布線基板及其制造方法
【專利摘要】一種具有窄間距TSV構(gòu)造的布線基板及其制造方法。絕緣部(5)由填充在半導(dǎo)體基板(1)的厚度方向上所形成的槽或孔的內(nèi)部(121)的絕緣物構(gòu)成。柱狀導(dǎo)體(311～316)被填充在以窄間距(d1、d2)配置在絕緣部(5)的面內(nèi)且在厚度方向上延伸的槽或孔的內(nèi)部。
【專利說明】布線基板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及適用了 TSV(Through-Silicon-Via)技術(shù)的布線基板及其制造方法。更具體地說，涉及適用了窄間距TSV形成技術(shù)的布線基板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在適用TSV(Through-Silicon-Via)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)三維布線基板時(shí)，必須使貫通電極與硅基板電絕緣。作為電絕緣的方法，專利文獻(xiàn)I公開了以下技術(shù):以包圍貫通電極的方式設(shè)置貫通硅基板的環(huán)狀的分離槽，在分離槽的底面及側(cè)面上直接形成硅膜，接著以填埋殘留在分離槽內(nèi)的間隙的方式，在硅膜上形成絕緣膜，對(duì)與分離槽的內(nèi)周側(cè)面及外周側(cè)面分別接觸的硅膜的表面進(jìn)行熱氧化，形成硅熱氧化膜。
[0003]但是，難以形成足夠厚的絕緣膜，構(gòu)成貫通電極的金屬成分例如Cu向硅氧化膜擴(kuò)散，進(jìn)一步向硅基板中擴(kuò)散，存在電絕緣特性受損的情況。此外，還存在在絕緣膜上產(chǎn)生裂痕、絕緣功能受損的情況。
[0004]專利文獻(xiàn)2公開了有效地解決上述問題的技術(shù)。專利文獻(xiàn)2所公開的布線基板制造方法包括絕緣層形成工序和柱狀導(dǎo)體形成工序。絕緣層形成工序在半導(dǎo)體基板的厚度方向上形成孔或槽，在孔或槽內(nèi)形成絕緣層。柱狀導(dǎo)體形成工序在由絕緣層包圍的區(qū)域內(nèi)形成孔或槽，在孔或槽內(nèi)形成包含金屬成分或合金成分的縱柱狀導(dǎo)體。
[0005]根據(jù)專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)，可獲得能夠形成物理/化學(xué)強(qiáng)度優(yōu)良的絕緣部；能夠形成沒有間隙、空洞、裂痕等缺陷的高可靠度的絕緣部；能夠形成具有各種電特性的絕緣部等優(yōu)點(diǎn)。
[0006]但是，專利文獻(xiàn)2沒有公開以窄間距并設(shè)多個(gè)縱柱狀導(dǎo)體的窄間距TSV形成技術(shù)。若縱柱狀導(dǎo)體的配置間距達(dá)到例如4 μ m以下，則應(yīng)形成縱柱狀導(dǎo)體的槽或孔只要產(chǎn)生微小的位置偏移，就容易產(chǎn)生接觸等不良模式。專利文獻(xiàn)2沒有公開用于避免發(fā)生這種不良模式的方法。
[0007]此外，若要形成窄間距TSV，則在制造工藝中，用于支撐縱柱狀導(dǎo)體或絕緣部的支柱的截面積減小，在制造工藝中存在引發(fā)支柱折損、位置偏移、支柱間接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。專利文獻(xiàn)2對(duì)于用于避免發(fā)生這種不良模式的方法也沒有進(jìn)行公開。
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-251964號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本專利第5225479號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的課題在于提供一種具有窄間距TSV構(gòu)造的布線基板及其制造方法。
[0011]本發(fā)明的另一個(gè)課題在于提供適合于形成窄間距TSV的布線基板制造方法。
[0012]本發(fā)明的再一個(gè)課題在于提供如下布線基板制造方法:即使在用于支撐絕緣物或柱狀導(dǎo)體的柱狀體的截面積因窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體的折損、位置偏移、柱狀體間接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0013]為了解決上述課題中的至少一個(gè)，本發(fā)明的一種布線基板包括半導(dǎo)體基板、絕緣部及多個(gè)柱狀導(dǎo)體。上述絕緣部是填充于在上述半導(dǎo)體基板的厚度方向上所形成的槽或孔的內(nèi)部的絕緣物。上述多個(gè)柱狀導(dǎo)體被填充在以窄間距配置在上述絕緣部的面內(nèi)且在厚度方向上延伸的槽或孔的內(nèi)部。
[0014]如上所述，在本發(fā)明的布線基板中，絕緣部由填充于在半導(dǎo)體基板的厚度方向上所形成的槽或孔的內(nèi)部的絕緣物構(gòu)成，因此絕緣部與由Si基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板一體化。
[0015]多個(gè)柱狀導(dǎo)體被填充在以窄間距配置在與由Si基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板一體化的絕緣部的面內(nèi)且在厚度方向上延伸的微細(xì)空間的內(nèi)部。因此，多個(gè)柱狀導(dǎo)體分別通過共同化的一個(gè)絕緣部相互電絕緣，并且與半導(dǎo)體基板也電絕緣。該電絕緣構(gòu)造與將多個(gè)柱狀導(dǎo)體分別電絕緣并配置在半導(dǎo)體基板上的情況(例如專利文獻(xiàn)2)相比，能夠顯著縮小柱狀導(dǎo)體間的間距間隔。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具有窄間距TSV構(gòu)造的布線基板。
[0016]本發(fā)明的布線基板還可以包含電子元件。這種電子元件的例子包括從布線導(dǎo)體、布線基板或電子部件選擇的至少一種。其導(dǎo)體部分的至少一部分?jǐn)U散接合到柱狀導(dǎo)體的兩端面中的至少一端面。通過這種擴(kuò)散接合，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高接合強(qiáng)度且耐熱性優(yōu)良的接合構(gòu)造。尤其是，在使用納米復(fù)合構(gòu)造合金釬焊材料或納米復(fù)合構(gòu)造微粉末來熱擴(kuò)散接合電子元件的導(dǎo)體部的情況下，通過構(gòu)成納米復(fù)合構(gòu)造的多種金屬/合金成分、氧化物、硅化物、硫化物等的均質(zhì)分散系統(tǒng)，形成高度的熱擴(kuò)散接合。
[0017]本發(fā)明的一種制造方法用于制造上述布線基板，包括在上述絕緣部上彼此隔著間隔設(shè)置上述半導(dǎo)體基板的柱狀體，接著去除上述柱狀體并在其去除痕跡的內(nèi)部填充柱狀導(dǎo)體的工序。
[0018]如上所述，在本發(fā)明中，去除從半導(dǎo)體基板的一面向其厚度方向形成的絕緣部的面內(nèi)彼此隔著間隔而存在的柱狀體,并在其去除痕跡的內(nèi)部填充柱狀導(dǎo)體，因此應(yīng)填充柱狀導(dǎo)體的去除痕跡被絕緣部包圍并劃定，成為沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的微細(xì)空間。因此，即使是窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0019]此外，TSV技術(shù)如其名稱所示，是在硅基板等半導(dǎo)體基板上形成電絕緣的縱柱狀導(dǎo)體(貫通電極)的技術(shù)，因此在絕緣部的面內(nèi)彼此隔著間隔而存在的柱狀體由硅基板等半導(dǎo)體基板構(gòu)成。因此，柱狀體能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板適用以往適用的蝕刻技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體的去除痕跡及柱狀導(dǎo)體。
[0020]本發(fā)明的布線基板制造方法在上述半導(dǎo)體基板上彼此隔著間隔形成多個(gè)槽或孔，在該槽或孔的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成上述絕緣部，在填充上述流動(dòng)性絕緣物時(shí)優(yōu)選包括將上述柱狀體與上述半導(dǎo)體基板或固化的上述絕緣部接觸來進(jìn)行支撐的工序。
[0021]如上所述，例如若要以4μπι以下的窄間距形成TSV，則用于支撐柱狀導(dǎo)體或絕緣部的柱狀體的截面積例如減小到2 μ m以下，在填充流動(dòng)性絕緣物時(shí)，存在柱狀體受到其填充壓的影響而引發(fā)折損、位置偏移、支柱間接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0022]在本發(fā)明中，由于在填充流動(dòng)性絕緣物時(shí)包括將柱狀體與半導(dǎo)體基板或固化的絕緣部接觸來進(jìn)行支撐的工序，因此柱狀體的機(jī)械強(qiáng)度得到增強(qiáng)，引發(fā)柱狀體的折損、位置偏移、支柱間接觸等不良模式的危險(xiǎn)性降低。
[0023]上述流動(dòng)性絕緣物優(yōu)選為含有絕緣性微粒、Si微粒及有機(jī)Si化合物的絕緣性膏。
[0024]發(fā)明效果
[0025]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得以下效果。
[0026](a)能夠提供具有窄間距TSV構(gòu)造的布線基板。
[0027](b)能夠提供適合于形成窄間距TSV的布線基板制造方法。
[0028](c)能夠提供如下布線基板制造方法:即使在制造工藝的中途用于支撐絕緣物或柱狀導(dǎo)體的柱狀體的截面積因窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體的折損、位置偏移、柱狀體間接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0029]關(guān)于本發(fā)明的其他目的、結(jié)構(gòu)及優(yōu)點(diǎn)，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明。但是，附圖僅是示例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是表示本發(fā)明的布線基板的一部分的立體圖。
[0031]圖2是表示本發(fā)明的布線基板的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
[0032]圖3是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)實(shí)施方式的圖。
[0033]圖4是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)實(shí)施方式的圖。
[0034]圖5是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)實(shí)施方式的圖。
[0035]圖6是表示圖1?圖5所示的布線基板的制造方法中所包含的工序的圖。
[0036]圖7是圖6的7-7線放大截面圖。
[0037]圖8是表不圖6及圖7所不的工序之后的工序的圖。
[0038]圖9是圖8的9-9線放大截面圖。
[0039]圖10是表不圖8及圖9所不的工序之后的工序的圖。
[0040]圖11是圖10的11-11線放大截面圖。
[0041]圖12是表不圖10及圖11所不的工序之后的工序的圖。
[0042]圖13是圖12的13-13線放大截面圖。
[0043]圖14是表示本發(fā)明的布線基板的另一個(gè)制造方法所包含的工序的圖。
[0044]圖15是表不圖14所不的工序之后的工序的圖。
[0045]圖16是表示圖15所示的工序之后的工序的圖。
[0046]圖17是表不圖16所不的工序之后的工序的圖。
[0047]圖18是表不圖17所不的工序之后的工序的圖。
[0048]圖19是表不圖18所不的工序之后的工序的圖。
[0049]圖20是表不圖19所不的工序之后的工序的圖。
[0050]圖21是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)制造方法的圖。
[0051]圖22是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)制造方法的圖。
[0052]圖23是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)制造方法的圖。
[0053]圖24是表示本發(fā)明的布線基板的再一個(gè)制造方法的圖。
[0054]符號(hào)說明
[0055]I半導(dǎo)體基板
[0056]311?316柱狀導(dǎo)體
[0057]5絕緣部

【具體實(shí)施方式】
[0058]1.本發(fā)明所涉及的布線基板
[0059]參照?qǐng)D1，表示本發(fā)明的三維布線基板的一部分。在圖1中，半導(dǎo)體基板I是厚度Tl為50 μ m以下的硅基板等，具有絕緣部5和在絕緣部5的面內(nèi)以窄間距dl、d2配置的多個(gè)η = 16的柱狀導(dǎo)體311?326。數(shù)η為任意數(shù)。
[0060]絕緣部5填充在形成于半導(dǎo)體基板I的一面111上的微細(xì)空間121中。該絕緣部5優(yōu)選是將含絕緣性微粒、Si微粒、液狀的有機(jī)Si化合物的絕緣膏填充到在半導(dǎo)體基板I的厚度方向上所形成的槽或孔等(存在稱為微細(xì)空間的情況)121的內(nèi)部中并固化而形成的。若將絕緣膏填充到微細(xì)空間121的內(nèi)部，并進(jìn)行熱處理，則通過Si微粒和有機(jī)Si化合物的反應(yīng)，形成S1-O鍵，得到將絕緣性微粒作為骨材、并將其周圍通過S1-O鍵來填埋而形成的絕緣物構(gòu)造。絕緣性微粒及Si微粒具有nm尺寸(I μ m以下)的粒徑。其中，絕緣性微粒及Si微粒的粒徑不需要均勻，在上述nm尺寸的區(qū)域內(nèi)可以含不同粒徑的微粒。
[0061]柱狀導(dǎo)體311?326沿著半導(dǎo)體基板I的厚度Tl的方向延伸,一端向半導(dǎo)體基板I的一面111露出。柱狀導(dǎo)體311?326既可以是另一端向半導(dǎo)體基板I的底面112露出的貫通柱狀導(dǎo)體，也可以是留在半導(dǎo)體基板I的內(nèi)部的非貫通柱狀導(dǎo)體。柱狀導(dǎo)體311?326在本實(shí)施方式中是橫截面4邊形狀，但也可以是其他多邊形狀或圓形狀。此外，排列為4行4列的矩陣狀，但行列數(shù)可以是任意的。柱狀導(dǎo)體311?326可以通過適用鍍敷法、熔融金屬填充法或?qū)щ姼嗵畛浞ǖ裙夹g(shù)來形成。關(guān)于柱狀導(dǎo)體311?326的尺度，若例示一例，貝1J配置間距dl、d2為4?100 μ m的范圍,直徑為0.5?25 μ m的范圍。其中，配置間距不需要是固定尺寸，直徑也不限定于上述值。
[0062]如上所述，在本發(fā)明的布線基板中，絕緣部5由填充在形成于半導(dǎo)體基板I的厚度方向上的槽或孔等微細(xì)空間121的內(nèi)部的絕緣物構(gòu)成，因此絕緣部5與由Si基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板I 一體化。
[0063]多個(gè)柱狀導(dǎo)體311?326在與由Si基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板一體化的絕緣部5的面內(nèi)以窄間距dl、d2配置，且填充在沿著厚度方向延伸的槽或孔等微細(xì)空間的內(nèi)部。因此，多個(gè)柱狀導(dǎo)體311?326分別由一個(gè)絕緣部5共同支撐，相互電絕緣，并且還與半導(dǎo)體基板I電絕緣。該電絕緣構(gòu)造與將多個(gè)柱狀導(dǎo)體311?326分別電絕緣并配置在半導(dǎo)體基板I上的情況(例如專利文獻(xiàn)2)相比，能夠?qū)⒅鶢顚?dǎo)體間的間距dl、d2顯著縮小為例如4μπι以下。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具有窄間距TSV構(gòu)造的布線基板。
[0064]柱狀導(dǎo)體311?326可以含從Ag、Cu、Au、Pt、T1、Zn、Al、Fe、B、Si及Ni的組中選擇的至少I種、以及從Sn、In、B1、Ga的組中選擇的至少I種。第I組是高熔點(diǎn)金屬材料，第2組是低熔點(diǎn)金屬材料。
[0065]柱狀導(dǎo)體311?326的個(gè)數(shù)、形狀及配置等是從合理的信號(hào)傳送路徑的劃定、作為信號(hào)傳送路而要求的電特性的充足等各種觀點(diǎn)選擇的設(shè)計(jì)事項(xiàng)。圖2及圖3例示其具體例。
[0066]圖2表示例如適合于互補(bǔ)信號(hào)路徑、返回通路(Return pass)接近的電源/接地布線的具體例。如圖2所示，成為在絕緣部5上形成的微細(xì)空間中填充有成為電源/接地布線的柱狀導(dǎo)體(311、313)、(312、314)、(315、317)、(316,318)的布線構(gòu)造。
[0067]接著，圖3的實(shí)施方式表示適合作為強(qiáng)化了屏蔽效果的信號(hào)路的TSV構(gòu)造。在本實(shí)施方式中，成為在由絕緣部(511?516)劃定的4個(gè)4邊形區(qū)域內(nèi)形成L字狀的絕緣部521?524、且在由絕緣部(511?516)及絕緣部(521?524)包圍的區(qū)域內(nèi)填充有柱狀導(dǎo)體311?318的布線基板。該布線基板也當(dāng)然屬于本發(fā)明。
[0068]在此，在由固化的絕緣部(511?516)及絕緣部(521?524)包圍的區(qū)域內(nèi)填充柱狀導(dǎo)體311?318，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0069]本發(fā)明的布線基板還可以包含與電子元件的組合。這種電子元件的例子包括從布線導(dǎo)體、布線基板或電子部件選擇的至少一種。其導(dǎo)體部分的至少一部分?jǐn)U散接合到柱狀導(dǎo)體的兩端面中的至少一端面。圖4及圖5表不其一例。
[0070]首先，參照?qǐng)D4，構(gòu)成電子元件的導(dǎo)體351?356與柱狀導(dǎo)體323?326的兩端面中的至少一端面液相擴(kuò)散接合或固相擴(kuò)散接合。根據(jù)這種擴(kuò)散接合，能夠在導(dǎo)體351?356與柱狀導(dǎo)體323?326之間實(shí)現(xiàn)具有高接合強(qiáng)度、且耐熱性優(yōu)良的接合構(gòu)造。尤其是，在使用納米復(fù)合構(gòu)造合金釬焊材料或納米復(fù)合構(gòu)造微粉末來熱擴(kuò)散接合作為電子元件的導(dǎo)體351?356的情況下,通過構(gòu)成納米復(fù)合構(gòu)造的金屬/合金成分，形成高度的液相擴(kuò)散接合或固相擴(kuò)散接合。納米復(fù)合構(gòu)造是指，金屬、合金或它們的化合物一體化、復(fù)合化而成的構(gòu)造。納米復(fù)合構(gòu)造合金釬焊材料或納米復(fù)合構(gòu)造微粉末可以包括高熔點(diǎn)金屬材料及低熔點(diǎn)金屬材料的組合。
[0071]接著，圖5表示作為電子元件而選擇了電子部件A及布線基板B的情況。在柱狀導(dǎo)體323?326的兩端面上分別擴(kuò)散接合設(shè)置在電子部件A及布線基板B上的導(dǎo)體351?356。根據(jù)這種擴(kuò)散接合，在導(dǎo)體351?356與柱狀導(dǎo)體323?326之間能夠?qū)崿F(xiàn)具有高接合強(qiáng)度、且耐熱性優(yōu)良的接合構(gòu)造。在使用納米復(fù)合構(gòu)造合金釬焊材料或納米復(fù)合構(gòu)造微粉末熱擴(kuò)散接合電子元件的導(dǎo)體351?356的情況下，通過構(gòu)成納米復(fù)合構(gòu)造的金屬/合金成分，形成高度的熱擴(kuò)散接合。
[0072]電子部件A可以是有源元件、無源元件中的任一種。代表性的有源元件是作為三維系統(tǒng)級(jí)封裝(3D-SiP)的方式的系統(tǒng)LS1、存儲(chǔ)器LS1、圖像傳感器或MEMS等。也可以是包括模擬及數(shù)字電路、像DRAM這樣的存儲(chǔ)電路、像CPU這樣的邏輯電路等的電子設(shè)備，也可以是通過不同的工藝制作模擬高頻電路、低頻且低功耗電力的電路這種不同種類的電路并將它們層疊而成的電子機(jī)器。
[0073]此外，可以包括傳感器模塊、光電模塊、單極晶體管、MOS FET、CM0SFET、存儲(chǔ)單元、或它們的集成電路部件(IC)、或各種規(guī)模的LSI等基本上將電子電路作為功能要素的幾乎所有電子機(jī)器、電子設(shè)備。在本發(fā)明中，在稱為集成電路LSI的情況下，包括小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路VLS1、ULSI等所有集成電路。
[0074]布線基板B既可以是圖1?圖3所示的基板，也可以是其他基板。
[0075]在上述各種布線基板中，即使半導(dǎo)體基板I的種類、柱狀導(dǎo)體的形狀、配置、孔徑等方面與本說明書中公開的不同，但只要絕緣部的構(gòu)造及絕緣部相對(duì)于柱狀導(dǎo)體的關(guān)系滿足本發(fā)明，就屬于其技術(shù)范圍。
[0076]2.布線基板的制造方法
[0077]接著，參照?qǐng)D6?圖24說明圖1?圖3所示的布線基板的制造方法。參照?qǐng)D6及圖7，在從半導(dǎo)體基板I的一面111朝向其厚度方向形成的微細(xì)空間121的內(nèi)部形成有絕緣部5。微細(xì)空間121是有底孔。在絕緣部5的面內(nèi)，半導(dǎo)體基板I的柱狀體131?146被配置成行列狀。柱狀體131?146的高度方向的一端呈現(xiàn)在絕緣部5的表面，相反側(cè)的底部與半導(dǎo)體基板I連續(xù)。
[0078]接著，如圖8及圖9所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111上形成掩模7。掩模7是適用包括光刻工序的高精度圖案形成技術(shù)來形成的抗蝕掩模。該掩模7僅在與柱狀體131?146的高度方向的一端面對(duì)置的部分具有缺口圖案711?726。
[0079]通過上述掩模7的缺口圖案711?726，適用CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)，對(duì)柱狀體131?146進(jìn)行深蝕刻。圖10及圖11表示該蝕刻工序結(jié)束后的狀態(tài)，產(chǎn)生柱狀體131?146的去除痕跡即微細(xì)空間151?166。
[0080]之后，如圖12及圖13所示，在柱狀體131?146的去除痕跡即微細(xì)空間151?166中填充柱狀導(dǎo)體311?326。關(guān)于柱狀導(dǎo)體311?326的尺度,例不一例，貝1J配置間距為4?100 μ m的范圍，口徑為0.5?25 μ m的范圍。其中，配置間距不需要是固定尺寸，口徑也不限定于上述值。
[0081]柱狀導(dǎo)體311?326可以通過適用鍍敷法、熔融金屬填充法或?qū)щ姼嗵畛浞ǖ裙夹g(shù)來形成。其中，從形成高品質(zhì)導(dǎo)體及降低制造成本的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選熔融金屬填充法。熔融金屬填充法中所使用的金屬、合金可以包括使用了納米復(fù)合構(gòu)造金屬或合金微粉末的高熔點(diǎn)金屬材料及低熔點(diǎn)金屬材料。
[0082]如上所述，去除在從半導(dǎo)體基板I的一面111在其厚度方向上形成的絕緣部5的面內(nèi)彼此隔著間隔而存在的柱狀體131?146，因此應(yīng)填充柱狀導(dǎo)體311?326的柱狀體131?146的去除痕跡成為被絕緣部5包圍且劃定、沒有口徑變動(dòng)及位置變動(dòng)的微細(xì)空間151?166。因此，即使是窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0083]此外，TSV技術(shù)如其名稱所示，是在硅基板等半導(dǎo)體基板上形成電絕緣的柱狀導(dǎo)體(貫通電極)的技術(shù)，因此在絕緣部5的面內(nèi)彼此隔著間隔而存在的柱狀體131?146由硅基板等半導(dǎo)體基板I構(gòu)成。因此，柱狀體131?146能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?326的微細(xì)空間151?166及柱狀導(dǎo)體311?326。
[0084]接著，參照?qǐng)D14?圖20說明本發(fā)明的另一布線基板制造方法。首先，如圖14所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111上，隔著間隔d3形成例如槽狀的4個(gè)微細(xì)空間121?124。這種微細(xì)空間121?124能夠通過對(duì)由硅基板等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法激光穿孔法等公知的技術(shù)來形成(深挖)。微細(xì)空間121?124既可以從半導(dǎo)體基板I的一面111朝向另一面112貫通，也可以不貫通。微細(xì)空間121?124的配置間距為4?ΙΟΟμπι的范圍,槽寬為0.5?25μηι的范圍。其中，配置間距不需要是固定尺寸，槽寬也不限定于上述值。
[0085]在微細(xì)空間121?124的相互之間，存在由半導(dǎo)體基板I構(gòu)成的細(xì)長的柱狀體101?103。這些柱狀體101?103的長度方向的兩端與半導(dǎo)體基板I的其余部分連續(xù)而被支撐。
[0086]接著，如圖15中圖示那樣，在微細(xì)空間121?124的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部511?514。在此，由于在微細(xì)空間121?124之間的柱狀體101?103的長度方向的兩端與原來的半導(dǎo)體基板I連續(xù)而被支撐，因此即使在微細(xì)空間121?124的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物而形成絕緣部511?514時(shí)，柱狀體101?103的截面積由于例如4μπι以下的窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體101?103的折損、位置偏移、柱狀體101?103的相互接觸等多中不良模式的危險(xiǎn)性。
[0087]流動(dòng)性絕緣物優(yōu)選為含有絕緣性微粒、Si微粒及有機(jī)Si化合物的絕緣性膏。也可以在將絕緣性微粒及Si微粒放入微細(xì)空間之后，放入有機(jī)Si化合物的液體。在使填充在微細(xì)空間121?124的內(nèi)部的流動(dòng)性絕緣物固化而形成絕緣部511?514時(shí)，使有機(jī)Si化合物及Si微粒彼此反應(yīng)，形成填埋絕緣性微粒的周圍的S1-O鍵的網(wǎng)絡(luò)。有機(jī)Si化合物及Si微粒的反應(yīng)優(yōu)選可以在真空氛圍中例如在130°C?150°C的溫度范圍內(nèi)加熱來進(jìn)行。由此形成絕緣部511?514。伴隨著反應(yīng)而產(chǎn)生的有機(jī)物被熱分解，作為氣體而被排出。
[0088]絕緣部511?514成為通過S1-O鍵的網(wǎng)絡(luò)具體而言通過非晶二氧化硅(S12)將絕緣性微粒的周圍完全填埋的構(gòu)造。
[0089]此外，熱處理工序優(yōu)選包括對(duì)填充在微細(xì)空間121?124的內(nèi)部的流動(dòng)性絕緣物一邊加壓一邊加熱,之后一邊加壓一邊冷卻的工序。通過該工序,能夠進(jìn)一步推進(jìn)有機(jī)物熱分解，使絕緣部511?514致密化，提高對(duì)半導(dǎo)體基板I的密接力。
[0090]通過執(zhí)行上述工藝，能夠在微細(xì)空間121?124內(nèi)形成物理/化學(xué)強(qiáng)度優(yōu)良的絕緣部511?514。
[0091]此外，通過使有機(jī)Si化合物及Si微粒彼此反應(yīng)，能夠形成填埋絕緣性微粒的周圍的S1-O鍵具體而言形成非晶二氧化硅(S12)。S卩，由于形成Si微粒的氧化物，因此體積增力口，在微細(xì)空間內(nèi)沒有間隙、空洞、裂痕等缺陷，能夠形成對(duì)微細(xì)空間的側(cè)壁面的密接強(qiáng)度高的高可靠度的絕緣部。此外，S12與Si微粒相比，體積增加30?35%左右。這與Si微粒的縮減率對(duì)應(yīng)，因此能夠避免收縮引起的空洞、間隙或裂痕的發(fā)生等。
[0092]此外，本發(fā)明的流動(dòng)性絕緣物含有絕緣性微粒，因此能夠形成具有與該絕緣性微粒的特性相應(yīng)的各種電特性的絕緣部。絕緣性微?；旧鲜墙饘傺趸镂⒘?陶瓷)。例如，在使用由鈦酸鋇等強(qiáng)電介質(zhì)材料構(gòu)成的絕緣性微粒的情況下，能夠形成靜電容量大的絕緣部，在是由Si02、Al203等低電介質(zhì)材料構(gòu)成的絕緣性微粒的情況下,能夠形成靜電容量小的絕緣部。
[0093]在本發(fā)明中所使用的有機(jī)Si化合物的代表例是用化學(xué)式
[0094]CH3O- [SinOn-1 (CH3) n (OCH3) J -CH3
[0095]表示的烷基烷氧基硅烷。這種情況下的反應(yīng)式如下。
[0096]Si+CH30-[SinOlri (CH3)n (OCH3) J-CH3 — S12+(C，H，O) t...(I)
[0097]在具有微細(xì)空間121?124的半導(dǎo)體基板I是Si半導(dǎo)體基板的情況下，上述反應(yīng)在與Si半導(dǎo)體基板的Si之間也產(chǎn)生。此外，也可以使用有機(jī)聚硅氧烷(官能性側(cè)鏈烷氧基娃燒)。
[0098]Si微粒也可以通過在微細(xì)空間121?124的內(nèi)部放入硅油并進(jìn)行熱處理來生成。作為硅油,可以使用二甲基聚硅氧烷(C2H6OSi)ntl
[0099]接著，如圖16所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111的上方配置掩模7。該掩模7是適用高精度圖案形成技術(shù)形成的抗蝕掩模。該掩模7將在微細(xì)空間121?124之間開口的缺口圖案711?725以預(yù)定間隔配置成矩陣狀。
[0100]通過上述掩模7的缺口圖案711?725，適用CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)，對(duì)半導(dǎo)體基板I進(jìn)行深蝕刻。圖17表示該蝕刻工序結(jié)束后的狀態(tài)，產(chǎn)生按照缺口圖案711?725對(duì)半導(dǎo)體基板I進(jìn)行蝕刻而得到的微細(xì)空間151?165。在微細(xì)空間151?165之間存在半導(dǎo)體基板I的柱狀體131?146。柱狀體131?146將其側(cè)面與固化的絕緣部511?514接觸而被支撐。
[0101]接著，如圖18中圖示那樣，在微細(xì)空間151?165中填充流動(dòng)性填充物并使其固化，形成絕緣部521?535。流動(dòng)性絕緣物是含有絕緣性微粒、Si微粒及有機(jī)Si化合物的前述的絕緣性膏。也可以在將絕緣性微粒及Si微粒放入微細(xì)空間之后，放入有機(jī)Si化合物的液體。
[0102]在此，由于柱狀體131?146將其側(cè)面與固化的絕緣部511?514接觸而被支撐，因此即使在對(duì)微細(xì)空間151?165填充流動(dòng)性絕緣物時(shí)，柱狀體131?146的截面積由于例如4μπι以下的窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體131?146的折損、位置偏移、柱狀體131?146的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0103]接著，在半導(dǎo)體基板I的一面111的上方配置掩模，通過掩模的缺口圖案，適用CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)，通過缺口圖案對(duì)半導(dǎo)體基板I進(jìn)行深蝕刻(參照?qǐng)D8?圖
11)。圖19表示該蝕刻工序結(jié)束后的狀態(tài)，產(chǎn)生按照掩模的缺口圖案對(duì)半導(dǎo)體基板I進(jìn)行蝕刻而得到的微細(xì)空間151?166。微細(xì)空間151?166的周圍被固化的絕緣部511?514、521?535包圍。
[0104]接著，如圖20中圖示那樣，在微細(xì)空間151?166中填充柱狀導(dǎo)體311?326。如前所述，柱狀導(dǎo)體311?326可以通過適用鍍敷法、熔融金屬填充法或?qū)щ姼嗵畛浞ǖ裙夹g(shù)來形成。此外，柱狀導(dǎo)體311?326的尺度，若例示一例，則配置間距為4?100 μ m的范圍，最大部的直徑為0.5?25 μ m的范圍。其中，配置間距不需要是固定尺寸，直徑也不限定于上述值。
[0105]在此，在由絕緣部511?514、521?535包圍的微細(xì)空間151?166內(nèi)填充柱狀導(dǎo)體311?326，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0106]此外，在絕緣部5的面內(nèi)彼此隔著間隔而存在的柱狀體131?146由硅基板等半導(dǎo)體基板I構(gòu)成。因此，柱狀體131?146能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?326的微細(xì)空間151?166及柱狀導(dǎo)體 311 ?326。
[0107]此外，參照?qǐng)D21?圖22進(jìn)行說明。首先，如圖2UA)所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111 (未圖示)深挖形成與具有缺口圖案711?715的抗蝕掩模71的缺口圖案711?715相應(yīng)的微細(xì)空間之后，如圖21(B)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部511?515。在絕緣部511?515之間，存在半導(dǎo)體基板I的細(xì)長的柱狀體101?104。這些柱狀體101?104的長度方向的兩端與原來的半導(dǎo)體基板I連續(xù)而被支撐。因此，即使在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物而形成絕緣部511?515時(shí)，柱狀體101?104的截面積由于例如4 μ m以下的窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體101?104的折損、位置偏移、柱狀體101?104的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0108]接著，如圖21(C)所示，在圖21⑶中所呈現(xiàn)的半導(dǎo)體基板I的一面111上形成具有缺口圖案721?725的抗蝕掩模72，形成與抗蝕掩模72的缺口圖案721?725相應(yīng)的微細(xì)空間?？刮g掩模72的缺口圖案721?725與抗蝕掩模71的缺口圖案711?725正交。
[0109]接著，如圖21(D)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部521?525。其結(jié)果，產(chǎn)生由絕緣部511?515和絕緣部521?525包圍的柱狀體 131 ?146。
[0110]在形成絕緣部521?525時(shí)，將柱狀體131?146的側(cè)面與絕緣部511?514接觸而支撐，因此即使在柱狀體131?146的截面積由于例如4μ m以下的窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體131?146的折損、位置偏移、柱狀體131?146的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0111]接著，如圖21 (E)所示，對(duì)柱狀體131?146進(jìn)行深蝕刻，形成微細(xì)空間151?166之后，如圖21(F)中圖示那樣，在微細(xì)空間151?166中填充柱狀導(dǎo)體311?326。在此，由于在由固化的絕緣部5的包圍的微細(xì)空間151?166內(nèi)填充柱狀導(dǎo)體311?326，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0112]此外，柱狀體131?146能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?326的微細(xì)空間151?166及柱狀導(dǎo)體311?326。
[0113]接著，參照?qǐng)D22說明其他實(shí)施方式。圖22表示有效地避免已填充區(qū)域的深挖損傷的方法。首先，如圖22(A)所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111(未圖示)形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的微細(xì)空間之后，如圖22 (B)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部511?516。
[0114]抗蝕掩模71具有組合多個(gè)縱圖案711?713和多個(gè)橫圖案714?716而成的缺口圖案、以及由縱圖案711?713和橫圖案714?716包圍的四邊形狀的掩模圖案701?704。縱圖案711?713和橫圖案714?716個(gè)數(shù)是任意的。
[0115]在形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的微細(xì)空間之后，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化而形成了絕緣部511?516的情況下，形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的絕緣部511?516、以及由絕緣部511?516的縱圖案511?513和橫圖案514?516包圍的四邊形狀的柱狀體101?104。
[0116]接著，如圖22 (C)所示，在圖22 (B)中所呈現(xiàn)的半導(dǎo)體基板I的一面111，形成具有缺口圖案721?724的抗蝕掩模72，形成與抗蝕掩模72的缺口圖案721?724相應(yīng)的微細(xì)空間?？刮g掩模72的缺口圖案721?724形成為與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716正交且連續(xù)。各缺口圖案721?724具體形成為與劃定四邊形狀的柱狀體101?104的絕緣部511?516的縱圖案511?513及橫圖案514?516正交的十字狀的形狀。
[0117]按照抗蝕掩模72的缺口圖案721?724進(jìn)行的深挖，并不是對(duì)絕緣部511?516進(jìn)行削減，因此在形成缺口圖案721?724時(shí)，能夠避免對(duì)已填充區(qū)域即絕緣部511?516造成深挖損傷。
[0118]接著，如圖22(D)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部521?524。其結(jié)果，產(chǎn)生由絕緣部521?524、絕緣部511?516包圍的柱狀體 131 ?146。
[0119]在此，在形成絕緣部521?524時(shí)，將柱狀體131?146的側(cè)面與絕緣部511?516接觸而進(jìn)行支撐，因此即使在柱狀體131?146的截面積由于窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體131?146的折損、位置偏移、柱狀體131?146的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0120]接著，如圖22(E)所示，對(duì)柱狀體131?146進(jìn)行深蝕刻，形成微細(xì)空間151?166之后，如圖22(F)中圖示那樣，在微細(xì)空間151?166中填充柱狀導(dǎo)體311?326。在此，由于在由固化的絕緣部5包圍的微細(xì)空間151?166中填充柱狀導(dǎo)體311?326，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0121]此外，柱狀體131?146能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?326的微細(xì)空間151?166及柱狀導(dǎo)體311?326。
[0122]3.其他實(shí)施方式的例子
[0123]圖23表示制造圖2所示的布線基板的方法。首先，在圖23(A)中，在半導(dǎo)體基板I的一面111 (未圖示)形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?720相應(yīng)的微細(xì)空間之后，如圖23 (B)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部511?520。
[0124]抗蝕掩模71是在縱向(圖中上下方向)上隔著間隔而配置有一對(duì)缺口圖案(711和717)、共同缺口圖案712、一對(duì)缺口圖案(713和718)、一對(duì)缺口圖案(714和719)、共同缺口圖案715及一對(duì)缺口圖案(716和720)的結(jié)構(gòu)。
[0125]接著，如圖23(C)所示，在圖23(B)中所呈現(xiàn)的半導(dǎo)體基板I的一面111形成具有缺口圖案721?724的抗蝕掩模72，形成與抗蝕掩模72的缺口圖案721?724相應(yīng)的微細(xì)空間?？刮g掩模72的缺口圖案721?723形成為與絕緣部511?520正交，缺口圖案724與絕緣部513、514、518、519重合。
[0126]接著，如圖23⑶中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部521?524。其結(jié)果，產(chǎn)生由絕緣部521?524和絕緣部511?520包圍的柱狀體 131 ?138。
[0127]在此，在形成絕緣部521?524時(shí)，將柱狀體131?138的側(cè)面與絕緣部511?520接觸而進(jìn)行支撐，因此即使在柱狀體131?138的截面積由于窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體131?138的折損、位置偏移、柱狀體131?138的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0128]接著，如圖23(E)所示，對(duì)柱狀體131?138進(jìn)行蝕刻，形成微細(xì)空間151?158之后，如圖23(F)中圖示那樣，得到在微細(xì)空間151?158中填充了柱狀導(dǎo)體311?318的布線基板。該布線基板當(dāng)然屬于本發(fā)明。
[0129]在此，由于在由固化的絕緣部5包圍的微細(xì)空間151?158中填充柱狀導(dǎo)體311?318，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0130]此外，柱狀體131?138能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?318的微細(xì)空間151?158及柱狀導(dǎo)體311?318。
[0131]接著，圖24表示制造圖3所示的布線基板的方法。首先，如圖24(A)所示，在半導(dǎo)體基板I的一面111 (未圖示)形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的微細(xì)空間之后，如圖24(B)中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部 511 ?516。
[0132]抗蝕掩模71具有組合多個(gè)縱圖案711?713和多個(gè)橫圖案714?716而成的缺口圖案、以及由縱圖案711?713和橫圖案714?716包圍的四邊形狀的掩模圖案701?704?？v圖案和橫圖案的個(gè)數(shù)是任意的。
[0133]在形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的微細(xì)空間之后，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化而形成了絕緣部511?516的情況下，形成與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716相應(yīng)的絕緣部511?516、以及由縱圖案511?513和橫圖案514?516包圍的四邊形狀的柱狀體101?104。
[0134]接著，如圖24(C)所示，在圖24(B)中所呈現(xiàn)的半導(dǎo)體基板I的一面111，形成具有缺口圖案721?724的抗蝕掩模72，在半導(dǎo)體基板I的一面111深挖形成與抗蝕掩模72的缺口圖案721?724相應(yīng)的微細(xì)空間?？刮g掩模72的缺口圖案721?724形成為與抗蝕掩模71的缺口圖案711?716正交且連續(xù)。各缺口圖案721?724具體形成為與劃定四邊形狀的柱狀體101?104的縱圖案511?513及橫圖案514?516正交的L字狀的形狀。
[0135]按照抗蝕掩模72的缺口圖案721?724進(jìn)行的深挖，并不是對(duì)絕緣部511?516進(jìn)行削減，因此在按照缺口圖案721?724形成微細(xì)空間時(shí)，能夠避免對(duì)已填充區(qū)域即絕緣部511?516造成深挖損傷。
[0136]接著，如圖24⑶中圖示那樣，在微細(xì)空間的內(nèi)部填充流動(dòng)性絕緣物并使其固化，形成絕緣部521?524。其結(jié)果，四邊形狀的柱狀體101?104各自的內(nèi)部被分為絕緣部521?524、以及由絕緣部511?516包圍的2個(gè)柱狀體(1011、1012)?(1041、1042)。
[0137]在此，在形成絕緣部521?524時(shí)，將柱狀體101?104的柱狀體(1011、1012)?(1041,1042)的側(cè)面與絕緣部511?516接觸而進(jìn)行支撐，因此即使在柱狀體的截面積由于窄間距化而減小的情況下，也能夠減小引發(fā)柱狀體的折損、位置偏移、柱狀體(1011、1012)?(1041、1042)的相互接觸等多種不良模式的危險(xiǎn)性。
[0138]接著，如圖24(E)所示，對(duì)柱狀體(1011、1012)?(1041、1042)進(jìn)行蝕刻，形成微細(xì)空間151?158之后，如圖24(F)中圖示那樣，得到在微細(xì)空間151?158中填充了柱狀導(dǎo)體311?318的布線基板。該布線基板也當(dāng)然屬于本發(fā)明。
[0139]在此，在由固化的絕緣部5包圍的微細(xì)空間151?158中填充柱狀導(dǎo)體311?318，因此即使是沒有孔徑變動(dòng)、位置變動(dòng)的窄間距的TSV，也能夠切實(shí)地形成。
[0140]此外，柱狀體(1011、1012)?(1041、1042)能夠通過對(duì)硅基板等半導(dǎo)體基板I適用以往適用的蝕刻技術(shù)例如CVD法、激光穿孔法等公知的技術(shù)來容易、迅速且切實(shí)地去除。因此，能夠容易、迅速且切實(shí)地形成用于填充柱狀導(dǎo)體311?318的微細(xì)空間151?158及柱狀導(dǎo)體311?318。
[0141]雖然省略說明，但如圖4及圖5所示那樣組合有電子元件的布線基板也基本上能夠通過適用上述制造方法和接合技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
[0142]本發(fā)明在各種電子機(jī)器、電子設(shè)備中能夠用于在半導(dǎo)體基板上形成窄間距TSV15R表性的這種電子設(shè)備取三維系統(tǒng)級(jí)封裝(3D-SiP)的形態(tài)。具體地說，有系統(tǒng)LS1、存儲(chǔ)器LS1、圖像傳感器或MEMS等。也可以是包括模擬及數(shù)字電路、像DRAM這樣的存儲(chǔ)電路、像(PU這樣的邏輯電路等的電子設(shè)備，也可以是通過不同的工藝制作模擬高頻電路、低頻且低功耗電力的電路這種不同種類的電路并將它們層疊而成的電子機(jī)器。
[0143]具體地說，可以包括傳感器模塊、光電模塊、單極晶體管、MOS FET、CMOS FET、存儲(chǔ)單元、或它們的集成電路部件(1C)、或各種規(guī)模的LSI等基本上將電子電路作為功能要素的幾乎所有電子機(jī)器、電子設(shè)備。在本發(fā)明中，在稱為集成電路LSI的情況下，包括小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路VLS1、ULSI等所有集成電路。
[0144]在上述各種電子機(jī)器、電子設(shè)備中，即使半導(dǎo)體基板I的種類、貫穿半導(dǎo)體基板的縱柱狀導(dǎo)體的形狀、配置、孔徑等方面與本說明書中公開的不同，但只要絕緣膜的構(gòu)造及絕緣部相對(duì)于縱柱狀導(dǎo)體的關(guān)系滿足本發(fā)明，就屬于其技術(shù)范圍。
[0145]以上，參照優(yōu)選的實(shí)施例詳細(xì)說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)然能夠根據(jù)其基本技術(shù)思想及啟示，想到各種變形例。
【權(quán)利要求】
1.一種布線基板，包括半導(dǎo)體基板、絕緣部及多個(gè)柱狀導(dǎo)體， 上述絕緣部由填充于設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上的槽或孔的內(nèi)部的絕緣物構(gòu)成， 上述多個(gè)柱狀導(dǎo)體被填充在以窄間距設(shè)置在上述絕緣部的面內(nèi)的槽或孔的內(nèi)部， 上述絕緣物包含通過Si微粒和有機(jī)Si化合物的反應(yīng)形成的S1-O鍵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板，其中， 上述絕緣物包含絕緣性微粒，上述S1-O鍵填埋上述絕緣性微粒的周圍。
3.—種布線基板的制造方法，該布線基板是權(quán)利要求1所述的布線基板，上述布線基板的制造方法包括: 在上述絕緣部的面內(nèi)，彼此隔著間隔設(shè)置上述半導(dǎo)體基板的柱狀體的工序；和 去除上述柱狀體，在其去除痕跡中填充柱狀導(dǎo)體的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的布線基板的制造方法，其中， 包括以下工序:使用納米復(fù)合構(gòu)造合金釬焊材料或納米復(fù)合構(gòu)造微粉末，在上述柱狀導(dǎo)體的兩端面的至少一面上液相擴(kuò)散接合或固相擴(kuò)散接合其他導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK104347551SQ201410389632
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月8日
【發(fā)明者】關(guān)根重信, 池田博明, 關(guān)根由莉奈 申請(qǐng)人:納普拉有限公司