一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，通過(guò)在MOS器件作為接觸孔刻蝕停止層的高張應(yīng)力氮化硅層上，以由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層作為PMOS區(qū)域的紫外光阻擋層，對(duì)PMOS、NMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行選擇性的紫外光固化處理，得到在PMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較低的高張應(yīng)力氮化硅層，而在NMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較高的高張應(yīng)力氮化硅層，實(shí)現(xiàn)在PMOS、NMOS區(qū)域具有不同高張應(yīng)力的氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層，既避免了單步高張應(yīng)力氮化硅沉積對(duì)PMOS器件空穴遷移率的消極影響，又避免了兩步氮化硅沉積形成雙接觸孔刻蝕停止層工藝的復(fù)雜性，實(shí)現(xiàn)用較低的成本提升了器件的電性能。
【專利說(shuō)明】一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種基于應(yīng)變硅技術(shù)的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著CMOS集成電路制造工藝的發(fā)展以及關(guān)鍵尺寸的縮小，很多新的方法被運(yùn)用到器件制造工藝中，用以改善器件性能。高應(yīng)力氮化硅薄膜由于能夠有效提高M(jìn)OS管載流子遷移率，進(jìn)而提高器件運(yùn)行速度，因此被引入到集成電路制造工藝中。PMOS溝道方向上的壓應(yīng)力能提高PMOS器件中空穴遷移率，而NMOS溝道方向上的張應(yīng)力能提高NMOS器件中電子遷移率。
[0003]請(qǐng)參閱圖1，圖1是現(xiàn)有的在MOS器件上形成高應(yīng)力氮化硅薄膜接觸孔刻蝕停止層的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在MOS器件I上形成有高應(yīng)力氮化硅薄膜2作為接觸孔刻蝕停止層。從器件的性能上講，PMOS器件上需要壓應(yīng)力高的氮化硅接觸孔刻蝕停止層，而NMOS器件上需要張應(yīng)力高的氮化硅接觸孔刻蝕停止層。這就要求應(yīng)用Dual CESL工藝(雙接觸孔刻蝕停止層工藝)。
[0004]傳統(tǒng)的Dual CESL工藝需要進(jìn)行兩步氮化硅沉積，其主要流程為高張應(yīng)力氮化硅沉積(包括紫外光固化工藝)一氧化硅掩膜層沉積一光刻一去除PMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層一高壓應(yīng)力氮化硅沉積一光刻一去除NMOS區(qū)域的高壓應(yīng)力氮化硅層。由于在傳統(tǒng)的Dual CESL工藝中需要進(jìn)行兩步光刻，以去除PMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅和NMOS區(qū)域的高壓應(yīng)力氮化硅，因此，該工藝極大地增加了工藝成本以及工藝復(fù)雜性。所以，目前廣泛采用的還是Single CESL工藝，即采用單步氮化硅沉積工藝形成CESL層(接觸孔刻蝕停止層)。一般而言，由于NMOS器件中的電子遷移率指標(biāo)顯得更關(guān)鍵，所以，一般的Single CESL工藝就是在PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域同時(shí)采用高張應(yīng)力氮化硅形成接觸孔刻蝕停止層。
[0005]高張應(yīng)力氮化娃薄膜(High Tensile Stress SiN)是在PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))中沉積得到的，反應(yīng)物為硅烷(SiH4)和氨氣(NH3),需要利用射頻激發(fā)等離子體維持反應(yīng)的進(jìn)行。由于這種方法形成的氮化硅薄膜中含有大量的H(氫原子)，其結(jié)構(gòu)疏松，以致應(yīng)力達(dá)不到要求，只有約0.7Gpa。所以，接下來(lái)還需要對(duì)薄膜進(jìn)行UV cure (紫外光固化)，利用紫外光破壞薄膜中的氫鍵，使氫原子形成氫氣析出，而留下的懸掛鍵S1-與N-能形成S1-N鍵。這樣，氮化硅薄膜的空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，從而可形成應(yīng)力滿足要求的高張應(yīng)力氮化硅薄膜。目前，通過(guò)PECVD沉積得到的張應(yīng)力氮化硅薄膜的應(yīng)力極限為1.7Gpa左右(經(jīng)紫外光固化之后)，能夠顯著提高NMOS的性能。所以，通常以這種氮化硅薄膜作為接觸孔刻蝕阻擋層，其厚度一般為300?600A。
[0006]但是，采用Single CESL工藝在PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域同時(shí)形成了高張應(yīng)力氮化硅接觸孔刻蝕停止層，而高張應(yīng)力氮化硅的存在對(duì)PMOS器件的電性能是有不利影響的，故Single CESL工藝畢竟是以犧牲PMOS器件中的空穴遷移率為代價(jià)的一種折中方法。因此，如何避免單步高張應(yīng)力氮化硅沉積對(duì)PMOS器件的消極影響，以及避免兩步氮化硅沉積形成雙接觸孔刻蝕停止層工藝的復(fù)雜性，成為當(dāng)前業(yè)界的一個(gè)重要課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，通過(guò)在MOS器件上沉積高張應(yīng)力氮化硅層作為接觸孔刻蝕停止層、沉積非晶碳層作為高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層，并以由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層作為MOS器件PMOS區(qū)域的紫外光阻擋層，對(duì)MOS器件PM0S、NM0S區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行選擇性的紫外光固化處理，實(shí)現(xiàn)在PMOS、NMOS區(qū)域具有不同張應(yīng)力的高張應(yīng)力氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層，可以避免單步高張應(yīng)力氮化硅沉積對(duì)PMOS器件空穴遷移率的消極影響，又可避免兩步氮化硅沉積形成雙接觸孔刻蝕停止層工藝的復(fù)雜性。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，包括以下步驟:
[0010]步驟一:提供一MOS器件，在所述MOS器件上沉積一層高張應(yīng)力氮化硅層作為接觸孔刻蝕停止層；
[0011]步驟二:在所述高張應(yīng)力氮化硅層上沉積一層非晶碳層作為所述高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層；
[0012]步驟三:在所述非晶碳層上依次交替沉積氮化硅層、氧化硅層，形成由所述氮化硅層和所述氧化硅層組成的多層疊層，作為紫外光阻擋層；
[0013]步驟四:將所述MOS器件NMOS區(qū)域的所述疊層去除；
[0014]步驟五:對(duì)所述高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理；
[0015]步驟六:將所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述疊層去除，然后，去除所述非晶碳層，以在所述MOS器件上形成具有不同高張應(yīng)力的氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層。
[0016]在上述技術(shù)方案中，由于PMOS區(qū)域在紫外光固化的過(guò)程中依然保留著由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層，而此多層疊層可通過(guò)具有不同折射率的空氣、氮化硅層和氧化硅層的介質(zhì)界面，對(duì)紫外光進(jìn)行反射，使紫外光在通過(guò)多層疊層、非晶碳層到達(dá)下面的高張應(yīng)力氮化硅層的過(guò)程中光強(qiáng)逐步衰減。氮化硅層和氧化硅層交替沉積的重復(fù)次數(shù)，決定了最終到達(dá)高張應(yīng)力氮化硅層的紫外光的強(qiáng)度。所以，在經(jīng)過(guò)紫外光固化后，PMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層的張應(yīng)力的提高程度將受到明顯影響。這種相對(duì)較低的張應(yīng)力狀態(tài)明顯降低了對(duì)PMOS器件電性能的不利影響。而對(duì)于NMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層，因由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層已被去除，所以其紫外光固化過(guò)程不會(huì)受到影響，在紫外光固化工藝之后，該區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層將可以達(dá)到1.7Gpa左右的極限張應(yīng)力，能夠顯著提高NMOS器件中的電子遷移率。
[0017]本發(fā)明通過(guò)將由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層作為PMOS區(qū)域的紫外光阻擋層，對(duì)PMOS、NMOS區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行選擇性的紫外光固化過(guò)程，實(shí)現(xiàn)在PM0S.NM0S區(qū)域具有不同高張應(yīng)力的氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層，即可在PMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較低的高張應(yīng)力氮化硅層,在NMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較高的高張應(yīng)力氮化硅層。因此，本發(fā)明可以避免單步高張應(yīng)力氮化硅沉積對(duì)PMOS器件的消極影響，又可避免兩步氮化硅沉積形成雙接觸孔刻蝕停止層工藝的復(fù)雜性。而且，本發(fā)明的工藝方法相對(duì)傳統(tǒng)的雙接觸孔刻蝕停止層工藝要更簡(jiǎn)單，成本更低。
[0018]優(yōu)選的，步驟一中，所述高張應(yīng)力氮化硅層的沉積厚度為300?1000A。
[0019]優(yōu)選的，步驟二中，所述非晶碳層的沉積厚度為1000?5000A。
[0020]優(yōu)選的，步驟三中，所述疊層中的所述氮化硅層的層數(shù)為3層及以上，所述氧化硅層的層數(shù)為2層及以上。
[0021 ] 優(yōu)選的，步驟三中，所述疊層中的最上層為所述氮化硅層。
[0022]優(yōu)選的，步驟三中，每層所述氮化硅層的厚度為100?300A。
[0023]優(yōu)選的，步驟三中，每層所述氧化硅層的厚度為100?300A。
[0024]優(yōu)選的，步驟四中，采用光刻工藝，用光刻膠覆蓋所述MOS器件的PMOS區(qū)域，然后，采用干法刻蝕工藝去除所述MOS器件NMOS區(qū)域的所述疊層。
[0025]優(yōu)選的，步驟五中，采用波長(zhǎng)為190?400nm的紫外光對(duì)所述高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理。
[0026]優(yōu)選的，步驟六中，先采用等離子氧化工藝去除所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述光刻膠，然后采用干法刻蝕工藝去除所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述疊層，最后采用等離子氧化工藝去除所述非晶碳層。
[0027]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過(guò)在MOS器件上沉積高張應(yīng)力氮化硅層作為接觸孔刻蝕停止層、沉積非晶碳層作為高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層，并在非晶碳層上以由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層作為MOS器件PMOS區(qū)域的紫外光阻擋層，對(duì)MOS器件PM0S、NM0S區(qū)域的高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行選擇性的紫外光固化處理，得到在PMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較低的高張應(yīng)力氮化硅層，在NMOS區(qū)域上覆蓋張應(yīng)力相對(duì)較高的高張應(yīng)力氮化硅層，實(shí)現(xiàn)在PMOS、NMOS區(qū)域具有不同高張應(yīng)力的氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層，既可以避免單步高張應(yīng)力氮化硅沉積對(duì)PMOS器件空穴遷移率的消極影響，又可避免兩步氮化硅沉積形成雙接觸孔刻蝕停止層工藝的復(fù)雜性。而且，本發(fā)明的工藝方法相對(duì)傳統(tǒng)的雙接觸孔刻蝕停止層工藝要更簡(jiǎn)單，成本更低，因而具有用較低的成本提升了器件電性能的顯著進(jìn)步。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是現(xiàn)有的在MOS器件上形成高應(yīng)力氮化硅薄膜接觸孔刻蝕停止層的器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2是本發(fā)明一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法的流程圖；
[0030]圖3?圖11是本發(fā)明一實(shí)施例中根據(jù)圖2的制作方法制作雙接觸孔刻蝕停止層的器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖12是多層疊層的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于下述具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0033]需要說(shuō)明的是，在下述的實(shí)施例中，利用圖3?圖12的示意圖對(duì)按本發(fā)明的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法形成的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)的表述。在詳述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，為了便于說(shuō)明，各示意圖不依照一般比例繪制并進(jìn)行了局部放大及省略處理，因此，應(yīng)避免以此作為對(duì)本發(fā)明的限定。
[0034]請(qǐng)參閱圖2，圖2是本發(fā)明一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法的流程圖。同時(shí)，請(qǐng)對(duì)照參考圖3?圖11以及圖12，圖3?圖11是本發(fā)明一實(shí)施例中根據(jù)圖2的制作方法制作雙接觸孔刻蝕停止層的器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是作為紫外光阻擋層的氮化硅-氧化硅多層疊層的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。圖3?圖11中示意的器件結(jié)構(gòu)，分別與圖2中的各制作步驟相對(duì)應(yīng)，以便于對(duì)本發(fā)明方法的理解。
[0035]如圖2所示，本發(fā)明提供了一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，包括:
[0036]如框I所示，步驟一:提供一 MOS器件，在所述MOS器件上沉積一層高張應(yīng)力氮化硅層作為接觸孔刻蝕停止層。
[0037]請(qǐng)參考圖3，在已制作完成的MOS器件3上沉積一層高張應(yīng)力氮化硅層4作為接觸孔刻蝕停止層。MOS器件3的制作工藝與現(xiàn)有工藝相同，MOS器件3具有NMOS區(qū)域9和PMOS區(qū)域8。氮化硅層4可采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法沉積形成，反應(yīng)氣體可包括SiH4 (硅烷)和NH3 (氨氣)，但不限于此。沉積厚度為300?1000A。反應(yīng)過(guò)程需要利用射頻激發(fā)等離子體以維持反應(yīng)的進(jìn)行。作為一個(gè)實(shí)例，氮化硅層4的沉積厚度可為600A，此時(shí)氮化硅層4的應(yīng)力大概為0.7Gpa左右。
[0038]如框2所示，步驟二:在所述高張應(yīng)力氮化硅層上沉積一層非晶碳層作為所述高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層。
[0039]請(qǐng)參考圖4，在高張應(yīng)力氮化硅層4上沉積一層非晶碳層5，作為高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層。在后續(xù)的步驟中，由于需要去除非晶碳層上的紫外光阻擋層(詳見(jiàn)后文說(shuō)明)，為了避免去除紫外光阻擋層時(shí)對(duì)高張應(yīng)力氮化硅層造成破壞，因而沉積此非晶碳層5，作為高張應(yīng)力氮化硅層在去除紫外光阻擋層時(shí)的刻蝕阻擋層，來(lái)保護(hù)下面的高張應(yīng)力氮化硅層4薄膜。非晶碳層5的厚度可為1000?5000A，可采用現(xiàn)有的工藝方法生成。作為一個(gè)實(shí)例，可在高張應(yīng)力氮化娃層4上沉積厚度為3000A的非晶碳層5。
[0040]如框3所示，步驟三:在所述非晶碳層上依次交替沉積氮化硅層、氧化硅層，形成由所述氮化硅層和所述氧化硅層組成的多層疊層，作為紫外光阻擋層。
[0041]請(qǐng)參考圖5，在非晶碳層5上沉積形成一疊層6，此疊層6的作用是在后續(xù)步驟中對(duì)高張應(yīng)力氮化硅層4進(jìn)行紫外光固化處理時(shí)，作為PMOS區(qū)域8的紫外光阻擋層，以減弱紫外光對(duì)PMOS區(qū)域8的高張應(yīng)力氮化硅層4的輻射光強(qiáng)(詳見(jiàn)后文說(shuō)明)。
[0042]請(qǐng)參考圖12，圖5中的疊層6由依次交替沉積的氮化硅層和氧化硅層組成。作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，疊層6由在非晶碳層5上依次交替沉積的3層氮化硅層10-1、10-2、10_3和2層氧化娃層11-1、11_2組成多層疊層。疊層6中的最上層為氮化娃層10_3。每層氮化硅層的厚度為100?300A ;每層氧化硅層的厚度為100?300A。需要說(shuō)明的是，理論上，疊層6中氮化硅層和氧化硅層的交替層數(shù)越多，對(duì)紫外光的阻擋效果越大(其阻擋機(jī)理將在后文詳述)，但需要結(jié)合器件的設(shè)計(jì)要求來(lái)決定。因此，作為本發(fā)明的其他可選實(shí)施例，疊層可由3層以上的氮化硅層和2層以上的氧化硅層組成多層疊層；并且，氮化硅層和氧化硅層的層數(shù)可以相同，此時(shí)的疊層中的最上層將變?yōu)檠趸鑼印?br> [0043]如框4所示，步驟四:將所述MOS器件NMOS區(qū)域的所述疊層去除。
[0044]請(qǐng)參考圖6，采用光刻工藝，在整個(gè)MOS器件3上進(jìn)行光刻膠7涂布，即在整個(gè)MOS器件3上方將NMOS區(qū)域9和PMOS區(qū)域8的疊層6進(jìn)行覆蓋。
[0045]請(qǐng)參考圖7，通過(guò)曝光顯影，將NMOS區(qū)域9的光刻膠7去除(圖示為NMOS區(qū)域9的光刻膠7已去除狀態(tài))，使NMOS區(qū)域9的疊層6暴露出來(lái)，而PMOS區(qū)域8上方仍被光刻膠7所覆蓋。
[0046]請(qǐng)參考圖8，采用干法刻蝕工藝，利用含氟等離子體氣體刻蝕去除NMOS區(qū)域9的疊層6 (圖示為NMOS區(qū)域9的疊層6已去除狀態(tài))。
[0047]如框5所示，步驟五:對(duì)所述高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理。
[0048]請(qǐng)參考圖9，在如圖9所示的器件狀態(tài)下，采用波長(zhǎng)為190~400nm的紫外光，例如波長(zhǎng)為193nm的紫外光，對(duì)高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理(圖中向下的空心箭頭代表紫外光的照射方向)。
[0049]采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法形成的氮化硅薄膜中含有大量的H(氫原子)，其結(jié)構(gòu)疏松，以致應(yīng)力達(dá)不到要求，只有約0.7Gpa。所以，還需要對(duì)薄膜進(jìn)行UVcure (紫外光固化)，利用紫外光破壞薄膜中的氫鍵，使氫原子形成氫氣析出，而留下的懸掛鍵S1-與N-能形成S1-N鍵。這樣，氮化硅薄膜的空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，從而可形成應(yīng)力極限為1.7Gpa左右的氮化硅薄膜，能夠顯著提高NMOS的性能。
[0050]由于PMOS區(qū)域8在紫外光固化的過(guò)程中依然保留著由氮化硅層和氧化硅層交替組成的多層疊層6，而此多層疊層6可通過(guò)具有不同折射率的空氣、
[0051]氮化硅層和氧化硅層的介質(zhì)界面，對(duì)紫外光進(jìn)行反射，使紫外光在通過(guò)多層疊層
6、非晶碳層5到達(dá)下面的高張應(yīng)力氮化硅層4的過(guò)程中光強(qiáng)逐步衰減。氮化硅層和氧化硅層交替沉積的重復(fù)次數(shù)，決定了最終到達(dá)高張應(yīng)力氮化硅層的紫外光的強(qiáng)度。
[0052]根據(jù)光的反射原理，光在兩種折射率不同的介質(zhì)的界面處會(huì)發(fā)生反射。當(dāng)光束接近正入射(入射角約等于90度)時(shí)，反射率計(jì)算公式是:
[0053]R= (nl-n2)2/(nl+n2)2
[0054]其中，R代表反射率，nl、n2分別是兩種介質(zhì)的真實(shí)折射率(即相對(duì)于真空的折射率)。
[0055]以上述如圖12所示的具有3層氮化硅層10-1、10-2、10-3和2層氧化硅層11_1、11-2的疊層為例，根據(jù)已有數(shù)據(jù)，在193nm波長(zhǎng)的紫外光下，氮化硅薄膜的折射率是2.7左右，氧化硅為1.5左右，非晶碳膜為1.5左右，空氣為I。將數(shù)據(jù)代入上述反射率計(jì)算公式，可得到紫外光在各層的透過(guò)率(即1-反射率)及紫外光抵達(dá)高張應(yīng)力氮化硅層4時(shí)的總透過(guò)率，如下表所示:
[0056]

【權(quán)利要求】
1.一種雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:提供一MOS器件，在所述MOS器件上沉積一層高張應(yīng)力氮化硅層作為接觸孔刻蝕停止層； 步驟二:在所述高張應(yīng)力氮化硅層上沉積一層非晶碳層作為所述高張應(yīng)力氮化硅層的保護(hù)層； 步驟三:在所述非晶碳層上依次交替沉積氮化硅層、氧化硅層，形成由所述氮化硅層和所述氧化硅層組成的多層疊層，作為紫外光阻擋層； 步驟四:將所述MOS器件NMOS區(qū)域的所述疊層去除； 步驟五:對(duì)所述高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理； 步驟六:將所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述疊層去除，然后，去除所述非晶碳層，以在所述MOS器件上形成具有不同高張應(yīng)力的氮化硅雙接觸孔刻蝕停止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟一中，所述高張應(yīng)力氮化硅層的沉積厚度為300?1000A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟二中，所述非晶碳層的沉積厚度為1000?5000A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟三中，所述疊層中的所述氮化硅層的層數(shù)為3層及以上，所述氧化硅層的層數(shù)為2層及以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟三中，所述疊層中的最上層為所述氮化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟三中，每層所述氮化硅層的厚度為100?300A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟三中，每層所述氧化硅層的厚度為100?300A。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟四中，采用光刻工藝，用光刻膠覆蓋所述MOS器件的PMOS區(qū)域，然后，采用干法刻蝕工藝去除所述MOS器件NMOS區(qū)域的所述疊層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟五中，采用波長(zhǎng)為190?400nm的紫外光對(duì)所述高張應(yīng)力氮化硅層進(jìn)行紫外光固化處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙接觸孔刻蝕停止層的制作方法，其特征在于，步驟六中，先采用等離子氧化工藝去除所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述光刻膠，然后采用干法刻蝕工藝去除所述MOS器件PMOS區(qū)域的所述疊層，最后采用等離子氧化工藝去除所述非晶碳層。
【文檔編號(hào)】H01L21/318GK104201101SQ201410428687
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月27日
【發(fā)明者】雷通, 周海鋒, 方精訓(xùn) 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司