排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備的制作方法
【專利摘要】襯底處理設(shè)備以及用于襯底處理設(shè)備中的排氣設(shè)備。所述襯底處理設(shè)備包含：排氣裝置，將在襯底的處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物排出到腔室的外部；以及激光產(chǎn)生單元，將激光束輻射到設(shè)置在襯底支撐件上的所述襯底上，其中所述排氣裝置側(cè)壁包含排氣端口，所述排氣端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的側(cè)壁處，且以單個或多個設(shè)置到所述側(cè)壁?？扇菀椎嘏懦鲈谔幚淼膱?zhí)行過程中產(chǎn)生的所述副產(chǎn)物。且，所述設(shè)備可防止副產(chǎn)物污染所述設(shè)備，且最終提高在完成所述處理之后所制造的產(chǎn)品的質(zhì)量。此外，因為所述腔室的真空是不必要的，所以襯底處理設(shè)備可減少現(xiàn)有技術(shù)中由于真空狀態(tài)中所消耗的處理而引起的氮氣的量。
【專利說明】排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備，且更明確地說，涉及能夠容易地將副產(chǎn)物排出到腔室的外部的排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，因為已提高準分子激光束的穩(wěn)定性和輸出，所以準分子激光束的使用范圍對處理半導(dǎo)體材料的處理已更加廣泛。
[0003]尤其是為了形成例如發(fā)光二極管(LED)等裝置，主要通過產(chǎn)生激光束的激光處理設(shè)備來執(zhí)行將薄膜與晶片襯底分離的處理。此處理被稱作激光剝離(LLO)。(此處，圖1是用于描述相關(guān)技術(shù)中的激光處理設(shè)備的視圖)。
[0004]參看圖1，激光處理設(shè)備I包含具有用于接納襯底S的空間的腔室10，且氣體入口12和氣體出口 14設(shè)置到腔室10，且傳輸窗口 30安裝在腔室10的上端上。激光輻射構(gòu)件50安裝在傳輸窗口 30的上側(cè)上，且從激光輻射構(gòu)件50輻射的激光束55通過傳輸窗口 30且到達腔室10中的襯底。
[0005]圖2(a)、圖2(b)是用于描述從輻射構(gòu)件50輻射的激光束55的形式的視圖，其中圖2 (a)是襯底的俯視圖且圖2(b)是襯底的透視圖。如圖2(a)、圖2(b)所示，激光束55以線狀輻射在襯底S上。襯底S在垂直于激光束55的線的方向(箭頭方向)上移動，以執(zhí)行激光束55對襯底S的整個表面的輻射。
[0006]在完成此處理之后，圖3所示的排氣設(shè)備可通過腔室10的下部的側(cè)表面的氣體出口 14a和14b來排出在處理的執(zhí)行中產(chǎn)生的副產(chǎn)物P。然而，因為氣體出口形成在比設(shè)置襯底的地點低的位置處，所以定位在襯底的上部處的副產(chǎn)物不容易排出到腔室10的外部。因此，副產(chǎn)物保持在腔室內(nèi)。且，因為副產(chǎn)物P通過自然循環(huán)而移動到出口并不容易，所以降低了腔室10的內(nèi)部的清潔度。
[0007]因此，所產(chǎn)生的副產(chǎn)物污染并且損壞其它配置元件，從而導(dǎo)致激光處理設(shè)備的耐用性方面的降低。
[0008]此外，因為存在于襯底的上部上的副產(chǎn)物由于設(shè)置出口的位置而不容易排出，所以完成處理的產(chǎn)品的質(zhì)量可能最終降低。
[0009]因此，在此之前已在真空中執(zhí)行激光處理設(shè)備的處理來移除腔室中的顆粒。然而，存在一個問題，其中在完成處理之后，用于提高處理的良率且中斷真空的氮氣的量由于在真空狀態(tài)下執(zhí)行的處理而過多。此外，雖然在密封的氮氣氛圍中執(zhí)行處理來防止外來顆粒的流入，但不容易移除腔室10內(nèi)產(chǎn)生的副產(chǎn)物。
[0010]相關(guān)技術(shù)文獻
[0011]專利文獻
[0012](專利文獻1)KR2004-0096317A1
【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明提供能夠容易地將在襯底的處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物排出到腔室的外部的排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備。
[0014]本發(fā)明還提供能夠提高處理效率和生產(chǎn)率的排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備。
[0015]本發(fā)明還提供能夠提高處理設(shè)備的耐用性的排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備。
[0016]根據(jù)示范性實施例，一種襯底處理設(shè)備包含:腔室，形成處理襯底的內(nèi)部空間；排氣裝置，將在襯底的處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物排出到腔室的外部；襯底支撐件，在所述腔室的所述內(nèi)部空間中支撐所述襯底；以及激光產(chǎn)生單元，將激光束輻射到設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底上，其中所述排氣裝置包含排氣端口，所述排氣端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的側(cè)壁處，且以單個或多個設(shè)置到所述側(cè)壁。
[0017]所述排氣端口可形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部或所述下部之外的整個側(cè)壁處，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成進入口的側(cè)壁之外的整個側(cè)壁處。
[0018]以上排氣設(shè)備可還包含注射器，所述注射器具有設(shè)置在所述排氣端口的上側(cè)處且朝向下部注射氣體的注射噴嘴。
[0019]多個注射孔可形成于所述注射噴嘴處，且所述注射孔可形成為朝向腔室的側(cè)壁方向注射氣體。
[0020]從所述激光產(chǎn)生單元產(chǎn)生的激光束所通過的傳輸窗口可形成于所述腔室的上側(cè)上，且所述注射噴嘴可環(huán)繞所述傳輸窗口而設(shè)置。
[0021]所述腔室可包含:下部塊，其中所述襯底支撐件設(shè)置在其上部上；以及蓋，覆蓋所述下部塊的上部以密封所述下部塊，其中裝載或卸載所述襯底所通過的襯底進入口形成于側(cè)壁中的除了所述蓋的上部側(cè)壁之外的至少一個側(cè)壁中。
[0022]用于吸入副產(chǎn)物的吸入器可設(shè)置到襯底支撐件的兩側(cè)的下部，其中所述吸入器可包含:壓力調(diào)整單元，調(diào)整用于吸入所述副產(chǎn)物的壓力；以及吸入噴嘴，具有通過其吸入所述副產(chǎn)物的吸入孔。
[0023]所述襯底支撐件可為能夠在所述腔室內(nèi)傳遞所述襯底的襯底傳遞單元。
[0024]所述襯底傳遞單元可包含:一對導(dǎo)軌，在與所述吸入噴嘴的兩端交叉的方向上彼此平行地設(shè)置，且在第一軸方向上彼此間隔開；第一軸滑塊，具有在所述導(dǎo)軌之間連接的第二軸方向的長度，且沿著所述導(dǎo)軌與所述吸入噴嘴一起在所述第一軸方向上前后滑動；第二軸滑塊，設(shè)置在所述第一軸滑塊的上部上，且沿著所述第一滑塊在所述第二軸方向上前后滑動；旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件，插入到所述第二軸滑塊的中央內(nèi)部中；以及襯底支撐板，設(shè)置到所述旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件的上部。
[0025]根據(jù)另一實施例，一種用于襯底處理設(shè)備中的排氣設(shè)備，所述排氣設(shè)備包含:排氣端口，設(shè)置到襯底的側(cè)表面；至少一個注射噴嘴；以及供應(yīng)單元，將氣體供應(yīng)給所述注射噴嘴。
[0026]所述排氣端口可形成于除了所述襯底的上部和下部之外的整個表面處，或形成于所述襯底的除了所述襯底的所述上部和所述下部以及所述襯底的進入方向之外的整個表面處。
[0027]所述注射噴嘴可包含:多個第一注射噴嘴，在一個方向上彼此平行地設(shè)置；以及多個第二注射噴嘴，在所述第一注射噴嘴的外部處在與所述一個方向交叉的另一方向上彼此平行地設(shè)置，其中所述注射噴嘴可形成為朝向所述襯底的外部方向注射氣體。
[0028]吸入器可與襯底的下部間隔地而設(shè)置，以吸入存在于所述襯底的所述下部上的副產(chǎn)物。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]可結(jié)合附圖從以下描述更詳細地理解示范性實施例。
[0030]圖1是用于描述現(xiàn)有的激光處理設(shè)備的視圖。
[0031]圖2(a)、圖2(b)是用于描述激光束的形狀的視圖。
[0032]圖3是說明現(xiàn)有的排氣設(shè)備和排氣流的示意圖。
[0033]圖4是說明根據(jù)示范性實施例的具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備的視圖。
[0034]圖5是說明根據(jù)示范性實施例的設(shè)有排氣端口和注射器的蓋的視圖。
[0035]圖6是說明圖5的蓋的內(nèi)部上表面的視圖。
[0036]圖7(a)、圖7(b)是說明從注射噴嘴注射的氣體的注射方向的視圖。
[0037]圖8a、圖Sb、圖Sc是說明根據(jù)示范性實施例的襯底支撐件和吸入器的視圖。
[0038]【主要元件標號說明】
[0039]10:腔室
[0040]12:氣體入口
[0041]14:氣體出口
[0042]14a:氣體出口
[0043]14b:氣體出口
[0044]30:傳輸窗口
[0045]50:輻射構(gòu)件
[0046]55:激光束
[0047]100:腔室
[0048]110:下部塊
[0049]130:蓋
[0050]135:襯底進入口
[0051]200:排氣設(shè)備
[0052]220:排氣端口
[0053]240:注射器
[0054]245:注射噴嘴
[0055]247:注射孔
[0056]260:吸入器
[0057]265:吸入噴嘴
[0058]267:吸入孔
[0059]300:襯底支撐件
[0060]310:線性馬達導(dǎo)軌
[0061]330:第一軸滑塊
[0062]350:第二軸滑塊
[0063]355:旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件
[0064]400:傳輸窗口
[0065]500:激光產(chǎn)生單元
[0066]550:反射鏡
[0067]551:激光束
[0068]1000:襯底處理設(shè)備
[0069]P:副產(chǎn)物
[0070]S:襯底

【具體實施方式】
[0071]下文中，將參看附圖來詳細地描述示范性實施例。然而，本發(fā)明可按照許多不同形式體現(xiàn)，且不應(yīng)被解釋為限于本文中所陳述的實施例；而是，提供這些實施例以使得本發(fā)明將徹底且完整，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員完全地傳達本發(fā)明的概念。全文中，相同的參考數(shù)字表示相同的元件。
[0072]下文中，將作為包含排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備的激光處理設(shè)備描述為實例，但根據(jù)示范性實施例的排氣設(shè)備的應(yīng)用不限于此。也就是說，可將排氣設(shè)備應(yīng)用于必須有效地移除在處理預(yù)定空間內(nèi)的襯底時產(chǎn)生的副產(chǎn)物的各種設(shè)備以及激光處理設(shè)備。
[0073]圖4是說明根據(jù)示范性實施例的激光處理設(shè)備的視圖。圖5是說明根據(jù)示范性實施例的設(shè)有排氣端口和注射器的蓋的視圖。圖6是說明圖5的蓋的內(nèi)部上表面的視圖。圖7(a)、圖7(b)是說明從注射噴嘴注射的氣體的注射方向的視圖。圖8a、圖Sb、圖Sc是說明根據(jù)示范性實施例的襯底支撐件和吸入器的視圖。
[0074]激光處理設(shè)備是使用激光束將PI薄膜與玻璃襯底的邊界表面分離的設(shè)備。激光處理設(shè)備包含:腔室100，形成處理襯底S的內(nèi)部空間；排氣設(shè)備200，將腔室100內(nèi)的副產(chǎn)物排出到腔室100的外部；襯底支撐件300，在腔室100的內(nèi)部空間中支撐襯底S ;以及激光產(chǎn)生單元500，設(shè)置在襯底支撐件300上且將激光束551輻射到設(shè)置在襯底支撐件300上的襯底S上。
[0075]激光處理設(shè)備還包含安裝在腔室100的面向襯底S的一個側(cè)表面處的傳輸窗口400，及在腔室100的外部設(shè)置在傳輸窗口 400上方以面向傳輸窗口 400的反射鏡550。
[0076]腔室100包含:下部塊110，其上部是開放的；以及蓋130，設(shè)置在下部塊110的上部上以密封下部塊110。就這來說，腔室100不限于上文所描述的配置，且可例如以一體類型形成。當腔室100如上文所描述一體地形成時，門(未圖示)可設(shè)置到腔室100的至少任何一個地方。
[0077]下部塊110設(shè)有設(shè)置在其上部上的襯底支撐件300，襯底支撐件300具有平坦上表面和預(yù)定厚度。此時，雖然在圖式中未圖示，但可形成通道，其中，能夠連接到襯底支撐件300和排氣設(shè)備200的供應(yīng)線連接到所述通道。
[0078]蓋130用于覆蓋下部塊110的上部以密封下部塊110。此時，當將襯底供應(yīng)到腔室100中的裝載鎖腔室(未圖示)連接到側(cè)壁的除了蓋130的上表面之外的至少任何一個側(cè)壁時，形成襯底進入口 135，以使得襯底通過襯底進入口 135而裝載或卸載。
[0079]下文中，將詳細描述包含于本發(fā)明的排氣設(shè)備200中的排氣端口 220、注射器240和吸入器260。
[0080]排氣設(shè)備200是用于處理襯底S的系統(tǒng)中的設(shè)備，且將在襯底S的處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物排出到腔室100的外部。排氣設(shè)備200包含:排氣端口 220，形成于除了腔室100的上部和下部之外的側(cè)壁處；注射器240，設(shè)置到腔室100內(nèi)的蓋的底表面；以及吸入器260，配備在傳遞襯底S的支撐件300的兩側(cè)處，以在腔室100的底部上吸入副產(chǎn)物。
[0081]至少一個排氣端口 220形成于除了腔室100的上部和下部之外的所述側(cè)壁處，從而排出腔室100中的副產(chǎn)物，以使得腔室100內(nèi)的副產(chǎn)物可被快速且容易地排出。排氣端口 220可形成于除了腔室100的所述上部和所述下部之外的整個側(cè)壁處，或形成于除了腔室100的所述上部和所述下部以及形成襯底進入口 135的側(cè)壁之外的剩余側(cè)壁處。當排氣端口 220幾乎形成于所有側(cè)壁處且多個排氣端口 220形成于每一側(cè)壁處時，有利的是，可將腔室100內(nèi)的副產(chǎn)物快速地排出到外部。
[0082]此時，能夠?qū)⒏碑a(chǎn)物排出到外部的導(dǎo)管(未圖示)或軟管(未圖示)可連接到排氣端口 220，以使得還可通過所述導(dǎo)管或軟管將副產(chǎn)物排出到腔室100的外部。然而，在本發(fā)明中，當滿足應(yīng)將多個排氣端口 220設(shè)置到腔室100時，連接到排氣端口 220的元件不受限制。
[0083]注射器240設(shè)置在排氣端口 220上方且用于在向下方向上(腔室100內(nèi)的下側(cè))推動副產(chǎn)物。更詳細來說，多個注射器240設(shè)置到腔室100的內(nèi)部上表面(蓋130的內(nèi)部上表面)。注射器240包含:氣體供應(yīng)單元(未圖示)，設(shè)置在腔室100的外部以供應(yīng)氣體；以及注射噴嘴245，將從氣體供應(yīng)單元供應(yīng)的氣體注射到腔室100的內(nèi)部中。此時，注射噴嘴245安裝在腔室100的內(nèi)部的上側(cè)處，且形成有多個注射孔247，其中通過注射孔247來注射氣體。更詳細來說，多個注射噴嘴245安裝在蓋130的內(nèi)部上表面上，且以一種方式連接，以使得可從設(shè)置到腔室100的外部的氣體供應(yīng)單元供應(yīng)氣體，以便將氣體注射到腔室100的內(nèi)部。
[0084]同時，多個注射噴嘴245可在腔室100的每一側(cè)壁上彼此間隔開且在平行于側(cè)壁的方向上安裝。因此，如圖6所示，多個注射噴嘴245可分別在平行于腔室100的側(cè)壁的方向上以預(yù)定數(shù)目設(shè)置，且可分別安裝成在腔室的側(cè)壁上具有方向性。更詳細來說，注射噴嘴245包含:多個第一注射噴嘴，在一個方向上彼此平行地設(shè)置；以及多個第二噴嘴，在所述第一注射噴嘴的外部處在與所述一個方向交叉的另一方向上彼此平行地設(shè)置。因此，第一注射噴嘴和第二噴嘴環(huán)繞傳輸窗口而設(shè)置。
[0085]此外，形成于注射噴嘴245中的每一者中的注射孔247在面向腔室100的側(cè)壁中的每一者的方向上形成，以使得通過注射孔247注射的氣體具有方向性。也就是說，注射孔247形成為使得從朝向腔室的側(cè)壁偏置的注射孔247注射的氣體也在側(cè)壁方向上移動。因此，當將氣體注射到襯底的上部中(即，在正交于腔室100的上部的方向上)時，抑制副產(chǎn)物掉落在襯底的上部上，以使得可抑制對襯底的污染。且，由于氣體具有朝向排氣端口 220的方向性，可通過排氣端口 220將腔室100內(nèi)的副產(chǎn)物快速地排出到腔室100的外部。此夕卜，注射孔247可將副產(chǎn)物推動到腔室100的底部，以使得副產(chǎn)物不會被吸收到設(shè)置在襯底S的上部上的傳輸窗口 400。
[0086]如上配置的排氣設(shè)備200可包含吸入器260，其中，吸入器260能夠吸入并移除存在于腔室100的內(nèi)部的底表面(即，下部塊110的上表面)上的副產(chǎn)物。
[0087]圖8a、圖Sb、圖Sc是說明根據(jù)示范性實施例的襯底支撐件和注射器的視圖。圖8a是說明配備有襯底支撐件和注射器的下部塊的透視圖。圖8b是圖8a的平面圖，且圖Sc是吸入器的透視圖。
[0088]吸入器260是設(shè)置到襯底支撐件300的兩個側(cè)表面的下部以吸入存在于下部塊110的上表面上的副產(chǎn)物的裝置。也就是說，吸入器260吸入通過注射器240推動和向下移動到腔室100的下部且保持在腔室100內(nèi)的底部上的副產(chǎn)物。因此，吸入器260設(shè)有設(shè)置到腔室100的外部的壓力調(diào)整單元(未圖示)和形成有吸入孔267的吸入噴嘴265，其中，副產(chǎn)物通過壓力調(diào)整單元的吸力通過吸入孔267來吸入。
[0089]壓力調(diào)整單元是一種裝置，其連接到設(shè)置在腔室100的內(nèi)部中的吸入噴嘴265以調(diào)整壓力，以使得副產(chǎn)物通過吸入孔267而吸入到吸入噴嘴265中。壓力調(diào)整單元吸入腔室100內(nèi)的氣體，以使得副產(chǎn)物可朝向吸入孔267移動。
[0090]吸入噴嘴265設(shè)置到襯底支撐件300的側(cè)表面中的至少一者，能夠在襯底移動時根據(jù)襯底支撐件300的移動而移動，且因此可吸入在襯底支撐件300的移動范圍內(nèi)的副產(chǎn)物。此時，吸入噴嘴265可如圖Sc所示以桿狀形成，且固定到襯底支撐件300的兩個側(cè)表面。
[0091]此時，本發(fā)明中的襯底支撐件300可為用于在腔室內(nèi)支撐一個襯底的單一支撐件，且因此在其兩個側(cè)表面處設(shè)有吸入孔。然而，當使用多個支撐件(例如，兩個支撐件)來提高襯底的產(chǎn)量時，可為每一支撐件設(shè)置至少一個吸入噴嘴。
[0092]同時，支撐襯底的襯底支撐件300可為能夠在腔室100內(nèi)水平地傳遞襯底S的襯底傳遞單元。因此，將參考圖8a、圖Sb、圖Sc所示的圖式來描述襯底滑塊300。
[0093]首先，襯底S在垂直于激光束551的線的方向(箭頭方向)上水平移動，以使得所述激光束輻射在襯底S的整個表面上。傳遞襯底S的襯底傳遞單元通過線性馬達(LM)導(dǎo)引件來配置。也就是說，襯底傳遞單元具有沿著導(dǎo)軌線性地移動的結(jié)構(gòu)。
[0094]如圖8a、圖8b、圖8c所示，第一軸滑塊330沿著LM導(dǎo)軌310移動，且充當襯底支撐板的第二軸滑塊350與第一軸滑塊330 —起移動。因此，在熱處理期間，襯底通過第二軸方向上的移動和水平旋轉(zhuǎn)運動以及第一軸方向上的移動而安放在適當?shù)奈恢锰帯４颂?，第一軸和第二軸是形成二維平面的任何軸，且可簡單地表達為X軸和Y軸。
[0095]導(dǎo)軌310實施于一對軌道中，且所述一對軌道在下部塊的上表面(腔室100的底表面)上在Y軸方向(第一軸方向)上彼此間隔開地彼此平行地設(shè)置。也就是說，導(dǎo)軌310設(shè)置成與吸入噴嘴265的兩端交叉，且在第一軸方向上彼此間隔開地設(shè)置。
[0096]第一軸滑塊330具有在所述一對導(dǎo)軌310之間連接的第二軸方向上的長度，且與吸入噴嘴265 —起在所述第一軸方向上前后滑動。參看圖8b，第一軸滑塊330具有形成有U形線凹槽的長度，且允許第一軸滑塊330的主體的內(nèi)部具有以線形制成的中空空間。
[0097]第二軸滑塊350設(shè)置在第一軸滑塊330的上部上，且沿著第一軸滑塊330在第二軸方向上前后滑動。第二軸滑塊350安裝成內(nèi)凹地覆蓋第一軸滑塊330的上部。此處，因為第二軸滑塊350安裝成內(nèi)凹地覆蓋第一軸滑塊330，所以可降低襯底支撐件300的總高度。
[0098]且，因為旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件(未圖示)以插入到第二軸滑塊350的中央內(nèi)部中的形狀來安裝，所以此形狀也有助于降低襯底支撐件300的總高度。選擇此類結(jié)構(gòu)的原因是補償分別在第二軸滑塊350堆疊在第一軸滑塊330上且旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件堆疊在第二軸滑塊350上時由于襯底支撐件的總高度的增大而占用的過多空間的問題，且還補償襯底傳遞的穩(wěn)定性方面減小的問題。
[0099]因為襯底支撐件300具有如上文所描述的結(jié)構(gòu)，所以第一軸滑塊330沿著彼此平行地安裝的兩個導(dǎo)軌310而滑動，且第二軸滑塊350與第一軸滑塊330 —起滑動。旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件(未圖示)插入到第二軸滑塊350的中央內(nèi)部中，且襯底支撐板355安裝在旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件上。第一軸滑塊330和第二軸滑塊350通過線性馬達而移動，且旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件將旋轉(zhuǎn)操作賦予襯底S。這樣，襯底S通過襯底支撐件300來傳遞。
[0100]同時，根據(jù)修改的示范性實施例的襯底處理設(shè)備1000可通過使用兩個傳遞單元來執(zhí)行處理。此處，在通過一個傳遞單元傳遞的襯底的處理完成之后，可立即處理下一襯底的處理，進而提高襯底的產(chǎn)量。
[0101]在設(shè)置了多個傳遞單元的襯底處理設(shè)備1000中，因為吸入噴嘴形成于所述多個傳遞單元的兩個表面中的一者處，所以可由于兩個傳遞單元的移動來處理腔室的副產(chǎn)物。
[0102]因此設(shè)置到根據(jù)修改的示范性實施例的襯底處理設(shè)備的元件可具有與設(shè)置到根據(jù)示范性實施例的襯底處理設(shè)備的元件相同或相似的功能，且根據(jù)示范性實施例的襯底處理設(shè)備可應(yīng)用于根據(jù)修改的示范性實施例的襯底處理設(shè)備。
[0103]如上文所描述，排氣設(shè)備和具有排氣設(shè)備的襯底處理設(shè)備可容易地將襯底S內(nèi)的副產(chǎn)物排出到腔室的外部。也就是說，所述副產(chǎn)物不浮動在襯底處理設(shè)備的上部中，且通過設(shè)置到蓋內(nèi)的上表面的注射器而被推向下部。
[0104]因為設(shè)置到注射器的注射噴嘴是在兩個側(cè)方向上以預(yù)定角度形成的，所以通過注射噴嘴注射的氣體可具有方向性且處理副產(chǎn)物。因此，副產(chǎn)物可通過形成于腔室的蓋的側(cè)表面處的排氣孔快速地排出。
[0105]此外，因為在腔室內(nèi)傳遞襯底的傳遞單元的滑塊的兩個側(cè)表面的下部處設(shè)置吸入器，所以可從吸入噴嘴吸入副產(chǎn)物且可容易地移除存在于腔室的底表面上的副產(chǎn)物。此處，因為吸入噴嘴可根據(jù)傳遞單元的移動而移動，所以可根據(jù)傳遞單元的移動而移除腔室的底表面的幾乎所有區(qū)域中的副產(chǎn)物。
[0106]根據(jù)示范性實施例，可容易地排出在加壓氛圍下的處理的執(zhí)行中產(chǎn)生的副產(chǎn)物。舉例來說，可容易地排出在通過激光處理設(shè)備的激光剝離處理分離形成于晶片襯底上的薄膜時而產(chǎn)生的聚合物等副產(chǎn)物。因此，可防止副產(chǎn)物殘留在處理設(shè)備內(nèi)并污染設(shè)備。
[0107]且，因為至少一個排氣端口形成于除了裝載或卸載襯底的側(cè)壁之外的所有側(cè)壁中，所以可提高副產(chǎn)物到腔室的外部的排出速度，進而提高處理效率和生產(chǎn)率。
[0108]此外，可通過從上部注射氣體而將浮動在襯底上的副產(chǎn)物快速地排出到腔室的外部。因此，可解決根據(jù)現(xiàn)有的排氣設(shè)備的形成位置而不容易移除副產(chǎn)物的問題。因此，在完成處理之后，產(chǎn)品的質(zhì)量可得到提高。
[0109]此外，因為腔室的真空是不必要的，所以襯底處理設(shè)備可減少由于真空狀態(tài)中的處理而消耗的氮氣的量。
[0110]雖然已參考特定實施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)易于理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對其進行各種修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種襯底處理設(shè)備，其特征在于包括: 腔室，形成處理襯底的內(nèi)部空間； 排氣裝置，將在所述襯底的處理過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物排出到所述腔室的外部； 襯底支撐件，在所述腔室的所述內(nèi)部空間中支撐所述襯底；以及 激光產(chǎn)生單元，將激光束輻射到設(shè)置在所述襯底支撐件上的所述襯底上， 其中排氣裝置側(cè)壁包含排氣端口，所述排氣端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的側(cè)壁處，且以單個或多個設(shè)置到所述側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備，其中所述排氣端口形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部之外的整個側(cè)壁處，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成進入口的側(cè)壁之外的所述整個側(cè)壁處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備，還包括注射器，所述注射器具有設(shè)置在所述排氣端口的上側(cè)處且朝向下部注射氣體的注射噴嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備，其中多個注射孔形成于所述注射噴嘴處，且 所述注射孔形成為朝向所述腔室的側(cè)壁方向注射所述氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備，其中從所述激光產(chǎn)生單元產(chǎn)生的激光束所通過的傳輸窗口形成于所述腔室的上側(cè)上，且所述注射噴嘴環(huán)繞所述傳輸窗口而設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備，其中所述腔室包括: 下部塊，所述襯底支撐件設(shè)置在其上部上；以及 蓋，覆蓋所述下部塊的上部以密封所述下部塊， 其中裝載或卸載所述襯底所通過的襯底進入口形成于所述側(cè)壁中的除了所述蓋的上部側(cè)壁之外的至少一個側(cè)壁中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中用于吸入副產(chǎn)物的吸入器設(shè)置到所述襯底支撐件的兩側(cè)的下部， 其中所述吸入器包括: 壓力調(diào)整單元，調(diào)整用于吸入所述副產(chǎn)物的壓力；以及 吸入噴嘴，具有吸入所述副產(chǎn)物所通過的吸入孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理設(shè)備，其中所述襯底支撐件是能夠在所述腔室內(nèi)傳遞所述襯底的襯底傳遞單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備，其中所述襯底傳遞單元包括: 一對導(dǎo)軌，在與所述吸入噴嘴的兩端交叉的方向上彼此平行地設(shè)置，且在第一軸方向上彼此間隔開； 第一軸滑塊，具有在所述導(dǎo)軌之間連接的第二軸方向的長度，且沿著所述導(dǎo)軌與所述吸入噴嘴一起在所述第一軸方向上前后滑動； 第二軸滑塊，設(shè)置在所述第一軸滑塊的上部上，且沿著所述第一滑塊在所述第二軸方向上前后滑動； 旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件，插入到所述第二軸滑塊的中央內(nèi)部中；以及 襯底支撐板，設(shè)置到所述旋轉(zhuǎn)軸導(dǎo)引件的上部。
10.一種用于襯底處理設(shè)備中的排氣設(shè)備，其特征在于所述排氣設(shè)備包括: 排氣端口，設(shè)置到襯底的側(cè)表面； 至少一個注射噴嘴，在所述襯底上彼此間隔開地設(shè)置；以及 供應(yīng)單元，將氣體供應(yīng)給所述注射噴嘴。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的排氣設(shè)備，其中所述排氣端口形成于除了所述襯底的上部和下部之外的整個表面處，或形成于所述襯底的除了所述襯底的所述上部和所述下部以及所述襯底的進入方向之外的整個表面處。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的排氣設(shè)備，其中所述注射噴嘴包括: 多個第一注射噴嘴，在一個方向上彼此平行地設(shè)置；以及 多個第二注射噴嘴，在所述第一注射噴嘴的外部處在與所述一個方向交叉的另一方向上彼此平行地設(shè)置， 其中所述注射噴嘴形成為朝向所述襯底的外部方向注射氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的排氣設(shè)備，其中吸入器與所述襯底的下部間隔地設(shè)置，以吸入存在于所述襯底的所述下部上的副產(chǎn)物。
【文檔編號】H01L21/67GK104425317SQ201410427830
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】沈亨基, 金鍾明, 白種化, 金炳秀 申請人:Ap系統(tǒng)股份有限公司