半導(dǎo)體器件的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面為用于形成半導(dǎo)體器件的功能面；在采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層后；去除位于半導(dǎo)體基底第二表面上的半導(dǎo)體材料層，從而避免位于半導(dǎo)體基底第二表面上的半導(dǎo)體材料層對后續(xù)半導(dǎo)體器件制備造成干擾，進(jìn)而提高后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件的性能。
【專利說明】半導(dǎo)體器件的形成方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體器件制造中，多晶硅是一種最常用的半導(dǎo)體材料，通?？捎糜谥圃霱0S 晶體管的柵極、高阻值多晶硅電阻、閃存的浮柵、控制柵等。
[0003] 如以溝槽柵功率晶體管（Trench Gate Power M0S)的制備工藝為例：
[0004] 參考圖1，在半導(dǎo)體襯底10上形成器件層11，并在器件層11上開設(shè)溝槽12,之后， 參考圖2,在所述器件層11上形成摻雜離子的多晶硅層13,所述多晶硅層13填充所述溝槽 12,用于形成柵極；接著參考圖3,在采用平坦化工藝等技術(shù)去除所述器件層11表面多余的 多晶硅層13后，向所述器件層11內(nèi)注入離子，并經(jīng)退火工藝后形成體區(qū)14,然后再經(jīng)二次 離子注入工藝向所述體區(qū)14內(nèi)注入離子，接著經(jīng)二次退火工藝形成源區(qū)15。
[0005] 現(xiàn)有半導(dǎo)體制備工藝中，通常采用爐管沉積形成所述多晶硅層13。相比于化學(xué)氣 相沉積（Chemical Vapor D印〇siti〇n，CVD)等工藝，爐管沉積具有更高效地沉積速率，且成 本更低，因而爐管沉積法廣泛應(yīng)用于較厚厚度的多晶硅層沉積工藝中。
[0006] 在實(shí)際操作工藝中，通常采用吸盤吸附經(jīng)爐管沉積法形成有多晶硅層的半導(dǎo)體基 底，然而，吸盤對半導(dǎo)體基底的吸附力較弱，容易出現(xiàn)半導(dǎo)體基底定位難的情況；從而使在 后續(xù)工藝（如：退火）中形成的半導(dǎo)體功率器件的性能較差。
[0007] 而隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展對半導(dǎo)體功率器件精度要求的不斷提高，采用爐管沉積法 形成多晶硅層的制備工藝無法滿足日益提高的半導(dǎo)體功率器件的高標(biāo)準(zhǔn)要求。
[0008] 為此，如何改進(jìn)采用爐管沉積多晶硅層工藝的半導(dǎo)體制備工藝是本領(lǐng)域技術(shù)人員 亟需解決的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，提高形成的半導(dǎo)體功率器 件的性能。
[0010] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：
[0011] 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二 表面，所述第一表面為用于形成半導(dǎo)體器件的功能面；
[0012] 采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層；
[0013] 去除所述第二表面的半導(dǎo)體材料層。
[0014] 可選地，在形成所述半導(dǎo)體材料層前，所述形成方法還包括：刻蝕所述第一表面， 在所述半導(dǎo)體基底中形成溝槽；
[0015] 采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面形成半導(dǎo)體材料層的步驟中，所述 半導(dǎo)體材料層填充于所述溝槽中；
[0016] 在形成所述半導(dǎo)體材料層后，所述形成方法還包括：去除覆蓋在所述第一表面的 半導(dǎo)體材料層，至露出所述第一表面。
[0017] 可選地，在去除所述第一表面和第二表面的半導(dǎo)體材料層后，所述形成方法還包 括：
[0018] 向位于所述溝槽的周邊的所述第一表面內(nèi)，注入離子；
[0019] 進(jìn)行退火工藝，以形成源極或是漏極。
[0020] 可選地，所述注入離子的步驟包括：
[0021] 采用吸盤吸住所述半導(dǎo)體基底的第二表面，將所述半導(dǎo)體基底固定在反應(yīng)腔室 中；
[0022] 之后向所述半導(dǎo)體基底的第一表面注入離子。
[0023] 可選地，所述退火工藝的步驟包括：采用含碳源氣體和氧源氣體的氣體進(jìn)行退火 工藝。
[0024] 可選地，所述碳源氣體包括C2H2C12。
[0025] 可選地，所述退火工藝的溫度大于或等于1000°C。
[0026] 可選地，去除所述第二表面的半導(dǎo)體材料層的步驟包括：采用刻蝕工藝或是平坦 化工藝去除位于第二表面的半導(dǎo)體材料層。
[0027] 可選地，所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
[0028] 可選地，所述半導(dǎo)體材料層為多晶硅層。
[0029] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0030] 在采用爐管沉積法在導(dǎo)體基底第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層后，去位于 作為非功能面的第二表面上的半導(dǎo)體材料層。從而在采用吸盤吸住半導(dǎo)體基底的第二表 面，以對半導(dǎo)體基底進(jìn)行加工的半導(dǎo)體制備后續(xù)工藝中，避免因?yàn)槎嗑Ч鑼颖砻孑^為粗糙 等特性，而降低吸盤對半導(dǎo)體基底的吸附力，進(jìn)而提高后續(xù)工藝中半導(dǎo)體基底的穩(wěn)定性；此 夕卜，在后續(xù)例如退火等工藝中，會通入氧源氣體（如〇 2)以及碳源氣體，去除位于所述半導(dǎo) 體基底的第二表面的半導(dǎo)體材料層后，有效避免通入的氧源氣體（如〇2)與第二表面上的 半導(dǎo)體材料層反應(yīng)，致使碳源氣體無法與足量的氧源氣體反應(yīng)而分解為碳顆粒等雜質(zhì)，并 由所述碳顆粒等雜質(zhì)污染半導(dǎo)體制備的環(huán)境，造成諸如碳顆粒等雜質(zhì)散落在半導(dǎo)體基底第 一表面等缺陷，進(jìn)而提高后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 圖1至圖5是現(xiàn)有技術(shù)采用爐管沉積形成多晶硅層的半導(dǎo)體功率器件制備過程的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖6至圖11是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 如【背景技術(shù)】所述，采用爐管沉積法以形成多晶硅層的半導(dǎo)體制備工藝所形成的半 導(dǎo)體功率器件的性能較差，結(jié)合半導(dǎo)體功率器件的形成過程分析其原因?yàn)椋?br> [0034] 參考圖1和圖2,如在溝槽柵功率晶體管的制備工藝，在器件層11上形成溝槽12 后，會采用爐管沉積法在所述器件層11的表面形成填充所述溝槽12的多晶硅層13。具體 地，如圖4所示，爐管沉積法工藝中，會在爐管1的架子上同時放置多塊半導(dǎo)體晶圓2,之后 向爐管1內(nèi)通入含有硅烷的反應(yīng)氣體，從而在半導(dǎo)體晶圓的表面形成多晶硅層。但如圖5 所示，在向所述爐管1內(nèi)通入反應(yīng)氣體在所述器件層11上形成多晶硅層13的同時，會在所 述半導(dǎo)體襯底10(即晶圓襯底）底面形成多晶硅層14。
[0035] 而位于半導(dǎo)體襯底10底面的所述多晶硅層14會影響溝槽柵功率晶體管后續(xù)制 備工藝，如：再參考圖3,向所述器件層11內(nèi)注入離子，并進(jìn)行退火工藝以形成源極的過程 中，需要向爐管內(nèi)通入氧源氣體（如〇 2)(通入氧源氣體便于爐管升溫），以及碳源氣體（如 C2H2CL 2)等氣體，退火工藝中，上述氣體可激活器件層內(nèi)的離子，同時所述碳源氣體會和氧 源氣體反應(yīng)形成一氧化碳、或二氧化碳等氣體后排出設(shè)備。但氧源氣體與多晶硅層反應(yīng)活 性較大，在所述半導(dǎo)體襯底10底面形成多晶硅層后，氧源氣體會優(yōu)先與多晶硅層反應(yīng)，從 而消耗大量的氧源氣體，致使碳源氣體無法與足量的氧源氣體反應(yīng)而分解產(chǎn)生碳顆粒等雜 質(zhì)。所述碳顆粒等雜質(zhì)污染了半導(dǎo)體制備的環(huán)境，如碳顆粒等雜質(zhì)會散落在半導(dǎo)體基底的 第一表面上，從而影響后續(xù)制得的半導(dǎo)體功率器件的性能。
[0036] 此外，沉積于所述半導(dǎo)體襯底10底面形成的多晶硅層14的表面較為粗糙，致使在 后續(xù)半導(dǎo)體功率器件制備工藝中，用于固定所述半導(dǎo)體襯底10的吸盤無法吸住所述半導(dǎo) 體襯底10,從而降低半導(dǎo)體襯底10穩(wěn)定性，甚至出現(xiàn)半導(dǎo)體襯底脫落等問題，從而影響后 續(xù)半導(dǎo)體器件的制備工藝。
[0037] 為此，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件的形成方法，在采用爐管沉積法在半導(dǎo)體基底 的第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層（如多晶娃層）后，去除位于作為非功面的半導(dǎo) 體基底的第二表面上的半導(dǎo)體材料層，從而避免位于半導(dǎo)體基底第二表面上的半導(dǎo)體材料 層對后續(xù)半導(dǎo)體器件制備造成干擾，進(jìn)而提高后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件的性能。
[0038] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖，以一種溝 槽柵功率晶體管的制備工藝為實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0039] 圖6至圖11是本實(shí)例半導(dǎo)體器件的形成方法的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040] 先參考圖6,提供半導(dǎo)體基底20,所述半導(dǎo)體基底20包括第一表面和與所述第一 表面相對的第二表面。其中，所述第一表面為功能面，在所述第一表面內(nèi)可形成諸多的半導(dǎo) 體元器件以及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
[0041] 本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基底20包括半導(dǎo)體襯底21，以及位于所述半導(dǎo)體襯底21 上的器件層22,所述器件層22的表面即為所述半導(dǎo)體基底20的第一表面，所述半導(dǎo)體襯底 21的底面即所述半導(dǎo)體基底20的第二表面。
[0042] 本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底21為硅襯底。但除本實(shí)施例外的其他實(shí)施例中，所 述半導(dǎo)體襯底21還可以為鍺硅襯底或絕緣體上硅襯底等其它半導(dǎo)體襯底。
[0043] 本實(shí)施例中，所述器件層22的材料為硅，形成工藝可選為化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD)。但值得注意的是，本發(fā)明對所述半導(dǎo)體襯底21和器 件層22的材料、結(jié)構(gòu)，以及形成方法不做限制。
[0044] 繼續(xù)參考圖6,刻蝕所述器件層22,在所述器件層22內(nèi)形成溝槽23。形成所述溝 槽23工藝包括在所述器件層23上形成掩模層（圖中未顯示），之后以所述掩模層為掩?？?蝕所述器件層22,以形成所述溝槽23。
[0045] 結(jié)合參考圖7,采用爐管沉積法，在所述器件層22的表面形成半導(dǎo)體材料層24。
[0046] 本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體材料層24為多晶硅層。
[0047] 結(jié)合參考圖4,所述多晶硅層24的形成工藝包括：將所述半導(dǎo)體基底20(相當(dāng)于 圖中的半導(dǎo)體晶圓2)置于一爐管1中，之后向所述爐管內(nèi)通入硅烷等反應(yīng)氣體，從而在所 述半導(dǎo)體基底20的器件層22表面形成多晶硅層24。所述多晶硅層覆蓋所述器件層22表 面，且填充所述溝槽23。
[0048] 此外，在通入硅烷氣體時還可通入含有摻雜離子的氣體，從而形成摻雜有離子的 多晶硅層。上述采用爐管沉積法形成多晶硅層的工藝為本領(lǐng)域的成熟工藝，在此不再贅述。
[0049] 繼續(xù)參考圖7,爐管沉積法形成多晶硅層24過程中，在所述器件層22上形成多晶 硅層24,同時會在所述半導(dǎo)體襯底21的底面形成一層多晶硅層25。如上所述，所述多晶硅 層25的表面較為粗糙，且易與氧氣等氣體反應(yīng)，進(jìn)而會影響后續(xù)半導(dǎo)體功率器件的制備。
[0050] 參考圖8,本實(shí)施例中，采用爐管沉積法在所述溝槽23內(nèi)填充多晶硅層24 ;之后， 去除所述器件層22表面多余的所述多晶硅層24,僅保留位于所述溝槽23內(nèi)的多晶硅層，在 所述溝槽23內(nèi)形成多晶硅柵極26。
[0051] 本實(shí)施例中，去除所述器件層22表面的多晶硅層的工藝為化學(xué)機(jī)械研磨 (Chemical Mechanical Polish, CMP)工藝。值得注意的是，本實(shí)施例中，在形成所述器件 層22后，刻蝕所述器件層22之前，可在所述器件層22上先形成CMP停止層，之后刻蝕所 述停止層和器件層22,從而在所述停止層和器件層22內(nèi)形成所述溝槽；并在所述停止層表 面，以及溝槽內(nèi)填充多晶硅層后，再以所述停止層作為研磨終點(diǎn)，采用CMP工藝去除所述器 件層22上多余的多晶硅層，從而保護(hù)所述器件層22免受損傷。上述工藝為本領(lǐng)域的成熟 工藝，在此不再贅述。
[0052] 在除本實(shí)施例中的其他實(shí)施例中，還可采用刻蝕工藝，或是其他的平坦化工藝去 除多余厚度的所述多晶硅層。本發(fā)明對去除所述多晶硅層的工藝并不作限定。
[0053] 接著參考圖9,去除位于所述半導(dǎo)體襯底21底面的多晶娃層25。
[0054] 如上所述，在后續(xù)的半導(dǎo)體制備工藝中，位于所述半導(dǎo)體襯底21底面的多晶硅層 25會影響后續(xù)半導(dǎo)體制備工藝的進(jìn)行，并降低后續(xù)形成的半導(dǎo)體功率器件的性能。為此，去 除所述多晶硅層25可有效避免上述缺陷。
[0055] 本實(shí)施例中，去除所述多晶硅層25的工藝為CMP，但除本實(shí)施例外的其他實(shí)施例 中，可采用刻蝕工藝，或是其他的平坦化工藝去除多余厚度的所述多晶硅層。本發(fā)明對去除 所述多晶硅層的工藝并不作限定。
[0056] 本實(shí)施例中，在去除所述器件層22表面多余的多晶硅層24后，再去除位于所述半 導(dǎo)體襯底21底面的多晶硅層25。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，可先去除所述多晶硅層25， 之后再去除所述器件層22表面多余的多晶硅層，上述兩步工藝的順序并不影響本發(fā)明的 保護(hù)范圍。
[0057] 在去除位于半導(dǎo)體基底20底面的多晶硅層25后，將所述半導(dǎo)體基底20放入一個 或多個反應(yīng)腔室中，并以反應(yīng)腔室內(nèi)的吸盤40吸住所述半導(dǎo)體體襯底21的底面，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo) 體基底20固定，以進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0058] 本實(shí)施例中，基于已去除了位于所述半導(dǎo)體基底20底面的多晶硅層25,因而吸盤 40可直接吸附在所述半導(dǎo)體基底20底面，從而避免因?yàn)樗龆嗑Ч鑼?5表面較為粗糙等 缺陷而影響吸盤40對所述半導(dǎo)體基底20的吸附力，進(jìn)而提1?半導(dǎo)體基底20的固定穩(wěn)定 性。
[0059] 本實(shí)施例中，所述后續(xù)工藝包括：結(jié)合參考圖10,在所述器件層22上形成掩模層 31，所述掩模層31覆蓋所述多晶硅柵極26 ;以所述掩膜層31為掩模，向所述器件層22內(nèi) 注入第一離子（如硼離子B)，用于形成體區(qū)27。
[0060] 參考圖11，在去除所述掩模層31后，在所述器件層22上再形成另一掩模層32,所 述掩膜層32露出部分所述體區(qū)27,并向所述體區(qū)27內(nèi)注入第二離子（如砷離子，As)，用 于形成所述多晶硅柵極26的源極28。
[0061] 之后進(jìn)行退火工藝，以激活所述體區(qū)27內(nèi)的第一離子和第二離子，以形成體區(qū)和 源極。
[0062] 本實(shí)施例中，所述退火工藝包括：采用含碳源氣體和氧源氣體的氣體進(jìn)行退火工 藝，具體工藝包括：通入氧源氣體，使得退火腔室內(nèi)逐步升溫，控制退火溫度為大于或等于 KKKTC，并向所述退火腔內(nèi)通入碳源氣體，以激活注入于所述器件層內(nèi)的第一離子和第二 離子。所述退火工藝的其余細(xì)節(jié)為本領(lǐng)域的成熟技術(shù)，在此不再贅述。
[0063] 本實(shí)施例中，所述碳源氣體包括C2H2C12，氧源氣體包括氧氣（0 2)。
[0064] 本實(shí)施例中，在退火工藝前，已去除了所述半導(dǎo)體襯底21底面的所述多晶硅層 25,使得退火腔室內(nèi)通入的碳源氣體可與足量的氧氣反應(yīng)而形成一氧化碳或二氧化碳等氣 體，以在退火工藝后排出。上述技術(shù)方案可有效避免所述多晶硅層25與氧氣反應(yīng)，從而大 量消耗退火反應(yīng)中的氧源氣體，致使碳源氣體無法與氧源氣體反應(yīng)而直接分解成碳顆粒， 并使得碳顆粒懸浮在反應(yīng)腔內(nèi)而造成反應(yīng)腔室被污染，比如碳顆粒會散落在所述器件層22 的表面而降低半導(dǎo)體器件性能等缺陷，從而提高后續(xù)形成的半導(dǎo)體功率器件的質(zhì)量。
[0065] 值得注意的是，本實(shí)施例以溝槽柵晶體管（Trench Gate M0S)的制備工藝為例詳 述本本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0066] 但本發(fā)明并不局限于溝槽柵晶體管的制備工藝。如在平面CMOS晶體管制備工藝 中，可采用爐管沉積法在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，之后，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底表面的多 晶硅層，用于形成多晶硅柵極或是形成多晶硅偽柵。在爐管沉積法中，在所述半導(dǎo)體襯底表 面形成多晶硅層同時，會在半導(dǎo)體襯底的底面形成多余的多晶硅層。本發(fā)明可在進(jìn)入退火 等后續(xù)工藝前，先去除所述半導(dǎo)體襯底底面的多余的多晶硅層，從而避免位于半導(dǎo)體襯底 底面的多余的多晶硅層在半導(dǎo)體制備后續(xù)工藝中，造成吸盤難以吸附半導(dǎo)體襯底等問題； 而且去除所述半導(dǎo)體襯底底面的多晶硅層后，可解決在向所述多晶硅柵極周邊的半導(dǎo)體襯 底內(nèi)注入離子，并進(jìn)行退火工藝形成源極和漏極的工藝中，因?yàn)榘雽?dǎo)體襯底底面的多晶硅 層與氧氣反應(yīng)，而造成碳源氣體無法與足量氧氣反應(yīng)進(jìn)而分離形成過多的碳顆粒的缺陷， 進(jìn)而解決由過多的碳顆粒造成半導(dǎo)體器件制備環(huán)境污染而降低了后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件 性能的問題。上述簡單的改變均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0067] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二表 面，所述第一表面為用于形成半導(dǎo)體器件的功能面； 采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層； 去除所述第二表面的半導(dǎo)體材料層。
2. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于， 在形成所述半導(dǎo)體材料層前，所述形成方法還包括：刻蝕所述第一表面，在所述半導(dǎo)體 基底中形成溝槽； 采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面形成半導(dǎo)體材料層的步驟中，所述半導(dǎo) 體材料層填充于所述溝槽中； 在形成所述半導(dǎo)體材料層后，所述形成方法還包括：去除覆蓋在所述第一表面的半導(dǎo) 體材料層，至露出所述第一表面。
3. 如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于， 在去除所述第一表面和第二表面的半導(dǎo)體材料層后，所述形成方法還包括： 向位于所述溝槽的周邊的所述第一表面內(nèi)，注入離子； 進(jìn)行退火工藝，以形成源極或是漏極。
4. 如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述注入離子的步驟包括： 采用吸盤吸住所述半導(dǎo)體基底的第二表面，將所述半導(dǎo)體基底固定在反 應(yīng)腔室中； 之后向所述半導(dǎo)體基底的第一表面注入離子。
5. 如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的步驟包括：采用含碳源 氣體和氧源氣體的氣體進(jìn)行退火工藝。
6. 如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述碳源氣體包括C2H2C12。
7. 如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度大于或等于 1000。。。
8. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二表面的半導(dǎo)體材料層的 步驟包括：采用刻蝕工藝或是平坦化工藝去除位于第二表面的半導(dǎo)體材料層。
9. 如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
10. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層為多晶硅層。
【文檔編號】H01L21/336GK104157578SQ201410425762
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】沈思杰 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司