技術(shù)特征：
1.一種全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，包括以下具體步驟：(1)采用金屬催化化學(xué)刻蝕法或等離子體刻蝕法在P型硅基底前表面制備納米絨面，所述納米絨面為類金字塔狀或蜂窩狀；(2)通過硼源高溫?cái)U(kuò)散或離子注入法，在P型硅基底背面重?cái)U(kuò)硼制備P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層；(3)通過硼源高溫?cái)U(kuò)散或離子注入法，在P型硅基底前表面淺擴(kuò)硼制備P+型硼淺擴(kuò)散晶硅層；(4)在P型硅基底前表面的納米絨面上依次沉積SiOx薄膜和SiNx薄膜作為鈍化層和減反層，得SiOx鈍化/SiNx減反層；(5)將P型硅基底背面的P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層采用絲網(wǎng)印刷腐蝕性漿料腐蝕，將P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層局部去除，部分露出P型硅基底；(6)再采用PECVD沉積法，在步驟(5)的基礎(chǔ)上，在硅基底背面依次沉積一層本征非晶硅薄膜層和一層n型非晶硅薄膜層；(7)在P型硅基底背面的P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層區(qū)域上方印刷腐蝕性漿料，去除其表面生長的本征非晶硅薄膜層和n型非晶硅薄膜層，露出P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層；(8)在步驟(7)的基礎(chǔ)上，在P型硅基底背面濺射一層透明導(dǎo)電薄膜層；(9)用激光將P型硅基底背面刻蝕開膜，開膜寬度為1μm～50μm，將P型硅基底背面分為P區(qū)和N區(qū)；(10)最后在P型硅基底背面絲網(wǎng)印刷背電極，在100℃～300℃的溫度下燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為10s～600s，得全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池包括P型硅基底，在所述P型硅基底的前表面上由里至外依次有納米絨面、P+型硼淺擴(kuò)散晶硅層以及SiOx鈍化/SiNx減反層；所述P型硅基底的背面分為P區(qū)、N區(qū)和位于P區(qū)、N區(qū)之間的開膜區(qū)；所述N區(qū)從上到下包括本征非晶硅薄膜層、n型非晶硅薄膜層、透明導(dǎo)電薄膜層和背電極，且所述本征非晶硅薄膜層與P型硅基底的背表面連接；所述P區(qū)從上到下包括PP++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層、透明導(dǎo)電薄膜層以及背電極，且所述P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層與所述P型硅基底的背表面連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(1)所述P型硅基底為P型單晶硅或多晶硅，厚度為50μm～300μm。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(1)所述納米絨面的厚度為50nm～900nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(2)所述P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層的厚度為0.1μm～0.5μm，方塊電阻為20～150ohm/Sq。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(3)所述P+型擴(kuò)散晶硅層的厚度為0.1μm～0.5μm，方塊電阻為50～200ohm/Sq。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(4)所述SiOx鈍化/SiNx減反層的總厚度為25nm～150nm，所述的SiOx薄膜作為鈍化層是通過熱氧化法制備獲得，SiNx薄膜作為減反層是通過PECVD法制備獲得，其中SiOx厚度為5nm～50nm，SiNx為20nm～100nm，SiNx折射率為1.9～2.3。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(6)所述本征非晶硅薄膜層的厚度為1nm～50nm，所述n型非晶硅薄膜層厚度為2nm～20nm，方阻為10～100ohm/Sq。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(8)所述透明導(dǎo)電薄膜層的厚度為50nm～500nm，所述的透明導(dǎo)電薄膜層通過磁控濺射或反應(yīng)離子沉積制備獲得，材料可為In2O3:Sn(ITO)、In2O3、SnO2、SnO2:F(FTO)、ZnO:Al(ZAO)、In2O3:Mo(IMO)、SnO2:Sb(ATO)、ZnO2-SnO2、ZnO2-In2O3、ZnAl2O4、In4Sn3O12、CdIn2O4、Zn2SnO4、GaInO3中一種。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，其特征是，步驟(10)所述背電極的材料為Ag、Au、Al、Ni、Cu/Ni或Ti/Pd/Ag，背電極的厚度為10μm～100μm。