外部存儲裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及外部存儲裝置。該外部存儲裝置包括：互連基板；提供在互連基板中的接觸型外部端子；設(shè)置在互連基板的第一表面上方的半導(dǎo)體芯片；以及形成在互連基板的第一表面上方的密封樹脂層。密封樹脂層密封半導(dǎo)體芯片并且沒有覆蓋外部端子。半導(dǎo)體芯片包括：存儲元件、電連接到存儲元件的多個電感器、驅(qū)動多個電感器的電路以及互連層?；ミB層形成在半導(dǎo)體芯片的下述表面上方，并且包括多個電感器，所述表面是與半導(dǎo)體芯片的面對互連基板的第一表面的表面不同的表面，電感器的每一個通過互連層連接到電路，并且電路根據(jù)預(yù)定的規(guī)則改變電路的電感器驅(qū)動。
【專利說明】外部存儲裝置
[0001]本申請是2010年12月15日提交的申請?zhí)枮?01010597887.9、發(fā)明名稱為“外部存儲裝置和制造外部存儲裝置的方法”之申請的分案申請。
[0002]本申請基于日本專利申請N0.2009-284348，其內(nèi)容通過弓I用合并在此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及具有高防篡改性能的外部存儲裝置和制造外部存儲裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]在通過出售內(nèi)容來獲得金錢的業(yè)務(wù)中，可以出售其中存儲內(nèi)容的外部存儲裝置，例如，存儲卡。在這樣的業(yè)務(wù)模式中，近年來越來越多地通過專用裝置來讀取被存儲在外部存儲裝置中的內(nèi)容。當通過典型的存儲卡來形成外部存儲裝置時，信息傳輸?shù)绞褂媒佑|型外部端子的專用裝置(例如，參見日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.2009-105126)。
[0005]另外，日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.2002-083894公布了通過在半導(dǎo)體芯片中提供天線線圈執(zhí)行到外部的信息的非接觸型傳輸。
[0006]在通過出售內(nèi)容來獲取金錢的業(yè)務(wù)中，重要的是，抑制內(nèi)容的非法復(fù)制，即，提高防篡改性能。用于提高防篡改性能的通常方法依賴于軟件處理，諸如內(nèi)容的加密。然而，即使通過軟件處理來確保防篡改性能，如果產(chǎn)生諸如解密軟件的降低防篡改性能的軟件那么能夠讀取內(nèi)容。因此，已經(jīng)很難充分地確保防篡改性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明人注意到當如果不通過專用裝置讀取內(nèi)容而不能使用內(nèi)容時，即使內(nèi)容被讀取并且被復(fù)制，也能夠通過使得不能利用普通產(chǎn)品來形成外部存儲裝置而確保防篡改性能，因此發(fā)明人做出本發(fā)明。
[0008]在一個實施例中，提供一種外部存儲裝置，包括:互連基板；至少一個半導(dǎo)體芯片，所述至少一個半導(dǎo)體芯片被布置在互連基板的第一表面上方；存儲元件，該存儲元件被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中；電感器，該電感器被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中并且將存儲在存儲元件中的信息通信到外部；驅(qū)動器電路，該驅(qū)動器電路被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中以驅(qū)動電感器；接觸型外部端子，該接觸型外部端子被提供在互連基板中；以及密封樹脂層，該密封樹脂層形成在互連基板的第一表面上方并且密封至少一個半導(dǎo)體芯片并且沒有覆蓋外部端子。電感器形成在沒有面對互連基板的半導(dǎo)體芯片的表面處。
[0009]當內(nèi)容被存儲在根據(jù)本發(fā)明的實施例的外部存儲裝置中并且通過專用裝置讀取時，需要制造具有與根據(jù)本發(fā)明的實施例的外部存儲裝置的仿制品相同的結(jié)構(gòu)的外部存儲裝置以使用專用內(nèi)容。在本發(fā)明中，通過電感器將存儲在存儲元件中的信息通信到外部。因為電感器形成在半導(dǎo)體芯片中因此電感器很小。換言之，在不使用半導(dǎo)體工藝的情況下，很難形成具有與本發(fā)明的實施例中的電感器相同的直徑的電感器。為了實現(xiàn)半導(dǎo)體工藝，要求很大的設(shè)備投資。因此，在成本方面，很難制造半導(dǎo)體芯片的仿制品。為此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，即使能夠讀取存儲在外部存儲裝置中的內(nèi)容，復(fù)制內(nèi)容的人也不能制備用于存儲內(nèi)容的外部存儲裝置。結(jié)果，提高了防篡改性能。
[0010]另外，隨著電感器的直徑減少電感器的可通信范圍變短。另一方面，在本發(fā)明中，由于通過密封樹脂層同時地密封上述至少一個半導(dǎo)體芯片，因此從電感器到外部存儲裝置的外表面的距離變短。因此，即使電感器的可通信范圍變短，接收器也能夠位于可通信范圍內(nèi)。
[0011]在另一實施例中，提供了一種制造外部存儲裝置的方法，包括:在具有接觸型外部端子的互連基板的第一表面上方布置至少一個半導(dǎo)體芯片；以及在互連基板的第一表面上方形成密封樹脂層使得至少一個半導(dǎo)體芯片被密封并且外部端子沒有被覆蓋。存儲元件被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中。將存儲在存儲元件中的信息通信到外部的電感器被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中。電感器的驅(qū)動器電路被提供在至少一個半導(dǎo)體芯片中。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實施例，能夠充分地確保外部存儲裝置的防篡改性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]結(jié)合附圖，根據(jù)某些優(yōu)選實施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它目的、優(yōu)點和特征將更加明顯，其中:
[0014]圖1是示出根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0015]圖2是外部存儲裝置的平面圖；
[0016]圖3是示出外部存儲裝置的使用狀態(tài)的截面圖；
[0017]圖4是在外部存儲裝置的使用狀態(tài)中的等效電路圖；
[0018]圖5是示出根據(jù)第二實施例的外部存儲裝置的使用狀態(tài)和構(gòu)造的截面圖；
[0019]圖6是圖5中所示的狀態(tài)中的外部存儲裝置的等效電路圖；
[0020]圖7是示出根據(jù)第三實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的平面圖；
[0021]圖8是沿著圖7的線B-B’截取的截面圖；
[0022]圖9A和圖9B是示出制造圖7和圖8中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖；
[0023]圖10是示出制造圖7和圖8中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖；
[0024]圖11是示出根據(jù)第四實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0025]圖12A和圖12B是示出制造圖11中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖；
[0026]圖13是示出根據(jù)第五實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0027]圖14是示出制造圖13中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖；
[0028]圖15是示出根據(jù)第六實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0029]圖16是示出根據(jù)第七實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0030]圖17是示出圖16中所示的外部存儲裝置的修改的視圖；
[0031]圖18是示出根據(jù)第八實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0032]圖19A是示出根據(jù)第九實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0033]圖19B是示出貫通孔的構(gòu)造的放大平面圖；
[0034]圖20是示出根據(jù)第十實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0035]圖21是示出互連基板的形狀的平面圖；
[0036]圖22是示出根據(jù)第十一實施例的外部存儲裝置的構(gòu)造的截面圖；
[0037]圖23是圖22中所示的外部存儲裝置的平面圖；
[0038]圖24是示出根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置的修改的截面圖；
[0039]圖25是示出根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置的修改的截面圖；
[0040]圖26是示出根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置的修改的截面圖；
[0041]圖27是示出圖3的修改的截面圖；以及
[0042]圖28是示出根據(jù)第六實施例的外部存儲裝置的修改的截面圖。

【具體實施方式】
[0043]現(xiàn)在在此將參考示出實施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會理解能夠使用本發(fā)明的教導(dǎo)完成許多替選實施例并且本發(fā)明不限于為解釋性目的而示出的實施例。
[0044]在下文中，將會參考附圖描述本發(fā)明的實施例。另外，在所有的附圖中通過相同的附圖標記來表示相同的組件，并且將不會重復(fù)其解釋。
[0045]圖1是示出根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖。外部存儲裝置10包括互連基板20、至少一個半導(dǎo)體芯片(在圖1中所示的示例中，兩個半導(dǎo)體芯片110和120)、存儲元件122 (圖4中示出)、電感器114、驅(qū)動器電路112 (圖4中示出)、外部端子40、以及密封樹脂層30。半導(dǎo)體芯片110和120被布置在互連基板20的第一表面(例如，上表面)上。存儲元件122被提供在半導(dǎo)體芯片110和120中的任意一個中。電感器114也被提供在半導(dǎo)體芯片110和120中的任意一個中。驅(qū)動器電路112是驅(qū)動電感器114的電路，并且被提供在半導(dǎo)體芯片110和120中的任意一個中。在本實施例中，存儲元件122被提供在半導(dǎo)體芯片120中，電感器114被提供在半導(dǎo)體芯片110中，并且驅(qū)動器電路112被提供在半導(dǎo)體芯片110中。外部端子40是接觸型端子，并且至少一些外部端子40是電源端子和接地端子。密封樹脂層30形成在互連基板20的第一表面上并且密封半導(dǎo)體芯片110和120但是沒有覆蓋外部端子40。另外，電感器114形成在半導(dǎo)體芯片110的沒有面對互連基板20的表面處。
[0046]互連基板20是印刷電路板，例如，并且至少在第一表面上具有互連。另外，在是第一表面的相反表面的第二表面上，互連基板20具有保護樹脂層50 (例如，阻焊劑層)。
[0047]在圖1中所示的示例中，半導(dǎo)體芯片110被固定到互連基板20并且其有源表面向上。多層互連層被提供在半導(dǎo)體芯片I1的有源表面上。電感器114形成在多層互連層的一個互連層中，例如，在最上邊的互連層中。例如，電感器114的直徑等于或者小于1mm。另夕卜，通過鍵合線210，形成在半導(dǎo)體芯片110的有源表面處的電極焊盤被連接到形成在互連基板20的第一表面處的互連。另外，半導(dǎo)體芯片120被倒裝芯片安裝在互連基板20上同時其有源表面向下，并且半導(dǎo)體芯片120通過凸塊220連接到形成在互連基板20的第一表面處的互連。然而，如圖24中所示，半導(dǎo)體芯片120可以通過鍵合線212連接到互連基板20的互連。另外，半導(dǎo)體芯片110和120通過互連基板20的互連相互連接。
[0048]此外，盡管半導(dǎo)體芯片110是為了專門使用而設(shè)計的半導(dǎo)體芯片，但是普通用途的存儲器芯片，例如普通用途的非易失性存儲器芯片也可以用作半導(dǎo)體芯片120。
[0049]多個外部端子40被提供在互連基板20的第一表面上。如上所述，至少一些外部端子40是電源端子和接地端子。通過外部端子40被提供到互連基板20的電力至少被提供到電感器114的驅(qū)動器電路112。另外，當存儲元件122的讀取和寫入要求電力時，也通過外部端子40提供電力。
[0050]通過密封樹脂層30同時密封半導(dǎo)體芯片110和120。因此，外部存儲裝置10中的半導(dǎo)體芯片I1的電感器114上面的部分的厚度t能夠變小，例如，等于或者小于0.5mm。另外，除了面對外部端子40的側(cè)表面之外，密封樹脂層30的側(cè)表面形成與互連基板20的側(cè)表面相同的平面。
[0051]此外，如圖25中所示，諸如芯片導(dǎo)體和芯片電阻器的無源組件150可以被提供在外部存儲裝置10的互連基板20的第一表面處。也通過密封樹脂層30將無源組件150與半導(dǎo)體芯片110和120同時密封。另外，封裝組件(在附圖中未示出)可以被提供在互連基板20的第一表面處。
[0052]圖2是外部存儲裝置10的平面圖。圖1等價于沿著圖2的線A-A’截取的截面圖。圖1和圖2中所示的外部存儲裝置10是卡類型存儲裝置并且在內(nèi)容被存儲在存儲元件122的狀態(tài)中進行銷售。被存儲在存儲元件122中的內(nèi)容是軟件、語音內(nèi)容、或者圖像內(nèi)容。具體地，例如，被存儲在存儲元件122中的內(nèi)容是游戲軟件數(shù)據(jù)、用于計算機終端的軟件、音樂數(shù)據(jù)、或者視頻數(shù)據(jù)。
[0053]外部存儲裝置10和互連基板20具有矩形或者正方平面形狀。沿著互連基板20的一側(cè)提供多個外部端子40并且在垂直于所述一側(cè)的方向上延伸。當在平面圖中看時，除了提供外部端子40的其一側(cè)附近，互連基板20被密封樹脂層30密封。另外，半導(dǎo)體芯片110位于外部端子40的相反側(cè)，并且經(jīng)過外部存儲裝置10的中心并且平行于提供外部端子40的一側(cè)的線位于其間。
[0054]圖3是示出外部存儲裝置10的使用狀態(tài)的截面圖。從提供外部端子40的一側(cè)開始，在箭頭X的方向上，將外部存儲裝置10插入在專用讀取器500的插入孔502中。多個接觸型連接端子530被提供在插入孔502內(nèi)部。在外部存儲裝置10被插入在插入孔502中的狀態(tài)下，多個外部端子40接觸不同的連接端子530以與其電氣地連接。然后，電力被從連接端子530提供到外部存儲裝置10。另外，在外部存儲裝置10和插入孔502的內(nèi)表面之間存在間隙。
[0055]另外，讀取部510被提供在插入孔502的內(nèi)表面處。讀取部510具有半導(dǎo)體芯片。此半導(dǎo)體芯片具有多層互連層，并且用于接收的電感器514形成在多層互連層中。在外部存儲裝置10被插入在插入孔502中的狀態(tài)下，電感器514被布置在面對外部存儲裝置10的每個電感器114的位置處。如上所述，外部存儲裝置10中的半導(dǎo)體芯片110的電感器114上面的部分的厚度t小。為此，從電感器114到電感器514的距離可以很短，例如，等于或者小于1mm。因此，即使電感器114的直徑等于或者小于1mm，能夠執(zhí)行電感器114和514之間的通信。
[0056]此外，如果通過在互連基板上方固定具有電感器514和接收器電路的半導(dǎo)體芯片并且利用密封樹脂密封半導(dǎo)體芯片來形成讀取部510，那么位于讀取部510中的電感器514上方(在圖3中，電感器514下方)的部分的厚度能夠很小。在該情況下，能夠特別地縮短從電感器114到電感器514的距離。
[0057]圖4是外部存儲裝置10的使用狀態(tài)中的等效電路圖。外部存儲裝置10和讀取部510通過電感器114和514相互通信。具體地，通過驅(qū)動器電路112讀取存儲在存儲元件122中的信息并且通過電感器114輸出作為電磁波。通過電磁波，在電感器514中生成感應(yīng)電流。通過由接收器電路512解釋感應(yīng)電流的強度，存儲在存儲元件122中的信息被讀取到讀取部510中。另外，控制從存儲元件122讀取/寫入到存儲元件122的控制電路也被提供在半導(dǎo)體芯片110中。從電路的觀點，此控制電路位于驅(qū)動器電路112和存儲元件122之間。
[0058]在圖4中所示的示例中，提供多組電感器114和514。另外，使用一些電感器114和514的組合執(zhí)行上述信息的傳輸。根據(jù)預(yù)定的規(guī)則適當?shù)馗淖円褂玫碾姼衅?14和514的組合。
[0059]另外，用于傳輸?shù)碾姼衅骱万?qū)動器電路可以被添加到讀取部510，并且用于接收的接收器電路和電感器可以被添加到外部存儲裝置10。在這樣的情況下，信息能夠被從讀取部510傳輸?shù)酵獠看鎯ρb置10。信息被存儲在存儲元件122中。
[0060]接下來，將會使用圖1的截面圖描述制造外部存儲裝置10的方法。首先，半導(dǎo)體芯片110和120被布置在互連基板20的第一表面上。在這樣的情況下,半導(dǎo)體芯片120被倒裝芯片安裝在互連基板20上。然后，使用鍵合線210將半導(dǎo)體芯片110和互連基板20的互連相互連接。然后，通過執(zhí)行成型密封將密封樹脂層30提供在互連基板20的第一表面上。在這樣的情況下，使得密封模具(die)的形狀密封樹脂層30沒有覆蓋外部端子40。
[0061]接下來，將會描述本實施例的操作和效果。根據(jù)本實施例，通過執(zhí)行電感器114和514之間的通信，通過讀取部510讀取存儲在外部存儲裝置10中的信息。在這里，因為電感器114形成在半導(dǎo)體芯片110中所以電感器114是小的。換言之，在沒有使用半導(dǎo)體工藝的情況下，難以形成具有與電感器114相同的直徑的電感器。為了實現(xiàn)半導(dǎo)體工藝，要求大的設(shè)施投資。因此，在成本方面，很難制造半導(dǎo)體芯片110的仿制品。為此，根據(jù)本實施例，即使能夠讀取存儲在外部存儲裝置10中的內(nèi)容，復(fù)制內(nèi)容的人不能制備用于存儲內(nèi)容的外部存儲裝置。結(jié)果，提高了防篡改的性能。
[0062]另外，電感器114和驅(qū)動器電路112被提供在與具有存儲元件122的半導(dǎo)體芯片120分離的半導(dǎo)體芯片110中。因此，通常用途的存儲器芯片能夠被用作具有存儲元件122的半導(dǎo)體芯片120。
[0063]另外，由于通過一個密封樹脂層30同時密封半導(dǎo)體芯片110和120，很難僅取出一個芯片。為此，很難僅更換半導(dǎo)體芯片110以讀取存儲在半導(dǎo)體芯片120中的內(nèi)容。另外，還很難僅取出半導(dǎo)體芯片110和120中存儲操作信息的一個芯片以讀取操作信息。另外，還很難通過將誘發(fā)異常操作的條件應(yīng)用于負責半導(dǎo)體芯片110和120的安全性的芯片來使安全性無效。因此，提高了防篡改性能。
[0064]此外，由于即使半導(dǎo)體芯片110和120的高度是不同也能夠平坦地形成密封樹脂層30的表面，所以外部存儲裝置10的機械強度增加。為此，提供用于外部存儲裝置10的外殼的必要性下降。另外，當提供外殼時，還能夠以簡單結(jié)構(gòu)使外殼變薄。
[0065]另外，密封樹脂層30的表面平行于外部端子40。因此，能夠容易地并且平滑地執(zhí)行將外部存儲裝置10插入讀取器500并且從讀取器500取出外部存儲裝置10。為此，不需要在外部存儲裝置10中提供用于讀取器500的插入和取出的引導(dǎo)部。此外，即使提供了引導(dǎo)部，也能夠使結(jié)構(gòu)簡單。
[0066]通常，如果具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)部被提供在外部存儲裝置10中，那么外部存儲裝置10變厚。因為如果外部存儲裝置10是厚的，那么電感器114和514之間的距離增加，因此電感器114的直徑增加。如果電感器114的直徑增加，那么可以以除了半導(dǎo)體工藝之外的方法形成與電感器114兼容的電感器。結(jié)果，減少了防篡改性能。
[0067]此外，如圖26中所示，半導(dǎo)體芯片110的上表面可以位于半導(dǎo)體芯片120的上表面上方。在這樣的情況下，電感器114和514之間的距離能夠更窄。此外，盡管在本實施例中需要使半導(dǎo)體芯片110上方的密封樹脂層30的一部分很薄，但是能夠通過使半導(dǎo)體芯片110的上表面位于半導(dǎo)體芯片120的上表面上,來抑制半導(dǎo)體芯片120的表面從密封樹脂層30暴露。
[0068]此外，在本實施例中，外部端子40形成在在其上安裝半導(dǎo)體芯片110和120的互連基板20的第一表面處。另一方面，當外部存儲裝置10被插入在讀取器500中時，為了確保外部端子40和連接端子530之間的連接，讀取器500將連接端子530壓靠外部端子40。此壓力在使外部端子40在外部存儲裝置10的厚度方向上移動遠離讀取部510的方向上發(fā)揮作用，如圖3中的箭頭Y所示。
[0069]在這里，如上所述，半導(dǎo)體芯片110位于外部端子40的相反側(cè)，并且經(jīng)過外部存儲裝置10的中心并且平行于提供外部端子40的一側(cè)的線介于其間。另外，在外部存儲裝置10和互連孔502的內(nèi)表面之間存在間隙。因此，如圖27中所示，當在平面圖中看時位于半導(dǎo)體芯片110和外部端子40之間的突出部504可以被提供在插入孔502的內(nèi)表面上并且突出部504的頂端可以接觸外部存儲裝置10。在這樣的情況下，通過由箭頭Y表示的力，以突出部504作為支撐點，外部存儲裝置10在半導(dǎo)體芯片110的電感器114變得更加靠近讀取部510的電感器514的方向上旋轉(zhuǎn)。
[0070]圖5是示出根據(jù)第二實施例的外部存儲裝置10的使用狀態(tài)和構(gòu)造的截面圖。圖6是在圖5中所示的狀態(tài)中的外部存儲裝置10的等效電路圖。圖5和圖6是等價于第一實施例的圖3和圖4的視圖。圖5和圖6中所示的外部存儲裝置10具有與第一實施例中所示的外部存儲裝置相同的構(gòu)造，不同之處在于提供半導(dǎo)體芯片130替代半導(dǎo)體芯片110和120。
[0071]半導(dǎo)體芯片130是為專門使用而設(shè)計的半導(dǎo)體芯片并且具有存儲元件122、驅(qū)動器電路112、以及電感器114。此外，在半導(dǎo)體芯片130中，有源表面的相反表面，S卩，與具有存儲元件122、驅(qū)動器電路112、以及電感器114的表面相反的表面被固定到互連基板20。通過鍵合線211，半導(dǎo)體芯片130的電極焊盤被連接到形成在互連基板20的表面處的互連。
[0072]而且在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。另外，因為存儲元件122、驅(qū)動器電路112、以及電感器114被提供在一個半導(dǎo)體芯片130中，所以外部存儲裝置10能夠很小。
[0073]圖7是示出根據(jù)第三實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的平面圖并且是等價于第一實施例中的圖2的視圖。圖8是沿著圖7的線B-B’截取的截面圖。根據(jù)本實施例的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造，不同之處在于提供了引導(dǎo)部32。
[0074]通過在密封樹脂層30中提供不平坦部分來形成引導(dǎo)部32。在本實施例中，引導(dǎo)部32是形成在密封樹脂層30的兩個相反側(cè)表面處的突出部。在本實施例中，引導(dǎo)部32被提供在外部存儲裝置10的垂直于提供外部端子40的一側(cè)的兩個側(cè)表面處。
[0075]圖9A、圖9B、以及圖10是示出制造圖7和圖8中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖。首先，如圖9A中所示，制備互連基板20。在此狀態(tài)中，互連基板20具有變成多個外部存儲裝置10的部分相互連接的形狀。然后，對于變成外部存儲裝置10的每個部分，半導(dǎo)體芯片110和120(在圖9中，僅示出半導(dǎo)體芯片120)被布置在互連基板20上。然后，使用鍵合線210 (在圖9中沒有示出)將多個半導(dǎo)體芯片10中的每一個連接至互連基板20的互連。
[0076]然后，多個半導(dǎo)體芯片110和120被同時密封以形成密封樹脂層30。在此狀態(tài)中，沒有為多個外部存儲裝置10中的每一個單獨地提供密封樹脂層30。因此，在變成多個外部存儲裝置10的部分被相互連接的狀態(tài)下形成密封樹脂層30。
[0077]接下來，沿著示出互連基板20和密封樹脂層30的切割線的各劃片線中的下述劃片線，移動劃片刀400，所述劃片線被定位為沿著提供引導(dǎo)部32的側(cè)面。結(jié)果，凹槽37形成在密封樹脂層30的頂層中。
[0078]然后，如圖9B中所示，沿著各劃片線中的下述劃片線，移動劃片刀402，所述劃片線被定位為沿著提供引導(dǎo)部32的側(cè)面。以該方式，切割位于互連基板20的側(cè)面處的密封樹脂層30和互連基板20的部分。劃片刀402的寬度可以等于劃片刀400的寬度或者可以不同于劃片刀400的寬度。結(jié)果，形成凹槽38。當在平面圖中看時，凹槽38重疊凹槽37，但是凹槽38的底部沒有與凹槽37相連接。從凹槽37的底部到凹槽38的底部的距離等于引導(dǎo)部32的厚度。即，在附圖中所示的狀態(tài)中，通過變成引導(dǎo)部32的部分相互連接多個外部存儲裝置10。
[0079]然后，如圖10中所示，通過沿著劃片線移動劃片刀404來切割互連基板20和密封樹脂層30。劃片刀404的寬度小于劃片刀400和402的寬度。因此，多個外部存儲裝置10被相互分離，并且形成引導(dǎo)部32。
[0080]而且在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。另外，因為提供了引導(dǎo)部32，所以能夠通過在讀取器500的插入孔502中形成與引導(dǎo)部32相對應(yīng)的不平坦部來抑制當將外部存儲裝置10插入到插入孔502時外部存儲裝置10的破損。此外，因為引導(dǎo)部32形成在密封樹脂層30的側(cè)表面處，因此沒有發(fā)生由于引導(dǎo)部32導(dǎo)致的從電感器114到電感器514的距離的增加。
[0081]圖11是示出根據(jù)第四實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖。圖11等價于沿著圖7的線B-B’截取的截面圖。除了下述要點之外，圖11中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第三實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造。
[0082]首先，沒有提供引導(dǎo)部32。此外，在密封樹脂層30的側(cè)表面當中，平行于外部存儲裝置10被插入到讀取器500的插入孔502中的方向的兩個側(cè)表面33位于互連基板20的一個表面上方。因此，在密封樹脂層30和互連基板20之間產(chǎn)生臺階差21。臺階差21用作用于插入的引導(dǎo)。
[0083]圖12是示出制造圖11中所示的外部存儲裝置10的方法的截面圖。首先，如圖12A中所示，制備互連基板20。在此狀態(tài)下，互連基板20具有變成多個外部存儲裝置10的部分相互連接的形狀。然后，對于變成外部存儲裝置10的每個部分，半導(dǎo)體芯片110和120(在圖12A中，僅示出半導(dǎo)體芯片120)被布置在互連基板20上。然后，使用鍵合線210(在圖12A中沒有示出)將多個半導(dǎo)體芯片10中的每一個連接到互連基板20的互連。
[0084]然后，在半導(dǎo)體芯片110和120被安裝的狀態(tài)下的互連基板20被布置在是密封模具的下模610中。然后，與下模610相對應(yīng)的上模600被布置在下模610和互連基板20上。突出部602被提供在上模600的內(nèi)表面的頂部中。突出部602具有平坦的頂端。此平坦部分接觸臺階差21要形成在互連基板20的劃片線中的區(qū)域。突出部602的寬度大于稍后要描述的劃片刀410的寬度。
[0085]接下來，密封樹脂被注入到下模610和上模600之間的間隔中。結(jié)果，形成密封樹脂層30。在此狀態(tài)下，密封樹脂層30沒有形成在突出部602位于的部分中。結(jié)果，對于每個外部存儲裝置10，密封樹脂層30具有獨立的形狀。
[0086]然后，如圖12B中所示，下模610和上模600被移除。然后，通過沿著劃片線移動劃片刀410來切割互連基板20。結(jié)果，相互分離多個外部存儲裝置10。如上所述，上模600的突出部602的寬度大于劃片刀410的寬度。因此，保留通過突出部602覆蓋的互連基板20的一部分。這形成臺階差21。
[0087]在本實施例中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第三實施例相同的效果。與第三實施例相比較，當切割互連基板20以將外部存儲裝置10分離成各個個體的步驟的數(shù)目減少。
[0088]圖13是示出根據(jù)第五實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖。圖13是沿著圖7的線B-B’截取的截面圖。圖13中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第三實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造，不同之處在于提供凹槽形狀的引導(dǎo)部34替代是突出部的引導(dǎo)部32。
[0089]圖14是示出制造圖13中所示的外部存儲裝置的方法的截面圖。首先，制備互連基板20。在此狀態(tài)中，互連基板20具有變成多個外部存儲裝置10的部分被相互連接的形狀。然后，對于變成多個外部存儲裝置10的每一個部分，半導(dǎo)體芯片110和120 (在圖14中，僅示出半導(dǎo)體芯片120)被布置在互連基板20上。然后，使用鍵合線210 (在圖14中未示出)將多個半導(dǎo)體芯片110中的每一個連接到互連基板20的互連。
[0090]然后，多個半導(dǎo)體芯片110和120被同時地密封以形成密封樹脂層30。在此狀態(tài)下，沒有為多個外部存儲裝置10中的每一個單獨地提供密封樹脂層30。因此，在變成多個外部存儲裝置10的部分被相互連接的狀態(tài)下形成密封樹脂層30。然后，使用劃片刀(在附圖中沒有示出)切割密封樹脂層30和互連基板20，使得多個外部存儲裝置10被分離成各個個體。
[0091]然后，使用劃片刀420形成凹槽形狀引導(dǎo)部34。
[0092]在本實施例中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第三實施例相同的效果。
[0093]圖15是示出根據(jù)第六實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖并且等價于第一實施例中沿著圖2的線A-A’截取的截面圖。圖15中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造，不同之處在于提供了支撐構(gòu)件140。
[0094]支撐構(gòu)件140位于互連基板20的第一表面和半導(dǎo)體芯片110之間。S卩，支撐構(gòu)件140被提供在互連基板20的第一表面上，并且半導(dǎo)體芯片110被提供在支撐構(gòu)件140上。
[0095]在本實施例中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。另外，半導(dǎo)體芯片110的上表面可以位于半導(dǎo)體芯片120的上表面下方，例如，像半導(dǎo)體芯片120比半導(dǎo)體芯片110厚的情況一樣。在這樣的情況下，由于根據(jù)半導(dǎo)體芯片120的上表面設(shè)計密封樹脂層30的厚度，因此會增加從電感器114到密封樹脂層30的上表面的厚度t。另一方面，在本實施例中，由于支撐構(gòu)件140被提供在互連基板20的第一表面和半導(dǎo)體芯片110之間，所以能夠減少厚度t。
[0096]此外，為了減少電感器114和514之間的距離，需要使位于半導(dǎo)體芯片110的上方的密封樹脂層30的部分變薄。另一方面，如圖28中所示，如果通過后表面磨削使半導(dǎo)體芯片120變薄，那么半導(dǎo)體芯片110的上表面能夠位于半導(dǎo)體芯片120的上表面上方。在這樣的情況下，能夠抑制從密封樹脂層30的半導(dǎo)體芯片120的表面的暴露。
[0097]圖16是示出根據(jù)第七實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖并且等價于第一實施例中沿著圖2的線A-A’截取的截面圖。除了下述要點之外，圖16中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造。
[0098]首先，凹陷36形成在密封樹脂層30中。凹陷36至少形成在當在平面圖中看時重疊電感器114的區(qū)域中。在圖16中所示的示例中，凹陷36重疊半導(dǎo)體芯片110的整個表面。此外，當從插入方向X看時，按順序排列外部端子40、半導(dǎo)體芯片110、以及半導(dǎo)體芯片120。另外，凹陷36被連接到面對外部端子40的密封樹脂層30的側(cè)面。換言之，在密封樹脂層30中，提供半導(dǎo)體芯片120的區(qū)域比其它區(qū)域薄。
[0099]圖17是示出圖16中所示的外部存儲裝置10的修改的視圖。在圖17中所示的示例中，當在平面視圖中看時凹陷36僅重疊半導(dǎo)體芯片110的一部分但是至少重疊電感器114。
[0100]同樣在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。此外，即使半導(dǎo)體芯片110的上表面位于半導(dǎo)體芯片120的上表面下方，也能夠減少從電感器114到密封樹脂層30的上表面的厚度t。
[0101]圖18是示出根據(jù)第八實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖并且等價于第一實施例中沿著圖2的線A-A’截取的截面圖。除了下述要點之外，圖18中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第一實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造。
[0102]半導(dǎo)體芯片110和120位于形成在互連基板20的第一表面上的保護樹脂層60 (例如，阻焊劑層)上。另外，半導(dǎo)體芯片120沒有被倒裝芯片安裝到互連基板20，并且被布置為其有源表面向上。
[0103]另外，外部端子40形成在與第一表面相反的互連基板20的第二表面(例如，背表面)處。通過穿過互連基板20的通孔22，外部端子40被連接到位于互連基板20的第一表面處的互連70和72?；ミB70通過鍵合線210被連接到半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤，并且互連72通過鍵合線212被連接到半導(dǎo)體芯片120的電極焊盤。
[0104]此外，在圖18中所示的示例中，密封樹脂層30僅形成在互連基板20的第一側(cè)表面處。因此，外部端子40沒有被密封樹脂層30覆蓋。
[0105]同樣在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。此外，外部端子40形成在與其上安裝半導(dǎo)體芯片110和120的表面(第一表面)相反的互連基板20的表面(第二表面)處。當外部存儲裝置10被插入在圖3中所示的讀取器500中時，讀取器500將連接端子530壓靠外部端子40以確保外部端子40和連接端子530之間的連接。此壓力在使半導(dǎo)體芯片110的電感器114更加靠近讀取部510的電感器514的方向上發(fā)揮作用。因此，能夠使得電感器114靠近電感器514。
[0106]圖19A是示出根據(jù)第九實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖并且等價于第八實施例中的圖18。圖19A中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第八實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造，不同之處在于用于對準的貫通孔24被提供在互連基板20中。
[0107]圖19B是示出貫通孔24的構(gòu)造的放大平面圖。在圖19B中，沒有示出密封樹脂層30。通過與形成通孔22的工藝相同的工藝來形成貫通孔24。因此，導(dǎo)電膜26，例如，Cu膜和Au膜的層壓膜形成在貫通孔24的內(nèi)壁和周圍。然而，由于導(dǎo)電膜26沒有掩埋整個貫通孔24，所以即使在導(dǎo)電膜26形成之后，通孔27保留在貫通孔24中。另外，導(dǎo)電膜26既沒有被連接到互連基板20的電源互連也沒有被連接到信號互連或者接地互連。另外，導(dǎo)電膜26可以被連接到接地互連。
[0108]此外，如圖19A中所示，通過其暴露貫通孔24的開口 52和62形成在保護樹脂層50和60中。當將半導(dǎo)體芯片110和120布置在互連基板20上時，利用貫通孔24的通孔27作為基準來決定半導(dǎo)體芯片110和120的位置。
[0109]接下來，將會描述制造圖19A中所示的外部存儲裝置10的方法。首先，制備互連基板20。在此狀態(tài)中，互連基板20具有變成多個外部存儲裝置10的部分被相互連接的形狀。然后，對于變成外部存儲裝置10的每一個部分，半導(dǎo)體芯片110和120被布置在互連基板20上。在這樣的情況下，利用貫通孔24的通孔27作為基準來決定半導(dǎo)體芯片110和120的位置。
[0110]然后，使用鍵合線210和212將多個半導(dǎo)體芯片110和120連接到互連基板20的互連70和72。
[0111]然后，多個半導(dǎo)體芯片110和120被同時地密封以形成密封樹脂層30。在此狀態(tài)下，沒有為多個外部存儲裝置10中的每一個單獨地提供密封樹脂層30。因此，在變成多個外部存儲裝置10的部分被相互連接的狀態(tài)下形成密封樹脂層30。另外，因為通過密封樹脂層30來密封互連基板20的第一表面，所以不能夠從第一表面?zhèn)却_認貫通孔24的通孔27。然而，從與第一表面相反的互連基板20的第二表面?zhèn)?，能夠看到通?7。另外，當形成密封樹脂層30時，通孔27可以被事先填充有填充材料以形成密封樹脂層30。在這樣的情況下，能夠抑制通過通孔27到互連基板20的第二表面?zhèn)鹊淖兂擅芊鈽渲瑢?0的樹脂的泄漏。此夕卜，在形成密封樹脂層30之后可以從互連基板20的第二表面?zhèn)纫瞥畛洳牧匣蛘呖梢栽瓨颖Ａ簟?br> [0112]接下來，從互連基板20的第二表面?zhèn)龋秘炌?4的通孔27作為基準來執(zhí)行對準，并且然后從第二表面?zhèn)惹懈蠲芊鈽渲瑢?0和互連基板20。結(jié)果，以半導(dǎo)體芯片110和120的組為單位將互連基板20和密封樹脂層30分離成各個個體并且形成多個外部存儲裝置10。
[0113]同樣在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。此外，當與本實施例一樣，半導(dǎo)體芯片110的電感器114的直徑小時，如果在外部存儲裝置10中出現(xiàn)半導(dǎo)體芯片110的位置的最輕微的偏移，那么讀取器500的電感器514和電感器114沒有相互重疊。結(jié)果，不能夠讀取信息。另一方面，在本實施例中，利用同一通孔27作為基準來執(zhí)行當安裝半導(dǎo)體芯片110和120時的對準和當通過劃片互連基板20和密封樹脂層30將多個外部存儲裝置10分離成多個片時的對準。因此，能夠抑制外部存儲裝置10中的半導(dǎo)體芯片110的位置偏差。特別地，如果通孔27和半導(dǎo)體芯片110形成為相互相鄰并且其它的互連或者元件沒有位于它們之間，那么能夠縮短直到將半導(dǎo)體芯片110安裝在互連基板20上的安裝器移動以檢查通孔27的位置的時間。
[0114]另外，貫通孔27、導(dǎo)電膜26、通孔27、以及開口 52和62也可以形成在沒有變成外部存儲裝置10中的任意一個的互連基板20的部分中。在這樣的情況下，貫通孔24、導(dǎo)電膜26、通孔27、以及開口 52和62沒有被留在外部存儲裝置10中。
[0115]圖20是示出根據(jù)第十實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖。除了下述要點之外，圖20中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第九實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造。
[0116]首先，密封樹脂層30也形成在互連基板20的第二表面?zhèn)忍?。在這里，密封樹脂層30沒有覆蓋外部端子40。另外，第九實施例中所示的貫通孔24、導(dǎo)電膜26、通孔27、以及開口 52和62形成在沒有變成外部存儲裝置10中的任意一個的互連基板20中。因此，外部存儲裝置10不具有貫通孔24、導(dǎo)電膜26、通孔27、以及開口 52和62。
[0117]圖21是示出本實施例的互連基板20的形狀的平面圖?；ミB基板20具有位于沒有重疊互連基板20上的互連和半導(dǎo)體芯片110和120的位置處的多個通孔28和29。通孔28位于變成外部存儲裝置10的互連基板20的區(qū)域中，并且通孔29位于變成外部存儲裝置10的四個角的互連基板20的部分中的每一個中。通孔28和29用于將密封樹脂層30從互連基板20的第一表面?zhèn)纫龑?dǎo)到第二表面?zhèn)取＜?，通過提供通孔28和29，密封樹脂層30還能夠形成在互連基板20的第二表面?zhèn)忍帯?br> [0118]同樣在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。另外，因為密封樹脂層30還形成在互連基板20的第二表面?zhèn)忍?，因此能夠提高外部存儲裝置10的耐久性。
[0119]圖22是示出根據(jù)第i^一實施例的外部存儲裝置10的構(gòu)造的截面圖。圖23是圖22中所示的外部存儲裝置10的平面圖。圖22等價于沿著圖23的線C-C’截取的截面圖。除了下述要點之外，圖22和圖23中所示的外部存儲裝置10具有與根據(jù)第九實施例的外部存儲裝置10相同的構(gòu)造。
[0120]首先，外部存儲裝置10具有外殼80。外殼80覆蓋互連基板20和密封樹脂層30。另外，開口 82和84被提供在外殼80中。開口 82和84被提供在面對互連基板20的第一表面的區(qū)域中。當在平面圖中看時，開口 82重疊外部端子40并且開口 84重疊電感器114。
[0121]在圖22中所示的示例中，當從外部存儲裝置10的插入方向X看時，在外部存儲裝置10中，外部端子40、半導(dǎo)體芯片110、以及半導(dǎo)體芯片120被按順序排列。另外，在當在平面圖中看時，在插入方向X，開口 82延伸到外部存儲裝置10的頂端。此外，如圖23中所示，開口 84的寬度小于開口 82的寬度，并且開口 84被連接到開口 82。
[0122]同樣在本實施例中，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施例相同的效果。另外，因為外殼80覆蓋互連基板20和密封樹脂層30，所以能夠提高外部存儲裝置10的耐久性。
[0123]另外，在外殼80中，開口 84被提供在重疊電感器114的位置處。因此，即使提供了外殼80，也能夠抑制從電感器114到讀取器500的電感器514的距離的增加。
[0124]另外，開口 84被連接到開口 82。在當在平面圖中看時，在插入方向X，開口 82延伸到外部存儲裝置10的頂端。因此，能夠防止當將外部存儲裝置10插入到讀取器500的插入孔502中時，外殼80和讀取器500的讀取部510之間的干擾。
[0125]雖然參考附圖已經(jīng)描述本發(fā)明的第一至第十一實施例，但是這些僅是示出本發(fā)明，并且還可以采用其它的各種構(gòu)造。
[0126]顯然的是，本發(fā)明不限于上述實施例，而是在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以進行修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種外部存儲裝置，包括: 互連基板； 接觸型外部端子，所述接觸型外部端子提供在所述互連基板中； 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述互連基板的第一表面上方；以及密封樹脂層，所述密封樹脂層形成在所述互連基板的所述第一表面上方，所述密封樹脂層密封所述半導(dǎo)體芯片并且沒有覆蓋所述外部端子， 其中所述半導(dǎo)體芯片包括:存儲元件、電連接到所述存儲元件的多個電感器、驅(qū)動所述多個電感器的電路、以及互連層， 所述互連層形成在所述半導(dǎo)體芯片的下述表面上方，該表面是與所述半導(dǎo)體芯片的面對所述互連基板的所述第一表面的表面不同的表面，并且所述互連層包括所述多個電感器， 所述電感器的每一個通過所述互連層連接到所述電路，并且 所述電路根據(jù)預(yù)定的規(guī)則改變所述電路的電感器驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外部存儲裝置， 其中所述半導(dǎo)體芯片的所述不同的表面與所述半導(dǎo)體芯片的面對所述互連襯底的所述第一表面的所述表面相反。
3.—種外部存儲裝置，包括: 互連基板； 接觸型外部端子，所述接觸型外部端子提供在所述互連基板中； 第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述互連基板的第一表面上方； 第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述互連基板的所述第一表面上方，所述第二半導(dǎo)體芯片電連接到所述第一半導(dǎo)體芯片； 密封樹脂層，所述密封樹脂層形成在所述互連基板的所述第一表面上方，所述密封樹脂層密封所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片，并且沒有覆蓋所述外部端子， 其中所述第一半導(dǎo)體芯片包括存儲元件， 所述第二半導(dǎo)體芯片包括電連接到所述存儲元件的電感器、驅(qū)動所述電感器的電路、以及互連層， 所述互連層形成在所述第二半導(dǎo)體芯片的下述表面上方，該表面是與所述第二半導(dǎo)體芯片的面對所述互連基板的所述第一表面的表面不同的表面，并且所述互連層包括所述電感器，并且 所述電感器通過所述互連層連接到所述電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外部存儲裝置， 其中所述第二半導(dǎo)體芯片的所述不同的表面與所述第二半導(dǎo)體芯片的面對所述互連襯底的所述第一表面的所述表面相反。
【文檔編號】H01L23/31GK104253101SQ201410409959
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2009年12月15日
【發(fā)明者】中柴康隆, 小川健太 申請人:瑞薩電子株式會社