顯示單元和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了顯示單元和具有該顯示單元的電子裝置。所述顯示單元包括：氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道；第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦裕灰约暗诙?，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半?dǎo)體層和所述第一層之間。根據(jù)本發(fā)明，通過第二層吸附包含在顯示單元中的或外部空氣中的氫，進(jìn)而降低由氧化物半導(dǎo)體層被暴露至氫而造成的特性劣化。
【專利說明】顯示單元和電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包括將氧化物半導(dǎo)體用作溝道的薄膜晶體管(TFT)的顯示單元和電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]近來，作為代替液晶顯示單元的顯示單元，利用有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件的有機(jī)EL顯示單元受到關(guān)注。有機(jī)EL顯示單元是自發(fā)光型顯示單元，并且具有低功耗的特性。另外，有機(jī)EL顯示單元具有寬視角、優(yōu)良對比度和快反應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)，因此，有機(jī)EL顯示單元作為下一代平板顯示單元受到關(guān)注。特別是，有源矩陣(AM)有機(jī)EL顯示單元(其中，針對每個(gè)像素設(shè)置有TFT以控制發(fā)光和發(fā)光水平)得到了發(fā)展。
[0003]上述顯示單元中所用的大多數(shù)TFT通常將非晶硅、多晶硅等用作溝道(半導(dǎo)體層)，然而，近來，將使用氧化物半導(dǎo)體的TFT應(yīng)用至電子器件或光學(xué)器件的技術(shù)受到關(guān)注。例如，在日本未審查專利申請公開第2007-123861號的半導(dǎo)體單元中，公開了一種將諸如氧化鋅或In-Ga-Zn-O系氧化物(In-Ga-Zn-O-based oxide)之類的氧化物半導(dǎo)體用作每個(gè)像素的開關(guān)器件的TFT。
[0004]包括由氧化物半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體層的TFT易受到氫的影響。更具體地，因?yàn)闅涑洚?dāng)供體以用于釋放作為載流子的電子，由此在不向柵極電極施加電壓的情況下在半導(dǎo)體層中形成溝道，所以閾值電壓朝負(fù)方向偏移進(jìn)而造成TFT性能的劣化。例如，日本未審查專利申請公開第2008-141119號指出，在將氫添加到氧化物半導(dǎo)體膜時(shí)，導(dǎo)電率增長約4至5個(gè)數(shù)位。另外，其描述了氫從與氧化物半導(dǎo)體接觸的絕緣層中擴(kuò)散至氧化物半導(dǎo)體層中。因此，氧化物半導(dǎo)體對氫非常敏感，并且即使在TFT中包含少量的氫也可能影響TFT的特性。
[0005]另一方面，例如，在日本未審查專利申請公開第2012-216792號、第2012-216793號、第2012-216794號以及第2012-216795號中，通過從氧化物半導(dǎo)體層開始按順序?qū)盈B氫滲透膜和氫捕獲膜而形成的層疊膜形成為氧化物半導(dǎo)體膜下方的柵極絕緣膜。在半導(dǎo)體單元中，氫捕獲膜捕獲在熱處理期間從氧化物半導(dǎo)體層中釋放的氫，從而氧化物半導(dǎo)體層的界面附近的氫的濃度降低以保證TFT的特性。
[0006]然而，日本未審查專利申請公開第2012-216792號、第2012-216793號、第2012-216794號以及第2012-216795號中所描述的氫滲透膜和氫捕獲膜的層疊膜被構(gòu)造成用于在制造TFT的過程中降低氧化物半導(dǎo)體膜中氫的濃度。因此，即使TFT的初始特性是穩(wěn)定的，但層疊膜不能夠充分捕獲從膜(例如，保護(hù)膜)中逐漸釋放的氫(包括形成在半導(dǎo)體單元中的氫或從半導(dǎo)體單元外部進(jìn)入的氫)，由此降低由隨時(shí)間或環(huán)境的變化引起的TFT特性的劣化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]期望提供一種具有相對于氫的高抗性和改善的可靠性的顯示單元和電子設(shè)備。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種顯示單元，其包括:氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道；第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦?；以及第二層，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半?dǎo)體層和所述第一層之間。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了設(shè)置有顯示單元的電子設(shè)備，所述顯示單元包括:氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道；第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦?；以及第二層，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半?dǎo)體層和所述第一層之間。
[0010]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示單元和電子設(shè)備中，包含有氫吸收劑的第二層布置在用于形成溝道的氧化物半導(dǎo)體層和具有電絕緣性或?qū)щ娦缘牡谝粚又g。因此，氧化物半導(dǎo)體層不太可能暴露至從內(nèi)部釋放的氫或從外部進(jìn)入的氫。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示單元和電子設(shè)備中，包含有氫吸收劑的第二層布置在氧化物半導(dǎo)體層和具有電絕緣性或?qū)щ娦缘牡谝粚又g。因此，通過第二層吸附包含在顯示單元中的或外部空氣中的氫，進(jìn)而降低由氧化物半導(dǎo)體層被暴露至氫而造成的特性劣化。換言之，能夠提供具有相對于氫的高抵抗性和改進(jìn)的可靠性的顯示單元以及包括該顯示單元的電子設(shè)備。
[0012]應(yīng)當(dāng)理解，前述簡要說明和下面的詳細(xì)描述均為示例性的，并且旨在提供所請求保護(hù)的技術(shù)的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]包含附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且所述附圖包含在說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖舉例說明了實(shí)施例并與說明書一起說明本發(fā)明的原理。
[0014]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造的剖面圖。
[0015]圖2是示出了氧化物半導(dǎo)體層的閾值電壓的變化的特性圖。
[0016]圖3是示出了能在線i中吸收的氫的顆粒直徑和散射系數(shù)之間的關(guān)系的特性圖。
[0017]圖4是示出了能在可見光中吸收的氫的顆粒直徑和散射系數(shù)之間的關(guān)系的特性圖。
[0018]圖5是示出了圖1所示的顯示單元的整體構(gòu)造的平面圖。
[0019]圖6是示出了圖5所示的像素驅(qū)動電路的示例的圖。
[0020]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的變形例I的顯示單元2的構(gòu)造的剖面圖。
[0021]圖8是示出了圖7所示的像素電極的構(gòu)造的剖面圖。
[0022]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造的剖面圖。
[0023]圖1OA是示出了制造圖9所示的平坦化膜的方法的示例的示意圖。
[0024]圖1OB是接著圖1OA的圖。
[0025]圖1OC是接著圖1OB的圖。
[0026]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造的剖面圖。
[0027]圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造的示例的剖面圖。
[0028]圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造的另一示例的剖面圖。
[0029]圖14是根據(jù)本發(fā)明的變形例2的顯示單元的構(gòu)造的剖面圖。
[0030]圖15是根據(jù)本發(fā)明的變形例3的顯示單元的TFT的構(gòu)造的剖面圖。
[0031]圖16A是示出了從根據(jù)上述實(shí)施例等的使用像素的顯示單元的應(yīng)用示例I的前側(cè)觀察的外觀的立體圖。
[0032]圖16B是示出了從根據(jù)上述實(shí)施例等的使用像素的顯示單元的應(yīng)用示例I的后側(cè)觀察的外觀的立體圖。
[0033]圖17是示出了應(yīng)用示例2的的外觀的立體圖。
[0034]圖18A是示出了從應(yīng)用示例3的前側(cè)觀察的外觀的立體圖。
[0035]圖18B是示出了從應(yīng)用示例3的后側(cè)觀察的外觀的立體圖。
[0036]圖19是示出了應(yīng)用示例4的外觀的立體圖。
[0037]圖20是示出了應(yīng)用示例5的外觀的立體圖。
[0038]圖21A是在應(yīng)用示例6處于關(guān)閉狀態(tài)下的前視圖、左視圖、右視圖、俯視圖以及仰視圖。
[0039]圖21B是在應(yīng)用示例6處于打開狀態(tài)下的前視圖和側(cè)視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一些實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，將按照以下順序進(jìn)行說明。
[0041]1.氫吸收層的構(gòu)造
[0042]2.第一實(shí)施例(頂發(fā)射顯示單元；將配線層用作氫吸收層的示例)
[0043]2-1.基板構(gòu)造
[0044]2-2.制造方法
[0045]2-3.顯示單元的整體構(gòu)造
[0046]2-4.功能和效果
[0047]3.變形例I (在配線層的表面上形成有氫吸收層的示例)
[0048]4.第二實(shí)施例(將絕緣層用作氫吸收層的示例)
[0049]5.第三實(shí)施例(額外地形成氫吸收層的示例)
[0050]6.第四實(shí)施例(使用柔性基板的示例)
[0051]7.變形例2 (底發(fā)射顯示單元的示例)
[0052]8.變形例3 (頂柵TFT的示例)
[0053]9.應(yīng)用示例
[0054]1.氫吸收層的構(gòu)造
[0055]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的稍后將描述的顯示單元I的剖面構(gòu)造。顯示單元I例如可用作有機(jī)EL電視機(jī)等，并且具有在基板11上層疊半導(dǎo)體層20和顯示層30的結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體層20上形成有包括薄膜(電極等的配線層、絕緣層等)的多個(gè)器件。更具體地，除作為用于選擇像素的開關(guān)器件的薄膜晶體管(例如，TFT 20A)外，還形成有電容器件、配線(例如掃描線和信號線)等。本實(shí)施例中的TFT 20A可具有例如反轉(zhuǎn)交錯(cuò)構(gòu)造(inverted stagger configurat1n,即所謂的底柵型)，并且溝道層(氧化物半導(dǎo)體23)由氧化物半導(dǎo)體形成。應(yīng)當(dāng)注意，圖1示意地示出了顯示單元I的構(gòu)造，且顯示單元I的尺寸和形狀可能不同于實(shí)際尺寸和實(shí)際形狀。
[0056]用于形成氧化物半導(dǎo)體層23的氧化物半導(dǎo)體的示例可包括如下材料，該材料包含從由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)以及錫(Sn)構(gòu)成的群組中選出的兩種以上元素。氧化物半導(dǎo)體的具體不例可包括In-Sn-Ga-Zn-O系材料、In-Ga-Zn-O系材料、In-Sn-Zn-O系材料、In-Al (鋁)-Zn-O 系材料、Sn-Ga-Zn-O 系材料、Al-Ga-Zn-O 系材料、Sn-Al-Zn-O 系材料、In-Zn-O系材料、Sn-Zn-O系材料、Al-Zn-O系材料、Zn-Mg (鎂)-O系材料、Sn-Mg-O系材料、In-Mg-O系材料、In-Ga-O系材料、In-O系材料、Sn-O系材料以及Zn-O系材料。應(yīng)當(dāng)注意，例如，In-Ga-Zn-O系材料表不氧化物包括In、Ga以及Zn而不考慮其組成比。另外，In-Ga-Zn-O系材料可包括除In、Ga以及Zn外的元素。此外，優(yōu)選地，氧化物半導(dǎo)體中包含的氧的量的化學(xué)計(jì)量組成比可以是過量的。在包含過量的氧時(shí)，抑制了由氧化物半導(dǎo)體層23中的氧的丟失而導(dǎo)致的載流子的生成。另外，作為氧化物半導(dǎo)體層23的材料，可優(yōu)選具有不低于約2.5eV的帶隙的材料來減小TFT 20A的關(guān)斷電流，并且可優(yōu)選具有不低于約
3.0eV的帶隙的材料。
[0057]如上所述，氧化物半導(dǎo)體對氫非常敏感，并且即使少量的氫也可影響氧化物半導(dǎo)體的性能。圖2示出了將氧化物半導(dǎo)體用作溝道的樣本I和2中的氧化物半導(dǎo)體層23的閾值電壓的變化。樣本I的構(gòu)造是通過如下方式形成的:形成具有與圖1所示的半導(dǎo)體層20類似的結(jié)構(gòu)的TFT，并接著在平坦化膜27上依次層疊像素電極31、有機(jī)層33以及對置電極34。樣本2的構(gòu)造如下:在樣本I的構(gòu)造的對置電極34上進(jìn)一步形成氮化硅(膜厚度為5 μ m的SiNx)。SiNx膜是可滲透氫或能夠釋放氫的膜，并且在顯示單元中通常被用作絕緣膜(例如，保護(hù)膜35)。當(dāng)(在60°C下)對樣本I和2進(jìn)行溫度加速測試時(shí)，在未包括SiNx膜的樣本I中閾值電壓幾乎不發(fā)生變化，而包括SiNx膜的樣本2中閾值電壓在1000小時(shí)時(shí)發(fā)生約不低于15V的偏移。因此，在設(shè)置有將氧化物半導(dǎo)體用作溝道的TFT 20A的顯示裝置中，在結(jié)構(gòu)上存在著TFT 20A的閾值電壓易于變化的問題。
[0058]因此，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置I中，將氫吸收層H(第二層)設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層23與諸如SiNx膜之類的可滲透氫或能夠釋放氫的層(第一層)之間以減少TFT 20A的閾值電壓的變化。下面將描述將氫吸收層H的構(gòu)造。
[0059]氫吸收層H具有吸氫功能，并且設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層23與可滲透氫或能夠釋放氫的層(例如，保護(hù)膜35)之間，而不管其導(dǎo)電性和電絕緣性如何。更具體地，例如，在針對半導(dǎo)體層20設(shè)置氫吸收層H的情況下，諸如源極電極24A、漏極電極24B或配線26之類的配線層，或諸如層間絕緣膜25或平坦化膜27之類的絕緣膜也可用作氫吸收層H。另外，例如在針對顯示層30設(shè)置氫吸收層H的情況下，像素電極31、有機(jī)層33、對置電極34以及阻擋部32中的任一者也可用作氫吸收層H。氫吸收層H可優(yōu)選具有不低于2 X 117原子/cm2的吸氫能力，并且可優(yōu)選使用能夠在顯示單元I的工作和存儲的溫度范圍內(nèi)(例如，從約-40°C到約90°C )吸收氫的材料。
[0060]氫吸收劑的示例可包括儲氫合金(hydrogen storage alloy)、氧化劑、在分子中具有雙鍵的有機(jī)物以及吸附材料。氫吸收層H由從它們中選取的一種或多種的混合物構(gòu)成。更具體地，例如，氫吸收層H可形成為由具有導(dǎo)電性的儲氫合金或吸附材料形成的金屬層，或可形成為由具有電絕緣性的氧化物、在分子中具有雙鍵的有機(jī)物的顆粒、或吸附材料或氫吸收劑與樹脂的混合物形成的絕緣層。
[0061]儲氫合金是具有捕獲氫的性能的合金，并且儲氫合金的示例可包括AB2型合金和AB5型合金。具體地，AB2型合金將諸如鈦(Ti)、錳(Mn)、鋯(Zr)或鎳(Ni)之類的過渡元素的合金用作基材。具體地，AB5型合金將以1:5的比率包括鈮(Nb)和/或Zr以及具有催化作用的過渡元素(例如，N1、鈷(Co)以及鋁(Al))的合金用作基材。除此之外，儲氫合金的示例還可包括T1-鐵(Fe)系合金、I凡(V)系合金、Mg系合金、鈕(Pa)系合金、I丐(Ca)系合金以及Ca與諸如Ni之類的過渡金屬的合金。
[0062]氧化劑和在分子中具有雙鍵的有機(jī)物的示例可包括如下材料。氧化劑可使用硝酸鉀、次氯酸、亞氯酸、氯酸、高氯酸、鹵素、高猛酸、硝酸鋪銨(eerie ammonium intrate)、鉻酸、重鉻酸、過氧化物、托倫斯試劑(Tollens’ reagent)等。在分子中具有雙鍵的有機(jī)物可使用烯烴、羰基化合物等。更具體地，可使用RCHO、RCOOR'、RC00H、RCOR’ R〃、RC(O) C(R')CR"R" ’、RC0C1、(RC0)20等。應(yīng)當(dāng)注意，在有機(jī)物具有高活化能的情況下，可將各種催化劑中的任一種與有機(jī)物結(jié)合使用。催化劑的示例可包括氫鋁化合物和氫硼化合物。另外，氧化物和在分子中具有雙鍵的有機(jī)物的混合物可在該混合物吸收氫時(shí)產(chǎn)生作為副產(chǎn)品的水。水與有機(jī)層33中的發(fā)光層或電子注入層的反應(yīng)可導(dǎo)致亮度的下降，因此，優(yōu)選地添加水吸收材料(吸水劑)。吸水劑的示例可包括醛和酮。吸水劑的具體示例可包括環(huán)已酮和巴豆醒，并且可優(yōu)選地向它們添加氫化招鋰(lithium aluminum hydride)。
[0063]吸附材料通過物理吸附來捕獲氫。吸附材料的具體示例可包括具有大表面面積的沸石、介孔氧化娃(mesoporos silica)、層狀娃酸鹽(layer silicate)、活性炭、碳納米管(CNT)、石墨納米碳以及富勒烯(C6tl)。
[0064]另外，氫吸收層H可使用氫吸收劑的顆粒和樹脂的混合物來形成。該氫吸收劑的顆粒和樹脂的混合物可通過調(diào)節(jié)氫吸收劑的顆粒大小以及混合的氫吸收劑的濃度來調(diào)節(jié)電絕緣性和透明性。上述儲氫合金、上述氧化劑以及上述吸附材料可用作氫吸收劑的顆粒。樹脂的示例可包括具有電絕緣性并且添加有感光材料的丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂(novolac)以及環(huán)氧樹脂。例如，在使用氫吸收劑的顆粒和樹脂的混合物來形成平坦化膜27等的情況下，可優(yōu)選地酌情調(diào)節(jié)膜中的氫吸收劑的分散性、反射率以及濃度。就氫吸收劑的分散性而言，通過在成膜期間將氫吸收劑均勻地分散在樹脂溶劑中能夠提高氫吸收劑的反應(yīng)面積。另外，在通過UV光或可見光對由氫吸收劑的顆粒和樹脂形成的絕緣膜(層間絕緣膜27)圖案化時(shí)，可優(yōu)選地將氫吸收劑制備成不會阻擋或散射UV光或可見光。特別地，在圖14所示的底發(fā)射顯示單元中，期望在發(fā)光層下方形成的層具有不會減弱光線的高透明性。
[0065]圖3和圖4示出了在普通曝光單元中具有最短波長的i線(參考圖3)和可見光(λ = 550nm)(參考圖4)中的顆粒直徑和散射系數(shù)。應(yīng)當(dāng)注意，在圖3中，氫吸收劑以1%或10%的容積率混合至聚酰亞胺中，并且在圖4中，氫吸收劑以I %、10%或50%的容積率混合至聚酰亞胺中。如從圖3和4可見，在氫吸收劑的顆粒直徑大于30nm時(shí)，顆粒直徑落入瑞雷散射區(qū)域(Rayleigh scattering reg1n)的外部，由此造成散射系數(shù)的增加。因此，在使用氫吸收劑和樹脂的混合物時(shí)，氫吸收劑的顆粒直徑可優(yōu)選地小于約30nm。
[0066]另外，在由氫吸收劑的顆粒和樹脂的混合物形成諸如平坦化膜27之類的絕緣膜時(shí)，優(yōu)選地，氫吸收劑可具有電絕緣性。然而，只要整個(gè)膜表現(xiàn)出電絕緣性(非導(dǎo)電性)，則氫吸收劑可具有導(dǎo)電性。在使用具有導(dǎo)電性的氫吸收劑的情況下，樹脂中氫吸收劑的濃度可優(yōu)選地在約Iwt %至約50wt%的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選地在約5wt%至約20wt%的范圍內(nèi)。
[0067]因此，在將使用上述材料形成的氫吸收層H(第二層)布置在氧化物半導(dǎo)體層23和可滲透氫或能夠釋放氫的層之間時(shí)，能夠減少到達(dá)氧化物半導(dǎo)體層23的氫。應(yīng)當(dāng)注意，可將設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層23和可滲透氫或能夠釋放氫的層(例如保護(hù)膜35)之間的現(xiàn)有部件(例如，平坦化膜27或保護(hù)膜35)用作氫吸收層H，或者可形成其他層。將在下面描述諸如將配線層(例如像素電極31)也用作氫吸收層H(第一實(shí)施例和變形例I)的情況、將絕緣層(例如平坦化膜27)用作氫吸收層H(第二實(shí)施例)的情況以及在除用于構(gòu)成顯示單元的現(xiàn)有層外還形成氫吸收層H(第三實(shí)施例)等各個(gè)實(shí)施例和變形例。
[0068]2.第一實(shí)施例
[0069]2-1.基本構(gòu)造
[0070]如上所述，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示單元(顯示單元I)的剖面構(gòu)造，并且在顯示單元I中設(shè)置有顯示區(qū)域110A，在該顯示區(qū)域IlOA中，半導(dǎo)體層20和顯示層30層疊在基板11上。在顯示區(qū)域IlOA中，例如均包括作為子像素的紅像素10R、綠像素1G和藍(lán)像素1B的多個(gè)像素10布置成矩陣形式(參考圖5)。針對每個(gè)像素10 (10RU0G和10B)設(shè)置有用于發(fā)射白光的白光發(fā)射器件30W，并且通過濾色片(未示出)來獲取與每個(gè)像素10RU0G和1B相對應(yīng)的發(fā)射光。白光發(fā)射器件30W可以是例如如下有機(jī)EL器件，該有機(jī)EL器件的發(fā)光層等由有機(jī)化合物形成。在本實(shí)施例中，像素電極31還用作氫吸收層H。
[0071]基板11的示例可包括高應(yīng)變點(diǎn)玻璃基板、鈉玻璃(Na20.Ca0.S12)基板、硅酸硼玻璃(Na20.B2O3.S12)基板、鎂橄欖石(2Mg0.S12)基板、鉛玻璃(Na20.Pb0.S12)基板、石英基板以及均包括形成在其表面上的絕緣膜的各種玻璃基板、石英基板和硅基板。此夕卜，可使用表面受到絕緣處理的Al、N1、銅(Cu)或不銹鋼的金屬箔基板、紙張等。另外，可在這些基板上形成諸如用于提高粘附性或平坦性的緩沖層或用于提高氣障性能的阻擋膜之類的功能性膜。
[0072]用于驅(qū)動或?qū)懭氲木w管Trl和Tr2以及各種配線形成在半導(dǎo)體層20中，并且平坦化膜27設(shè)置在晶體管Trl和Tr2以及配線上。盡管晶體管Trl和Tr2 (下文中稱為“TFT20A”)可以是頂柵型或底柵型晶體管，但是這里將底柵型TFT 20A作為示例進(jìn)行描述。在TFT 20A中，柵極電極21、柵極絕緣層22、用于形成溝道區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體層23(溝道層)，以及成對的源極-漏極電極(源極電極24A和漏極電極24B)依次形成在基板11上。另外，層間絕緣膜25(25A和25B)和配線層26設(shè)置成多層配線層。
[0073]柵極電極21的作用在于向氧化物半導(dǎo)體層23施加?xùn)艠O電壓，并且通過柵極電壓控制氧化物半導(dǎo)體層23中的載流子密度。柵極電極21布置在基板11的選擇區(qū)域中，并且可例如由諸如 Al、T1、鉻(Cr)、鈷(Co)、N1、Cu、釔⑴、鋅(Zr)、鑰(Mo)、銀(Ag)、鉭(Ta)、釕(Ru)以及鎢(W)之類的金屬的金屬單質(zhì)或合金。可選地，可使用由從它們中選取的兩種以上構(gòu)成的層疊構(gòu)造。
[0074]厚度為例如約50nm至約I μ m的柵極絕緣層22可設(shè)置在柵極電極21和氧化物半導(dǎo)體層23之間。對于柵極絕緣層22的材料，包含少量的氫、氧和水的材料是優(yōu)選的，并且柵極絕緣層22可由如下絕緣膜構(gòu)造，例如該絕緣膜包括從由氧化硅膜(S1)、氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(S1N)、氧化鉿膜(HfO)、氧化鋁膜(AlO)、氮化鋁膜(AlN)、氧化鉭膜(TaO)、氧化鋯膜(ZrO)、氮氧化鉿膜、氮氧化鉿硅膜、氮氧化鋁膜、氮氧化鉭膜以及氮氧化鋯膜構(gòu)成的群組中選出的一種或多種。柵極絕緣層22可具有單層構(gòu)造，或者可以具有例如使用諸如SiN和S1之類的至少兩種材料的層疊構(gòu)造。
[0075]氧化物半導(dǎo)體層23在柵極絕緣層22上形成為島形，并且在源極電極24A和漏極電極24B之間具有處于面對柵極電極21的位置的溝道區(qū)域。氧化物半導(dǎo)體層23的厚度可以是例如在約5nm至約10nm的范圍內(nèi)。氧化物半導(dǎo)體層23由上述包括In、Ga、Zn等中任一者的氧化物半導(dǎo)體制成。
[0076]源極電極24A和漏極電極24B在氧化物半導(dǎo)體層23上布置成彼此分離，并且被配置成與氧化物半導(dǎo)體層23電連接。源極電極24A和漏極電極24B的材料可包括金屬材料、類金屬材料以及無機(jī)半導(dǎo)體材料。更具體地，除所列出的作為上述柵極電極21的材料的材料外，也可使用例如諸如錳(Mn)、鈀(Pd)、釩(V)、金(Au)以及銀(Ag)之類的金屬單質(zhì)、它們的氧化物、它們的氮化物以及它們的合金。特別地，由于T1、Mn、Zr、N1、Pd、V等具有儲氫能力，因此它們可以是優(yōu)選的?？蛇x地，可使用由從它們中選出的至少兩種構(gòu)成的層疊構(gòu)造。在使用層疊構(gòu)造的情況下，該層疊構(gòu)造優(yōu)選地被構(gòu)造成暴露諸如Ti之類的具有儲氫效果的金屬材料。
[0077]層間絕緣膜25(25A和25B)被構(gòu)造成防止不同層中的配線之間的短路，例如，氧化物半導(dǎo)體層23與源極電極24A以及漏極電極24B之間、源極電極24A和漏極電極24B與配線27A之間等。作為層間絕緣膜25的材料，可使用具有電絕緣性的材料，例如所列出的作為上述柵極絕緣層22的材料的無機(jī)絕緣材料，并且不會釋放大量的氫、氧以及水的材料可以是優(yōu)選的。
[0078]平坦化膜27被構(gòu)造成使上面形成有TFT 20A的基板11的表面平坦化，并且可具有約Iym至約10 μ m的厚度。作為平坦化膜27的材料，除了所列出的作為上述柵極絕緣膜22的材料的無機(jī)絕緣材料外，也可使用例如諸如聚酰亞胺系有機(jī)材料、聚丙烯酸酯系有機(jī)材料、環(huán)氧樹脂系有機(jī)材料、甲酚醛系有機(jī)材料、聚苯乙烯系有機(jī)材料、聚酰胺系有機(jī)材料以及氟系有機(jī)材料之類的感光樹脂材料。
[0079]顯示層30包括白光發(fā)射器件30W，并且布置在半導(dǎo)體層20上。白光發(fā)射器件30W是通過從半導(dǎo)體層20開始依次層疊像素電極31、作為電極間絕緣膜的阻擋部32、包括發(fā)光層的有機(jī)層33以及對置電極34形成的。對置基板12結(jié)合至對置電極34上，并且在它們之間設(shè)置有保護(hù)膜35和密封層36。TFT 20A和白光發(fā)射器件30W被構(gòu)造成通過在平坦化膜27中形成的連接孔27A彼此電連接。
[0080]在本實(shí)施例中，將像素電極31用作氫吸收層H，因此，像素電極31由上述諸如AB2型合金或AB5型合金之類的儲氫合金制成。特別地，在將像素電極31用作陽極的情況下，例如可優(yōu)選使用諸如鉬(Pt)、Au、Ag、Cr、W、N1、Cu、Fe、Co或Ta之類的具有高功函數(shù)的金屬或者它們的合金(例如，主要成分為Ag的包括約0.3wt%至約Iwt %的Pd以及約0.3wt%至約Iwt %的Cu的Ag-Pd-Cu合金,或Al-Nd合金)。另外,在使用諸如Al或包括有Al的合金之類的具有低功函數(shù)的材料的情況下，通過使用合適的材料形成稍后將描述的空穴注入層，可將具有低功函數(shù)的材料用作陽極，以提高空穴注入性能?？蛇x地，像素電極31可由從上述金屬材料中選出的一者的單層構(gòu)成，或是由從上述金屬材料中選出的至少兩者的層疊構(gòu)造構(gòu)成。在使用層疊構(gòu)造的情況下，該層疊構(gòu)造優(yōu)選地被構(gòu)造成暴露上述儲氫合金。
[0081]阻擋部32被構(gòu)造成確保像素電極31和對置電極24之間的電絕緣性并將發(fā)光區(qū)域形成為所期望的形狀，并且其可由例如感光樹脂制成。阻擋部32僅布置在像素電極31周圍，并且從像素電極31的阻擋部32處暴露出的區(qū)域用作發(fā)光區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，即使有機(jī)層33和對置電極34設(shè)置在阻擋部32上，光線也僅從發(fā)光區(qū)域發(fā)出。
[0082]有機(jī)層33的構(gòu)造例如可通過從像素電極31依次層疊空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層來形成。這些層可根據(jù)需要設(shè)置。例如，在發(fā)光層是通過添加具有電子傳輸性能的材料形成時(shí)，可省略電子傳輸層。另外，可將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層組合成一個(gè)單元，并且至少兩個(gè)由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層構(gòu)成的單元可通過它們之間的連接層進(jìn)行層疊以構(gòu)成所謂的串列構(gòu)造(tandem configurat1n)。
[0083]空穴注入層用于提高空穴注入效率，并且是用于防止泄露的緩沖層?？昭▊鬏攲佑糜谔岣哚槍Πl(fā)光層的空穴傳輸效率。發(fā)光層用于通過響應(yīng)于電場的施加使電子和空穴復(fù)合來發(fā)光。在本實(shí)施例中，發(fā)光層具有用于發(fā)射白光的構(gòu)造?？赏ㄟ^諸如層疊用于發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光層和用于發(fā)射黃光的黃光發(fā)光層來獲取白光，或通過層疊用于發(fā)射紅光的紅光發(fā)光層、用于發(fā)射綠光的綠光發(fā)光層以及藍(lán)光發(fā)光層來獲取白光。電子傳輸層用于提高針對發(fā)光層的電子傳輸效率。電子注入層用于提高電子注入效率?？昭ㄗ⑷雽?空穴傳輸層)和電子注入層(電子傳輸層)可優(yōu)選具有大致相等的厚度，但是，只要可以保持針對發(fā)光層的空穴和電子的供給平衡，則不對空穴注入層(空穴傳輸層)和電子注入層(電子傳輸層)的厚度進(jìn)行特定限制。例如，電子注入層(電子傳輸層)可以比空穴注入層(空穴傳輸層)厚。因此，能夠向發(fā)光層充分提供合適數(shù)量的空穴和電子，并且可降低驅(qū)動劣化，并提聞發(fā)光壽命。
[0084]對置電極34可由具有透光性的材料制成，例如銦錫氧化物(ITO)、InZnO (銦鋅氧化物)、氧化鋅(ZnO)以及鋁(Al)，或者鋁、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉(Na)的合金。特別地，由于鎂銀合金(Mg-Ag合金)具有薄膜的導(dǎo)電性以及少量吸收，因此Mg-Ag合金是優(yōu)選的。Mg-Ag合金中鎂和銀的比例不做特別限制，然而，該比例可優(yōu)選為膜厚比Mg:Ag =約20:1至約1:1的范圍內(nèi)?？蛇x地，對置電極34的材料可以是鋁(Al)和鋰(Li)合金(Al-Li合金)。對置電極34的厚度可以是例如約1nm至約3000nm的范圍內(nèi)。
[0085]保護(hù)膜35可具有例如約I μ m至約10 μ m的厚度，并且可由諸如氧化鋁(AlOx)、氧化硅(S1)、或氮氧化硅(S1N)之類的絕緣膜形成。可將相比于其他材料可釋放更大量的氫但也適用于有機(jī)層33的保護(hù)膜的氮化硅(SiNx)作為不同于上述材料的絕緣材料。如稍后將描述，保護(hù)膜35可由通過諸如派射法(sputtering method)或CVD (化學(xué)氣相沉積)法形成，并且在成膜期間，氫被包含在保護(hù)膜35中。包含在保護(hù)膜35中的氫隨時(shí)間釋放以擴(kuò)散至半導(dǎo)體層20中，由此形成TFT特性劣化的原因。應(yīng)當(dāng)注意，可省略保護(hù)膜35，并且在這種情況下，對置電極34與第一層相對應(yīng)。
[0086]密封層36用于防止水從外部進(jìn)入有機(jī)層33，并且用于提高機(jī)械強(qiáng)度。密封層36可優(yōu)選具有例如約3 μ m至約20 μ m的厚度，并且更優(yōu)選具有約5 μ m至約15 μ m的厚度。在厚度小于約3 μ m的情況下，在密封期間所混合的異物可向發(fā)光器件30W施加壓力，從而導(dǎo)致諸如像素缺失之類的暗點(diǎn)。在厚度高于約20 μ m的情況下，發(fā)光層和稍后將描述的布置在對置基板12上的濾色片(未示出)之間的距離將增加，并且因此可造成諸如混色之類的視角劣化。另外，效折射率差異越小，密封層36和保護(hù)層35之間的界面的光提取效率就越高，因此，密封層36的折射率可優(yōu)選為例如約1.7以上。另外，密封層36在顯示區(qū)域I1A中可優(yōu)選具有例如約80 %以上的透射比，然而，在周圍區(qū)域I1B中的透射比不做具體限制。
[0087]對置基板12位于靠近白光發(fā)射器件30W的對置電極34的一側(cè)上，并且用于與粘結(jié)層(未示出)一起密封白光發(fā)射器件30W。對置基板12優(yōu)選使用能夠使從白光發(fā)射器件30W中發(fā)射的光線穿過的材料，例如，列出的作為上述基板11的材料的各種類型的玻璃基板、石英基板等。例如，可向?qū)χ没?2設(shè)置遮光膜(未示出)以作為濾色片和黑矩陣，以用于提取從白光發(fā)射器件30W中發(fā)射的光線并提高對比度。
[0088]濾色片包括以與像素10R、10G和1B相對應(yīng)的方式依次排列的紅色濾色片、綠色濾色片以及藍(lán)色濾色片(均未示出)。紅色濾色片、綠色濾色片以及藍(lán)色濾色片形成為矩形形狀，并且兩兩之間沒有間隔。紅色濾色片、綠色濾色片以及藍(lán)色濾色片中的每者由混合有顏料的樹脂制成，并且可通過選擇顏料進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而在目標(biāo)紅光、綠光或藍(lán)光的波長范圍內(nèi)具有高透光率，而在其他波長范圍內(nèi)具有低透光率。應(yīng)當(dāng)注意，例如，即使在針對像素10RU0G和1B分別設(shè)置相應(yīng)的發(fā)光器件30R、30G和30B的情況下，在設(shè)置有濾色片時(shí)，也能夠提高顏色純度，并且能夠提高色域(color gamut)。
[0089]遮光膜可由例如混合有黑色著色劑且具有約I以上的光學(xué)密度的黑色樹脂膜構(gòu)成，或者由利用薄膜干涉的薄膜濾光片構(gòu)成。特別地，遮光膜可優(yōu)選由黑色樹脂膜構(gòu)成，這是因?yàn)檎诠饽ひ子谝缘统杀拘纬?。薄膜濾光片可例如通過層疊一層以上的由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物制成的薄膜構(gòu)成，并且用于利用薄膜干涉來減弱光線。薄膜濾光片的具體示例可以是由交替層疊鉻和氧化鉻(III) (Cr2O3)構(gòu)成的薄膜濾光片。
[0090]2-2.制造方法
[0091]可使用稍后將描述的普通方法來形成半導(dǎo)體層20和顯示層30。首先，使用例如濺射法或真空淀積(vacuum deposit1n)法在基板11的整個(gè)表面上形成金屬層。接著，使用例如光刻法和蝕刻法來圖案化金屬膜，進(jìn)而形成柵極電極21。然后，在基板11和柵極電極21的整個(gè)表面上形成柵極絕緣層22和氧化物半導(dǎo)體層23。更具體地，通過例如旋轉(zhuǎn)涂覆法在基板11的整個(gè)表面涂覆例如PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液以作為柵極絕緣層材料，并且使其干燥。從而形成了柵極絕緣層22。然后，使用氧化物半導(dǎo)體覆蓋柵極絕緣層22。在此之后，對覆蓋柵極絕緣層22的氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行加熱以在柵極絕緣層22形成氧化物半導(dǎo)體層23。
[0092]然后，在氧化物半導(dǎo)體層23上形成層間絕緣膜25A后，在層間絕緣膜25A上形成源極電極24A和漏極電極24B，以使其與氧化物半導(dǎo)體層23電連接。更具體地，例如，利用諸如濺射法形成Ti膜。之后，通過利用例如光刻法的蝕刻來形成源極電極24A和漏極電極24B。然后，在源極電極24A、漏極電極24B和層間絕緣膜25A上依次形成層間絕緣膜25B和配線26。
[0093]之后，在將平坦化膜27形成在層間絕緣膜25B和配線26上后，設(shè)置作為氫吸收層H的像素電極31。更具體地，在例如涂覆聚酰亞胺后，通過暴露和顯影將平坦化膜27圖案化成預(yù)定形狀，且形成連接孔27A，并且燒制平坦化膜27。然后，通過例如濺射法在平坦化膜27上形成由上述儲氫合金中的任一種制成的金屬膜，之后，通過例如濕法刻蝕選擇性地移除位于金屬膜的預(yù)定位置中的部分，以針對像素10RU0G和1B中每者形成彼此分離的像素電極31。
[0094]接著，例如可使用諸如真空蒸鍍法、各種印刷法中任一種以及激光轉(zhuǎn)印(lasertransfer)法等之類的物理氣相沉積法(PVD法)來形成包括發(fā)光層的有機(jī)層33以及對置電極34。然后，可使用例如CVD法在對置電極34上形成由例如SiNx制成的保護(hù)膜35，其中，在CVD法中，例如硅甲烷和氨氣彼此反應(yīng)。另外，在保護(hù)膜35上形成密封層36。
[0095]最后，在密封層36上形成粘結(jié)層(未示出)，并且隔著粘結(jié)層將包括濾色片和黑色矩陣的對置基板12結(jié)合至密封層36。這樣就完成了圖1所示的顯示單元I。
[0096]2-3.顯示單元的整體構(gòu)造
[0097]圖5示出了圖1所示的整個(gè)顯示單元的平面構(gòu)造。在顯示單元I中，設(shè)置有顯示區(qū)域IlOA和周圍區(qū)域110B，其中，在顯示區(qū)域IlOA中設(shè)置有多個(gè)以矩陣形式排列的像素10(10R、10G和10B)，并且周圍區(qū)域IlOB位于顯示區(qū)域110A(的外緣側(cè)或外邊緣側(cè))周圍。針對周圍區(qū)域I1B設(shè)置作為圖像顯示驅(qū)動器的信號線驅(qū)動電路120和掃描線驅(qū)動電路 130。
[0098]在顯示區(qū)域IlOA中設(shè)置像素驅(qū)動電路140。圖6示出了像素驅(qū)動電路140的示例(紅色像素10R、綠色像素1G以及藍(lán)色像素1B中每者的像素電路的示例)。像素驅(qū)動電路140是形成在半導(dǎo)體層20 (其形成在像素電極31下方)中的有源型驅(qū)動電路。像素驅(qū)動電路140包括驅(qū)動晶體管Trl、寫入晶體管Tr2以及位于晶體管Trl和Tr2之間的電容器(保持電容器)Cs。像素驅(qū)動電路140還包括在第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間與驅(qū)動晶體管Trl串聯(lián)連接的發(fā)光器件。換言之，發(fā)光器件(白光發(fā)光器件30W)設(shè)置在紅色像素10R、綠色像素1G以及藍(lán)色像素1B中的每者中。驅(qū)動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2中的每者由普通的TFT構(gòu)成，并且TFT的構(gòu)造可以是上述的底柵型或可以具有稍后將描述的交錯(cuò)構(gòu)造(頂柵型)。不對TFT的構(gòu)造進(jìn)行具體限制。
[0099]在像素驅(qū)動電路140中，沿列方向布置有多條信號線120A，且沿行方向設(shè)置有多條掃描線130A。每條信號線120A和每條掃描線130A的交點(diǎn)對應(yīng)于紅色像素10R、綠色像素1G以及藍(lán)色像素1B中的一者。每條信號線120A與信號線驅(qū)動電路120連接，并且通過信號線120A將圖像信號從信號線驅(qū)動電路120提供至寫入晶體管Tr2的源極電極。每條掃描線130A與掃描線驅(qū)動電路130連接，并且通過信號線130A將掃描信號順序地從掃描線驅(qū)動電路130提供至寫入晶體管Tr2的柵極電極。
[0100]在顯示單元I中，通過寫入晶體管Tr2的柵極電極將掃描信號從掃描線驅(qū)動電路130提供至每個(gè)像素10，并且通過寫入晶體管Tr2將從信號線驅(qū)動電路120提供的圖像信號保存在保存電容器Cs中。換言之，響應(yīng)于保存在保存電容器Cs中的信號對驅(qū)動晶體管Trl進(jìn)行開-關(guān)控制，并且由此驅(qū)動電流Id流入白光發(fā)射器件30W中，從而通過空穴和電子的復(fù)合使發(fā)光器件30W發(fā)光。該光在像素電極31和對置電極24之間被多次反射,或者來自像素電極31的反射光和從發(fā)光層發(fā)射的光線通過干涉彼此加強(qiáng)，并且光穿過對置電極34和對置基板12以被提取。
[0101]2-4.功能和效果
[0102]如上所述，由于氧化物半導(dǎo)體對氫極其敏感，因此將氧化物半導(dǎo)體用作溝道層的TFT的特性甚至受少量氫的影響。另一方面，與本實(shí)施例相同，包括作為發(fā)光器件的有機(jī)EL器件的有機(jī)EL顯示單元包括大量的氫。因此，在將氧化物半導(dǎo)體用作用于構(gòu)成有機(jī)EL顯示單元的TFT的溝道的情況下，存在著氧化物半導(dǎo)體層易于暴露于氫的問題，由此導(dǎo)致顯示特性的劣化。有機(jī)EL顯示單元中的氫釋放源的示例可包括在處理室中形成的膜構(gòu)造、用于形成有機(jī)EL發(fā)光器件的堿金屬或堿土金屬、在成膜期間混合的異物以及由異物引起的裂紋。
[0103]在處理室中形成的膜構(gòu)造可適用于例如通過濺射法或CVD法形成的膜，S卩，用于構(gòu)成TFT或發(fā)光器件的大量構(gòu)造。通常，在真空環(huán)境下，在處理室中形成TFT或發(fā)光器件中的每個(gè)層(每個(gè)膜)。然而，難以從用于形成真空環(huán)境的泵中完全移除具有少量分子的氫。另外，粘附于基板、掩膜、靶材、處理室的壁面等粘附的水發(fā)生變化進(jìn)而生成氫。從而，在真空環(huán)境下，在處理室中包括有特定數(shù)量的氫，并且在成膜期間這些氫被結(jié)合至膜中。由于諸如時(shí)間變化或溫度變化之類的環(huán)境變化，膜中的氫被釋放到膜的外部，由此導(dǎo)致氧化物半導(dǎo)體的特性劣化。
[0104]有機(jī)EL發(fā)光器件中包括的堿金屬或堿土金屬的示例可包括作為陰極的對置電極
34、電子注入層以及電子傳輸層的材料。堿金屬和堿土金屬具有小的功函數(shù)且相對于有機(jī)材料的LUMO具有低的能壘，因此堿金屬和堿土金屬能夠提高發(fā)光效率。然而，堿金屬和堿土金屬容易被氧氣和水氧化。特別地，在堿金屬和堿土金屬被水氧化的情況下將產(chǎn)生氫，由此如上所述地將造成氧化物半導(dǎo)體的性能劣化。
[0105]在成膜期間混合的異物以及由異物引起的裂紋成為氧氣和水在異物或裂紋周圍從對置電極34等進(jìn)入氫釋放源的路徑。通過異物或裂紋到達(dá)對置電極34的氧氣或氫與用于形成對置電極34等的堿金屬發(fā)生反應(yīng)，從而生成氫。通過異物或裂紋，所生成的氫造成異物或裂紋周圍的氧化物半導(dǎo)體的性能劣化。因此，顯示單元受到諸如由亮度的部分降低引起的顯示不均勻之類的顯示缺陷的損害。
[0106]應(yīng)當(dāng)注意，可通過在發(fā)光器件上形成保護(hù)膜(例如，上述保護(hù)膜35)來避免由異物、裂紋等造成的氧氣或水的進(jìn)入。然而，在異物、裂紋等覆蓋有保護(hù)膜的情況下，保護(hù)膜必須具有覆蓋性以及特定或更厚的膜厚度。特定或更厚的膜厚度的優(yōu)點(diǎn)在于可防止毛孔，然而，在成膜速度非常低時(shí)，可損害生成率。另外，存在著保護(hù)膜本身易于釋放氫或氧氣的問題。
[0107]對于用于獲取和移除進(jìn)入氧化物半導(dǎo)體層的氫的方法，例如可考慮如下方法，該方法形成與氧化物半導(dǎo)體層接觸的柵極絕緣膜，其中該柵極絕緣膜是通過層疊用于擴(kuò)散氫的氫滲透膜和用于獲取氫的氫捕獲膜形成的層疊膜。氫滲透膜可使用例如氮氧化硅或氧化硅形成，而氫捕獲膜可使用例如氮化銦或無氧的包括銦的氮化物形成。氫滲透膜和氫捕獲膜能夠降低氧化物半導(dǎo)體的界面附近的氫的濃度，并且通過將氫滲透膜放置成更靠近氧化物半導(dǎo)體層來使供體濃度均勻化。
[0108]然而，具有這種構(gòu)造的層疊膜的吸氫能力不足。含有氫的有機(jī)層(包括可能是生成源的發(fā)光層)、由堿金屬或堿土金屬形成的電極以及通過CVD法形成的保護(hù)膜(SiNx膜)形成為具有與普通顯示單元中的這些層或膜的厚度相等的厚度(分別為約300nm、約1nm和約5 μ m)，它們的氫消除量分別為約5X 114原子/cm2、約2X 117原子/cm2以及約6X 118原子/cm2。另一方面，當(dāng)在生產(chǎn)能力方面上述層疊膜的氫捕獲膜的膜厚度的上限約為500nm時(shí)，氫捕獲膜具有約2至3X 116原子/cm2的氫可接收量。由此，在通過濺射形成半導(dǎo)體膜時(shí)，氫的濃度能夠通過氫捕獲膜進(jìn)行調(diào)節(jié)，然而對隨時(shí)間從有機(jī)層或保護(hù)膜中釋放的氫氣進(jìn)行吸收的能力并不充足。另外，在氫捕獲膜中包括的氫的濃度增加到超過氫可接收量時(shí)，諸如氫捕獲膜之類的包括銦的膜可快速地增加導(dǎo)電性，從而使得位于該膜周圍的氧化物半導(dǎo)體變成傳導(dǎo)狀態(tài)。
[0109]因此，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示單元中，設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層23和能夠釋放氫的層(例如，包括發(fā)光層的有機(jī)層33、保護(hù)層35等)之間的配線層(此例中的像素電極31)由儲氫合金形成以用作氫吸收層H。諸如儲氫合金之類的具有導(dǎo)電性的材料具有高于用于形成上述氫捕獲膜的具有電絕緣性的材料的吸氫能力。因此，在對用于構(gòu)成顯示單元的各個(gè)層的膜形成后，氧化物半導(dǎo)體層不太可能暴露于隨時(shí)間變化或環(huán)境變化從內(nèi)部釋放或從外部進(jìn)入的氫。
[0110]如上所述，在本實(shí)施例中，布置在氧化物半導(dǎo)體層23與能夠釋放氫的有機(jī)層33、對置電極34或保護(hù)膜35之間的像素電極31由具有導(dǎo)電性的氫吸收劑(例如，具有高的氫吸附性的儲氫合金)形成。因此，像素電極31充當(dāng)氫吸附層H。換言之，能夠避免隨時(shí)間變化或環(huán)境變化從內(nèi)部釋放或從外部進(jìn)入的氫到達(dá)氧化物半導(dǎo)體層23，從而，能夠抑制氧化物半導(dǎo)體層23的特性劣化。因此，具有相對于氫的高抵抗性以及增強(qiáng)的可靠性的顯示單元,且包括該顯示單元的電子設(shè)備能夠保持穩(wěn)定。
[0111]下面將描述上述第一實(shí)施例的變形例(變形例I)、第二至四實(shí)施例等。應(yīng)當(dāng)注意，在下面的描述中，將相同部件用與第一實(shí)施例相同的數(shù)字表示，并且不再對其進(jìn)行描述。
[0112]3.變形例I
[0113]圖7示出了根據(jù)上述第一實(shí)施例的變形例的顯示單元(顯示單元2)的剖面構(gòu)造。如圖8所示，在顯示單元2中，位于配線層(此例中的像素電極41)內(nèi)部的導(dǎo)電層41A和位于配線層外部的導(dǎo)電層41B由不同材料形成。在本變形例中，布置在像素電極41的外部中(即在導(dǎo)電層41A的表面上)的導(dǎo)電層41B由氫吸收劑形成，并且充當(dāng)氫吸收層H。除了這點(diǎn)，顯示單元2的構(gòu)造與根據(jù)第一實(shí)施例的顯示單元I的構(gòu)造類似,并且顯示單元2的功能與效果與根據(jù)第一實(shí)施例的顯示單元I的功能與效果類似。應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電層41B的至少一個(gè)表面可充當(dāng)氫吸收層H。
[0114]如上所述，在本變形例中，像素電極41由導(dǎo)電層41A和布置在導(dǎo)電層41A的表面上的導(dǎo)電層41B構(gòu)成。導(dǎo)電層41A由普通的電極材料制成，例如，諸如Al、Fe、Ag、Au或Cu之類的廉價(jià)低電阻材料。導(dǎo)電層41B由諸如上述AB2型合金或上述AB5型合金之類的儲氫合金制成。
[0115]因此，在本變形例中，像素電極的內(nèi)部和外部由不同的導(dǎo)電材料制成，并且暴露在像素電極41的表面上的外部(S卩，導(dǎo)電層41B)由儲氫合金形成，從而用作氫吸收層H。因此，由于廉價(jià)低電阻材料能夠用于位于像素電極內(nèi)部的導(dǎo)電層41A，因此，除上述第一實(shí)施例中的效果外，還產(chǎn)生了能夠降低成本的效果。應(yīng)當(dāng)注意，在選擇具有相等蝕刻性能的材料以作為用于形成導(dǎo)電層41A和導(dǎo)電層41B的導(dǎo)電材料時(shí)，能夠降低處理數(shù)量的增加。
[0116]4.第二實(shí)施例
[0117]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示單元(顯示單元3)的剖面構(gòu)造。顯示單元3與上述第一實(shí)施例和上述變形例I不同之處在于絕緣層(此例中的平坦化膜57)還充當(dāng)氫吸收層H。
[0118]本實(shí)施例的平坦化膜57通過混合氫吸收劑的顆粒和樹脂來形成?？蓪⑸鲜鰞浜辖?、氧化劑與在分子中具有雙鍵的有機(jī)物質(zhì)的混合物以及吸附材料用作氫吸收劑的顆粒?？蓪⒘谐龅淖鳛樯鲜銎教够?7的材料的感光樹脂材料(例如，聚酰亞胺系、聚丙烯酸酯系、環(huán)氧樹脂系、甲酚醛系、聚苯乙烯系、聚酰胺系以及氟系的有機(jī)材料)用作樹脂。如上參考圖3和4所述，優(yōu)選地，氫吸收劑的顆粒直徑小于約30nm。另外，在使用諸如儲氫合金之類的具有導(dǎo)電性的氫吸收劑的顆粒的情況下，在樹脂中的氫吸收劑的顆粒濃度處于約1%至約50%的范圍內(nèi)時(shí)，能夠維持平坦化膜57的電絕緣性。
[0119]應(yīng)當(dāng)注意，在將氫吸收劑的顆?；旌系阶鳛榛牡母泄鈽渲泻?，能夠使用普通的成膜方法形成平坦化膜57。另外，被混合到平坦化膜57中的氫吸收劑的顆粒直徑越小，越能夠提高氫吸收劑顆粒的氫吸附面積。例如，在通過使用液體的氫吸收劑并且使液體的氫吸收劑與作為基材的樹脂相溶來形成平坦化膜57時(shí)，氫能夠在用于形成平坦化膜57的樹脂中的每個(gè)分子中反應(yīng)。通過如下過程來獲取使用液體氫吸收劑的平坦化膜57。
[0120]首先，如圖1OA所示，通過例如旋轉(zhuǎn)涂覆法，使用通過混合樹脂和氫吸收劑形成的混合液體A涂覆基板，并且之后進(jìn)行預(yù)烘干以適當(dāng)?shù)卣舭l(fā)溶劑，由此形成了平坦化膜57X。接著，如圖1OB所示，將掩膜M放置在平坦化膜57X上，并且使用UV光或具有短波長的可見光進(jìn)行曝光。之后，如圖1OC所示，進(jìn)行顯影以將平坦化膜57X處理成預(yù)定圖案(連接孔57A等)，并且之后進(jìn)行后烘干以形成平坦化膜57。
[0121]另外，優(yōu)選地，向平坦化膜57添加吸水劑。平坦化膜57與發(fā)光器件30W接觸，并且如上所述，用于構(gòu)成發(fā)光器件30W的對置電極34以及有機(jī)層33中的電子傳輸層和電子注入層由堿金屬或堿土金屬形成，并且堿金屬等與水反應(yīng)從而產(chǎn)生氫。因此，在向與發(fā)光器件30W接觸的平坦化膜57添加吸水劑后，能夠抑制堿金屬等與水的反應(yīng)，由此抑制了氫的生成。除上述諸如沸石、介孔氧化硅、層狀硅酸鹽、活性炭、CNT、石墨納米碳以及C6tl之類的吸附材料外，吸水劑的示例還可包括利用金屬醇鹽(metal alkoxide)的水解作用的吸水劑和諸如聚丙烯酸鈉之類的高吸水性聚合物。
[0122]如上所述，在本實(shí)施例中，通過混合氫吸收劑顆粒和樹脂來形成用于構(gòu)成顯示單元2的絕緣膜(此例中的平坦化膜57)，且該絕緣膜也可用作氫吸收層H。因此，從通過CVD法等形成的保護(hù)膜35等中釋放的氫能夠在其到達(dá)氧化物半導(dǎo)體層23前被捕獲，因此，能夠降低氧化物半導(dǎo)體的性能劣化。換言之，能夠獲取與第一實(shí)施例中相似的效果。
[0123]另外，在本實(shí)施例中，通過使用顆粒形式的氫吸收劑提高了氫吸收劑的表面面積。因此，相比于如同上述第一實(shí)施例的由氫吸收劑形成整個(gè)膜的情況，能夠使用少量氫吸收劑來吸收大量氫，并且能夠降低成本。
[0124]5.第三實(shí)施例
[0125]圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示單元(顯示單元4)的剖面構(gòu)造。顯示單元4與上述實(shí)施例等的不同之處在于除現(xiàn)有的層外，在用于構(gòu)成上述第一實(shí)施例等中的顯示單元I至3的層中的任一層的位置處額外地形成氫吸附層。可在氧化物半導(dǎo)體層23和能夠釋放氫的層(例如，保護(hù)膜35)之間的位置處設(shè)置氫吸收層H。在本實(shí)施例中，氫吸收層H形成在與層間絕緣膜25A上的源極電極24A和漏極電極24B相同的層中。
[0126]氫吸附層H由儲氫合金、氧化劑與在分子中具有雙鍵的有機(jī)物的混合物、吸附材料、或者氫吸收劑顆粒與樹脂的混合物制成。氫吸附層H的材料可根據(jù)氫吸附層H設(shè)置在顯示單元4中的位置適當(dāng)?shù)貜纳鲜霾牧现羞x擇。在本實(shí)施例中，由于氫吸收層H布置在與源極電極24A和漏極電極24B相同的層中，所以在使用導(dǎo)電的氫吸收劑的情況下，如圖11所示，氫吸收層H在相對于源極電極24A和漏極電極24B的一定距離處形成。在使用諸如氧化劑與在分子中具有雙鍵的有機(jī)物的混合物、吸附材料、或氫吸收劑顆粒與樹脂的混合物的情形下，可在層間絕緣膜24B和平坦化膜27之間、平坦化膜27和像素電極31之間等形成的膜中設(shè)置絕緣材料。
[0127]6.第四實(shí)施例
[0128]圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示單元(顯示單元5)的剖面構(gòu)造。顯示單元5使用具有柔性的基板作為基板11和對置基板12。
[0129]基板11和對置基板12由具有柔性的材料制成，并且該材料的示例包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, PMMA)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol, PVA)、聚乙烯基苯酹(polyvinyl alcohol, PVP)、聚醚砜(polyether sulfone, PES)、聚酰亞胺、聚碳酸酯以及聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)之類的有機(jī)聚合物(它們具有諸如塑料膜、塑料片之類的聚合物形式，或由聚合物制成的柔性塑料基板)
[0130]另外，相比于由玻璃等形成基板11和對置基板12的情況，就本實(shí)施例而言，由柔性材料制成的基板11和對置基板12具有更高的透氣性。因此，能夠使氧化物半導(dǎo)體的性能劣化的水、氧氣、氫等易于進(jìn)入顯示單元5。因此，保護(hù)膜13A和13B優(yōu)選地形成在基板11和對置基板12的內(nèi)側(cè)(形成發(fā)光器件30W等的一側(cè))或外側(cè)(顯示單元5外側(cè))。應(yīng)當(dāng)注意，在圖12中，保護(hù)膜13A和13B分別形成在基板11的外側(cè)和對置基板12的內(nèi)側(cè)。
[0131]保護(hù)膜13A和13B的制成材料類似于上述保護(hù)膜35的材料，并且保護(hù)膜13A和13B能夠釋放氫。因此，如圖12所述，例如，氫吸收層14A和14B可優(yōu)選地設(shè)置在保護(hù)膜13A和13B與氧化物半導(dǎo)體層23之間，并與保護(hù)膜13A和13B接觸。基板11 (和基板12)有關(guān)的保護(hù)膜13A(13B)和氫吸收層14A(14B)可布置在顯示單元5的設(shè)置有發(fā)光器件30W等的位置的內(nèi)側(cè)，或者布置在顯示單元5的外側(cè)。
[0132]應(yīng)當(dāng)注意，如圖13所示，保護(hù)膜13A(或保護(hù)膜13B)和氫吸收層14A(或氫吸收層14B)可布置在顯示單元5的外側(cè)，且即使在這種情況下，與氫吸收層14A和14B布置在顯示單元5的內(nèi)側(cè)的情況相同，氫吸收層14A和14B布置在更靠近氧化物半導(dǎo)體層23的一側(cè)上。
[0133]如上所述，在本實(shí)施例中，即使在具有柔性的顯示單元5中，通過在與基板11和對置基板12接觸的位置中布置保護(hù)膜13A和氫吸收層14A的層疊膜以及保護(hù)層13B和氫吸收層14B的層疊膜，也能夠獲取與上述第一實(shí)施例中相似的效果。
[0134]7.變形例2
[0135]圖14示出了根據(jù)上述第一至第四實(shí)施例和上述變形例I的變形例的顯示單元(顯示單元6)的剖面結(jié)構(gòu)。顯示單元6與上述實(shí)施例等的不同之處在于顯示單元6是所謂的底部發(fā)光顯示單元，其中，在發(fā)光層中生成的光從該顯示單元的底面(基板11)發(fā)射。
[0136]應(yīng)當(dāng)注意，與上述實(shí)施例等相同，可在能夠釋放氫的絕緣膜(例如，保護(hù)膜35)或金屬層(例如，對置電極34)和氧化物半導(dǎo)體層23之間設(shè)置氫吸收層H，并且不對氫吸收層H的位置進(jìn)行特別限制。
[0137]8.變形例3
[0138]圖15示出了根據(jù)上述第一至第四實(shí)施例和上述變形例I和2的適用于顯示單元的TFT 70A的剖面結(jié)構(gòu)。TFT 70A具有交錯(cuò)(所謂的頂柵型)構(gòu)造，且如同上述實(shí)施例等，溝道由與氧化物半導(dǎo)體制成。
[0139]應(yīng)當(dāng)注意，如同上述變形例2，可在能夠釋放氫的絕緣膜(例如，保護(hù)膜35)或金屬層(例如，對置電極34)和氧化物半導(dǎo)體層23之間設(shè)置氫吸收層H，并且不對氫吸收層H的位置進(jìn)行特別限制。
[0140]9.應(yīng)用示例
[0141]可在下述電子設(shè)備中適當(dāng)?shù)厥褂蒙鲜鰧?shí)施例和上述變形例中描述的顯示單元1-6。
[0142]應(yīng)用示例I
[0143]圖16A示出了從智能手機(jī)的前側(cè)觀察時(shí)的外觀，并且圖16B示出了從智能手機(jī)的后側(cè)觀察時(shí)的外觀。智能手機(jī)可包括例如顯示部610 (顯示單元1-6中任一者)、非顯示部(外殼)620、以及操作部630。操作部630如圖16A所示可布置在非顯示部620的前表面上，或者如圖16B所示布置在非顯示部620的頂表面上。
[0144]應(yīng)用示例2
[0145]圖17示出了根據(jù)應(yīng)用示例2的電視機(jī)的外觀。電視機(jī)可包括例如包含前面板210和濾光鏡片220的圖像顯示屏部200，并且圖像顯示屏部200與上述顯示單元中任一者相對應(yīng)。
[0146]應(yīng)用示例3
[0147]圖18A示出了從前側(cè)觀察根據(jù)應(yīng)用示例3的數(shù)字照相機(jī)時(shí)的外觀，并且圖18B示出了從后側(cè)觀察數(shù)字照相機(jī)的的外觀。數(shù)字照相機(jī)可包括例如用于閃光的發(fā)光部310、如上述顯示單元中任一者的顯示部320、菜單開關(guān)330以及快門按鈕340。
[0148]應(yīng)用示例4
[0149]圖19示出了根據(jù)應(yīng)用示例4的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)可包括例如主體410、用于輸入字符等的操作的鍵盤420、以及如上述顯示單元中任一者的顯示部430。
[0150]應(yīng)用示例5
[0151]圖20示出了根據(jù)應(yīng)用示例5的攝像機(jī)的外觀。攝像機(jī)可包括例如主體510、設(shè)置在主體510的前表面并用于對物體的圖像進(jìn)行拍攝的鏡頭20、拍攝開始和停止開關(guān)530以及如上述顯示單元中任一者的顯示部530。
[0152]應(yīng)用示例6
[0153]圖21A示出了在根據(jù)應(yīng)用示例6的移動電話處于關(guān)合狀態(tài)下的前視圖、左視圖、右視圖以及仰視圖。圖21B是在移動電話處于打開狀態(tài)下的前視圖和側(cè)視圖。移動電話例如可具有如下構(gòu)造，其中，頂側(cè)外殼710與底側(cè)外殼720通過連接部(鉸鏈部)730彼此連接，并且移動電話可包括顯示屏740、子顯示屏750、閃光燈760以及攝像頭770。顯示屏740和子顯示屏750與上述顯示單元中任一者相對應(yīng)。
[0154]盡管參考第一至第四實(shí)施例和變形例I至3描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不局限于此，并且可進(jìn)行多種變形。例如，在上述實(shí)施例等中，有機(jī)EL(電致發(fā)光)器件被描述為顯示層30，然而，顯示層30也可由液晶層、包括位于像素電極和對置電極之間的電泳顆粒的電泳器件、無機(jī)EL器件等構(gòu)成。
[0155]另外，每層的材料和厚度、形成每層的方法和條件不限于上述實(shí)施例等中所描述的那些，并且每層可在任意其他條件下通過任意其他方法由具有任意其他厚度的任意其他材料制成。此外，在上述實(shí)施例等中，發(fā)光器件30W形成為上述實(shí)施例等中的像素10RU0G和1B中每者的發(fā)光器件，然而，本發(fā)明并不局限于此，也可針對像素10RU0G和1B分別設(shè)置用于發(fā)射紅色單色光的發(fā)紅光器件30R、用于發(fā)射綠色單色光的發(fā)綠光器件30G以及用于發(fā)射藍(lán)色單色光的發(fā)藍(lán)光器件30B。
[0156]另外，在上述實(shí)施例等中，詳細(xì)描述了顯示單元I至6的構(gòu)造，然而，并不必須包括上述實(shí)施例等中所描述的全部層，并且也可包括除上述實(shí)施例等中描述層以外的層。例如，可優(yōu)選地，在發(fā)光器件30W的有機(jī)層33和對置電極34之間插入具有高電阻值的高阻透明層。在設(shè)置了高阻層時(shí)，能夠在向像素電極31和對置電極34施加電壓期間避免由異物或者突起造成的電極之間的短路。另外，能夠減小缺陷像素或行丟失的發(fā)生。高阻層的電阻率可優(yōu)選在例如約I XlO6 Ω.πι至約1Χ108Ω.ι?的范圍內(nèi)。另外，高阻層的折射率可優(yōu)選地與有機(jī)層33和對置電極34的折射率大致相同，具體地為不低于約1.7，并且優(yōu)選為不低于約1.9。因此,能夠提高發(fā)光層的外量子效率(external quantum efficiency)。
[0157]應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明可構(gòu)造如下。
[0158](I) 一種顯示單元，包括:
[0159]氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道；
[0160]第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦?；以?br> [0161]第二層，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第一層之間。
[0162](2)如(I)所述的顯示單元，其中，所述氫吸收劑包括從由儲氫合金、氧化劑、在分子中具有雙鍵的有機(jī)物以及吸附材料構(gòu)成的群組中選擇的至少一種。
[0163](3)如(2)所述的顯示單元，其中所述儲氫合金包括從由鈦、錳、鋯、鎳、釩、鈀、鋁、鎂以及鈣構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
[0164](4)如(2)或(3)所述的顯示單元，其中，所述氧化劑包括從由硝酸鉀、次氯酸、亞氯酸、氯酸、高氯酸、齒素、高錳酸、硝酸鈰銨、鉻酸、重鉻酸、過氧化物以及托倫斯試劑構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合，并且所述在分子中具有雙鍵的有機(jī)物包括從由烯烴和羰基化合物構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
[0165](5)如(2)至(4)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述吸附材料包括從由沸石、介孔氧化硅、層狀硅酸鹽、活性炭、碳納米管、石墨納米碳以及富勒烯構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
[0166](6)如(I)至(5)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層由所述氫吸收劑的顆粒和樹脂材料的混合物形成。
[0167](7)如(6)所述的顯示單元，其中，所述氫吸收劑的顆粒的顆粒直徑小于約30nm。
[0168](8)如(6)或(7)所述的顯示單元，其中，所述第二層中包含的所述氫吸收劑的顆粒濃度為約Iwt %至約50wt%。
[0169](9)如(6)至⑶中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述樹脂材料包括從由丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂以及酚醛樹脂(phenolic resin)構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種。
[0170](10)如(I)至(9)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層包括吸水劑。
[0171](11)如(I)至(10)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，
[0172]在基板上設(shè)置有包括配線層的半導(dǎo)體層和布置在所述半導(dǎo)體層上的顯示層，所述布線層包括柵極電極、成對的源極電極和漏極電極以及多層配線，在所述柵極電極與所述成對的源極電極和漏極電極之間設(shè)置有所述氧化物半導(dǎo)體層，且所述顯示層在彼此面對的第一電極和第二電極之間包括有機(jī)層，所述有機(jī)層至少包括發(fā)光層，并且
[0173]所述第一層包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層中的所述配線層和絕緣層、設(shè)置在所述顯示層中的所述第一電極和所述第二電極、所述有機(jī)層、阻擋部以及密封層中的至少一者，所述絕緣層用于將所述配線層電絕緣，所述阻擋部用于針對每個(gè)像素分割所述有機(jī)層，并且所述密封層布置在所述第二電極上。
[0174](12)如(11)所述的顯示單元，其中，所述第二層為所述配線層、所述絕緣層、所述第一電極、所述第二電極、所述有機(jī)層、所述阻擋部以及所述密封層中的至少一者。
[0175](13)如(11)或(12)所述的顯示單元，其中，所述第二層布置在所述配線層的表面上。
[0176](14)如(11)至(13)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述絕緣層包括從由設(shè)置在所述柵極電極和所述半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜、設(shè)置在所述多層配線的層間的層間絕緣膜以及用于使所述基板上的不平整平坦化的平坦化膜構(gòu)成的群組中的至少一種。
[0177](15)如(14)所述的顯示單元，其中，所述第二層布置在所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜之間、所述層間絕緣膜和所述平坦化膜之間、或所述平坦化膜和所述第一電極之間。
[0178](16)如⑵至(15)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，
[0179]所述有機(jī)層包括空穴注入層和電子注入層，并且在所述空穴注入層和所述電子注入層二者之間設(shè)置有所述發(fā)光層，所述空穴注入層具有針對所述發(fā)光層的空穴注入性能，并且所述電子注入層具有針對所述發(fā)光層的電子注入性能，并且
[0180]所述電子注入層由堿金屬的化合物或堿土金屬的化合物制成。
[0181](17)如(2)至(16)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述基板具有柔性，并且在所述基板的至少一個(gè)表面上從所述半導(dǎo)體層側(cè)開始依次層疊所述第一層和所述第二層。
[0182](18)如(I)至(17)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第一層由氮化硅制成。
[0183](19)如(I)至(18)中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層從由氧化鈦、氧化鋯、氧化鎳以及氧化銦構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種制成。
[0184](20) 一種設(shè)置有顯示單元的電子設(shè)備，所述顯示單元包括:
[0185]氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道；
[0186]第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦?；以?br> [0187]第二層，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第一層之間。
[0188]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，只要在隨附要求或其等效物的范圍內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要或其他因素發(fā)生多種變形、組合、子組合和變更。
[0189]本申請包含于2013年8月15日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2013-168929的公開內(nèi)容相關(guān)的主題，在這里將該在先申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示單元，其包括: 氧化物半導(dǎo)體層，其用于形成溝道； 第一層，具有電絕緣性或?qū)щ娦?；以? 第二層，其包括氫吸收劑，并布置在所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第一層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示單元，其中，所述氫吸收劑包括從由儲氫合金、氧化劑、在分子中具有雙鍵的有機(jī)物以及吸附材料構(gòu)成的群組中選擇的至少一種。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中，所述儲氫合金包括從由鈦、錳、鋯、鎳、釩、鈀、鋁、鎂以及鈣構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中，所述氧化劑包括從由硝酸鉀、次氯酸、亞氯酸、氯酸、高氯酸、齒素、高錳酸、硝酸鈰銨、鉻酸、重鉻酸、過氧化物以及托倫斯試劑構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合，并且所述在分子中具有雙鍵的有機(jī)物包括從由烯烴和羰基化合物構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示單元，其中，所述吸附材料包括從由沸石、介孔氧化硅、層狀硅酸鹽、活性炭、碳納米管、石墨納米碳以及富勒烯構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種的組合。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層由所述氫吸收劑的顆粒和樹脂材料的混合物形成。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示單元，其中，所述氫吸收劑的顆粒的顆粒直徑小于30nm。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示單元，其中，在所述氫吸收劑具有導(dǎo)電性時(shí)，所述第二層中包含的所述氫吸收劑的顆粒濃度為Iwt %至50wt%。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示單元，其中，所述樹脂材料包括從由丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹月旨、聚酰亞胺樹脂以及酚醛樹脂構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種。
10.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層包括吸水劑。
11.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中， 在基板上設(shè)置有包括配線層的半導(dǎo)體層和布置在所述半導(dǎo)體層上的顯示層，所述布線層包括柵極電極、成對的源極電極和漏極電極以及多層配線，在所述柵極電極與所述成對的源極電極和漏極電極之間設(shè)置有所述氧化物半導(dǎo)體層，且所述顯示層在彼此面對的第一電極和第二電極之間包括有機(jī)層，所述有機(jī)層至少包括發(fā)光層，并且 所述第一層包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層中的所述配線層和絕緣層、設(shè)置在所述顯示層中的所述第一電極和所述第二電極、所述有機(jī)層、阻擋部以及密封層中的至少一者，所述絕緣層用于將所述配線層電絕緣，所述阻擋部用于針對每個(gè)像素分割所述有機(jī)層，并且所述密封層布置在所述第二電極上。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示單元，其中，所述第二層為所述配線層、所述絕緣層、所述第一電極、所述第二電極、所述有機(jī)層、所述阻擋部以及所述密封層中的至少一者。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示單元，其中，所述第二層布置在所述配線層的表面上。
14.如權(quán)利要求11所述的顯示單元，其中，所述絕緣層包括從由設(shè)置在所述柵極電極和所述半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜、設(shè)置在所述多層配線的層間的層間絕緣膜以及用于使所述基板上的不平整平坦化的平坦化膜構(gòu)成的群組中的至少一種。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示單元，其中，所述第二層布置在所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜之間、所述層間絕緣膜和所述平坦化膜之間、或所述平坦化膜和所述第一電極之間。
16.如權(quán)利要求11所述的顯示單元，其中， 所述有機(jī)層包括空穴注入層和電子注入層，并且在所述空穴注入層和所述電子注入層二者之間設(shè)置有所述發(fā)光層，所述空穴注入層具有針對所述發(fā)光層的空穴注入性能，并且所述電子注入層具有針對所述發(fā)光層的電子注入性能，并且 所述電子注入層由堿金屬的化合物或堿土金屬的化合物制成。
17.如權(quán)利要求11所述的顯示單元，其中，所述基板具有柔性，并且在所述基板的至少一個(gè)表面上從所述半導(dǎo)體層側(cè)開始依次層疊所述第一層和所述第二層。
18.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第一層由氮化硅制成。
19.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示單元，其中，所述第二層從由氧化鈦、氧化鋯、氧化鎳以及氧化銦構(gòu)成的群組中選擇的一種或至少兩種制成。
20.一種設(shè)置有如權(quán)利要求1-19中任一項(xiàng)所述的顯示單元的電子設(shè)備。
【文檔編號】H01L51/52GK104377306SQ201410389675
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】山北茂洋, 松尾繪理, 西川寬, 新屋公啟, 木下智豊, 西山優(yōu)范, 和泉健一 申請人:索尼公司