陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大的技術(shù)問(wèn)題。該陣列基板，包括金屬圖形、覆蓋在金屬圖形上的絕緣層、形成于絕緣層上的電極圖形；絕緣層上開設(shè)有過(guò)孔，電極圖形通過(guò)過(guò)孔與金屬圖形電連接；過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與金屬圖形重合，其余部分位于金屬圖形之外。本發(fā)明可用于液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等陣列基板。
【專利說(shuō)明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)，涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的平板顯示裝置。
[0003]液晶顯示器通常由陣列基板、彩膜基板等部件構(gòu)成。其中，陣列基板上設(shè)置有柵極金屬層、源漏極金屬層、透明電極層、鈍化層等圖層結(jié)構(gòu)，并且不同的圖層之間還會(huì)通過(guò)過(guò)孔相互連接。例如圖1和圖2所示，薄膜晶體管(TFT)的漏極3 (位于源漏極金屬層)與像素電極5 (位于透明電極層)之間的鈍化層4上開設(shè)有過(guò)孔6，像素電極5通過(guò)該過(guò)孔6與TFT的漏極3電連接。
[0004]但是，在鈍化層4上刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，TFT的漏極3也很有可能會(huì)被刻蝕掉一部分，會(huì)使像素電極5與TFT的漏極3之間的接觸面的角度很陡。還有可能使TFT的漏極3被刻蝕出上寬下窄的倒角，使像素電極5發(fā)生斷裂。以上情況都會(huì)導(dǎo)致像素電極5與TFT的漏極3之間的接觸阻抗變大，而影響液晶顯示器的顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，以解決像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大的技術(shù)問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括金屬圖形、覆蓋在所述金屬圖形上的絕緣層、形成于所述絕緣層上的電極圖形；
[0007]所述絕緣層上開設(shè)有過(guò)孔，所述電極圖形通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬圖形電連接；
[0008]所述過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的其余部分位于所述金屬圖形之外。
[0009]優(yōu)選的，所述過(guò)孔所在區(qū)域?qū)?yīng)于所述金屬圖形的邊緣。
[0010]優(yōu)選的，所述過(guò)孔所在區(qū)域的寬度大于所述金屬圖形的寬度；
[0011]所述過(guò)孔所在區(qū)域的中部與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的兩端部位于所述金屬圖形之外。
[0012]優(yōu)選的，所述金屬圖案為TFT的漏極，所述電極圖形為像素電極。
[0013]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0014]形成金屬圖案；
[0015]在所述金屬圖案上覆蓋絕緣層；
[0016]對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔，所述過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的其余部分位于所述金屬圖形之外；
[0017]在所述絕緣層上形成電極圖形，使所述電極圖形通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬圖形電連接。
[0018]優(yōu)選的，所述過(guò)孔所在區(qū)域?qū)?yīng)于所述金屬圖形的邊緣。
[0019]優(yōu)選的，所述過(guò)孔所在區(qū)域的寬度大于所述金屬圖形的寬度；
[0020]所述過(guò)孔所在區(qū)域的中部與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的兩端部位于所述金屬圖形之外。
[0021]優(yōu)選的，所述金屬圖案為TFT的漏極，所述電極圖形為像素電極。
[0022]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。
[0023]本發(fā)明帶來(lái)了以下有益效果:本發(fā)明提供的陣列基板中，電極圖形通過(guò)絕緣層上的過(guò)孔與金屬圖形電連接，過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與金屬圖形重合，其余部分位于金屬圖形之外。在絕緣層上刻蝕過(guò)孔的時(shí)候，金屬圖形會(huì)被刻蝕出一個(gè)較為平緩的斜面，該斜面即為金屬圖形與電極圖形之間的接觸面。因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，金屬圖形與電極圖形之間的接觸面是一個(gè)較為平緩的斜面，并能夠防止像素電極發(fā)生斷裂，降低了金屬圖形與電極圖形之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0024]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0026]圖1是現(xiàn)有的陣列基板的局部不意圖；
[0027]圖2是圖1中沿A-A方向的剖面圖；
[0028]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部示意圖；
[0029]圖4是圖3中沿A-A方向的剖面圖；
[0030]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的局部示意圖；
[0031]圖6是圖5中沿B-B方向的剖面圖；
[0032]圖7是本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的局部示意圖；
[0033]圖8是圖7中沿A-A方向的剖面圖；
[0034]圖9是圖7中沿B-B方向的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括金屬圖形、覆蓋在金屬圖形上的絕緣層、形成于絕緣層上的電極圖形。絕緣層上開設(shè)有過(guò)孔，電極圖形通過(guò)過(guò)孔與金屬圖形電連接。過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與金屬圖形重合，過(guò)孔所在區(qū)域的其余部分位于金屬圖形之外。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，電極圖形通過(guò)絕緣層上的過(guò)孔與金屬圖形電連接，過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與金屬圖形重合，其余部分位于金屬圖形之外。在絕緣層上刻蝕過(guò)孔的時(shí)候，金屬圖形會(huì)被刻蝕出一個(gè)較為平緩的斜面，該斜面即為金屬圖形與電極圖形之間的接觸面。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，金屬圖形與電極圖形之間的接觸面是一個(gè)較為平緩的斜面，并能夠防止像素電極發(fā)生斷裂，因此降低了金屬圖形與電極圖形之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0038]實(shí)施例一:
[0039]如圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括形成在襯底基板I上的柵極金屬層(圖中未示出)、柵絕緣層2、數(shù)據(jù)線金屬層(包括數(shù)據(jù)線、TFT的源極、漏極3等)、鈍化層4、像素電極5等結(jié)構(gòu)。
[0040]鈍化層4上開設(shè)有過(guò)孔6，像素電極5通過(guò)過(guò)孔6與TFT的漏極3電連接。并且，過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?yīng)于漏極3的邊緣，使過(guò)孔6所在區(qū)域的一部分與漏極3重合，過(guò)孔6所在區(qū)域的其余部分位于漏極3之外。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，像素電極5通過(guò)鈍化層4上的過(guò)孔6與漏極3電連接，過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?yīng)于漏極3的邊緣。在鈍化層4上刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3會(huì)被刻蝕出一個(gè)水平面或較為平緩的斜面，該水平面或斜面即為漏極3與像素電極5之間的接觸面。
[0042]如果在刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3沒有被刻蝕，或被刻蝕的很少，那么過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?huì)露出漏極3的水平的上表面，則像素電極5與漏極3之間的接觸面即為水平面。
[0043]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，漏極3與像素電極5之間的接觸面是一個(gè)水平面或較為平緩的斜面，并能夠防止像素電極5發(fā)生斷裂，因此降低了漏極3與像素電極5之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法包括:
[0045]S1:利用構(gòu)圖工藝，在襯底基板I上形成柵極金屬層。
[0046]S2:在柵極金屬層上覆蓋柵絕緣層2。
[0047]S3:利用構(gòu)圖工藝，在柵絕緣層2上形成數(shù)據(jù)線金屬層，其中包括數(shù)據(jù)線、TFT的源極、漏極3等結(jié)構(gòu)。
[0048]S4:在數(shù)據(jù)線金屬層上覆蓋鈍化層4。
[0049]S5:利用構(gòu)圖工藝，對(duì)鈍化層4進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔6。
[0050]其中，過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?yīng)于漏極3的邊緣，使過(guò)孔6所在區(qū)域的一部分與漏極3重合，過(guò)孔6所在區(qū)域的其余部分位于漏極3之外。
[0051]在刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3會(huì)被刻蝕出一個(gè)水平面或較為平緩的斜面。如果漏極3沒有被刻蝕，或被刻蝕的很少，那么過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?huì)露出漏極3的水平的上表面。
[0052]S6:利用構(gòu)圖工藝，在鈍化層4上形成像素電極5，使像素電極5通過(guò)過(guò)孔6與漏極3電連接。
[0053]再經(jīng)過(guò)后續(xù)的一些常規(guī)步驟，即可形成本實(shí)施例提供的陣列基板。在該陣列基板中，漏極3與像素電極5之間的接觸面是一個(gè)水平面或較為平緩的斜面，并能夠防止像素電極5發(fā)生斷裂，因此降低了漏極3與像素電極5之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0054]實(shí)施例二:
[0055]如圖5和圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括形成在襯底基板I上的柵極金屬層(圖中未示出)、柵絕緣層2、數(shù)據(jù)線金屬層(包括數(shù)據(jù)線、TFT的源極、漏極3等)、鈍化層4、像素電極5等結(jié)構(gòu)。
[0056]鈍化層4上開設(shè)有過(guò)孔6，像素電極5通過(guò)過(guò)孔6與TFT的漏極3電連接。本實(shí)施例中，增大了過(guò)孔6的寬度，同時(shí)還可以適當(dāng)縮小漏極3的寬度，使過(guò)孔6所在區(qū)域的寬度大于漏極3的寬度，并且過(guò)孔6所在區(qū)域的中部與漏極3重合，過(guò)孔6所在區(qū)域的兩端部位于漏極3之外。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，像素電極5通過(guò)鈍化層4上的過(guò)孔6與漏極3電連接，過(guò)孔6的兩端寬出漏極3的邊緣。在鈍化層4上刻蝕出過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3會(huì)被刻蝕出一個(gè)較大的水平面，該水平面即為漏極3與像素電極5之間的接觸面。
[0058]如果在刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3沒有被刻蝕，或被刻蝕的很少，那么過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?huì)露出漏極3的水平的上表面，則像素電極5與漏極3之間的接觸面也為水平面。
[0059]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，漏極3與像素電極5之間的接觸面是一個(gè)較大的水平面，不僅增大了漏極3與像素電極5之間的接觸面積，還能夠防止像素電極5發(fā)生斷裂，因此降低了漏極3與像素電極5之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法包括:
[0061]S1:利用構(gòu)圖工藝，在襯底基板I上形成柵極金屬層。
[0062]S2:在柵極金屬層上覆蓋柵絕緣層2。
[0063]S3:利用構(gòu)圖工藝，在柵絕緣層2上形成數(shù)據(jù)線金屬層，其中包括數(shù)據(jù)線、TFT的源極、漏極3等結(jié)構(gòu)。
[0064]S4:在數(shù)據(jù)線金屬層上覆蓋鈍化層4。
[0065]S5:利用構(gòu)圖工藝，對(duì)鈍化層4進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。
[0066]其中，過(guò)孔6所在區(qū)域的寬度大于漏極3的寬度，使過(guò)孔6所在區(qū)域的中部與漏極3重合，過(guò)孔6所在區(qū)域的兩端部位于漏極3之外。
[0067]在刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3會(huì)被刻蝕出一個(gè)較大的水平面。如果在刻蝕過(guò)孔6的時(shí)候，漏極3沒有被刻蝕，或被刻蝕的很少，那么過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?huì)露出漏極3的水平的上表面。
[0068]S6:利用構(gòu)圖工藝，在鈍化層4上形成像素電極5，使像素電極5通過(guò)過(guò)孔6與漏極3電連接。
[0069]再經(jīng)過(guò)后續(xù)的一些常規(guī)步驟，即可形成本實(shí)施例提供的陣列基板。在該陣列基板中，漏極3與像素電極5之間的接觸面是一個(gè)較大的水平面，不僅增大了漏極3與像素電極5之間的接觸面積，還能夠防止像素電極5發(fā)生斷裂，因此降低了漏極3與像素電極5之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0070]實(shí)施例三:
[0071]如圖7、圖8和圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，本實(shí)施例中，對(duì)實(shí)施例一與實(shí)施例二進(jìn)行結(jié)合。該陣列基板，包括形成在襯底基板I上的柵極金屬層(圖中未示出)、柵絕緣層2、數(shù)據(jù)線金屬層(包括數(shù)據(jù)線、TFT的源極、漏極3等)、鈍化層4、像素電極5等結(jié)構(gòu)。
[0072]鈍化層4上開設(shè)有過(guò)孔6，像素電極5通過(guò)過(guò)孔6與TFT的漏極3電連接。本實(shí)施例中，過(guò)孔6所在區(qū)域?qū)?yīng)于漏極3的邊緣，并且過(guò)孔6所在區(qū)域的寬度大于漏極3的寬度，使過(guò)孔6所在區(qū)域的兩端部位于漏極3之外，而過(guò)孔6所在區(qū)域的中部也有一部分位于漏極3之外,另一部分與漏極3重合。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，漏極3與像素電極5之間的接觸面是一個(gè)較大的水平面或斜面，并能夠防止像素電極5發(fā)生斷裂，因此降低了漏極3與像素電極5之間的接觸阻抗，從而能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于像素電極與TFT的漏極之間的接觸阻抗較大，而影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0074]應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，上述三個(gè)實(shí)施例中，均以像素單元中的TFT的漏極與像素電極之間的連接為例。當(dāng)然，在陣列基板上其他部分(例如板邊走線區(qū)域、阻抗測(cè)試區(qū)域)的金屬圖形與電極圖形之間，也可以采用相同的方式設(shè)置過(guò)孔以實(shí)現(xiàn)電連接，從而解決金屬圖形與電極圖形之間的接觸阻抗較大，影響顯示效果的技術(shù)問(wèn)題。
[0075]實(shí)施例四:
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，具體可以是液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等。該顯示裝置包括彩膜基板，以及上述實(shí)施例一、實(shí)施例二或?qū)嵤├械年嚵谢濉?br> [0077]本實(shí)施例提供的顯示裝置，與上述實(shí)施例提供的陣列基板具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。
[0078]雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】?jī)?nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括金屬圖形、覆蓋在所述金屬圖形上的絕緣層、形成于所述絕緣層上的電極圖形； 所述絕緣層上開設(shè)有過(guò)孔，所述電極圖形通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬圖形電連接；所述過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的其余部分位于所述金屬圖形之外。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔所在區(qū)域?qū)?yīng)于所述金屬圖形的邊緣。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔所在區(qū)域的寬度大于所述金屬圖形的寬度； 所述過(guò)孔所在區(qū)域的中部與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的兩端部位于所述金屬圖形之外。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬圖案為TFT的漏極，所述電極圖形為像素電極。
5.一種陣列基板的制造方法，包括: 形成金屬圖案； 在所述金屬圖案上覆蓋絕緣層； 對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔，所述過(guò)孔所在區(qū)域的一部分與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的其余部分位于所述金屬圖形之外； 在所述絕緣層上形成電極圖形，使所述電極圖形通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬圖形電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述過(guò)孔所在區(qū)域?qū)?yīng)于所述金屬圖形的邊緣。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述過(guò)孔所在區(qū)域的寬度大于所述金屬圖形的寬度； 所述過(guò)孔所在區(qū)域的中部與所述金屬圖形重合，所述過(guò)孔所在區(qū)域的兩端部位于所述金屬圖形之外。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬圖案為TFT的漏極，所述電極圖形為像素電極。
9.一種顯示裝置，包括彩膜基板和如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104183607SQ201410399880
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月14日
【發(fā)明者】趙國(guó) 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司