充有滅弧氣體的阻斷式滅弧室的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種充有滅弧氣體的阻斷式滅弧室，該滅弧室包括：外殼、靜觸座、動(dòng)觸座、以及限位桿。本發(fā)明所述的阻斷式滅弧室中，靜觸座內(nèi)包括粘接在一起的靜座絕緣體和靜座導(dǎo)體，動(dòng)觸座內(nèi)包括粘接在一起的動(dòng)座絕緣體和動(dòng)座導(dǎo)體。所述外殼內(nèi)部充有滅弧氣體；所述限位桿采用絕緣材料制成。當(dāng)向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座至限位桿處，使得所述靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體連通；當(dāng)需要斷開電路時(shí)，向下移動(dòng)所述動(dòng)觸座，在靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體斷開的同時(shí)靜座絕緣體和動(dòng)座絕緣體緊密貼合在一起，使得靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體被阻隔，從而達(dá)到有效滅弧的效果。
【專利說明】充有滅弧氣體的阻斷式滅弧室
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01110213731.0，申請(qǐng)日為2011年7月28日，發(fā)明創(chuàng)造名稱為“阻斷式滅弧室”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種滅弧室，特別是涉及一種在電路斷開時(shí)即刻對(duì)連接觸點(diǎn)進(jìn)行阻隔的阻斷式滅弧室。

【背景技術(shù)】
[0003]電弧是一種氣體放電現(xiàn)象，電弧是高溫高導(dǎo)電率的游離氣體，它不僅對(duì)觸頭有很大的破壞作用，而且使斷開電路的時(shí)間延長(zhǎng)。因此，在實(shí)際中，需要對(duì)容易產(chǎn)生電弧的場(chǎng)合進(jìn)行滅弧，而滅弧的措施之一就是:改善滅弧介質(zhì)，增大弧隙間的電絕緣強(qiáng)度即圍繞著機(jī)械式開關(guān)的弧觸頭，用以限制電弧并幫助電弧熄滅的措施。
[0004]綜上所述，亟待解決的問題是，制造出相應(yīng)的滅弧裝置以通過具體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)上述滅弧工作。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種阻斷式滅弧室，其在電路斷開時(shí)即刻對(duì)連接觸點(diǎn)之間進(jìn)行有效阻隔，顯著提高滅弧效果，增加電路的安全性，以防止對(duì)電路造成損壞和意外事故的發(fā)生。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種充有滅弧氣體的阻斷式滅弧室，該滅弧室包括:外殼，該外殼內(nèi)部為封閉空間；此外，該滅弧室還包括:靜觸座，該靜觸座為L(zhǎng)型，固定于所述外殼內(nèi)部，該靜觸座中包括粘接在一起的靜座絕緣體和靜座導(dǎo)體；動(dòng)觸座，該動(dòng)觸座為L(zhǎng)型,可沿軌套內(nèi)部滑動(dòng),該動(dòng)觸座中包括粘接在一起的動(dòng)座絕緣體和動(dòng)座導(dǎo)體；限位桿，當(dāng)向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座，使得所述靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體連通時(shí)，該限位桿限制所述動(dòng)觸座繼續(xù)向上移動(dòng)；其中，當(dāng)需要接通電路時(shí)，向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座至限位桿處，使得所述靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體連通；當(dāng)需要斷開電路時(shí)，向下移動(dòng)所述動(dòng)觸座，在靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體斷開的同時(shí)，所述靜座絕緣體和動(dòng)座絕緣體緊密貼合在一起，使得靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體被阻隔。
[0007]上述的阻斷式滅弧室中，所述外殼內(nèi)部充有滅弧氣體。所述限位桿采用絕緣材料制成。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明所述的阻斷式滅弧室中，靜觸座內(nèi)包括粘接在一起的靜座絕緣體和靜座導(dǎo)體，動(dòng)觸座內(nèi)包括粘接在一起的動(dòng)座絕緣體和動(dòng)座導(dǎo)體。當(dāng)向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座至限位桿處，使得所述靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體連通；當(dāng)需要斷開電路時(shí)，向下移動(dòng)所述動(dòng)觸座，在靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體斷開的同時(shí)靜座絕緣體和動(dòng)座絕緣體緊密貼合在一起，使得靜座導(dǎo)體和動(dòng)座導(dǎo)體被阻隔，從而達(dá)到有效滅弧的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明阻斷式滅弧室的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為本發(fā)明阻斷式滅弧室連通時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖3為本發(fā)明阻斷式滅弧室即將斷開時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]為進(jìn)一步揭示本發(fā)明的技術(shù)方案，茲結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式:
圖1為本發(fā)明阻斷式滅弧室的整體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明阻斷式滅弧室連通時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本發(fā)明阻斷式滅弧室即將斷開時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，包括:外殼10，該外殼10內(nèi)部為封閉空間，該封閉空間內(nèi)部充有滅弧氣體，比如六氟化硫；此外，該滅弧室還包括:靜觸座11，該靜觸座11固定于所述外殼10內(nèi)部,該靜觸座11中包括粘接在一起的靜座絕緣體111和靜座導(dǎo)體112 ;動(dòng)觸座12，該動(dòng)觸座12可沿軌套13內(nèi)部滑動(dòng)，該動(dòng)觸座12中包括粘接在一起的動(dòng)座絕緣體121和動(dòng)座導(dǎo)體122 ;限位桿14，該限位桿14采用絕緣材料制成，當(dāng)向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座12，使得所述靜座導(dǎo)體112和動(dòng)座導(dǎo)體122連通時(shí)，該限位桿14限制所述動(dòng)觸座12繼續(xù)向上移動(dòng)。
[0013]以下結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明阻斷式滅弧室工作時(shí)的動(dòng)作情況:
工作時(shí)，當(dāng)需要接通電路時(shí)，向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座12至限位桿14處，使得所述靜座導(dǎo)體112和動(dòng)座導(dǎo)體122連通；當(dāng)需要斷開電路時(shí)，向下移動(dòng)所述動(dòng)觸座12，在靜座導(dǎo)體112和動(dòng)座導(dǎo)體122斷開的同時(shí),所述靜座絕緣體111和動(dòng)座絕緣體121緊密貼合在一起,使得靜座導(dǎo)體112和動(dòng)座導(dǎo)體122被阻隔，從而達(dá)到有效滅弧的效果。
[0014]以上通過對(duì)所列實(shí)施方式的介紹，闡述了本發(fā)明的基本構(gòu)思和基本原理。但本發(fā)明絕不限于上述所列實(shí)施方式，凡是基于本發(fā)明的技術(shù)方案所作的等同變化、改進(jìn)及故意變劣等行為，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種充有滅弧氣體的阻斷式滅弧室，該滅弧室包括:外殼(10)，該外殼(10)內(nèi)部為封閉空間；其特征在于，該滅弧室還包括:靜觸座(11)，該靜觸座(11)為L(zhǎng)型，固定于所述外殼(10)內(nèi)部，該靜觸座(11)中包括粘接在一起的靜座絕緣體(111)和靜座導(dǎo)體(112)；動(dòng)觸座(12 )，該動(dòng)觸座(12 )為L(zhǎng)型，可沿軌套(13 )內(nèi)部滑動(dòng)，該動(dòng)觸座(12)中包括粘接在一起的動(dòng)座絕緣體(121)和動(dòng)座導(dǎo)體(122)；限位桿(14)，當(dāng)向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座(12)，使得所述靜座導(dǎo)體(112)和動(dòng)座導(dǎo)體(122)連通時(shí)，該限位桿(14)限制所述動(dòng)觸座(12)繼續(xù)向上移動(dòng)；其中，當(dāng)需要接通電路時(shí)，向上移動(dòng)所述動(dòng)觸座(12)至限位桿(14)處，使得所述靜座導(dǎo)體(112)和動(dòng)座導(dǎo)體(122)連通；當(dāng)需要斷開電路時(shí)，向下移動(dòng)所述動(dòng)觸座(12)，在靜座導(dǎo)體(112)和動(dòng)座導(dǎo)體(122)斷開的同時(shí),所述靜座絕緣體(111)和動(dòng)座絕緣體(121)緊密貼合在一起，使得靜座導(dǎo)體(112)和動(dòng)座導(dǎo)體(122)被阻隔； 上述阻斷式滅弧室中，所述外殼(10)內(nèi)部充有滅弧氣體；所述限位桿(14)采用絕緣材料制成。
【文檔編號(hào)】H01H9/30GK104167316SQ201410386214
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月28日
【發(fā)明者】胡妍 申請(qǐng)人:胡妍