一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片及其制作方法，本發(fā)明在將N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件按矩陣排列的方式排列在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間時(shí)，在上陶瓷基片與下陶瓷基片上都分別制作出按矩陣排列的雙元件卡固凹槽，在雙元件卡固凹槽中設(shè)有金屬導(dǎo)流片，同時(shí)在下陶瓷基片上還設(shè)有兩個(gè)單元件卡固凹槽，在單元件卡固凹槽中設(shè)有金屬電極，通過(guò)卡固凹槽和焊接的方式將N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件固定在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間，同時(shí)在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間還設(shè)有絕緣隔熱墊片。本發(fā)明不僅具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易的優(yōu)點(diǎn)，而且還具有熱電轉(zhuǎn)換效率較高、芯片工作穩(wěn)定性好、質(zhì)量可靠、制作成本較低等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體發(fā)電【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]利用半導(dǎo)體溫差發(fā)電的原理已被廣泛應(yīng)用，將P型和N型半導(dǎo)體材料制作成溫差發(fā)電的元件，并將其交替排列并用金屬導(dǎo)流片將其串連連接成電路回路后，再用陶瓷等高導(dǎo)熱絕緣材料封裝起來(lái)，形成溫差發(fā)電裝置的核心一溫差感應(yīng)發(fā)電芯片是目前最常使用的半導(dǎo)體發(fā)電元件。目前，在現(xiàn)有技術(shù)中，溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的普遍做法是直接將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體采用錫焊的方式焊接在鋪設(shè)在陶瓷平面上的金屬導(dǎo)流片上，這種做法不僅要求具有較高的焊接工藝水平，而且對(duì)其所用的錫焊焊接材料也要求進(jìn)行嚴(yán)格的控制，因?yàn)楹附硬牧嫌枚鄷r(shí)容易造成電路回路之間的短路，焊接材料用少了又容易造成半導(dǎo)體元件的脫落，從而造成整個(gè)芯片的報(bào)廢。由于現(xiàn)有技術(shù)的這種工藝水平的限制，使得現(xiàn)有的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片不僅存在著制作困難、制作成本高、廢品率高的問(wèn)題，而且還存在著質(zhì)量穩(wěn)定性差、功率密度低、熱電轉(zhuǎn)換效率低等問(wèn)題，因此現(xiàn)有的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方式及使用效果還是不夠理想。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是:提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易、熱電轉(zhuǎn)換效率較高、芯片電路不會(huì)出現(xiàn)短路、工作穩(wěn)定性好、質(zhì)量可靠的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片及其制作方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
[0004]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:本發(fā)明的一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方法為，該方法包括采用N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件，在將N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件按矩陣排列的方式排列在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間時(shí)，在上陶瓷基片與下陶瓷基片上都分別制作出按矩陣排列的雙元件卡固凹槽，同時(shí)在下陶瓷基片的最外側(cè)對(duì)稱兩端分別制作出一個(gè)單元件卡固凹槽，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定一個(gè)金屬導(dǎo)流片，在兩個(gè)單元件卡固凹槽的底部都分別固定一個(gè)用于與負(fù)載連接的金屬電極；將每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的一端都分別卡固在上陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將其端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外將其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的另一端都分別卡固在下陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將該端的端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，將剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件的另一端卡固在單元件卡固凹槽內(nèi)、并且將其端部焊接在金屬電極上，使每個(gè)雙元件卡固凹槽中的金屬導(dǎo)流片上都分別連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，并且在一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，在另一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件，這樣即可通過(guò)金屬導(dǎo)流片使所有的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極之間，同時(shí)在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間設(shè)有用于穩(wěn)固N(yùn)型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件及隔熱用的絕緣隔熱墊片。
[0005]上述在將金屬導(dǎo)流片固定在雙元件卡固凹槽底部、或?qū)⒔饘匐姌O固定在單元件卡固凹槽底部時(shí)，采用印刷電路工藝將金屬導(dǎo)流片固定在雙元件卡固凹槽底部、或?qū)⒔饘匐姌O固定在單元件卡固凹槽底部。
[0006]上述在焊接時(shí)，采用錫焊的方式將N型半導(dǎo)體元件或P型半導(dǎo)體元件的底部焊接固定在金屬導(dǎo)流片上或焊接固定在金屬電極上。
[0007]根據(jù)上述方法構(gòu)建的本發(fā)明的一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片為，包括作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件的N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件、以及作為芯片基體用的上陶瓷基片與下陶瓷基片，在上陶瓷基片和下陶瓷基片上設(shè)有按矩陣排列的雙元件卡固凹槽，并且在下陶瓷基片上最外側(cè)對(duì)稱兩端分別設(shè)有一個(gè)單元件卡固凹槽，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定有一個(gè)金屬導(dǎo)流片，在兩個(gè)單元件卡固凹槽的底部分別固定有一個(gè)金屬電極；每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的一端都分別卡固在上陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且其端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外、其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的另一端都分別卡固在下陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且其端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件的另一端卡固在單元件卡固凹槽內(nèi)、并且其端部焊接在金屬電極上，即在每個(gè)雙元件卡固凹槽中的金屬導(dǎo)流片上都連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，通過(guò)金屬導(dǎo)流片使所有的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件分別首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極之間，并且在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間設(shè)有絕緣隔熱墊片。
[0008]上述的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的數(shù)量相等，并且N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的數(shù)量之和大于或等于4個(gè)。
[0009]上述N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的較佳數(shù)量之和為4?500個(gè)。
[0010]上述N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的最佳數(shù)量之和為20?200個(gè)。
[0011]在上述N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的空隙之間填充有硅膠。
[0012]上述的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的截面形狀為圓形或矩形。
[0013]上述的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件的外形結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐柱形或梯形柱狀結(jié)構(gòu)。
[0014]由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明在上陶瓷基片和下陶瓷基片上制作出用于穩(wěn)固半導(dǎo)體元件的雙元件卡固凹槽及單元件卡固凹槽，并采用印刷電路的方式將導(dǎo)流金屬片和金屬電極分別制作在雙元件卡固凹槽及單元件卡固凹槽的底部，這樣即可通過(guò)凹槽將N型半導(dǎo)體元件或P型半導(dǎo)體元件可靠地包裹住，同時(shí)由于凹槽的作用，使得在進(jìn)行錫焊時(shí)，其焊接材料不會(huì)到處流淌，只會(huì)集中在凹槽內(nèi)，因此只要采用較少的焊接材料即可使半導(dǎo)體元件能夠可靠地焊接在導(dǎo)流金屬片或金屬電極上，同時(shí)由于采用了凹槽結(jié)構(gòu)，不僅使整個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)更加緊湊，而且還能提高單位基片安裝半導(dǎo)體元件的密度，從而提高芯片的功率密度和提高熱電轉(zhuǎn)換效率；此外，本發(fā)明采用凹槽將N型半導(dǎo)體元件或P型半導(dǎo)體元件可靠地包裹住，同時(shí)再采用絕緣隔熱墊片結(jié)構(gòu)和填充硅膠等技術(shù)手段，這不僅能有效提高整個(gè)芯片結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，而且還能提高半導(dǎo)體的熱電轉(zhuǎn)換效率。因此，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不僅具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易、對(duì)焊接工藝技術(shù)水平要求不高的優(yōu)點(diǎn)，而且還具有熱電轉(zhuǎn)換效率較高、芯片電路不會(huì)出現(xiàn)短路、制作時(shí)合格率高、芯片工作穩(wěn)定性好、質(zhì)量可靠、制作成本較低等優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為圖1的俯視結(jié)構(gòu)意圖。
[0016]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1- N型半導(dǎo)體元件，2-P型半導(dǎo)體元件，3-上陶瓷基片，4-下陶瓷基片，5-雙元件卡固凹槽，6-單元件卡固凹槽，7-金屬導(dǎo)流片，8-金屬電極，9-絕緣隔熱墊片，10-娃月父。

【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)。
[0018]本發(fā)明的實(shí)施例:在實(shí)施本發(fā)明一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方法時(shí)，可采用現(xiàn)有技術(shù)中的N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件，實(shí)施時(shí)，在將N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件按矩陣排列的方式排列在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間時(shí)，在上陶瓷基片與下陶瓷基片上都分別制作出按矩陣排列的雙元件卡固凹槽，同時(shí)在下陶瓷基片的最外側(cè)對(duì)稱兩端分別制作出一個(gè)單元件卡固凹槽，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定一個(gè)金屬導(dǎo)流片，在兩個(gè)單元件卡固凹槽的底部都分別固定一個(gè)用于與負(fù)載連接的金屬電極；將每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的一端都分別卡固在上陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將其端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外將其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的另一端都分別卡固在下陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將該端的端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，將剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件的另一端卡固在單元件卡固凹槽內(nèi)、并且將其端部焊接在金屬電極上，使每個(gè)雙元件卡固凹槽中的金屬導(dǎo)流片上都分別連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，并且在一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，在另一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件，這樣即可通過(guò)金屬導(dǎo)流片使所有的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極之間，同時(shí)在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間設(shè)有用于穩(wěn)固N(yùn)型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件及隔熱用的絕緣隔熱墊片；在將金屬導(dǎo)流片固定在雙元件卡固凹槽底部、或?qū)⒔饘匐姌O固定在單元件卡固凹槽底部時(shí)，可采用現(xiàn)有的印刷電路工藝將金屬導(dǎo)流片固定在雙元件卡固凹槽底部、或?qū)⒔饘匐姌O固定在單元件卡固凹槽底部；在進(jìn)行焊接時(shí)，可直接采用傳統(tǒng)的錫焊的方式將N型半導(dǎo)體元件或P型半導(dǎo)體元件的底部焊接固定在金屬導(dǎo)流片上或焊接固定在金屬電極上。
[0019]根據(jù)上述方法構(gòu)建的本發(fā)明的一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1和圖2所示，該半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片包括作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件的N型半導(dǎo)體元件I和P型半導(dǎo)體元件2、以及作為芯片基體用的上陶瓷基片3與下陶瓷基片4，制作時(shí)，在上陶瓷基片3和下陶瓷基片4上制作出按矩陣排列的雙元件卡固凹槽5，并且在下陶瓷基片4上最外側(cè)對(duì)稱兩端分別設(shè)有一個(gè)單元件卡固凹槽6，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定有一個(gè)金屬導(dǎo)流片7，在兩個(gè)單元件卡固凹槽6的底部分別固定一個(gè)金屬電極8 ;將每個(gè)N型半導(dǎo)體元件I和P型半導(dǎo)體元件2的一端都分別卡固在上陶瓷基片3的雙元件卡固凹槽5中，使上陶瓷基片3上的每個(gè)雙元件卡固凹槽5中都裝有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，并且使其端部焊接在金屬導(dǎo)流片7上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外、將其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件I和P型半導(dǎo)體元件2的另一端都分別卡固在下陶瓷基片4的雙元件卡固凹槽5中、并且將其端部焊接在金屬導(dǎo)流片7上，將剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件I和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件2的另一端卡固在單元件卡固凹槽6內(nèi)、并且將其端部焊接在金屬電極8上，即在每個(gè)雙元件卡固凹槽5中的金屬導(dǎo)流片7上都連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件I和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件2，通過(guò)金屬導(dǎo)流片7使所有的N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2分別首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極8之間，這樣在使用時(shí)，只要將負(fù)載連接在兩個(gè)金屬電極8上，即可使負(fù)載通電，形成電路回路；為了達(dá)到更好的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和熱電轉(zhuǎn)換效率，在上陶瓷基片3與下陶瓷基片4之間安裝一個(gè)絕緣隔熱墊片9，絕緣隔熱墊片9可采用常規(guī)的電絕緣隔熱材料制作；制作時(shí)，應(yīng)使N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的數(shù)量相等，并且使N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的數(shù)量之和大于或等于4個(gè)；N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的數(shù)量之和可根據(jù)所需的電壓值確定，一般情況下應(yīng)控制在4?500個(gè)；最好是將N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的數(shù)量之和控制在20?200個(gè)之間；制作時(shí)，可將N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的截面形狀為圓形或矩形，并將N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的外形結(jié)構(gòu)制作為圓柱形、圓錐柱形或梯形柱狀結(jié)構(gòu)；為了達(dá)到最佳的熱電轉(zhuǎn)換效率和提高整個(gè)芯片的強(qiáng)度，可在N型半導(dǎo)體元件I與P型半導(dǎo)體元件2的空隙之間填充滿硅膠10即成。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方法，包括采用N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件，其特征在于:在將N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件按矩陣排列的方式排列在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間時(shí)，在上陶瓷基片與下陶瓷基片上都分別制作出按矩陣排列的雙元件卡固凹槽，同時(shí)在下陶瓷基片的最外側(cè)對(duì)稱兩端分別制作出一個(gè)單元件卡固凹槽，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定一個(gè)金屬導(dǎo)流片，在兩個(gè)單元件卡固凹槽的底部都分別固定一個(gè)用于與負(fù)載連接的金屬電極；將每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的一端都分別卡固在上陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將其端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外將其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件的另一端都分別卡固在下陶瓷基片的雙元件卡固凹槽中、并且將該端的端部焊接在金屬導(dǎo)流片上，將剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件的另一端卡固在單元件卡固凹槽內(nèi)、并且將其端部焊接在金屬電極上，使每個(gè)雙元件卡固凹槽中的金屬導(dǎo)流片上都分別連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，并且在一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)P型半導(dǎo)體元件，在另一個(gè)金屬電極上固定有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件，這樣即可通過(guò)金屬導(dǎo)流片使所有的N型半導(dǎo)體元件與P型半導(dǎo)體元件首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極之間，同時(shí)在上陶瓷基片與下陶瓷基片之間設(shè)有用于穩(wěn)固N(yùn)型半導(dǎo)體元件和P型半導(dǎo)體元件及隔熱用的絕緣隔熱墊片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方法，其特征在于:采用印刷電路工藝將金屬導(dǎo)流片固定在雙元件卡固凹槽底部、或?qū)⒔饘匐姌O固定在單元件卡固凹槽底部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片的制作方法，其特征在于:焊接時(shí)，采用錫焊的方式將N型半導(dǎo)體元件或P型半導(dǎo)體元件的底部焊接固定在金屬導(dǎo)流片上或焊接固定在金屬電極上。
4.一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法構(gòu)建的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，包括作為溫差感應(yīng)發(fā)電元件的N型半導(dǎo)體元件(I)和P型半導(dǎo)體元件(2)、以及作為芯片基體用的上陶瓷基片(3)與下陶瓷基片(4)，其特征在于:在上陶瓷基片(3)和下陶瓷基片(4)上設(shè)有按矩陣排列的雙元件卡固凹槽(5)，并且在下陶瓷基片(4)上最外側(cè)對(duì)稱兩端分別設(shè)有一個(gè)單元件卡固凹槽(6)，然后在每個(gè)雙元件卡固凹槽的底部都固定有一個(gè)金屬導(dǎo)流片(7)，在兩個(gè)單元件卡固凹槽(6 )的底部分別固定有一個(gè)金屬電極(8 );每個(gè)N型半導(dǎo)體元件(I)和P型半導(dǎo)體元件(2)的一端都分別卡固在上陶瓷基片的雙元件卡固凹槽(5)中、并且其端部焊接在金屬導(dǎo)流片(7)上，除一個(gè)N型半導(dǎo)體元件和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件外、其余每個(gè)N型半導(dǎo)體元件(I)和P型半導(dǎo)體元件(2)的另一端都分別卡固在下陶瓷基片(4)的雙元件卡固凹槽(5)中、并且其端部焊接在金屬導(dǎo)流片(7)上，剩余的一個(gè)N型半導(dǎo)體元件(I)和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件(2)的另一端卡固在單元件卡固凹槽(6)內(nèi)、并且其端部焊接在金屬電極(8)上，即在每個(gè)雙元件卡固凹槽(5)中的金屬導(dǎo)流片(7)上都連接有一個(gè)N型半導(dǎo)體元件(I)和一個(gè)P型半導(dǎo)體元件(2)，通過(guò)金屬導(dǎo)流片(7)使所有的N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)分別首尾相連地串聯(lián)在兩個(gè)金屬電極(8)之間，并且在上陶瓷基片(3)與下陶瓷基片(4)之間設(shè)有絕緣隔熱墊片(9)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:所述的N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的數(shù)量相等，并且N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的數(shù)量之和大于或等于4個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的數(shù)量之和為4?500個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的數(shù)量之和為20?200個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:在N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2 )的空隙之間填充有硅膠(10 )。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:所述的N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的截面形狀為圓形或矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差感應(yīng)發(fā)電芯片，其特征在于:所述的N型半導(dǎo)體元件(I)與P型半導(dǎo)體元件(2)的外形結(jié)構(gòu)為圓柱形、圓錐柱形或梯形柱狀結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L35/34GK104134746SQ201410388235
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】王林, 顧偉, 陳志明 申請(qǐng)人:王林, 顧偉, 陳志明