基片處理的控制設(shè)備及其控制方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的基片處理的控制設(shè)備，包括處理裝置、分別與所述處理裝置接應(yīng)的第一傳送機(jī)構(gòu)及第二傳送機(jī)構(gòu)。所述第一傳送機(jī)構(gòu)用于將待加熱的基片組傳送至所述處理裝置。所述處理裝置包括若干加熱裝置，所述加熱裝置用于定時(shí)接收待加熱的所述基片組并進(jìn)行加熱，所述處理裝置將達(dá)到加熱周期的所述基片組所對(duì)應(yīng)的加熱裝置移動(dòng)至所述第二傳送機(jī)構(gòu)的位置，形成空載狀態(tài)后的所述加熱裝置接收下一待加熱的基片組并進(jìn)行加熱。所述第二傳送機(jī)構(gòu)用于將達(dá)到加熱周期的所述基片組傳送至下一平臺(tái)。本發(fā)明能在一個(gè)加熱周期內(nèi)同時(shí)對(duì)多組基片組進(jìn)行加熱，則每片基片的加熱周期大大縮短，從而大大提高工作效率。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基片處理的控制方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基片處理的控制設(shè)備及其控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種基片處理的控制設(shè)備及其控制方法，更具體地涉及太陽(yáng)能電池玻 璃基片在鍍膜前的加熱及在鍍膜后的冷卻處理的控制設(shè)備及控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著人們對(duì)能源的需求量日益增大，太陽(yáng)能電池作為新興的環(huán)保資源，其應(yīng)用越 來(lái)越廣泛。相應(yīng)地，太陽(yáng)能電池制造產(chǎn)業(yè)也因其廣闊的應(yīng)用前景而不斷發(fā)展壯大。
[0003] 在太陽(yáng)能電池的制造過(guò)程中，太陽(yáng)能電池玻璃基片的等離子體化學(xué)氣相沉積 (PECVD)是一個(gè)關(guān)鍵的處理工序。而在沉積鍍膜前，基片必須進(jìn)行加熱處理，而沉積鍍膜后， 基片亦要進(jìn)行冷卻處理，才得以達(dá)到其制造的要求。傳統(tǒng)上，一般由一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)輸送待加熱 的基片組至一獨(dú)立的加熱裝置，待基片組達(dá)到加熱周期后，再被傳送至鍍膜裝置進(jìn)行等離 子體化學(xué)氣相沉積，等到鍍膜完成后，基片組被輸送至獨(dú)立的冷卻裝置進(jìn)行冷卻，直至等待 冷卻完成被輸送出，才可進(jìn)行下一輪的基片組加熱。這樣，基片組的等待時(shí)間極長(zhǎng)，工作效 率極低，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。
[0004] 因此，提供一種工作周期短、工作效率高的基片處理的控制設(shè)備及控制方法實(shí)為 必要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種工作周期短、工作效率高的基片處理的控制設(shè)備及控 制方法。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的基片處理的控制設(shè)備，包括處理裝置、分別與所述處理 裝置接應(yīng)的第一傳送機(jī)構(gòu)及第二傳送機(jī)構(gòu)。其中，所述第一傳送機(jī)構(gòu)用于將待加熱的基片 組傳送至所述處理裝置。所述處理裝置包括若干加熱裝置，所述加熱裝置用于定時(shí)接收待 加熱的所述基片組并對(duì)待加熱的所述基片組加熱，所述處理裝置將達(dá)到加熱周期的所述基 片組所對(duì)應(yīng)的加熱裝置移動(dòng)至所述第二傳送機(jī)構(gòu)的位置，形成空載狀態(tài)后的所述加熱裝置 接收下一待加熱的基片組并進(jìn)行加熱。所述第二傳送機(jī)構(gòu)用于將達(dá)到加熱周期的所述基片 組傳送至下一平臺(tái)。每組的基片組的加熱完成的時(shí)間點(diǎn)各不相同，各不沖突，從而在一組基 片組的加熱周期內(nèi)可對(duì)多組基片組進(jìn)行加熱，進(jìn)而縮短基片組的等待時(shí)間，提商工作效率。
[0007] 較佳地，所述處理裝置還包括若干冷卻裝置，所述冷卻裝置用于定時(shí)接收來(lái)自所 述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送的待冷卻的所述基片組并進(jìn)行冷卻，所述處理裝置將達(dá)到冷卻周期的 所述基片組所對(duì)應(yīng)的冷卻裝置移動(dòng)至所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置，達(dá)到冷卻周期的所述基片 組由所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳送輸出。
[0008] 較佳地，所述處理裝置的加熱裝置及冷卻裝置呈交錯(cuò)的間隔排列。
[0009] 較佳地，所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)及第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)位于同一直線(xiàn)上并分別置于所述處理 裝置的兩側(cè)。
[0010] 較佳地，還包括機(jī)械手，所述機(jī)械手設(shè)置于所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述處理裝 置的一端，用以對(duì)所述基片組進(jìn)行初始放置及最終移取。
[0011] 較佳地，還包括一夾具，用以?shī)A持固定所述基片組。
[0012] 較佳地，還包括一軌道，用以供所述處理裝置在其上滑移。
[0013] 較佳地，所述下一平臺(tái)為鍍膜裝置。
[0014] 本發(fā)明的基片處理的控制方法包括：處理裝置的各個(gè)加熱裝置定時(shí)接收來(lái)自第一 傳送機(jī)構(gòu)傳送的待加熱的基片組并對(duì)待加熱的所述基片組加熱；當(dāng)所述基片組達(dá)到加熱周 期時(shí)，所述處理裝置將所述基片組所對(duì)應(yīng)的加熱裝置移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)的位置，達(dá)到加 熱周期的所述基片組由所述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送至下一平臺(tái)并使所述加熱裝置形成空載狀 態(tài)；形成空載狀態(tài)的所述加熱裝置再次接收來(lái)自所述第一傳送機(jī)構(gòu)傳送的待加熱的基片組 并進(jìn)行加熱。每組的基片組的加熱完成的時(shí)間點(diǎn)各不相同，各不沖突，從而在一組基片組的 加熱周期內(nèi)可對(duì)多組基片組進(jìn)行加熱，進(jìn)而縮短基片組的等待時(shí)間，提1?工作效率。
[0015] 較佳地，該基片處理的控制方法還包括：所述處理裝置的各個(gè)冷卻裝置定時(shí)接收 來(lái)自所述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送的待冷卻的所述基片組并進(jìn)行冷卻，當(dāng)所述基片組達(dá)到冷卻周 期時(shí)，所述處理裝置將所述基片組所對(duì)應(yīng)的冷卻裝置移動(dòng)至所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置，達(dá) 到冷卻周期的所述基片組由所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳送輸出。此種設(shè)置同樣能縮短基片組的冷 卻時(shí)間，提高其工作效率。
[0016] 較佳地，所述處理裝置的加熱裝置及冷卻裝置呈交錯(cuò)的間隔排列。
[0017] 較佳地，所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)及第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)位于同一直線(xiàn)上并分別置于所述處理 裝置的兩側(cè)。
[0018] 較佳地，在所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述處理裝置的一端設(shè)置一機(jī)械手，以對(duì)所 述基片組進(jìn)行初始放置及最終移取。
[0019] 較佳地，所述基片組由一夾具夾持固定。
[0020] 較佳地，設(shè)定所述處理裝置在一軌道上滑移。
[0021] 較佳地，所述下一平臺(tái)為鍍膜裝置。
[0022] 通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明 的實(shí)施例。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023] 圖1為本發(fā)明基片處理的控制設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0024] 圖2為本發(fā)明基片處理的控制設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖3為本發(fā)明基片處理的控制方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0026] 圖4為本發(fā)明基片處理的控制方法的另一實(shí)施例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限 于此。
[0028] 請(qǐng)參考圖1-2,本發(fā)明基片處理的控制設(shè)備1的一個(gè)實(shí)施例包括處理裝置10、分別 與該處理裝置10接應(yīng)的第一傳送機(jī)構(gòu)12及第二傳送機(jī)構(gòu)14。其中，第一傳送機(jī)構(gòu)12用于 將待加熱的基片組20傳送至處理裝置10。該處理裝置10包括若干加熱裝置110,該加熱 裝置110用于定時(shí)接收待加熱的基片組20并對(duì)其加熱，處理裝置10將達(dá)到加熱周期的基 片組20所對(duì)應(yīng)的加熱裝置110移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)14的位置，形成空載狀態(tài)后的加熱裝 置110接收下一待加熱的基片組20繼而對(duì)其加熱。該第二傳送機(jī)構(gòu)14用于將達(dá)到加熱周 期的基片組20傳送至下一平臺(tái)，在本實(shí)施例中，該平臺(tái)為鍍膜裝置16。
[0029] 如圖2所示，該處理裝置10還包括若干冷卻裝置120,該冷卻裝置120用于定時(shí)接 收來(lái)自第二傳送機(jī)構(gòu)14傳送的待冷卻的基片組20并進(jìn)行冷卻，處理裝置10將達(dá)到冷卻周 期的基片組20所對(duì)應(yīng)的冷卻裝置120移動(dòng)至第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12的位置，達(dá)到冷卻周期的基 片組20由所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12傳送輸出。
[0030] 具體地，該處理裝置10在一軌道101上滑行，其上交錯(cuò)設(shè)置有若干加熱裝置110 及冷卻裝置120。第一傳送機(jī)構(gòu)12及第二傳送機(jī)構(gòu)14固定設(shè)置于處理裝置10的兩側(cè)，該 第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12及第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)14位于同一直線(xiàn)上，第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12及第二傳動(dòng)機(jī)構(gòu)14 靠近處理裝置10的一端均為運(yùn)輸口，處理裝置10相對(duì)此兩傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12、14在軌道101上 左右滑行（如圖中箭頭所示）。
[0031] 本實(shí)施例的加熱裝置110及冷卻裝置120在處理裝置10中呈交錯(cuò)的間隔排列。此 夕卜，亦可適應(yīng)于實(shí)際需求而采用其它不同的排列順序。
[0032] 在本發(fā)明中，還包括機(jī)械手30及夾具，該機(jī)械手30用于對(duì)基片組20進(jìn)行初始放 置及最終移取，其設(shè)置于第一傳送機(jī)構(gòu)12的遠(yuǎn)離處理裝置10的一端，而夾具用于夾持固定 基片組20。處理過(guò)程的初始，藉由機(jī)械手30將若干基片置入夾具中，夾持有基片組20的 夾具隨第一傳送機(jī)構(gòu)12傳送至處理裝置10。在整個(gè)處理過(guò)程中，基片組20均由該夾具40 夾持固定。本實(shí)施例中的基片組20包括若干基片201。
[0033] 基片組20由第一傳送機(jī)構(gòu)12輸送至處理裝置10的加熱裝置110中進(jìn)行加熱處 理，加熱后的基片組20將由第二傳送機(jī)構(gòu)14傳送至鍍膜裝置16。被加熱后的基片組20將 進(jìn)入鍍膜裝置16進(jìn)行氣相沉積鍍膜處理，鍍膜后的基片組20則由第二傳送機(jī)構(gòu)14傳送至 處理裝置10的冷卻裝置120進(jìn)行冷卻，冷卻后的基片組20最后由第一傳送機(jī)構(gòu)12運(yùn)送輸 出。
[0034] 下面描述本發(fā)明基片處理的控制方法。
[0035] 請(qǐng)參考圖3,本發(fā)明基片處理的控制方法的第一實(shí)施例包括：
[0036] 步驟一 S1 :處理裝置10的各個(gè)加熱裝置110定時(shí)接收來(lái)自第一傳送機(jī)構(gòu)傳送12 的待加熱的基片組20并對(duì)待加熱的基片組20加熱；
[0037] 步驟二S2 :當(dāng)基片組20達(dá)到加熱周期時(shí)，所述處理裝置10將所述基片組20所對(duì) 應(yīng)的加熱裝置110移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)14的位置，達(dá)到加熱周期的基片組20由所述第二 傳送機(jī)構(gòu)14傳送至下一平臺(tái)并使所述加熱裝置110形成空載狀態(tài)；
[0038] 步驟三S3 :形成空載狀態(tài)的所述加熱裝置110再次接收來(lái)自所述第一傳送機(jī)構(gòu)12 傳送的待加熱的基片組20并進(jìn)行加熱。
[0039] 本發(fā)明基片處理的控制方法能在一個(gè)加熱周期內(nèi)定時(shí)接收基片組20,當(dāng)前續(xù)的基 片組20達(dá)到其加熱周期時(shí)，處理裝置10將發(fā)生移動(dòng)，使該基片組20對(duì)應(yīng)的加熱裝置110 移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)12的位置，而使當(dāng)前加熱完成的基片組20被傳送至下一平臺(tái)，此時(shí)， 第一傳送機(jī)構(gòu)12向空載狀態(tài)的加熱裝置10再次載入待加熱的基片組20,并開(kāi)始對(duì)其加熱。 貝1J，多組的基片組20則會(huì)在一個(gè)加熱周期內(nèi)的不同時(shí)間點(diǎn)上依次加熱完成，而逐一被送至 下一平臺(tái)。而在一組基片組20進(jìn)入下一平臺(tái)后，新的基片組20隨即被加入。此種控制方 法在基片的加熱等待時(shí)間大大縮減，從而提高工作效率。
[0040] 結(jié)合圖4,下面將更詳細(xì)描述本發(fā)明基片處理的控制設(shè)備的控制方法的優(yōu)選實(shí)施 例。本實(shí)施例中，一個(gè)夾具一次裝載10片基片，處理裝置10的加熱裝置110的個(gè)數(shù)為4,分 別標(biāo)示為A1-A4,冷卻裝置120的個(gè)數(shù)也為4,分別標(biāo)示為B1-B4,它們按兩兩交錯(cuò)排列，第一 輪進(jìn)入加熱裝置的基片組有4組，按先后順序分別表示為N1-N4,如此類(lèi)推。
[0041] 本實(shí)施例中，一組的基片組20的加熱周期為T(mén)1，預(yù)設(shè)處理裝置10每隔移動(dòng)時(shí)間 T2的時(shí)長(zhǎng)發(fā)生一次移動(dòng)一次，其移動(dòng)的位移量為S1，本實(shí)施例的S1設(shè)定為兩個(gè)加熱裝置之 間的距離。為使在加熱周期T1內(nèi)至少加入4次基片組至加熱裝置，Tl，T2的關(guān)系設(shè)定為： T2 < T1/3。這是考慮了處理裝置10的加熱裝置A1接收第一個(gè)待加熱的基片組N1時(shí)并不 發(fā)生移動(dòng)。
[0042] 運(yùn)作時(shí)，加熱裝置A1首先接收來(lái)自第一傳送機(jī)構(gòu)12傳送的基片組N1，并對(duì)其開(kāi)始 加熱。T2的時(shí)間過(guò)后，處理裝置10向右移動(dòng)S1的位移量，使得加熱裝置A2對(duì)準(zhǔn)第一傳送 機(jī)構(gòu)12的位置，從而接收第二組基片組N2,并開(kāi)始加熱。按如此規(guī)律往來(lái)，當(dāng)接收第四組 基片組Μ后，處理裝置10將第一組基片組N1對(duì)應(yīng)的加入裝置A1移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)14 的位置，此時(shí)，第一組基片組Ν1到達(dá)其加熱周期Τ1，即由第二傳送機(jī)構(gòu)14傳送至鍍膜裝置 16進(jìn)行鍍膜。其后，新一輪的第一組基片組Ν5隨即進(jìn)入該加熱裝置Α1進(jìn)行加熱。
[0043] 如此類(lèi)推，當(dāng)每一組的基片組加熱完成被送至鍍膜裝置16后，都有新一組的基片 組補(bǔ)進(jìn)該加熱裝置的空缺。每組的基片組的加熱完成的時(shí)間點(diǎn)各不相同，各不沖突，從而在 一組基片組的加熱周期內(nèi)可對(duì)多組基片組進(jìn)行加熱，進(jìn)而縮短基片組的等待時(shí)間，提商工 作效率。
[0044] 相較現(xiàn)有技術(shù)及本發(fā)明，在一個(gè)夾具同樣裝載10片基片的情況下，在一個(gè)加熱周 期Τ1內(nèi)，采用現(xiàn)有的技術(shù)，每片基片的加熱時(shí)間為Τ1/10 ;而采用本發(fā)明的基片處理的控制 方法，一個(gè)加熱周期Τ1內(nèi)，則可進(jìn)行4組的基片組加熱，即可加熱40片基片，每片基片的加 熱時(shí)間為Τ1/40。由此可見(jiàn)，工作效率大大提高，每片基片的加熱周期大大縮短。
[0045] 另外，可按實(shí)際的鍍膜所需時(shí)間而設(shè)定處理裝置10的移動(dòng)情況。該移動(dòng)間隔Τ2 的時(shí)長(zhǎng)應(yīng)大于鍍膜所需時(shí)間，當(dāng)?shù)谝唤M基片組Ν1率先鍍膜完成而等待冷卻，其被第二傳送 機(jī)構(gòu)14運(yùn)送輸出時(shí)，該時(shí)間點(diǎn)位于待加熱的基片組進(jìn)入處理裝置10的時(shí)間點(diǎn)之外，并不與 其發(fā)生時(shí)間沖突。
[0046] 而當(dāng)?shù)谝唤M基片組Ν1鍍膜完成時(shí)，冷卻裝置Β1被移動(dòng)至第二傳送機(jī)構(gòu)14的位置 而接收該基片組Ν1并開(kāi)始對(duì)其冷卻。如此類(lèi)推，基片組Ν1-Ν4均被冷卻裝置逐一接收進(jìn)行 冷卻，當(dāng)?shù)谝唤M基片組Ν1達(dá)到冷卻周期時(shí)，處理裝置10將該基片組Ν1所在的冷卻裝置移 動(dòng)至第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12的位置，該冷卻后的基片組Ν1由第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)12傳送輸出，再由機(jī) 械手30處理。按此規(guī)律，基片組則可逐一完成冷卻。
[0047] 如上所述，本發(fā)明的基片處理的控制設(shè)備及方法，能使在一個(gè)加熱周期內(nèi)同時(shí)對(duì) 多組基片組進(jìn)行加熱，則每片基片的加熱周期大大縮短，從而大大提高工作效率。
[0048] 以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示的實(shí)施 例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種基片處理的控制設(shè)備，包括：處理裝置、分別與所述處理裝置接應(yīng)的第一傳送 機(jī)構(gòu)及第二傳送機(jī)構(gòu)，其特征在于： 所述第一傳送機(jī)構(gòu)用于將待加熱的基片組傳送至所述處理裝置； 所述處理裝置包括若干加熱裝置，所述加熱裝置用于定時(shí)接收待加熱的所述基片組并 對(duì)待加熱的所述基片組加熱，所述處理裝置將達(dá)到加熱周期的所述基片組所對(duì)應(yīng)的加熱裝 置移動(dòng)至所述第二傳送機(jī)構(gòu)的位置，形成空載狀態(tài)后的所述加熱裝置接收下一待加熱的基 片組并進(jìn)行加熱； 所述第二傳送機(jī)構(gòu)用于將達(dá)到加熱周期的所述基片組傳送至下一平臺(tái)。
2. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：所述處理裝置還包括若干 冷卻裝置，所述冷卻裝置用于定時(shí)接收來(lái)自所述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送的待冷卻的所述基片組 并進(jìn)行冷卻，所述處理裝置將達(dá)到冷卻周期的所述基片組所對(duì)應(yīng)的冷卻裝置移動(dòng)至所述第 一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置，達(dá)到冷卻周期的所述基片組由所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳送輸出。
3. 如權(quán)利要求2所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：所述處理裝置的加熱裝置 及冷卻裝置呈交錯(cuò)的間隔排列。
4. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)及第二 傳動(dòng)機(jī)構(gòu)位于同一直線(xiàn)上并分別置于所述處理裝置的兩側(cè)。
5. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：還包括機(jī)械手，所述機(jī)械手 設(shè)置于所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述處理裝置的一端，用以對(duì)所述基片組進(jìn)行初始放置及 最終移取。
6. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：還包括一夾具，用以?shī)A持固 定所述基片組。
7. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：還包括一軌道，用以供所述 處理裝置在其上滑移。
8. 如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備，其特征在于：所述下一平臺(tái)為鍍膜裝置。
9. 一種如權(quán)利要求1所述的基片處理的控制設(shè)備的控制方法，其特征在于，包括： 處理裝置的各個(gè)加熱裝置定時(shí)接收來(lái)自第一傳送機(jī)構(gòu)傳送的待加熱的基片組并對(duì)待 加熱的所述基片組加熱； 當(dāng)所述基片組達(dá)到加熱周期時(shí)，所述處理裝置將所述基片組所對(duì)應(yīng)的加熱裝置移動(dòng)至 第二傳送機(jī)構(gòu)的位置，達(dá)到加熱周期的所述基片組由所述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送至下一平臺(tái)并 使所述加熱裝置形成空載狀態(tài)； 形成空載狀態(tài)的所述加熱裝置再次接收來(lái)自所述第一傳送機(jī)構(gòu)傳送的待加熱的基片 組并進(jìn)行加熱。
10. 如權(quán)利要求9所述的控制方法，其特征在于，還包括：所述處理裝置的各個(gè)冷卻裝 置定時(shí)接收來(lái)自所述第二傳送機(jī)構(gòu)傳送的待冷卻的所述基片組并進(jìn)行冷卻，當(dāng)所述基片組 達(dá)到冷卻周期時(shí)，所述處理裝置將所述基片組所對(duì)應(yīng)的冷卻裝置移動(dòng)至所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu) 的位置，達(dá)到冷卻周期的所述基片組由所述第一傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳送輸出。
【文檔編號(hào)】H01L21/677GK104157596SQ201410390042
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】熊丹 申請(qǐng)人:熊丹