特征是，包含如下步驟: 準(zhǔn)備晶圓； 進(jìn)行地形玻璃護(hù)層的涂布。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的具有地形玻璃護(hù)層的晶圓制程，其特征是，進(jìn)一步包含如下步驟:切割，制成具有地形玻璃護(hù)層的芯片。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的具有地形玻璃護(hù)層的晶圓制程，其特征是，地形玻璃護(hù)層具有四個(gè)垂直邊壁；芯片具有四個(gè)垂直邊壁，地形玻璃護(hù)層的四個(gè)垂直邊壁與芯片的四個(gè)垂直邊壁呈齊平狀。
26.一種具有地形玻璃護(hù)層的芯片制程，其特征是，包含如下步驟: 準(zhǔn)備芯片； 準(zhǔn)備玻璃護(hù)層材料，沿著地形高低涂布于芯片表面。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的具有地形玻璃護(hù)層的芯片制程，其特征是，將地形玻璃護(hù)層覆蓋于芯片的上表面和四個(gè)垂直邊緣。
【文檔編號(hào)】H01L33/56GK104425684SQ201410383365
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】刑陳震侖, 郭倩丞, 洪榮豪, 李正中, 林鼎堯, 李孟锜, 蔡秉純 申請(qǐng)人:葳天科技股份有限公司