防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及底部基板及其制造方法，具體地，涉及光學(xué)器件芯片安裝在其上的底部基板，并且防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的所述底部基板包括：相對于底部基板在一個方向上堆疊的多個導(dǎo)電層；至少一個絕緣層，其與所述導(dǎo)電層交替地堆疊并且電氣隔離所述導(dǎo)電層；及通孔，在根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板期間，該通孔在切割表面和所述絕緣層相交的接觸區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層的所述底部基板。根據(jù)本發(fā)明，消除了由于毛邊越過絕緣層及類似物而出現(xiàn)的電氣短路，這是因為，通過相對于光學(xué)器件的切割表面形成了覆蓋絕緣層的預(yù)定通孔，使得在光學(xué)器件從底部基板分離的過程中，即，在鋸切或劃片過程中，不會產(chǎn)生毛邊。
【專利說明】防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及底部基板及其制造方法，具體地，涉及光學(xué)器件芯片安裝在其上的底部基板。

【背景技術(shù)】
[0002]LED被用作液晶顯示器(IXD)的背光單元(BLU)的光源，液晶顯示器用在諸如TV、計算機顯示器和類似物的平板顯示器中。
[0003]諸如LED的光學(xué)器件芯片安裝在用于光學(xué)器件的底部基板上，并且獨立的光學(xué)器件通過分離過程來制造，即，用于光學(xué)器件的底部基板的鋸切或劃片。
[0004]然而，根據(jù)常規(guī)方法，在鋸切過程或劃片過程期間會產(chǎn)生毛邊，并且由于毛邊越過絕緣層和類似物，還存在電氣短路的問題，其中毛邊由于構(gòu)成導(dǎo)電層的材料和構(gòu)成絕緣層的材料之間的硬度差異而產(chǎn)生。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]技術(shù)問題
[0006]旨在解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題的本發(fā)明的一個目的在于提供一種底部基板的配置，其可以在光學(xué)器件與底部基板的分離過程(即鋸切或劃片過程)中不產(chǎn)生毛邊。
[0007]更具體地，目的在于通過相對于光學(xué)器件的橫截面形成預(yù)定通孔而提供一種在光學(xué)器件的分離過程中可能不會產(chǎn)生毛邊的配置。
[0008]技術(shù)方案
[0009]為了解決上述問題，提供了一種防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板，包括:相對于底部基板在一個方向上堆疊的多個導(dǎo)電層；至少一個絕緣層，其與所述導(dǎo)電層交替地堆疊并且電氣隔離所述導(dǎo)電層；及通孔，其在接觸區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層的所述底部基板，在根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板期間，所述切割表面和所述絕緣層在所述接觸區(qū)域處相交。
[0010]這是有利的，因為所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面相對于所述底部基板的覆蓋所述絕緣的切割表面以向內(nèi)方向形成。
[0011]所述防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板還包括腔，該腔包括凹坑，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層的區(qū)域從所述底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。
[0012]所述防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板還包括阻焊劑部分，用于防止暴露于所述底部基板的下表面的所述絕緣層的絕緣性能降低。
[0013]所述防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板還包括光學(xué)器件芯片，其安裝在所述腔內(nèi)部(之內(nèi))的所述底部基板上。
[0014]這是有利的，因為所述光學(xué)器件芯片粘結(jié)到由所述腔內(nèi)的所述絕緣層隔離的所述導(dǎo)電層中的任意一個導(dǎo)電層上。
[0015]這是有利的，因為所述光學(xué)器件芯片的一個電極電連接至所述導(dǎo)電層中的光學(xué)器件芯片未連接到其上的另一個導(dǎo)電層。
[0016]所述防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板還包括位于所述底部基板的上表面上的電極指示標(biāo)記物，用于為由所述絕緣層隔離的所述導(dǎo)電層之中的任意至少一個電極層表明電極。
[0017]為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明提供了一種制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法，包括下述步驟:在相對于底部基板的一個方向上交替地堆疊多個導(dǎo)電層和用于電隔離所述導(dǎo)電層的至少一個絕緣層；及在接觸區(qū)域處形成穿透覆蓋所述絕緣層的所述底部基板的通孔，在根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板期間，所述切割表面和所述絕緣層在所述接觸區(qū)域處相交。
[0018]這是有利的，因為所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面相對于所述底部基板的覆蓋所述絕緣層的切割表面以向內(nèi)方向形成。
[0019]一種制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法，還包括在所述形成通孔的步驟之前形成腔的步驟，或形成包括凹坑的腔，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層的區(qū)域從形成有所述通孔的所述底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。
[0020]有益效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，消除了由于毛邊越過絕緣層及類似物而出現(xiàn)的電氣短路，這是因為，通過相對于光學(xué)器件的切割表面形成了覆蓋絕緣層的預(yù)定通孔，使得在光學(xué)器件從底部基板分離的過程中，即，在鋸切或劃片過程中，不會產(chǎn)生毛邊。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖la、lb、lc和Id是示出了將在本發(fā)明中解決的毛邊生成問題的示意圖。
[0023]圖2是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于制造底部基板的方法，該底部基板防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊。
[0024]圖3a、3b和3c是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的底部基板的制造過程的示意圖。
[0025]圖4a、4b和4c是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的底部基板的制造過程的示意圖。
[0026]圖5a、5b、5c和4d是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的不意圖。

【具體實施方式】
[0027]下文中說明書的內(nèi)容僅僅用于示例本發(fā)明的原理。因此，本領(lǐng)域內(nèi)普通技術(shù)人員可以實施本發(fā)明的理論并發(fā)明各種包括在本發(fā)明的概念和范圍內(nèi)的裝置，即使其在說明書中并沒有清楚地解釋或展示。此外，原則上，本說明書中列出的所有條件術(shù)語和實施方式顯然是出于理解本發(fā)明的概念的目的，人們應(yīng)該理解本發(fā)明并不限于這些專門列出的示例性實施方式和條件。
[0028]通過下述和附圖相關(guān)的詳細說明，上述目的、特征和優(yōu)勢將更加顯而易見，并且因此本領(lǐng)域內(nèi)普通技術(shù)人員可以輕易地實施本發(fā)明的技術(shù)精神。如果認(rèn)為與本發(fā)明相關(guān)的公知現(xiàn)有技術(shù)可能不必要地掩蓋本發(fā)明的要點，則將其省略。下文中，將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選示例性實施方式。
[0029]圖la、lb、lc和Id是示出了將在本發(fā)明中解決的毛邊生成問題的示意圖。圖1a是立體圖，示出了通過芯片基板的切割過程形成的單個芯片基板。
[0030]在本發(fā)明的示例性實施方式中，底部基板是芯片基板的陣列，其包括多個具有預(yù)定尺寸的芯片基板，并且其通過將底部基板切割成各個獨立的芯片基板而被利用。此時，橫截面10被形成為具有如圖1b所示的前視圖、如圖1c所示的側(cè)視圖以及如圖1d所示的后視圖。由于上述附圖中所示的切割過程，在鋸切或劃片期間產(chǎn)生了毛邊，其中鋸切或劃片損壞了形成為十分薄的層的絕緣層，因此，存在產(chǎn)生故障的問題，例如由基板的絕緣擊穿導(dǎo)致的短路。
[0031]因此，在本發(fā)明中，提出了可以在光學(xué)器件的分離過程(即鋸切或劃片過程)中不產(chǎn)生毛邊的底部基板，更具體的，提出了設(shè)置在底部基板上的芯片基板的配置。下文中，根據(jù)本發(fā)明，將參考圖2描述用于制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法以及利用該方法制造的底部基板。
[0032]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于制造底部基板的方法，該底部基板防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊。參考圖2，用于制造底部基板的方法包括堆疊步驟S100、通孔形成步驟S200以及腔形成步驟S300。
[0033]在堆疊步驟SlOO中，多個導(dǎo)電層和用于電隔離所述導(dǎo)電層的至少一個絕緣層在相對于底部基板的一個方向上交替地堆疊。
[0034]如圖3a所示，首先，多個包含導(dǎo)電材料并且具有預(yù)定厚度的導(dǎo)電層A通過與絕緣層B粘結(jié)而交替地堆疊，所述絕緣層B包括絕緣材料并且插入其間。
[0035]通過在堆疊時加熱和壓縮，產(chǎn)生了多個絕緣層B以一定距離布置的導(dǎo)電材料塊，如圖3b所示。
[0036]然后，通過按圖3b中的虛線所示的包括絕緣層B的方式垂直地切割產(chǎn)生的導(dǎo)電材料塊，完成了底部基板的制造過程，其中，多個垂直絕緣層B以一定距離平行布置，如圖3c所示。換言之，示例性實施方式的一個方向是垂直方向，并且通過沿著堆疊的方向垂直地將其切割而制造底部基板。圖3c中的虛線表示形成各個獨立的芯片基板的切割線。下文中，將解釋用于在堆疊步驟中制造的芯片基板的通孔形成步驟S200。
[0037]在本發(fā)明的示例性實施方式的通孔形成步驟S200中，通孔在當(dāng)根據(jù)預(yù)定芯片基板面積切割所述底部基板時切割表面和所述絕緣層接觸的區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層B的所述底部基板。
[0038]參考圖4c，在本發(fā)明的示例性實施方式的通孔形成步驟S200中，通孔在當(dāng)相對于圖3c所示的底部基板切割所述底部基板時切割表面和所述絕緣層接觸的區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層B的所述底部基板。
[0039]此外，在形成通孔之后，通過腔形成步驟S300形成腔D。另外，根據(jù)制造過程，通孔G可以與腔D —起形成，或者，通孔G也可以在腔D形成之后形成。
[0040]在本發(fā)明的示例性實施方式的腔形成步驟S300，形成了包括凹坑的空間，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層B的區(qū)域從所述底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。
[0041]舉例來說，從芯片基板的上表面向下到達預(yù)定深度的腔D通過機械加工和類似方法形成，并且在這種情況下，垂直絕緣層B必須穿過腔D的底部。這是有利的，因為腔D被形成為具有向下變窄的錐形物。
[0042]此外，參考圖4a，在本發(fā)明的示例性實施方式的通孔形成步驟S200中，通孔G也可以形成在底部基板上，其中，阻焊劑F沉積在其上。參考圖4a，在本發(fā)明的示例性實施方式中，阻焊劑F，優(yōu)選地為具有良好光學(xué)反射性能的白色阻焊劑，可以在形成通孔之前分別沉積在底部基板的上表面和下表面上。
[0043]圖4a是底部基板的立體圖，其中，阻焊劑以下述方式沉積。其被提供用于:不僅在將光學(xué)器件芯片(優(yōu)選地為LED芯片)焊接在印刷電路板期間防止由于焊膏沿著芯片基板交叉而引起的污染和變臟，還防止絕緣性能的降低；另一方面，減少了鍍層材料的浪費并且提升了光反射的能力。
[0044]參考圖4b，在當(dāng)根據(jù)芯片基板的預(yù)定面積切割所述底部基板時切割表面和所述絕緣層接觸的區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層B的所述底部基板的通孔被形成。
[0045]通過切割底部基板而形成的芯片基板在圖5a中示出，其中，根據(jù)上述示例性實施方式形成了通孔和腔。
[0046]圖5a示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的芯片基板的立體圖，該芯片基板防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊。
[0047]參考圖5a，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的芯片基板包括導(dǎo)電層A、絕緣層B和通孔。
[0048]導(dǎo)電層A通過相對于底部基板沿著“一個方向”堆疊而形成。此處，根據(jù)在上述的堆疊步驟中與絕緣層B交替堆疊的導(dǎo)電層A的堆疊方向來確定“一個方向”。換句話說，對于圖5a中示出的情形，在如立體圖所示的那樣堆疊之后，芯片基板從被切掉的底部基板中被再次切掉，并且導(dǎo)電層A和絕緣層B呈現(xiàn)為在水平方向上交替堆疊。
[0049]絕緣層B與導(dǎo)電層A交替地堆疊，由此電隔離導(dǎo)電層A。換句話說，利用插入其間的絕緣層B分離的芯片基板可以分別作為陽(+)極端子和陰(_)極端子。
[0050]當(dāng)根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板時在所述切割表面和所述絕緣層B相交的接觸區(qū)域處通孔穿透覆蓋所述絕緣層B的所述底部基板。在示例性實施方式中，通孔可以通過鉆孔形成，這種鉆孔過程作為基板狀態(tài)下的制孔過程。換言之，穿透基板的通孔在如上所述的圖4b和4c中所示的基板狀態(tài)下形成。
[0051]此外，在本發(fā)明的示例性實施方式中，通孔穿透覆蓋絕緣層B，并且“覆蓋絕緣層B”可能指:相比于絕緣層B的厚度具有較大直徑或更大寬度的通孔被形成。換名話說，通孔穿透處于基板狀態(tài)的絕緣層B。由于制孔技術(shù)用于形成通孔，因此可以防止在以傳統(tǒng)鋸切或劃片工藝切割絕緣層B期間產(chǎn)生毛邊。
[0052]在本發(fā)明的示例性實施方式中，所述底部基板在通孔旁的切割平面被形成為相對于從覆蓋所述絕緣層B的所述底部基板中切掉的切割表面50朝著向內(nèi)的方向。換句話說，參考圖5a或者前視圖圖5b、后視圖圖5d，并且與圖la、Ib或Ic相比較，切割表面50朝著向內(nèi)方向凹陷地形成，覆蓋形成了絕緣層B的部分。
[0053]此外，如上所述，經(jīng)歷根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的腔形成步驟S300的芯片基板包括一空間，該空間包括凹坑，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層B的區(qū)域從底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。如上所述，這是有利的，因為腔D被形成為具有向下變窄的錐形物。在本發(fā)明的示例性實施方式中，通過切割底部基板而制造芯片基板，其中，根據(jù)預(yù)定的芯片基板區(qū)域，多個通孔和腔D形成在其中。
[0054]此外，光學(xué)器件芯片安裝在芯片基板的腔的內(nèi)部。在鍍層完成之后，光學(xué)器件芯片被安裝在底部基板的各個獨立的腔D的內(nèi)部，并且隨后被接線粘結(jié)以粘結(jié)至通過絕緣層隔離(分離)的導(dǎo)電層A中的任何一個導(dǎo)電層A上。此外，光學(xué)器件芯片的一個電極電連接至所述導(dǎo)電層A中的另一個光學(xué)器件芯片未連接到其上的導(dǎo)電層A。
[0055]隨后，如圖5a至5d中所示的獨立的芯片基板通過以沿著底部基板的切割線間隔一芯片基板的長度而切割底部基板(在水平方向上切割)而制造。用于部分切割部分的完整切割過程和用于以芯片長度為間隔切割基板的切割過程的切割順序可以互換，并且這些切割過程可以在利用膠粘帶和類似物固定底部基板的底部之后進行。
[0056]此外，參考圖5d，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的底部基板之下還包括阻焊部分52，其中阻焊劑沉積在底部基板之下的絕緣層的暴露區(qū)域上，從而在沉積焊膏以焊接制造的芯片基板時，防止由于焊膏滲入絕緣層而引起的性能下降，由此避免焊膏沉積到其上。此外，如圖5a和5b所示，還可以包括電極指示標(biāo)記物54，用于為芯片基板中由絕緣層分開的至少兩個導(dǎo)電層將電極表示為陽極或陰極。
[0057]上述說明書僅僅是對本發(fā)明的技術(shù)精神的示例性說明，并且對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的基本特征的情況下，各種改進、變化和替換是可能的。
[0058]因此，本發(fā)明中公開的示例性實施方式和附圖是出于解釋的目的，而非用于限制本發(fā)明的技術(shù)精神，并且，本發(fā)明的技術(shù)精神的范圍并不由這些示例性實施方式和附圖限定。必須根據(jù)隨附權(quán)利要求來解釋本發(fā)明的保護范圍，并且應(yīng)該以如下方式解釋:本發(fā)明的等價范圍內(nèi)的所有技術(shù)精神都包括在本發(fā)明的權(quán)利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板，其包括: 相對于底部基板在一個方向上堆疊的多個導(dǎo)電層； 至少一個絕緣層，其與所述導(dǎo)電層交替地堆疊并且電氣隔離所述導(dǎo)電層；及通孔，其在接觸區(qū)域處穿透覆蓋所述絕緣層的所述底部基板，在根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板期間，所述切割表面和所述絕緣層在所述接觸區(qū)域處相交。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 其特征在于，所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面相對于所述底部基板的覆蓋所述絕緣層的切割表面以向內(nèi)方向形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 還包括腔，該腔包括凹坑，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層的區(qū)域從所述底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 其特征在于，其還包括: 阻焊部分，以用于防止暴露在所述底部基板之下的所述絕緣層的性能下降。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 還包括光學(xué)器件芯片，該光學(xué)器件芯片安裝在所述腔內(nèi)的所述底部基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 其特征在于， 所述光學(xué)器件芯片粘結(jié)到由所述腔內(nèi)的所述絕緣層隔離的所述導(dǎo)電層中的任意一個導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 其特征在于， 所述光學(xué)器件芯片的一個電極電連接至所述導(dǎo)電層中的所述光學(xué)器件芯片未連接到其上的另一個導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板， 其特征在于，其還包括: 所述底部基板的上表面上的電極指示標(biāo)記物，用于為由所述絕緣層隔離的所述導(dǎo)電層之中的至少任意一個電極層表明電極。
9.一種制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法，其包括下述步驟: 在相對于底部基板的一個方向上交替地堆疊多個導(dǎo)電層和用于電隔離所述導(dǎo)電層的至少一個絕緣層；及 在接觸區(qū)域處形成穿透覆蓋所述絕緣層的所述底部基板的通孔，在根據(jù)芯片基板的預(yù)定區(qū)域切割所述底部基板期間，所述切割表面和所述絕緣層在所述接觸區(qū)域處相交。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法， 其特征在于，所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面由相對于所述底部基板的覆蓋所述絕緣層的切割表面以向內(nèi)方向形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造防止在切割過程中產(chǎn)生毛邊的底部基板的方法， 還包括 在所述形成通孔的步驟之前的形成腔的步驟，該腔包括凹坑，該凹坑相對于覆蓋所述絕緣層的區(qū)域從形成有所述通孔的所述底部基板的上表面向下地到達預(yù)定深度。
【文檔編號】H01L21/02GK104377116SQ201410405998
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
【發(fā)明者】安范模, 樸勝浩, 尹京子 申請人:普因特工程有限公司