有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素、多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、中間層、第三電極、輔助層和第四電極。每個(gè)像素包括沿著第一方向發(fā)射光的第一區(qū)域和沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射光的第二區(qū)域。第一電極分別位于每個(gè)像素的第一區(qū)域中。第二電極分別位于多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第二區(qū)域中。中間層位于多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層。第三電極位于中間層上并且位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中。第四電極位于第一區(qū)域中并且接觸第三電極。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年8月16號(hào)提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0097318號(hào)并被命名為“有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法”的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請(qǐng)通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]用來解決與液晶顯示設(shè)備相關(guān)的缺點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)設(shè)備受到關(guān)注。OLED裝置能以低電壓驅(qū)動(dòng)，容易形成為纖薄，具有寬的視角，具有快速的響應(yīng)速度等。與液晶顯示設(shè)備不同，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可用于雙發(fā)射型顯示設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括:多個(gè)像素、多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、中間層、第三電極、輔助層和第四電極。多個(gè)像素中的每個(gè)像素可以包括沿著第一方向發(fā)射光的第一區(qū)域和沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射光的第二區(qū)域。多個(gè)第一電極可以分別位于多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第一區(qū)域中。多個(gè)第二電極可以分別位于多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第二區(qū)域中。中間層可以位于多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極上，并且可以包括有機(jī)發(fā)射層。第三電極可以位于中間層上并且在第一區(qū)域和第二區(qū)域中。輔助層可以位于第二區(qū)域中而不在第一區(qū)域中。第四電極可以位于第一區(qū)域中并且接觸第三電極。第四電極無需位于第二區(qū)域中。第四電極也可以位于第二區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。第四電極的位于第二區(qū)域中的部分可以位于輔助層上。
[0005]多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線可以位于第三區(qū)域，輔助層無需位于第三區(qū)域中，第四電極也可以設(shè)置在第三區(qū)域中。多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線可以位于第三區(qū)域中，輔助層也可以設(shè)置在第三區(qū)域中。第四電極也可以位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的部分可以形成在輔助層上。
[0006]多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第四區(qū)域，外部光沿著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的厚度方向傳輸通過第四區(qū)域，輔助層也可以位于第四區(qū)域中。第四電極無需位于第四區(qū)域中。第四電極也可以位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第二區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。第四電極的位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中的部分可以在輔助層上。第四電極的厚度可以比第三電極的厚度厚。
[0007]第四電極與第三電極的粘合力可以比第四電極與輔助層的粘合力強(qiáng)。輔助層可以包括N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基_4_4’ - 二胺、N( 二苯基-4-基)9，9- 二甲基-N-(4 (9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9, 10- 二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4, 4’，4 "-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺]、a -NPD (N, N’ - 二(1-萘基)-N，N’-二苯基[1，I’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺)或 TPD [4，4’- 二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯]。第四電極可以包括鎂(Mg)。
[0008]提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可以包括以下步驟?？梢韵薅ǘ鄠€(gè)像素，每個(gè)像素包括沿著第一方向發(fā)射光的第一區(qū)域和沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射光的第二區(qū)域?？梢孕纬煞謩e位于多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第一區(qū)域中的多個(gè)第一電極。可以形成分別位于多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第二區(qū)域中的多個(gè)第二電極?？梢孕纬稍O(shè)置在多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極上并且可以包括有機(jī)發(fā)射層的中間層?？梢酝ㄟ^在中間層上沉積金屬來在第一區(qū)域和第二區(qū)域中的中間層上形成第三電極。可以在第二區(qū)域中的而不在第一區(qū)域中的第三電極上形成輔助層?？梢酝ㄟ^將金屬沉積在第三電極上來形成第四電極，第四電極位于在第一區(qū)域中的第三電極上并且接觸第三電極。
[0009]形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極不位于第二區(qū)域中。形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。形成第四電極的步驟可以包括至少在第二區(qū)域中的輔助層上形成第四電極。
[0010]多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中。形成輔助層的步驟可以包括形成不在第三區(qū)域中的輔助層，并且形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域和第三區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極也位于第三區(qū)域中。多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中。形成輔助層的步驟可以包括形成也在第三區(qū)域中的輔助層。
[0011]形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域至第三區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。形成第四電極的步驟可以包括至少在第二區(qū)域和第三區(qū)域中的輔助層上形成第四電極。多個(gè)像素中的每個(gè)像素還可以包括第四區(qū)域，外部光沿著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的厚度方向傳輸通過第四區(qū)域。形成輔助層的步驟可以包括形成也在第四區(qū)域中的輔助層。
[0012]形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第四區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極不位于第四區(qū)域中。形成第四電極的步驟可以包括在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第四區(qū)域中同時(shí)沉積合適的金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中的部分的厚度可以比第四電極的設(shè)置在第一區(qū)域中的部分的厚度薄。形成第四電極的步驟可以包括在至少第二區(qū)域和第四區(qū)域中的輔助層上形成第四電極。
[0013]第四電極的厚度可以比第三電極的厚度厚。第四電極與第三電極的粘合力可以比第四電極與輔助層的粘合力強(qiáng)。輔助層可以包括N，N’-二苯基-N，N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4-4’ - 二胺、N( 二苯基-4-基)9，9- 二甲基_N_(4(9_苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9, 10-二(萘_2_基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4，4’，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、a-NPD (N，N’-二(1-萘基)-N，N’- 二苯基[I, I’_ 聯(lián)苯基]_4，4’- 二胺)或 TPD [4，4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯]。第四電極可以包括鎂(Mg)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，特征對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得明顯，在附圖中:
[0015]圖1示出有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意剖視圖；
[0016]圖2示出有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意剖視圖；
[0017]圖3示出在圖1或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)射部件中的像素的俯視圖；
[0018]圖4示出沿著圖3的1-1的剖視圖；
[0019]圖5示出像素電路單元的電路圖；
[0020]圖6示出沿著圖3的1-1的剖視圖；
[0021]圖7示出沿著圖3的1-1的剖視圖；
[0022]圖8示出沿著圖3的1-1的剖視圖；
[0023]圖9示出在圖1或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)射部件中的像素的俯視圖；
[0024]圖10示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖；
[0025]圖11示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖；
[0026]圖12示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖；以及
[0027]圖13示出圖4的變型示例的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]現(xiàn)在將詳細(xì)地參照實(shí)施例，附圖中示出了實(shí)施例的示例,其中,相同的參考標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。在這點(diǎn)上，本實(shí)施例可以具有不同的形式并且不應(yīng)該被理解為局限于在此闡述的描述。因此，僅通過參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述以解釋本描述的方面。雖然在此可以使用術(shù)語“第一”和“第二”等來描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些組件僅被用來將一個(gè)組件和另一組件區(qū)分開來。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)(種)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。在此使用的術(shù)語“包含”和/或“包括”說明存在所述特征或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征或組件。
[0029]將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱作“形成在”另一層、另一區(qū)域或另一組件上時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接或間接形成在另一層、另一區(qū)域或另一組件上。即，例如，可以存在中間層、中間區(qū)域或中間組件。為了便于說明，在附圖中可以夸大元件的尺寸。因?yàn)楦綀D中的組件的尺寸和厚度是任意示出的以便于說明，所以下面的實(shí)施例不限于此。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意組合和所有組合。當(dāng)諸如“…中的至少一個(gè)(種)”的表述在一系列元件之后時(shí)，其修飾整個(gè)系列的元件，而不是修飾該系列中的個(gè)別元件。
[0030]圖1示出有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意剖視圖。參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括位于基底I上的顯示單元2。顯示單元2可以包括位于基底I上的有機(jī)發(fā)射部件21以及將有機(jī)發(fā)射部件21密封的密封基底23。密封基底23可以阻擋空氣和濕氣滲透到有機(jī)發(fā)射部件21中。密封基底23可以包括透明構(gòu)件，從而使由有機(jī)發(fā)射部件21產(chǎn)生的圖像透射?；譏和密封基底23可以在它們的邊緣處通過密封構(gòu)件24結(jié)合，從而將基底I和密封基底23之間的空間25密封。吸收劑或填料等可以位于空間25中。如圖2中所示，可以通過在有機(jī)發(fā)射部件21上形成薄膜包封層26代替密封基底23，來保護(hù)有機(jī)發(fā)射部件21免受空氣影響。薄膜包封層26可以包括多個(gè)無機(jī)層或者無機(jī)層和有機(jī)層的組合。
[0031]薄膜包封層26的有機(jī)層可以包括聚合物，并且可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯(PAR)中的任意一種形成的單層或堆疊層。有機(jī)層可以包括PAR，詳細(xì)地講，可以包括包含二丙烯酸酯類單體和三丙烯酸酯類單體的聚合單體組合物。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯類單體。另外，單體組合物還可以包括例如合適的光引發(fā)劑，諸如三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO)等。
[0032]薄膜包封層26的無機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。無機(jī)層可以包括氮化硅(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(S12)和氧化鈦(T12)中的任意一種。薄膜包封層26的暴露到外部的頂層可以包括無機(jī)層，以防止?jié)駳饣蚩諝馇秩氲接袡C(jī)發(fā)光裝置(OLED)中。
[0033]薄膜包封層26可以包括其中至少一個(gè)有機(jī)層插入到至少兩個(gè)無機(jī)層之間的至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)。薄膜包封層26可以包括其中至少一個(gè)無機(jī)層插入到至少兩個(gè)有機(jī)層之間的至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)。薄膜包封層26可以包括其中至少一個(gè)有機(jī)層插入到至少兩個(gè)無機(jī)層之間的夾層結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)無機(jī)層插入到至少兩個(gè)有機(jī)層之間的夾層結(jié)構(gòu)。薄膜包封層26可以包括從有機(jī)發(fā)射部件21的頂部順序地設(shè)置的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。薄膜包封層26可以包括從有機(jī)發(fā)射部件21的頂部分順序地形成的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無機(jī)層。薄膜包封層26可以包括從有機(jī)發(fā)射部件21的頂部分順序地設(shè)置的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無機(jī)層。
[0034]包括氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層可以附加地包括在有機(jī)發(fā)射部件21和第一無機(jī)層之間。當(dāng)?shù)谝粺o機(jī)層以濺射方法或等離子體沉積方法形成時(shí)，鹵化金屬層可以防止有機(jī)發(fā)射部件21受到損壞。第一有機(jī)層可以小于第二無機(jī)層，第二有機(jī)層也可以小于第三無機(jī)層。第一有機(jī)層可以被第二無機(jī)層完全覆蓋，第二有機(jī)層也可以被第三無機(jī)層完全覆蓋。
[0035]圖1或圖2的有機(jī)發(fā)射部件21可以包括多個(gè)像素，圖3示出所述多個(gè)像素的像素P的俯視圖。像素P包括彼此相鄰設(shè)置的第一區(qū)域31和第二區(qū)域32以及圍繞第一區(qū)域31和第二區(qū)域32設(shè)置的第三區(qū)域33。第一區(qū)域31可以是底發(fā)射區(qū)域，第二區(qū)域32可以是頂發(fā)射區(qū)域。第三區(qū)域33可以是電連接到第一區(qū)域31和第二區(qū)域32的布線所通過的區(qū)域。第三區(qū)域33不必如圖3中所示地圍繞第一區(qū)域31和第二區(qū)域32設(shè)置，例如，當(dāng)布線被布置為與第一區(qū)域31和/或第二區(qū)域32交叉時(shí)，第三區(qū)域33不必作為單獨(dú)的區(qū)域存在。
[0036]在圖3中所示的像素P可以是例如其中第一區(qū)域31和第二區(qū)域32發(fā)射單個(gè)顏色的光的單個(gè)子像素。例如，在圖3中示出的像素P可以是其中第一區(qū)域31和第二區(qū)域32分別發(fā)射不同顏色的光的單個(gè)子像素。像素P可以是例如其中第一區(qū)域31和第二區(qū)域32發(fā)射單個(gè)顏色的光的單個(gè)子像素。像素P可以是發(fā)射例如紅色、綠色和藍(lán)色中的任意一種顏色的光的子像素。除了在圖3中示出的像素P之外，圖1或圖2的有機(jī)發(fā)射部件21還可以包括發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色中的其它顏色的光的多個(gè)子像素。像素P可以是發(fā)射例如紅色、綠色、藍(lán)色和白色中的任意一種顏色的光的子像素。除了在圖3中示出的像素P之外，圖1或圖2的有機(jī)發(fā)射部件21還可以包括發(fā)射紅色、綠色、藍(lán)色和白色中的其它顏色的光的多個(gè)子像素。發(fā)射紅色、綠色、藍(lán)色和/或白色的光的子像素可以形成通過混合光來發(fā)射白色光的單個(gè)像素。在這種情況下，可以應(yīng)用將每個(gè)像素的白光轉(zhuǎn)變?yōu)轭A(yù)定顏色的光的顏色轉(zhuǎn)變層或?yàn)V色器。紅色、綠色、藍(lán)色和/或白色是示例性的，并且可以使用其它顏色和/或組合和/或數(shù)量。例如，除了紅色、綠色、藍(lán)色和/或白色的組合之外，可以應(yīng)用能夠發(fā)射白光的其它各種顏色的任意組合。
[0037]圖4示出了沿著圖3的1-1的剖視圖。參照?qǐng)D4，第一區(qū)域31沿著朝向基底I的方向的第一方向發(fā)射第一圖像，第二區(qū)域32沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射第二圖像。第一 OLED和第二 OLED分別位于第一區(qū)域31和第二區(qū)域32中。第一 OLED可以電連接到像素電路單元中的第一薄膜晶體管(TFT)TRl，第二 OLED可以電連接到像素電路單元中的第二薄膜晶體管(TFT)TR2。用于第一區(qū)域31的第一像素電路單元可以不被包括在發(fā)光路徑中而位于第二區(qū)域32中，從而防止第一圖像的發(fā)射效率和亮度的降低。因?yàn)榈诙^(qū)域32沿著與基底I相反的方向發(fā)射第二圖像，所以電連接到第一區(qū)域31中的第一 OLED的第一像素電路單元和電連接到第二區(qū)域32中的第二 OLED的第二像素電路單元可以設(shè)置在第二區(qū)域32中。例如，第一像素電路單元和第二像素電路單元可以是獨(dú)立的像素電路單元，在這種情況下，第一圖像和第二圖像可以是單獨(dú)的圖像而非相同的圖像?？梢栽O(shè)置電連接到第一區(qū)域31中的第一 OLED和第二區(qū)域32中的第二 OLED的單個(gè)像素電路單元。這種像素電路單元可以設(shè)置在第二區(qū)域32中，從而防止第一圖像的發(fā)射效率和亮度的降低。
[0038]圖5示出了單個(gè)像素電路單元PC的電路圖。參照?qǐng)D5，掃描線S、數(shù)據(jù)線D和可作為驅(qū)動(dòng)功率線的Vdd線V電連接到像素電路單元PC。根據(jù)像素電路單元PC的構(gòu)造，除了掃描線S、數(shù)據(jù)線D和Vdd線V之外，還可以包括各種導(dǎo)線。像素電路單元PC可以包括:第一TFT Tl，連接到掃描線S和數(shù)據(jù)線D ;第二 TFT T2，連接到第一 TFT Tl和Vdd線V;電容器Cst，連接到第一 TFT Tl和第二 TFT T2。第一 TFT Tl的柵電極可以連接到掃描線S并且接收掃描信號(hào)，其第一電極連接到數(shù)據(jù)線D，其第二電極可以連接到電容器Cst和第二 TFT T2的柵電極。第二 TFT T2的第一電極可以連接到Vdd線V和電容器Cst，其第二電極可以連接到第一發(fā)射TFT T3和第二發(fā)射TFTT4的第一電極。在這種情況下，第一 TFT Tl可以是開關(guān)晶體管，第二 TFT T2可以是驅(qū)動(dòng)晶體管。第一發(fā)射TFT T3的第二電極可以電連接到位于第一區(qū)域31中的第一OLED E1，第二發(fā)射TFT T4的第二電極可以電連接到位于第二區(qū)域32中的第二 OLED E2。第一發(fā)射TFT T3和第二發(fā)射TFT T4的柵電極可以分別電連接到單獨(dú)的發(fā)光信號(hào)線。
[0039]雖然圖5中的TFT Tl至TFT T4全部被示出為P型，但是可以使用其它類型和其組合，并且TFT Tl至TFT T4中的至少一種可以形成為N型。TFT的數(shù)量和電容器的數(shù)量可以與例如在圖5中示出的數(shù)量不同，根據(jù)像素電路單元，還可以包括一個(gè)或更多個(gè)TFT和一個(gè)或更多個(gè)電容器。根據(jù)像素電路單元PC的構(gòu)造，通過數(shù)據(jù)線D輸入的圖像信息可以在第一發(fā)射TFT T3導(dǎo)通時(shí)通過第一 OLED El實(shí)現(xiàn)，并且可以在第二發(fā)射TFT Τ4導(dǎo)通時(shí)通過第二 OLED Ε2實(shí)現(xiàn)，從而使第一 OLED El和第二 OLED Ε2發(fā)射不同的圖像。頂發(fā)射和底發(fā)射可以通過時(shí)間劃分驅(qū)動(dòng)(time divis1n driving)來實(shí)現(xiàn),使得頂發(fā)射表面的圖像和底發(fā)射表面的圖像不彼此顛倒為鏡像圖像。當(dāng)然，在施加相同的數(shù)據(jù)信號(hào)的狀態(tài)下將相同的開關(guān)信號(hào)施加到第一發(fā)射TFT T3和第二發(fā)射TFT T4時(shí)，例如，可以在頂表面或底表面處顯示顛倒的鏡像圖像。在第一 OLED El和第二 OLED E2的基本構(gòu)造被共用的狀態(tài)下，像素電路單元PC可以實(shí)現(xiàn)各種屏幕。
[0040]返回參照?qǐng)D4，第一 TFT TRl和第二 TFT TR2可以位于基底I上，并且可以分別電連接到位于第一區(qū)域31中的第一電極221和位于第二區(qū)域32中的第二電極222。第一 TFTTRl和第二 TFT TR2可以分別為第一像素電路單元和第二像素電路單元的驅(qū)動(dòng)TFT。第一TFT TRl和第二 TFT TR2可以分別為在圖5中示出的第一發(fā)射TFT T3和第二發(fā)射TFT T4。如在圖4中所示，緩沖層211可以位于基底I上，包括第一 TFT TRl和第二 TFT TR2的像素電路單元可以位于緩沖層211上。半導(dǎo)體有源層2121和2122可以形成在緩沖層211上。
[0041]緩沖層211可以包括用于防止雜質(zhì)元素侵入并且使表面平坦化的透明絕緣材料，并且可以包括用來執(zhí)行這些功能的各種材料。例如，緩沖層211可以包括:無機(jī)材料，諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦等；有機(jī)材料，諸如聚酰亞胺、聚酯或壓克力等；或者它們的堆疊體?？梢允÷跃彌_層211。半導(dǎo)體有源層2121和2122可以包括例如多晶硅。半導(dǎo)體有源層2121和2122可以包括氧化物半導(dǎo)體。例如，[(In2O3)a(Ga2O3)b (ZnO) J (G-1-Z-O)層(a、b、c是滿足a彡O、b彡O、c>0條件的實(shí)數(shù))可以用于半導(dǎo)體有源層2121和2122。柵絕緣層213可以位于緩沖層211上以覆蓋半導(dǎo)體有源層2121和2122，柵電極2141和2142位于柵絕緣層213上。層間絕緣層215可以位于柵絕緣層213上以覆蓋柵電極2141和2142，源電極2161和2162以及漏電極2171和2172可以位于層間絕緣層215上以通過接觸孔分別接觸半導(dǎo)體有源層2121和2122。
[0042]描述的第一 TFT TRl和第二 TFT TR2的結(jié)構(gòu)不是強(qiáng)制性的，并且可應(yīng)用各種類型的TFT結(jié)構(gòu)。第一絕緣層218可以形成為覆蓋第一 TFT TRl和第二 TFT TR2。第一絕緣層218可以包括其頂表面可以被平坦化的單層或多個(gè)層。第一絕緣層218可以包括無機(jī)材料和/或有機(jī)材料。
[0043]包括第一布線2143和第二布線2173的多個(gè)布線可以位于第三區(qū)域33中?？梢栽谛纬蓶烹姌O2141和2142時(shí)形成第一布線2143，可以在形成源電極2161和2162以及漏電極2171和2172時(shí)形成第二布線2173。第一布線2143和第二布線2173可以是電連接到像素電路單元的各種類型的布線。第一 OLED的電連接到第一 TFT TRl的第一電極221和第二 OLED的電連接到第二 TFT TR2的第二電極222可以形成在第一絕緣層218上，如在圖4中所示。第一電極221和第二電極222可以以島的形狀形成。第二絕緣層219可以形成在第一絕緣層218上，以覆蓋第一電極221和第二電極222的邊緣。第二絕緣層219可以包括有機(jī)材料，諸如壓克力或聚酰亞胺等。
[0044]包括發(fā)射層(EML)的中間層220可以形成在第一電極221和第二電極222上，第三電極223可以形成為覆蓋中間層220，從而形成第一 OLED和第二 0LED。中間層220可以是低分子有機(jī)層或高分子有機(jī)層。例如，當(dāng)使用低分子有機(jī)層時(shí)，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)等可以以單個(gè)結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)堆疊。這些低分子有機(jī)層可以以真空沉積方法形成。對(duì)于紅色、綠色和藍(lán)色的每個(gè)子像素可以單獨(dú)地形成EML，對(duì)于所有子像素可以共同地形成HIL、HTL、ETL和EIL等來作為公共層。如在圖4中所示，因?yàn)榈谝粎^(qū)域31和第二區(qū)域32包括在形成單個(gè)子像素的像素P中，所以例如單個(gè)顏色的EML可以沉積在第一區(qū)域31和第二區(qū)域32中。第一區(qū)域31和第二區(qū)域32可以分別包括不同顏色的EML。HIL可以包括諸如銅酞菁(CuPc)等的酞菁化合物或者諸如TCTA、m-MTDATA和m_MTDAPB的星型胺中的任意一種。HTL可以包括N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-聯(lián)苯]_4，4’-二胺(TPD)或 N，N’- 二(萘-1-基)-N，N’- 二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)。EIL可以包括LiF、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)或8-羥基喹啉鋰(Liq)。ETL包括三-(8_羥基喹啉)鋁(Alq3)。EML可以包括主體材料和摻雜劑材料。主體材料可以包括Alq3、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3_叔丁基-9，10- _.(蔡 ~2~ 基)恩(TBADN)、4，4’ -雙(2, 2- _-苯基-乙稀-1-基)-1-1’ -聯(lián)苯(DPVBi)或 4，4’ -雙[2，2- 二苯基-乙烯-1-基]-4，4’ - 二甲基苯(p-DMDPVBi)。摻雜劑材料可以包括4，4’-雙[4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或 TBADN。
[0045]第一電極221和第二電極222可以用作陽極，第三電極223可以用作陰極，第一電極221和第二電極222以及第三電極223的極性可以反之亦然。當(dāng)?shù)谝浑姌O221和第二電極222用作陽極時(shí)，例如，第一電極221和第二電極222可以包括具有大的功函數(shù)的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)等。位于沿著與基底I相反的方向發(fā)射圖像的第二區(qū)域32中的第二電極222還可以包括具有銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、L1、鐿(Yb)、鈷(Co)、釤(Sm)和鈣(Ca)中的至少一種的反射層。
[0046]當(dāng)?shù)谌姌O223用作陰極時(shí)，第三電極223可以包括諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Yb、Co、Sm或Ca的金屬。第三電極223可以設(shè)置為使光透射，從而平穩(wěn)地發(fā)射第二圖像。第三電極223可以利用Mg和/或Mg合金形成為薄膜。第三電極223可以利用Ag和/或Ag合金形成為薄膜。與第一電極221和第二電極222不同,第三電極223可以形成為共電極，從而可以將共電壓施加到所有像素，并且第三電極223可以利用開口掩模通過共沉積來形成而不用圖案化每個(gè)像素。第三電極223可以位于第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中。
[0047]在形成第三電極223之后，可以在第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中形成輔助層230。因此，輔助層230可以不被包括在第一區(qū)域31中。輔助層230可以形成在第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中，并且可以通過利用掩模執(zhí)行沉積將輔助層230從第一區(qū)域31排除。作為輔助層230，可以使用與將要形成在輔助層230上的材料(即，用來形成第四電極224的金屬，具體地講，Mg和/或Mg合金)部分地結(jié)合的材料。例如，輔助層230可以由包括N，N’-二苯基-N, N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4-4’-二胺、N ( 二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9!1-芴-2-胺、2-(4-(9，10-二(萘 _2_ 基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4，4’，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、a-NPD (N，N，-二 (1-萘基)-N，N’- 二苯基[I, I’-聯(lián)苯基]-4，4’- 二胺)或TPD [4，4’ - 二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯]的材料形成。
[0048]在被圖案化為位于第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中而沒有位于第一區(qū)域31中的輔助層230形成在第三電極223上之后，可以形成第四電極224。第四電極224可以通過以下方法形成，即，利用開口掩模并且將用來形成第四電極224的金屬共沉積在包括第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第三區(qū)域33的所有像素上方。當(dāng)用來形成第四電極224的金屬通過利用開口掩模共沉積在所有像素上方時(shí)，例如，用來形成第四電極224的金屬部分地沉積在輔助層230上，但是很好地沉積在第三電極223上，這是因?yàn)榈谒碾姌O224與第三電極223的粘合力可以比第四電極224與輔助層230的粘合力強(qiáng)。
[0049]第四電極224可以自動(dòng)圖案化為位于第一區(qū)域31中而不位于第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中。第四電極224可以容易地圖案化而無需使用用來圖案化的單獨(dú)掩模。用來形成第四電極224的金屬可以是例如Mg和/或Mg合金，其部分地沉積在輔助層230上。用來形成第四電極224的金屬可以選擇性地或另外地使用其它金屬，例如，如果例如第四電極224與輔助層230的粘合力比第四電極224與第三電極223的粘合力弱，則可以將從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Yb、Co、Sm和Ca選擇的各種金屬應(yīng)用到用來形成第四電極224的金屬。第一電極和第二電極可以包括相同的金屬或多種金屬，并且/或者可以包括一種或更多種不同的金屬。第四電極224可以在第一區(qū)域31中接觸第三電極223。
[0050]因?yàn)榈谌姌O223形成為薄膜并且是向所有像素施加共電壓的共電極，所以當(dāng)表面電阻增大時(shí)，例如，電壓降現(xiàn)象可能發(fā)生。因?yàn)榈谒碾姌O224在第一區(qū)域31中接觸第三電極223，所以可以減少第三電極223的電壓降現(xiàn)象。第四電極224可以形成為比第三電極223厚。因?yàn)榈谒碾姌O224形成在第一區(qū)域31中，所以當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域31中的第一 OLED沿著第一方向向基底I發(fā)射第一圖像時(shí)，例如，第四電極224可以用作反射板，因此，可以極大地改善第一圖像的圖像質(zhì)量。
[0051]圖6示出沿著圖3的1-1的剖視圖。即使將與將要形成在輔助層230上的金屬(例如，Mg和/或Mg合金)部分地結(jié)合的材料用作輔助層230，甚至仍有少量的金屬可能沉積在輔助層230上。如果在輔助層230形成在第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中時(shí)，通過利用開口掩模在第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中沉積用來形成第四電極224的金屬，則例如第四電極224可以形成在第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第三區(qū)域33中，如圖6中所示。在這種情況下，即使用來形成第四電極224的金屬有些沉積在輔助層230上，其量也會(huì)非常少，因此，第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b的厚度t2和位于第三區(qū)域33中的部分224c的厚度t3可以比第四電極224的位于第一區(qū)域31中的部分224a的厚度tl薄很多。因此，第二圖像的透射率可以不會(huì)由于第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b而顯著降低。
[0052]圖7示出沿著圖3的1-1的剖視圖。與圖4中示出的實(shí)施例不同，在圖7中示出的實(shí)施例中，輔助層230可以不被包括在第三區(qū)域33中，而僅形成在第二區(qū)域32中。因此，第四電極224不僅可以形成在第一區(qū)域31中，而且可以形成在第三區(qū)域33中。因?yàn)榈谒碾姌O224可以形成在第一區(qū)域31和第三區(qū)域33中，所以第四電極224可以與包括第一布線2143和第二布線2173的各種布線疊置，因此，第一布線2143和第二布線2173可以隱藏而不被觀看第二圖像的用戶觀看到。
[0053]圖8示出沿著圖3的1-1的剖視圖。與在圖6中示出的實(shí)施例不同，在圖8中示出的實(shí)施例中，輔助層230可以不被包括第三區(qū)域33中，而僅形成在第二區(qū)域32中。因此，第四電極224不僅可以形成在第一區(qū)域31中，而且可以形成在第三區(qū)域33中。即使用來形成第四電極224的金屬有些可以沉積在輔助層230上，其量也會(huì)非常少，因此，第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b的厚度t2可以比第四電極224的位于第一區(qū)域31中的部分224a的厚度tl和位于第三區(qū)域33中的部分224c的厚度t3薄很多。第二圖像的透射率不必由于第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b而顯著降低。
[0054]圖9示出在圖1或圖2的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)射部件21中的像素P’的俯視圖。像素P’可以包括可彼此相鄰設(shè)置的第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第四區(qū)域34以及圍繞第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第四區(qū)域34設(shè)置的第三區(qū)域33。第一區(qū)域31可以是底發(fā)射區(qū)域，第二區(qū)域32可以是頂發(fā)射區(qū)域，第四區(qū)域34可以是外部光透射區(qū)域，外部光沿著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的厚度方向傳輸通過第四區(qū)域34。第三區(qū)域33可以是連接到第一區(qū)域31和第二區(qū)域32的布線通過的區(qū)域。第三區(qū)域33無需如圖9中所示圍繞第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和第四區(qū)域34設(shè)置，例如，當(dāng)布線被布置為與第一區(qū)域31、第二區(qū)域32和/或第四區(qū)域34交叉時(shí)，第三區(qū)域33不必作為單獨(dú)的區(qū)域存在。如在圖9中所示，例如，可以對(duì)每個(gè)子像素設(shè)置第四區(qū)域34，可以對(duì)形成單個(gè)單位像素的每個(gè)子像素(例如，紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的每個(gè))設(shè)置第四區(qū)域34?？梢詫?duì)紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和白色子像素中的每個(gè)設(shè)置第四區(qū)域34。
[0055]圖10示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖。在圖10中示出的實(shí)施例中，輔助層230可以形成在第二區(qū)域32、第三區(qū)域33和第四區(qū)域34中，并且可以不被包括在第一區(qū)域31中。第四電極224可以僅在第一區(qū)域31中圖案化并且接觸第三電極223，而不形成在第二區(qū)域32、第三區(qū)域33和第四區(qū)域34中。因此，外部光在外部光傳輸所通過的第四區(qū)域34中的透射率不必由于第四電極224而減小，并且可以實(shí)現(xiàn)在有機(jī)發(fā)射部件21中具有改善的外部光的透射率的透明頂發(fā)射和底發(fā)射顯示設(shè)備。
[0056]圖11示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖。與在圖10中示出的實(shí)施例不同，在圖11中示出的實(shí)施例中，第四電極224甚至在輔助層230上也形成為薄膜。因此，第四電極224形成在第一區(qū)域31、第二區(qū)域32、第三區(qū)域33和第四區(qū)域34中。即使用來形成第四電極224的金屬有些沉積在輔助層230上，其量也會(huì)非常少，因此，第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b的厚度t2、位于第三區(qū)域33中的部分224c的厚度t3以及位于第四區(qū)域34中的部分224d的厚度t4可以比第四電極224的位于第一區(qū)域31中的部分224a的厚度tl薄很多。第二圖像的透射率不必由于第四電極224的位于第二區(qū)域32中的部分224b而顯著降低，并且外部光的透射率不必由于第四電極224的位于第四區(qū)域34中的部分224d而顯著降低。輔助層230不必形成在第三區(qū)域33中，因此，像圖7和圖8中示出的實(shí)施例一樣，第四電極224也可以形成在第三區(qū)域33中。
[0057]圖12示出沿著圖9的I1-1I的剖視圖，其為在圖10中示出的實(shí)施例的變型實(shí)施例。與在圖10中示出的實(shí)施例不同，在圖12中示出的實(shí)施例中，第二絕緣層219還包括位于第四區(qū)域34中的透射窗口 341。透射窗口 341通過除去第二絕緣層219的一部分而形成。形成在第四區(qū)域34中的透射窗口 341可以改善外部光的透射率。作為示例，圖12示出了透射窗口 341僅形成在第二絕緣層219中，可以改變窗口的數(shù)量和布置，透射窗口還可以形成在第一絕緣層218、層間絕緣層215、柵絕緣層213和緩沖層211中的至少一個(gè)中。如圖12中所示的透射窗口結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用到圖10和圖11中示出的實(shí)施例。
[0058]圖13示出圖4的變型示例的剖視圖。在圖13中示出的實(shí)施例中，覆蓋層225進(jìn)一步形成為有機(jī)發(fā)射部件21的最上層以覆蓋第四電極224和輔助層230。覆蓋層225可以包括具有良好的透光率的材料。覆蓋層225可以包括鹵化金屬，鹵化金屬包括LiF。覆蓋層225可以應(yīng)用到圖6至圖8和圖10至圖12中示出的實(shí)施例以及它們的變型示例。
[0059]雖然在此已經(jīng)描述了第三電極223、輔助層230和第四電極224順序地形成，但是它們無需順序地執(zhí)行。例如，可以在形成第三電極223之前形成輔助層230。在這種情況下，當(dāng)?shù)谌姌O223形成為相對(duì)厚時(shí)，第三電極223可以形成為在第一區(qū)域31中是厚的，并且在其中形成有輔助層230的第二區(qū)域32、第三區(qū)域33和/或第四區(qū)域34中是薄的，從而使第三電極223覆蓋輔助層230。在這種情況下，第四電極224可以包括與第三電極223的材料相同的材料并且與第三電極223形成為一體。輔助層230可以具有電子注入/傳輸特性和/或空穴阻擋特性。當(dāng)?shù)谝浑姌O221和第二電極222用作陰極時(shí)，例如，輔助層230可以具有空穴注入/傳輸特性。該實(shí)施例可以應(yīng)用到圖4、圖6至圖8和圖10至圖13中示出的實(shí)施例以及它們的變型示例。
[0060]通過總結(jié)和回顧，為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)頂發(fā)射和底發(fā)射，底發(fā)射部件的陰極反射電極在有機(jī)發(fā)射層上被圖案化。然而，迄今為止，難以頻繁地使用用于此類圖案化的精細(xì)金屬掩模。如在此所描述的，包括金屬的第四電極可以通過圖案化來形成而無需單獨(dú)的圖案化掩模，從而極大地簡化并改善了圖案化工藝。第四電極可以不包括在外部光傳輸所通過的第四區(qū)域中，或者可以形成為具有最小的厚度，從而改善其上形成有電極的整個(gè)面板的透射率。第四電極也可以減小第三電極的布線電阻。本實(shí)施例可以容易地應(yīng)用到大尺寸顯示設(shè)備?？梢酝ㄟ^利用系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序或者系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序的組合來實(shí)現(xiàn)這些概括性實(shí)施例和具體實(shí)施例。
[0061]在此描述的結(jié)構(gòu)可以通過應(yīng)用到大尺寸有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備而得到更有效的利用。例如，當(dāng)形成大尺寸有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備(具體地講，上電極)時(shí)，因?yàn)闀?huì)難以使用精細(xì)金屬掩模來應(yīng)用圖案化工藝，所以難以使在作為底發(fā)射區(qū)域的第一區(qū)域中的反射電極圖案化。然而，當(dāng)使用在此所描述的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以使用開口掩模代替精細(xì)金屬掩模來圖案化在底發(fā)射區(qū)域中的反射電極，可以更有效地應(yīng)用工藝。
[0062]雖然使用了特定術(shù)語，但是它們僅以一般性和描述性的意義來使用和解釋，而不是出于限制的目的。在某些情況下，如自提交本申請(qǐng)之日起對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明顯的是，除非另外明確指出，否則結(jié)合具體實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用，或者與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如在權(quán)利要求中所闡述的本公開的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括: 多個(gè)像素，每個(gè)像素包括沿著第一方向發(fā)射光的第一區(qū)域和沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射光的第二區(qū)域； 多個(gè)第一電極，分別位于所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第一區(qū)域中； 多個(gè)第二電極，分別位于所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第二區(qū)域中； 中間層，位于所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層； 第三電極，位于中間層上并且設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域中； 輔助層，位于第二區(qū)域中并且不設(shè)置在第一區(qū)域中；以及 第四電極，位于第一區(qū)域中并且接觸第三電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極不在第二區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極也位于第二區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極的位于第二區(qū)域中的所述部分位于輔助層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中， 輔助層不位于第三區(qū)域中， 第四電極也位于第三區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中， 輔助層也位于第三區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極也位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的所述部分位于輔助層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第四區(qū)域，外部光沿著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的厚度方向傳輸通過第四區(qū)域， 輔助層也位于第四區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極不位于第四區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極也位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的所述部分的厚度薄。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極的位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中的所述部分位于輔助層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極的厚度比第三電極的厚度厚。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極與第三電極的粘合力比第四電極與輔助層的粘合力強(qiáng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，輔助層包括N，N’- 二苯基-N, N’ - 二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4-4’ - 二胺、N( 二苯基-4-基)9，9- 二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9!1-芴-2-胺、2-(4-(9，10-二(萘 _2_ 基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4，4’，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基[1，I’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺或 4，4’- 二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，第四電極包括鎂。
17.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其特征在于，所述方法包括: 限定多個(gè)像素，每個(gè)像素包括沿著第一方向發(fā)射光的第一區(qū)域和沿著與第一方向相反的第二方向發(fā)射光的第二區(qū)域； 形成分別位于所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第一區(qū)域中的多個(gè)第一電極； 形成分別位于所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素的第二區(qū)域中的多個(gè)第二電極； 形成位于所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層； 通過在中間層上沉積第一金屬來在第一區(qū)域和第二區(qū)域中的中間層上形成第三電極； 形成輔助層，輔助層位于第二區(qū)域中的第三電極上并且不在第一區(qū)域中；以及 通過將第二金屬沉積在第三電極上來形成第四電極，第四電極位于第一區(qū)域中的第三電極上并且接觸第三電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在第一區(qū)域和第二區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極不位于第二區(qū)域中。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在第一區(qū)域和第二區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的部分的厚度薄。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:至少在第二區(qū)域的輔助層上形成第四電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中， 形成輔助層的步驟包括形成不在第三區(qū)域中的輔助層， 形成第四電極的步驟包括在第一區(qū)域和第三區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極位于第三區(qū)域中。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第三區(qū)域，電連接到第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的至少一個(gè)布線位于第三區(qū)域中， 形成輔助層的步驟包括在第三區(qū)域中形成輔助層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在第一區(qū)域至第三區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第三區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的所述部分的厚度薄。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:至少在第二區(qū)域和第三區(qū)域中的輔助層上形成第四電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素還包括第四區(qū)域，外部光沿著有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的厚度方向傳輸通過第四區(qū)域， 形成輔助層的步驟包括在第四區(qū)域中形成輔助層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第四區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極不位于第四區(qū)域中。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第四區(qū)域中同時(shí)沉積第二金屬，使得第四電極也位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中，并且第四電極的位于第二區(qū)域和第四區(qū)域中的部分的厚度比第四電極的位于第一區(qū)域中的所述部分的厚度薄。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，形成第四電極的步驟包括:在至少第二區(qū)域和第四區(qū)域中的輔助層上形成第四電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第四電極的厚度比第三電極的厚度厚。
30.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第四電極與第三電極的粘合力比第四電極與輔助層的粘合力強(qiáng)。
31.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，輔助層包括N，N’- 二苯基-N，N’ - 二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4-4’ - 二胺、N ( 二苯基-4-基)9，9- 二甲基-N- (4 (9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9, 10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4，4’，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基[1，I’-聯(lián)苯基]_4，4’-二胺或4，4’-二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯。
32.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第四電極包括鎂。
33.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，第一電極和第二電極包括相同的金屬。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104377227SQ201410399684
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
【發(fā)明者】鄭鎮(zhèn)九, 金慶昊, 金星民, 任相薰, 曹觀鉉, 崔俊呼 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司