層疊陶瓷電容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種對(duì)于安裝狀態(tài)下的抑制發(fā)聲實(shí)用性較高的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器(10-1)的電容器主體(11)一體地具有：電容部(11a)，將多個(gè)內(nèi)部電極層(11a1)隔著電介質(zhì)層(11a2)在高度方向上層疊而成；電介質(zhì)制上側(cè)保護(hù)部(11b)，位于多個(gè)內(nèi)部電極層(11a1)中的最高層的內(nèi)部電極層(11a1)的上側(cè)；及電介質(zhì)制下側(cè)保護(hù)部(11c)，位于多個(gè)內(nèi)部電極層(11a1)中的最下層的內(nèi)部電極層(11a1)的下側(cè)；下側(cè)保護(hù)部(11c)的厚度(Tc)厚于上側(cè)保護(hù)部(11b)的厚度(Tb)，以使電容部(11a)偏向位于電容器主體(11)的高度方向上側(cè)。
【專利說(shuō)明】層疊陶瓷電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種層疊陶瓷電容器。

【背景技術(shù)】
[0002]層疊陶瓷電容器一般而言具有由長(zhǎng)度、寬度及高度規(guī)定的大致長(zhǎng)方體狀的電容器主體、及分別設(shè)置在電容器主體的長(zhǎng)度方向端部的外部電極。電容器主體一體地具有:電容部，將多個(gè)內(nèi)部電極層隔著電介質(zhì)層在高度方向上層疊而成；電介質(zhì)制上側(cè)保護(hù)部，位于多個(gè)內(nèi)部電極層中的最高層的內(nèi)部電極層的上側(cè)；及電介質(zhì)制下側(cè)保護(hù)部，位于多個(gè)內(nèi)部電極層中的最下層的內(nèi)部電極層的下側(cè)(例如參照下述專利文獻(xiàn)I的圖1)。
[0003]該層疊陶瓷電容器對(duì)電路基板的安裝是使用焊料，將層疊陶瓷電容器的各外部電極的被接合面接合在設(shè)于電路基板的焊墊的各自表面上而實(shí)施。各焊墊的表面的輪廓形狀一般而言是比各外部電極的被接合面的輪廓形狀大的矩形，因此，在安裝后的各外部電極的端面，形成基于熔融焊料自由延展的填焊(例如參照下述專利文獻(xiàn)I的圖1及圖2)。
[0004]在該安裝狀態(tài)下，若通過(guò)各焊墊對(duì)兩外部電極施加電壓、尤其交流電壓，則存在如下情況:在電容器主體產(chǎn)生基于電致伸縮現(xiàn)象的伸縮(主要為電容部在長(zhǎng)度方向收縮那樣的收縮及其恢復(fù))，且伴隨著該伸縮的應(yīng)力通過(guò)外部電極、焊料及焊墊傳遞到電路基板，造成振動(dòng)(主要為焊墊間部分凹陷那樣的翹曲及其恢復(fù))，并因該振動(dòng)而產(chǎn)生可聽(tīng)區(qū)域的聲音(所謂的發(fā)聲)。
[0005]而在下述專利文獻(xiàn)I中記載有如下安裝結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D2):為抑制所述發(fā)聲，而使“以焊墊的表面為基準(zhǔn)的填焊的高度”低于“焊墊的表面與電容器主體的間隔”+ “電容器主體的下側(cè)保護(hù)部的厚度”。
[0006]然而，因填焊是基于熔融焊料相對(duì)于各外部電極端面的自由延展而形成，所以，結(jié)合各外部電極的端面的焊料潤(rùn)濕性良好，只要不采用特殊的方法，便極難控制所述“以焊墊的表面為基準(zhǔn)的填焊的高度”。
[0007]列舉具體例進(jìn)行說(shuō)明，在各外部電極的端面高度為500 μ m的層疊陶瓷電容器中，即便焊料量相同，實(shí)際上，也將作為非安裝不合格而產(chǎn)生以各外部電極的端面的下端為基準(zhǔn)時(shí)的填焊的高度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)200 μ m或未達(dá)200 μ m。
[0008]S卩，下述專利文獻(xiàn)I記載的安裝結(jié)構(gòu)并未采用控制“以焊墊的表面為基準(zhǔn)的填焊的高度”的特殊方法，所以，實(shí)際上極難使“以焊墊的表面為基準(zhǔn)的填焊的高度”低于“焊墊的表面與電容器主體的間隔”+ “電容器主體的下側(cè)保護(hù)部的厚度”，因此，對(duì)于抑制發(fā)聲的實(shí)用性極低。
[0009][【背景技術(shù)】文獻(xiàn)]
[0010][專利文獻(xiàn)]
[0011][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開(kāi)2013-046069號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0012][發(fā)明要解決的問(wèn)題]
[0013]本發(fā)明的目的在于提供一種安裝狀態(tài)下對(duì)于抑制發(fā)聲的實(shí)用性較高的層疊陶瓷電容器。
[0014][解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
[0015]為達(dá)成所述目，本發(fā)明是一種層疊陶瓷電容器，包含以長(zhǎng)度、寬度及高度規(guī)定的大致長(zhǎng)方體狀的電容器主體、及分別設(shè)置在所述電容器主體的長(zhǎng)度方向端部的外部電極，且，所述電容器主體一體地具有:電容部，將多個(gè)內(nèi)部電極層隔著電介質(zhì)層在高度方向上層疊而成；電介質(zhì)制上側(cè)保護(hù)部，位于所述多個(gè)內(nèi)部電極層中的最高層的內(nèi)部電極層的上側(cè)；及電介質(zhì)制下側(cè)保護(hù)部，位于所述多個(gè)內(nèi)部電極層中的最下層的內(nèi)部電極層的下側(cè)；所述下側(cè)保護(hù)部的厚度厚于所述上側(cè)保護(hù)部的厚度，以使所述電容部偏向位于所述電容器主體的高度方向上側(cè)。
[0016][發(fā)明的效果]
[0017]根據(jù)本發(fā)明，可提供一種在安裝狀態(tài)下對(duì)于抑制發(fā)聲的實(shí)用性較高的層疊陶瓷電容器。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(第I實(shí)施方式)的俯視圖。
[0019]圖2是沿著圖1的S-S線的縱剖視圖。
[0020]圖3是表示圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器安裝在電路基板而成的結(jié)構(gòu)的局部縱首lJ視圖。
[0021 ]圖4是表示效果確認(rèn)用樣品I?5的規(guī)格與特性的圖。
[0022]圖5是適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(第2實(shí)施方式)的與圖2對(duì)應(yīng)的縱剖視圖。
[0023]圖6是表示效果確認(rèn)用樣品6的規(guī)格與特性的圖。
[0024]圖7是適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(第3實(shí)施方式)的與圖2對(duì)應(yīng)的縱剖視圖。
[0025]圖8是表示效果確認(rèn)用樣品7的規(guī)格與特性的圖。
[0026]圖9是適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(第4實(shí)施方式)的與圖2對(duì)應(yīng)的縱剖視圖。
[0027]圖10是表示效果確認(rèn)用樣品8的規(guī)格與特性的圖。
[0028]圖11是適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(第5實(shí)施方式)的與圖2對(duì)應(yīng)的縱剖視圖。
[0029]圖12是表示效果確認(rèn)用樣品9的規(guī)格與特性的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]《第I實(shí)施方式》
[0031]圖1及圖2表示適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10-1(第I實(shí)施方式)的基本結(jié)構(gòu)。該層疊陶瓷電容器10-1包含:以長(zhǎng)度L、寬度W及高度H規(guī)定的大致長(zhǎng)方體狀的電容器主體U、及分別設(shè)置在電容器主體11的長(zhǎng)度方向端部的外部電極12。
[0032]電容器主體11 一體地具有:電容部11a，將多個(gè)(圖中合計(jì)為32層)內(nèi)部電極層Ilal隔著電介質(zhì)層lla2(圖中合計(jì)為31層)在高度方向?qū)盈B而成；電介質(zhì)制上側(cè)保護(hù)部11b，位于多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal中最高層的內(nèi)部電極層Ilal的上側(cè)；及電介質(zhì)制下側(cè)保護(hù)部11c，位于多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal中最下層的內(nèi)部電極層Ilal的下側(cè)。順帶而言，在圖2中為便于圖示，而表示了合計(jì)32層的內(nèi)部電極層llal，但內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)并無(wú)特別限制。
[0033]電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal是各自的輪廓形狀大致相等的矩形，且各自的厚度也大致相等。而且，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2(包括被鄰接的內(nèi)部電極層Ilal夾隔的部分與未被夾隔的周圍部分的層)是各自的輪廓形狀大致相等且比內(nèi)部電極層Ilal的輪廓形狀大的矩形，且各自的厚度也大致相等。根據(jù)圖2可知，多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal是在長(zhǎng)度方向上交替地偏移，且自上而下地相當(dāng)于第奇數(shù)個(gè)的內(nèi)部電極層Ilal的端緣電性連接于左側(cè)的外部電極12，自上而下地相當(dāng)于第偶數(shù)個(gè)的內(nèi)部電極層Ilal的端緣電性連接于右側(cè)的外部電極12。
[0034]電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal包含各自組成相同的導(dǎo)體，且該導(dǎo)體中可優(yōu)選地使用以鎳、銅、鈀、鉬、銀、金、及它們的合金等為主成分的良導(dǎo)體。而且，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2包含各自的組成相同的電介質(zhì)，且該電介質(zhì)中可優(yōu)選地使用以鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等為主成分的電介質(zhì)陶瓷，更優(yōu)選ε > 1000或類別2 (高介電常數(shù)系)的電介質(zhì)陶瓷。順帶而言，本段落中所述的”組成相同”是指構(gòu)成成分相同，而并非表示構(gòu)成成分相同且各成分的含量相同。
[0035]上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成是和電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成相同。在該情況下，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)變得與電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)相等。而且，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc變?yōu)楹裼谏蟼?cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb，以使電容部IIa偏向位于電容器主體11的高度方向上側(cè)。順帶而言，本段落中所述的”組成相同”也表示構(gòu)成成分相同，而并非表示構(gòu)成成分相同且各成分的含量相同。
[0036]若將上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc分別以與電容器主體11的高度H之比表示，則厚度Tb優(yōu)選滿足Tb/H ( 0.06的條件，且，厚度Tc優(yōu)選滿足Tc/H ^ 0.20的條件。而且，若將上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc以兩者之比表示，則厚度Tb與厚度Tc優(yōu)選滿足Tc/Tb ^4.6的條件。進(jìn)而，若將電容器主體11的高度H與寬度W以兩者之比表示，則高度H與寬度W優(yōu)選滿足H > W的條件。
[0037]各外部電極12將電容器主體11的長(zhǎng)度方向端面、及與該端面鄰接的4側(cè)面的一部分覆蓋，且將覆蓋該4側(cè)面的一部分的部分的下表面用作安裝時(shí)的被接合面。雖省略圖示，但各外部電極12成為密接于電容器主體11的外表面的基底膜和密接于該基底膜的外表面的表面膜的2層結(jié)構(gòu)、或者在基底膜與表面膜之間具有至少I(mǎi)個(gè)中間膜的多層結(jié)構(gòu)?；啄ぐ绾娓蓪?dǎo)體膜，且該導(dǎo)體可優(yōu)選適用以鎳、銅、鈀、鉬、銀、金、及它們的合金等為主成分的良導(dǎo)體。而且，表面膜包含例如電鍍導(dǎo)體膜，且該導(dǎo)體中可優(yōu)選使用以錫、鈀、金、鋅、及它們的合金等為主成分的良導(dǎo)體。進(jìn)而，中間膜包含例如電鍍導(dǎo)體膜，且該導(dǎo)體中可優(yōu)選使用以鉬、鈀、金、銅、鎳、及它們的合金等為主成分的良導(dǎo)體。
[0038]此處，介紹圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1的優(yōu)選制造例。在電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的主成分、上側(cè)保護(hù)部Ilb的主成分及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇的情況下，首先，準(zhǔn)備含有鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)、及分散劑等添加劑的內(nèi)部電極層用糊，并且準(zhǔn)備含有鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)、及分散劑等添加劑的陶瓷漿料。
[0039]接著，使用涂布機(jī)等涂敷裝置與干燥裝置，在載體膜上涂敷陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第I生片。而且，使用絲網(wǎng)印刷機(jī)等印刷裝置與干燥裝置，在第I生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第2生片。
[0040]接著，使用沖切刀片及具有加熱器的吸附頭等層疊裝置，將自第I生片沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第2生片沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與電容部Ila對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第I生片沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與上側(cè)保護(hù)部Ilb對(duì)應(yīng)的部位。接著，使用熱等靜壓壓制機(jī)等主壓力接合裝置，將疊層各部位所得者最終進(jìn)行主熱壓接合，制作未煅燒層疊片。
[0041]而且，使用分割機(jī)等切斷裝置，將未煅燒層疊片切斷成格子狀，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未煅燒芯片。接著，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量的未煅燒芯片在還原性環(huán)境下、或低氧分壓環(huán)境下，以與鎳及鈦酸鋇相應(yīng)的溫度分布進(jìn)行煅燒(包含脫粘處理與煅燒處理)，制作煅燒芯片。
[0042]接著，使用滾簡(jiǎn)涂布機(jī)等涂布裝置，對(duì)煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊(沿用內(nèi)部電極層用糊)進(jìn)行干燥，且在所述同樣的環(huán)境下實(shí)施烘干處理，形成基底膜，在該基地膜之上，利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，制作外部電極12。順帶而言，各外部電極的基底膜可在對(duì)未煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊進(jìn)行干燥之后，通過(guò)將該電極糊與未煅燒芯片同時(shí)進(jìn)行煅燒而制作。
[0043]圖3表示圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1安裝在電路基板21所得的結(jié)構(gòu)。電路基板21具備與各外部電極12對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電性焊墊22，且各外部電極12的被接合面是使用焊料23而接合在各焊墊22的表面。各焊墊22的表面的輪廓形狀一般而言是比各外部電極12的被接合面的輪廓形狀大的矩形，因此，在安裝后的各外部電極12的端面12a，形成基于熔融焊料自由延展的填焊23a。順帶而言，圖3所示的Hf是以電容器主體11的下表面為基準(zhǔn)的填焊23a的最高點(diǎn)23al的高度。
[0044]此處，介紹圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1的優(yōu)選安裝例。首先，在電路基板21的各焊墊22上涂布適量的糊狀焊料。接著，以各外部電極12的被接合面與所涂布的糊狀焊料相接的方式，裝載層疊陶瓷電容器10-1。而且，利用回流焊接法等熱處理使糊狀焊料暫時(shí)熔融后進(jìn)行硬化，將各外部電極12的被接合面隔著焊料23接合于各焊墊22的表面。
[0045]圖4表示為確認(rèn)利用圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1所得的效果而準(zhǔn)備的樣品I?5的規(guī)格與特性。
[0046]圖4所示的樣品I?5是依據(jù)所述制造例而制作，且各個(gè)基本規(guī)格如下所述。
[0047]〈樣品I的基本規(guī)格>
[0048]電容器主體11的長(zhǎng)度L為1000 μ m，寬度W為500 μ m，且高度H為685 μ m。電容部Ila的厚度Ta為450 μ m,上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb為25 μ m,下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc為210 μ m。電容部Ila中所含的內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)為350層，電介質(zhì)層lla2的層數(shù)為349層，各內(nèi)部電極層Ilal的厚度為0.7 μ m，各電介質(zhì)層lla2的厚度為0.6 μ m。電容部Ila中所含的各內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的各電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部Ilb及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇。各外部電極12的厚度為1ymdf4側(cè)面的一部分覆蓋的部分的長(zhǎng)度為250 μ m。各外部電極12是以鎳為主成分的基底膜、以銅為主成分的中間膜、及以錫為主成分的表面膜的3層結(jié)構(gòu)。
[0049]〈樣品2的基本規(guī)格>
[0050]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc為320 μ m且電容器主體11的高度H為795 μ m以夕卜，與樣品I相同。
[0051 ]〈樣品3的基本規(guī)格>
[0052]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc為115 μ m且電容器主體11的高度H為590 μ m以夕卜，與樣品I相同。
[0053]〈樣品4的基本規(guī)格>
[0054]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc為475 μ m且電容器主體11的高度H為950 μ m以夕卜，與樣品I相同。
[0055]〈樣品5的基本規(guī)格>
[0056]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc為25 μ m且電容器主體11的高度H為500μπι以夕卜，與樣品I相同。
[0057]圖4的” Tb/H”數(shù)值是將上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb以與電容器主體11的高度H之比表示的數(shù)值(10個(gè)平均值)，”Tc/H”數(shù)值是將下側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tc以與電容器主體11的高度H之比表示的數(shù)值(10個(gè)平均值)，” Tc/Tb”數(shù)值是將上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc以兩者之比表示的數(shù)值(10個(gè)平均值)。
[0058]圖4的”發(fā)聲”數(shù)值是如下結(jié)果(10個(gè)平均值):使用各10個(gè)樣品I?5，制作下述安裝結(jié)構(gòu)，且在各10個(gè)安裝結(jié)構(gòu)中，對(duì)樣品I?5的外部電極12 —面施加交流電壓5V —面將頻率提高到O?1MHz，采用Briiel&Kjaer Japan制造的TYPe-3560_B130，將此時(shí)產(chǎn)生的可聽(tīng)區(qū)域的聲音強(qiáng)度(單位db)在防音、無(wú)回聲室(Yokohama Sound Environment Systems制造)中，單獨(dú)地進(jìn)行測(cè)定所得。
[0059]各安裝結(jié)構(gòu)是依據(jù)所述安裝例而制作，且各個(gè)基本規(guī)格如下所述。
[0060]〈安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格〉
[0061]電路基板21的厚度為150 μ m,且其主成分為環(huán)氧樹(shù)脂。各焊墊22的長(zhǎng)度為400 μ m,寬度為600 μ m,長(zhǎng)度方向間隔為400 μ m,厚度為15 μ m,且其主成分為銅。糊狀焊料為錫-銻系。糊狀焊料對(duì)各焊墊22上的涂布量以厚度換算為50 μ m。以各外部電極12的被接合面的寬度方向中心與各焊墊22的表面的寬度方向中心一致，且各外部電極12的端面與各焊墊22的表面的長(zhǎng)度方向中心大致一致的方式，裝載各樣品I?5。
[0062]發(fā)聲的理想上限值被認(rèn)為大體上為25db，所以，在圖4所示的樣品I?5中，樣品5因“發(fā)聲”數(shù)值超過(guò)25db而不能認(rèn)為對(duì)于抑制發(fā)聲有效，但樣品I?4的“發(fā)聲”數(shù)值均未達(dá)25db，因此，可認(rèn)為該樣品I?4、即圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1對(duì)于抑制發(fā)聲有效。
[0063]以下，在考慮圖4所示的樣品I?4的”Tb/H”數(shù)值、”Tc/H”數(shù)值、”Tc/Tb”數(shù)值、及”發(fā)聲”數(shù)值的基礎(chǔ)上，對(duì)圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1中適合抑制發(fā)聲的“Tb/H”數(shù)值范圍、” Tc/H”數(shù)值范圍、及” Tc/Tb”數(shù)值范圍進(jìn)行說(shuō)明。
[0064]<關(guān)于” Tb/H”的數(shù)值范圍>
[0065]欲使電容部Ila偏向位于電容器主體11的高度方向上側(cè)，則應(yīng)可盡量使上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb變薄。但是，為了在上側(cè)保護(hù)部Ilb獲得預(yù)期的保護(hù)效果，而在實(shí)用方面，至少需要20?35 μ m的厚度。若將作為該數(shù)值范圍上限值的35 μ m適用于樣品I?4，則“Tb/H”的最大值達(dá)到0.06，因此，可認(rèn)為上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度優(yōu)選滿足Tb/H ( 0.06的條件。而且，若將作為所述數(shù)值范圍下限值的20 μ m適用于樣品I?4，則”Tb/H”的最小值達(dá)到0.02，因此，可認(rèn)為上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb更優(yōu)選滿足0.02 ( Tb/H ( 0.06的條件。
[0066]<關(guān)于” Tc/H”的數(shù)值范圍>
[0067]對(duì)外部電極12施加交流電壓時(shí)產(chǎn)生的長(zhǎng)度方向的伸縮是如圖3中空箭頭所示，并非在高度方向均勻一致，而是在產(chǎn)生最高電場(chǎng)強(qiáng)度的電容部Ila出現(xiàn)最大伸縮量Dlla。上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc中所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度明顯低于電容部Ila的電場(chǎng)強(qiáng)度，且單獨(dú)觀察兩者時(shí)的伸縮量Dllb及Dllc明顯小于電容部Ila的伸縮量Dlla，但在上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilb的上部分，伴隨著電容部Ila伸縮的應(yīng)力不衰減地進(jìn)行傳遞。然而，若可在下側(cè)保護(hù)部Ilc確保與之相應(yīng)的厚度Tc，則可使自該下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分傳遞至下側(cè)的應(yīng)力逐漸衰減，從而逐漸減少伸縮量Dl lc。
[0068]另一面，在外部電極12的端面，在安裝時(shí)將形成圖3所示的填焊23a。該填焊23a是基于熔融焊料對(duì)于外部電極12的端面12a的自由延展，所以，即便焊料量相同，實(shí)際上，填焊23a的最高點(diǎn)23al的高度Hf也將出現(xiàn)變化。具體而言，即便非安裝不合格，也將產(chǎn)生填焊23a的最高點(diǎn)23al的高度Hf與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面大致相同的情況(參照實(shí)線)、此高度Hf變得高于下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面的情況(參照上側(cè)的2點(diǎn)鏈線)、或此高度Hf變得低于下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面的情況(參照下側(cè)的2點(diǎn)鏈線)。
[0069]無(wú)論何種情況均可共通地認(rèn)為，填焊23a成為最高點(diǎn)23al的厚度最薄,且朝向下方，厚度逐漸變厚的剖視形狀。即，由于在填焊23a的厚度較薄的部分預(yù)計(jì)產(chǎn)生可撓性，所以，即便填焊23a的最高點(diǎn)23al的高度Hf變得高于下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面的情況(參照上側(cè)的2點(diǎn)鏈線)，也可以利用所述可撓性吸收電容部Ila的伸縮量Dlla，或利用所述可撓性也能吸收下側(cè)保護(hù)部Ilc的最大伸縮量Dllc。對(duì)于后者的情況，無(wú)論填焊23a的最高點(diǎn)23al的高度Hf變得與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面大致相同的情況(參照實(shí)線)，還是此高度Hf變得低于下側(cè)保護(hù)部Ilc的上表面的情況(參照下側(cè)的2點(diǎn)鏈線)，均可視作相同。
[0070]簡(jiǎn)而言之，為了抑制圖3所示的安裝結(jié)構(gòu)中可能產(chǎn)生的發(fā)聲，若作為下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc，可確保用以可實(shí)現(xiàn)如前所述的傳遞應(yīng)力衰減與伸縮量吸收的厚度，則將有助于抑制發(fā)聲。就圖4所示的樣品I?4的”發(fā)聲”數(shù)值來(lái)看，若”Tc/H”為0.20以上，則可將發(fā)聲抑制到25db以下，因此，可認(rèn)為在圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1中，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc優(yōu)選滿足Tc/H彡0.20的條件。而且，就圖4所示的樣品I?4的”發(fā)聲”數(shù)值來(lái)看，可認(rèn)為盡量使下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc變厚對(duì)于抑制發(fā)聲較為有效，但若過(guò)度地使厚度Tc變厚，則電容器主體11的高度H與寬度W之比H/W變大，在安裝時(shí)將出現(xiàn)層疊陶瓷電容器10-1容易倒塌等擔(dān)憂。據(jù)此，鑒于圖4所示的樣品I?4的規(guī)格，” Tc/H”的上限值宜為樣品2的0.40，所以，可認(rèn)為在圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1中，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc更優(yōu)選滿足0.20 ( Tc/H ( 0.40的條件。
[0071]<關(guān)于” Tc/Tb”的數(shù)值范圍>
[0072]就圖4所示的樣品I?4的”發(fā)聲”數(shù)值來(lái)看，若”Tc/Tb”為4.6以上，則可將發(fā)聲抑制到25db以下，所以，可認(rèn)為上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc優(yōu)選滿足Tc/Tb彡4.6的條件。而且，為消除此前段落中所述的擔(dān)憂，”Tc/Tb”的上限值宜為樣品2的12.8，所以，可認(rèn)為在圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1中，上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc更優(yōu)選滿足4.6 < Tc/Tb ( 12.6的條件。
[0073]《第2實(shí)施方式》
[0074]圖5表示適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10-2(第2實(shí)施方式)的基本結(jié)構(gòu)。該層疊陶瓷電容器10-2與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1的不同之處在于:(Ml)上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成及下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成和電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成相同，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的除了上部分Ilcl以外的下部分llc2的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成。下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的厚度Tcl既可與上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb相同，也可以厚于或薄于上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb。順帶而言，圖5中為便于圖示，而表示了合計(jì)32層的內(nèi)部電極層llal，但與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1相同，對(duì)于內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)并無(wú)特別限制。
[0075]此前段落中所述的”組成相同”是表示構(gòu)成成分相同，而并非表示各成分的含量相同。而且，此前階段中所述的”組成不同”除了表示構(gòu)成成分不同，也表示構(gòu)成成分相同但含量不同。作為實(shí)現(xiàn)此前段落中所述的”組成不同”的方法，可例示不改變下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類而改變副成分的含量或種類的方法、及改變下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類的方法。
[0076]如果將抑制發(fā)聲作為前提，則在此前段落中所述的前者方法中，優(yōu)選使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2含有使之低介電常數(shù)化那樣的副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等堿土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr 等過(guò)渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb,Lu等稀土類元素中的I種以上。而且，在此前段落中所述的后者方法中，作為下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，理想的是選擇使之低介電常數(shù)化那樣的電介質(zhì)陶瓷。在該情況下，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)變得與電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)相等，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的介電常數(shù)變得低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)。
[0077]此處，介紹圖5所示的層疊陶瓷電容器10-2的優(yōu)選制造例。在電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部Ilb及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇的情況下，首先，準(zhǔn)備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)及散劑等添加劑的內(nèi)部電極層用糊，并且準(zhǔn)備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)及分散劑等添加劑的第I陶瓷漿料、以及在第I陶瓷漿料中適量添加MgO所得的第2陶瓷漿料。
[0078]接著，利用涂布機(jī)等涂敷裝置及干燥裝置，在載體膜上涂敷第I陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第I生片，并且在另外的載體膜上涂敷第2陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第2生片(含有MgO)。而且，使用絲網(wǎng)印刷機(jī)等印刷裝置與干燥裝置，在第I生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第3生片。
[0079]接著，使用沖切刀片及具有加熱器的吸附頭等層疊裝置，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第I生片沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第3生片沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與電容部Ila對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第I生片沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與上側(cè)保護(hù)部Ilb對(duì)應(yīng)的部位。接著，使用熱等靜壓壓制機(jī)等主壓力接合裝置，將各部位依序地疊層所得者最終進(jìn)行主熱壓接合，制作未煅燒層疊片。
[0080]接著，使用分割機(jī)等切斷裝置，將未煅燒層疊片切斷成格子狀，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未煅燒芯片。接著，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量的未煅燒芯片在還原性環(huán)境下、或低氧分壓環(huán)境下，以與鎳及鈦酸鋇相應(yīng)的溫度分布實(shí)施煅燒(包含脫粘處理與煅燒處理)，制作煅燒芯片。
[0081]接著，使用滾簡(jiǎn)涂布機(jī)等涂布裝置，在煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊(沿用內(nèi)部電極層用糊)進(jìn)行干燥，在所述相同的環(huán)境下進(jìn)行烘干處理，形成基底膜，且在該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，制作外部電極12。順帶而言，各外部電極的基底膜也可以在對(duì)未煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊進(jìn)行干燥之后，通過(guò)將該電極糊與未煅燒芯片同時(shí)進(jìn)行煅燒而制作。
[0082]另外，圖5所示的層疊陶瓷電容器10-2安裝在電路基板21而成的結(jié)構(gòu)及其優(yōu)選安裝例因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的安裝結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D3)及優(yōu)選安裝例相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0083]圖6表示為確認(rèn)利用圖5所示的層疊陶瓷電容器10-2獲得的效果而準(zhǔn)備的樣品6的規(guī)格與特性。順帶而言，圖6中，為進(jìn)行比較而合并記載圖4所示的樣品I的規(guī)格與特性。
[0084]圖6所示的樣品6是依據(jù)所述制造例而制作，且其基本規(guī)格如下所述。
[0085]〈樣品6的基本規(guī)格>
[0086]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc (210 μ m)中，上部分Ilcl的厚度Tcl為25 μ m且下部分llc2的厚度Tc2為185 μ m，且下部分llc2含有Mg以外，與樣品I相同。
[0087]另外，圖6的” Tb/H”數(shù)值、” Tc/H”數(shù)值及” Tc/Tb”數(shù)值的計(jì)算方法、”發(fā)聲”數(shù)值的測(cè)定方法、及用于測(cè)定的安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格，因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的計(jì)算方法、測(cè)定方法、及安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0088]如先前所述，由于認(rèn)為發(fā)聲的理想上限值大體上為25db，所以，可認(rèn)為圖6所示的樣品6、即圖5所示的層疊陶瓷電容器10-2對(duì)于抑制發(fā)聲較為有效。當(dāng)然，圖5所示的層疊陶瓷電容器10-2中，也可以適用所述第I實(shí)施例欄中所述的適于抑制發(fā)聲的“Tb/H”數(shù)值范圍、“Tc/H”數(shù)值范圍、及“Tc/Tb ”數(shù)值范圍。
[0089]而且，可通過(guò)使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的介電常數(shù)低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)，而降低安裝狀態(tài)下施加電壓時(shí)產(chǎn)生于下側(cè)保護(hù)部Ilc的電場(chǎng)強(qiáng)度，更確實(shí)地實(shí)施所述第I實(shí)施方式欄中所述的傳遞應(yīng)力的衰減，從而有助于抑制發(fā)聲。
[0090]進(jìn)而，由于下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成、上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成，因此，可基于與其他部分不同的下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的外觀顏色，簡(jiǎn)單地判別安裝層疊陶瓷電容器10-2時(shí)的上下方向。
[0091]另外，在前面所述的制造例與樣品6中，為補(bǔ)充本第2實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件Ml，而例示使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2含有Mg的情況，但無(wú)論使該下部分llc2含有Mg以外的選自Ca、Sr等堿土類金屬元素的I種，或者含有2種以上的堿土類金屬元素(包含Mg)，均可獲得所述同樣的效果。而且，使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2，無(wú)論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過(guò)渡金屬元素的I種以上，還是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素的I種以上，而取代堿土類金屬元素，均可獲得所述同樣的效果。即，若使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2，含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上，則可獲得所述同樣的效果。當(dāng)然，在電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部lib、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上的情況下，若使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2中所含的含量多于該含量，則可獲得所述同樣的效果。進(jìn)而，即便為補(bǔ)充本第2實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M1，而使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部lib、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，仍可獲得所述同樣的效果。
[0092]《第3實(shí)施方式》
[0093]圖7表示適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10-3(第3實(shí)施方式)的基本結(jié)構(gòu)。該層疊陶瓷電容器10-3與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1不同之處在于:(M2)上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成相同，且上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成。順帶而言，圖7中為便于圖示而表示合計(jì)32層的內(nèi)部電極層llal，但與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1相同，對(duì)于內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)并無(wú)特別限制。
[0094]此前段落中所述的”組成相同”表示構(gòu)成成分相同，而并非表示各成分的含量相同。而且，此前階段中所述的”組成不同”除了表示構(gòu)成成分不同，也表示構(gòu)成成分相同且含量不同。作為實(shí)現(xiàn)此前段落中所述的”組成不同”的方法，可例示不改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類而改變副成分的含量或種類的方法、及改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類的方法。
[0095]若將抑制發(fā)聲作為前提，則在此前段落中所述的前者的方法中，優(yōu)選使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有使其等低介電常數(shù)化那樣的副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等堿土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr 等過(guò)渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中的I種以上。而且，在此前段落中所述的后者的方法中，作為上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，理想的是選擇使其等低介電常數(shù)化那樣的電介質(zhì)陶瓷。在該情況下，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)變得相等，且上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)變得低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)。
[0096]此處，介紹圖7所示的層疊陶瓷電容器10-3的優(yōu)選制造例。在電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部lib、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇的情況下，首先，準(zhǔn)備含有鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)、及分散劑等添加劑的內(nèi)部電極層用糊，并且準(zhǔn)備含有鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)、分散劑等添加劑的第I陶瓷漿料、及在第I陶瓷漿料中適量添加MgO所得的第2陶瓷漿料。
[0097]接著，使用涂布機(jī)等涂敷裝置與干燥裝置，在載體膜上涂敷第I陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第I生片，并且在另外的載體膜上涂敷第2陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第2生片(含有MgO)。而且，使用絲網(wǎng)印刷機(jī)等印刷裝置與干燥裝置，在第I生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第3生片，并且在第2生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第4生片(含有MgO)。
[0098]接著，使用沖切刀片及具有加熱器的吸附頭等層疊裝置，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc對(duì)應(yīng)的部位。接著，在自第4生片(含有MgO)沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)之上，將自第3生片沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與電容部Ila對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與上側(cè)保護(hù)部Ilb對(duì)應(yīng)的部位。接著，使用熱等靜壓壓制機(jī)等主壓力接合裝置，將各部位依序疊層所得者最終進(jìn)行主熱壓接合，制作未煅燒層疊片。
[0099]接著，使用分割機(jī)等切斷裝置，將未煅燒層疊片切斷成格子狀，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未煅燒芯片。然后，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量的未煅燒芯片在還原性環(huán)境下、或低氧分壓環(huán)境下，以與鎳及鈦酸鋇相應(yīng)的溫度分布進(jìn)行煅燒(包含脫粘處理與煅燒處理)，制作煅燒芯片。
[0100]接著，使用滾簡(jiǎn)涂布機(jī)等涂布裝置，在煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊(沿用內(nèi)部電極層用糊)進(jìn)行干燥，在所述同樣的環(huán)境下進(jìn)行烘干處理，形成基底膜，且在該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，制作外部電極12。順帶而言，各外部電極的基底膜也可以在對(duì)未煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊進(jìn)行干燥之后，通過(guò)將該電極糊與未煅燒芯片同時(shí)進(jìn)行煅燒而制作。
[0101]另外，圖7所示的層疊陶瓷電容器10-3安裝在電路基板21所得的結(jié)構(gòu)及其優(yōu)選安裝例因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的安裝結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D3)及優(yōu)選安裝例相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0102]圖8表示為確認(rèn)利用圖7所示的層疊陶瓷電容器10-3獲得的效果而準(zhǔn)備的樣品7的規(guī)格與特性。順帶而言，圖8中為進(jìn)行比較而合并記載圖4所示的樣品I的規(guī)格與特性。
[0103]圖8所示的樣品7是依據(jù)所述制造例而制作，且其基本規(guī)格如下所述。
[0104]〈樣品7的基本規(guī)格>
[0105]除了上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有Mg以外，與樣品I相同。
[0106]另外，圖8的” Tb/H”數(shù)值、” Tc/H”數(shù)值、及” Tc/Tb”數(shù)值的計(jì)算方法、”發(fā)聲”數(shù)值的測(cè)定方法、及用于測(cè)定的安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的計(jì)算方法、測(cè)定方法、及安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0107]如先前所述，可認(rèn)為發(fā)聲的理想上限值大體上為25db，所以，可認(rèn)為圖8所示的樣品7、即圖7所示的層疊陶瓷電容器10-3對(duì)于抑制發(fā)聲較為有效。當(dāng)然，圖7所示的層疊陶瓷電容器10-3中，也可以適用所述第I實(shí)施例欄中所述的適于抑制發(fā)聲的”Tb/H”的數(shù)值范圍、” Tc/H”的數(shù)值范圍、及” Tc/Tb”的數(shù)值范圍。
[0108]而且，可通過(guò)使下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)，而降低安裝狀態(tài)下施加電壓時(shí)產(chǎn)生于下側(cè)保護(hù)部Ilc的電場(chǎng)強(qiáng)度，更確實(shí)地實(shí)施所述第I實(shí)施方式欄中所述的傳遞應(yīng)力的衰減，從而有助于抑制發(fā)聲。
[0109]進(jìn)而，由于上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成，并且，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc厚于上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb，所以，可基于與其他部分不同的上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的外觀顏色、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc，簡(jiǎn)單地判別安裝層疊陶瓷電容器10-3時(shí)的上下方向。
[0110]另外，在前面所述的制造例與樣品7中，為補(bǔ)充本第3實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M2，而例示了使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有Mg的情況，但即便使該上側(cè)保護(hù)部Ilb及下側(cè)保護(hù)部Ilc含有選自Mg以外的Ca、Sr等堿土類金屬元素中的I種，或含有
2種以上堿土類金屬元素(含有Mg)，均可獲得所述同樣的效果。而且，使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc無(wú)論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過(guò)渡金屬元素中的I種以上，還是含有選自 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 等稀土類元素中的 I 種以上，而取代堿土類金屬元素，均可獲得所述同樣的效果。即，若使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部11c，含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上，則可獲得所述同樣的效果。當(dāng)然，在電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上的情況下，若相較該含量而增加上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc中所含的含量，則可獲得所述同樣的效果。進(jìn)而，即便為補(bǔ)充本第3實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M2，而使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，仍可獲得所述同樣的效果。
[0111]《第4實(shí)施方式》
[0112]圖9表示適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10-4(第4實(shí)施方式)的基本結(jié)構(gòu)。該層疊陶瓷電容器10-4與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1不同之處在于:(M3)上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成不同，且上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成。順帶而言，圖9中為便于圖示而表示合計(jì)32層的內(nèi)部電極層llal，但與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1相同，內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)并無(wú)特別限制。
[0113]此前階段中所述的”組成不同”除了表示構(gòu)成成分不同，還表示構(gòu)成成分相同但含量不同。作為實(shí)現(xiàn)此前段落中所述的”組成不同”的方法，可例示不改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類而改變副成分的含量或種類的方法、及改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類的方法。
[0114]若將抑制發(fā)聲作為前提，則在此前段落中所述的前者的方法中，優(yōu)選使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有使其等低介電常數(shù)化的副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等堿土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr 等過(guò)渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb,Lu等稀土類元素中的I種以上，且，使下側(cè)保護(hù)部Ilc的含量相較上側(cè)保護(hù)部Ilb的含量増加。而且，在此前段落中所述的后者的方法中，作為上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，理想的是選擇使其等低介電常數(shù)化那樣的2種電介質(zhì)陶瓷。在該情況下，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)變得低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)變得低于上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)。
[0115]此處，介紹圖9所示的層疊陶瓷電容器10-4的優(yōu)選制造例。在電容部Ila中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部lib、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇的情況，首先，準(zhǔn)備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)、及分散劑等添加劑的內(nèi)部電極層用糊，并且準(zhǔn)備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)、及分散劑等添加劑的第I陶瓷漿料、在第I陶瓷漿料中適量添加MgO所得的第2陶瓷漿料、及在第I陶瓷漿料中比第2陶瓷漿料添加更多的MgO所得的第3陶瓷漿料。
[0116]接著，使用涂布機(jī)等涂敷裝置與干燥裝置，在載體膜上涂敷第I陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第I生片，并且在另外的載體膜上涂敷第2陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第2生片(含有MgO)，且在另外的載體膜上涂敷第3陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第3生片(含有MgO)。而且，使用絲網(wǎng)印刷機(jī)等印刷裝置與干燥裝置，在第I生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第4生片，并且在第3生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第5生片(含有MgO)。
[0117]接著，使用沖切刀片及具有加熱器的吸附頭等層疊裝置，將自第3生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc對(duì)應(yīng)的部位。接著，在自第5生片(含有MgO)沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)之上，將自第4生片沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與電容部Ila對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與上側(cè)保護(hù)部Ilb對(duì)應(yīng)的部位。接著，使用熱等靜壓壓制機(jī)等主壓力接合裝置，將各部位依序疊層所得者最終進(jìn)行主熱壓接合，制作未煅燒層疊片。
[0118]接著，使用分割機(jī)等切斷裝置，將未煅燒層疊片切斷成格子狀，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未煅燒芯片。然后，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量的未煅燒芯片在還原性環(huán)境下、或低氧分壓環(huán)境下，以與鎳及鈦酸鋇相應(yīng)的溫度分布實(shí)施煅燒(包含脫粘處理與煅燒處理)，制作煅燒芯片。
[0119]接著，使用滾簡(jiǎn)涂布機(jī)等涂布裝置，在煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊(沿用內(nèi)部電極層用糊)進(jìn)行干燥，在所述同樣的環(huán)境下進(jìn)行烘干處理，形成基底膜，且在該基底膜之上利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜與表面膜，制作外部電極12。順帶而言，各外部電極的基底膜可在對(duì)未煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊進(jìn)行干燥之后，通過(guò)將該電極糊與未煅燒芯片同時(shí)進(jìn)行煅燒而制作。
[0120]另外，圖9所示的層疊陶瓷電容器10-4安裝在電路基板21而成的結(jié)構(gòu)及其優(yōu)選安裝例因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的安裝結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D3)及優(yōu)選安裝例相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0121]圖10表示為確認(rèn)利用圖9所示的層疊陶瓷電容器10-4獲得的效果而準(zhǔn)備的樣品8的規(guī)格與特性。順帶而言，圖10中，為進(jìn)行比較而合并記載圖4所示的樣品I的規(guī)格與特性。
[0122]圖10所示的樣品8是依據(jù)所述制造例而制作，且其基本規(guī)格如下所述。
[0123]〈樣品8的基本規(guī)格>
[0124]除了上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有Mg，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的Mg含量多于上側(cè)保護(hù)部Ilb的Mg含量以外，與樣品I相同。
[0125]另外，圖10的”Tb/H”數(shù)值、”Tc/H”數(shù)值、及”Tc/Tb”數(shù)值的計(jì)算方法、”發(fā)聲”數(shù)值的測(cè)定方法、以及用于測(cè)定的安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的計(jì)算方法、測(cè)定方法、安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0126]如先前所述，可認(rèn)為發(fā)聲的理想上限值大體上為25db，所以，可認(rèn)為圖10所示的樣品8、即圖9所示的層疊陶瓷電容器10-4對(duì)于抑制發(fā)聲較為有效。當(dāng)然，圖9所示的層疊陶瓷電容器10-4中，也可以適用所述第I實(shí)施例欄中所述的適于抑制發(fā)聲的” Tb/H”的數(shù)值范圍、” Tc/H”的數(shù)值范圍、及” Tc/Tb ”的數(shù)值范圍。
[0127]而且，可通過(guò)使下側(cè)保護(hù)部Ilc的介電常數(shù)低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)，而降低安裝狀態(tài)下施加電壓時(shí)產(chǎn)生于下側(cè)保護(hù)部Ilc的電場(chǎng)強(qiáng)度，更確實(shí)地進(jìn)行所述第I實(shí)施方式欄中所述的傳遞應(yīng)力的衰減，從而有助于抑制發(fā)聲。
[0128]進(jìn)而，由于上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成，并且，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc厚于上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb，所以，可基于與其他部分不同的上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的外觀顏色、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc，簡(jiǎn)單地判別安裝層疊陶瓷電容器10-4時(shí)的上下方向。
[0129]另外，在前面所述的制造例與樣品8中，為補(bǔ)充本第4實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M3，而例示了使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有Mg的情況，但即便使該上側(cè)保護(hù)部Ilb及下側(cè)保護(hù)部11c，含有選自Mg以外的Ca、Sr等堿土類金屬元素中的I種，或者含有2種以上的堿土類金屬元素(含有Mg)，仍可獲得所述同樣的效果。而且，使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc無(wú)論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過(guò)渡金屬元素中的I種以上，還是含有選自 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 等稀土類元素中的 I 種以上，而取代堿土類金屬元素，仍可獲得所述同樣的效果。即，若使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上，則可獲得所述同樣的效果。當(dāng)然，在電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上的情況下，若相較該含量使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc中所含的含量増加，則可獲得所述同樣的效果。進(jìn)而，即便為補(bǔ)充本第4實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M3，而使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，仍可獲得所述同樣的效果。
[0130]《第5實(shí)施方式》
[0131]圖11表示適用本發(fā)明的層疊陶瓷電容器10-5(第5實(shí)施方式)的基本結(jié)構(gòu)。該層疊陶瓷電容器10-5與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1不同之處在于:(M4)上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成相同，上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的除了上部分Ilcl以外的下部分llc2的組成不同于上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成、及電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成。順帶而言，圖11中為便于圖示而表示合計(jì)32層的內(nèi)部電極層llal，但與圖1及圖2所示的層疊陶瓷電容器10-1相同，內(nèi)部電極層Ilal的層數(shù)并無(wú)特別限制。
[0132]此前階段中所述的”組成不同”除了表示構(gòu)成成分不同，還表示構(gòu)成成分相同但含量不同。作為實(shí)現(xiàn)此前段落中所述的”組成不同”的方法，可例示不改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類而改變副成分的含量或種類的方法、及改變上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類的方法。
[0133]若將抑制發(fā)聲作為前提，則在此前段落中所述的前者的方法中，優(yōu)選使上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl及下部分llc2含有使其等低介電常數(shù)化那樣的副成分、例如選自Mg、Ca、Sr等堿土類金屬元素；Mn、V、Mo、W、Cr等過(guò)渡金屬元素；La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類元素中的I種以上,且使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的含量相較上側(cè)保護(hù)部Ilb的含量與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的含量増加。而且，在此前段落中所述的后者的方法中，作為上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，理想的是選擇使其等低介電常數(shù)化那樣的2種電介質(zhì)陶瓷。在該情況下，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)變得相等，上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)變得低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的介電常數(shù)變得低于上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)。
[0134]此處，介紹圖11所示的層疊陶瓷電容器10-5的優(yōu)選制造例。在電容部I Ia中所含的多個(gè)內(nèi)部電極層Ilal的主成分為鎳，電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2、上側(cè)保護(hù)部Ilb及下側(cè)保護(hù)部Ilc的主成分為鈦酸鋇的情況下，首先，準(zhǔn)備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)、及分散劑等添加劑的內(nèi)部電極層用糊，并且準(zhǔn)備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)、及分散劑等添加劑的第I陶瓷漿料、在第I陶瓷漿料中適量添加MgO而成的第2陶瓷漿料、及在第I陶瓷漿料中比第2陶瓷漿料添加更多的MgO而成的第3陶瓷漿料。
[0135]接著，使用涂布機(jī)等涂敷裝置與干燥裝置，在載體膜上涂覆第I陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第I生片，并且在另外的載體膜上涂覆第2陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第2生片(含有MgO)，且在另外的載體膜上涂覆第3陶瓷漿料進(jìn)行干燥，制作第3生片(含有MgO)。而且，使用絲網(wǎng)印刷機(jī)等印刷裝置與干燥裝置，在第I生片上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第4生片，并且在第2生片(含有MgO)上矩陣狀或鋸齒狀地印刷內(nèi)部電極層用糊進(jìn)行干燥，制作形成有內(nèi)部電極層用圖案群的第5生片(含有MgO)。
[0136]接著，使用沖切刀片及具有加熱器的吸附頭等層疊裝置，將自第3生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl對(duì)應(yīng)的部位。接著，在自第5生片(含有MgO)沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)之上，將自第4生片沖切所得的單位片材(包含內(nèi)部電極層用圖案群)疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與電容部Ila對(duì)應(yīng)的部位。接著，將自第2生片(含有MgO)沖切所得的單位片材疊層至特定片數(shù)進(jìn)行熱壓接合，制作與上側(cè)保護(hù)部Ilb對(duì)應(yīng)的部位。接著，使用熱等靜壓壓制機(jī)等主壓力接合裝置，將各部位依序疊層所得者最終進(jìn)行主熱壓接合，制作未煅燒層疊片。
[0137]接著，使用分割機(jī)等切斷裝置，將未煅燒層疊片切斷成格子狀，制作與電容器主體11對(duì)應(yīng)的未煅燒芯片。接著，使用隧道型煅燒爐等煅燒裝置，將大量的未煅燒芯片在還原性環(huán)境下、或低氧分壓環(huán)境下，以與鎳及鈦酸鋇相應(yīng)的溫度分布實(shí)施煅燒(包含脫粘處理與煅燒處理)，制作煅燒芯片。
[0138]接著，使用滾簡(jiǎn)涂布機(jī)等涂布裝置，在煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊(沿用內(nèi)部電極層用糊)進(jìn)行干燥，且在所述同樣的環(huán)境下進(jìn)行烘干處理，形成基底膜，且在該基底膜之上，利用電解電鍍等電鍍處理形成表面膜、或中間膜及表面膜，制作外部電極12。順帶而言，各外部電極的基底膜可在未煅燒芯片的長(zhǎng)度方向端部分別涂布電極糊進(jìn)行干燥之后，通過(guò)將該電極糊與未煅燒芯片同時(shí)進(jìn)行煅燒而制作。
[0139]另外，圖11所示的層疊陶瓷電容器10-5安裝在電路基板21所得的結(jié)構(gòu)及其優(yōu)選安裝例因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的安裝結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D3)及優(yōu)選安裝例相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0140]圖12表示為確認(rèn)利用圖11所示的層疊陶瓷電容器10-5獲得的效果而準(zhǔn)備的樣品9的規(guī)格與特性。順帶而言，在圖12中，為進(jìn)行比較而合并記載圖4所示的樣品I的規(guī)格與特性。
[0141]圖12所示的樣品9是依據(jù)所述制造例而制作，且其基本規(guī)格如下所述。
[0142]〈樣品9的基本規(guī)格>
[0143]除了下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc (210 μ m)中，上部分Ilcl的厚度Tcl為25 μ m，下部分llc2的厚度Tc2為185 μ m，上部分IIcl、下部分llc2及上側(cè)保護(hù)部Ilb含有Mg，且下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的Mg含量多于上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的Mg含量以外，與樣品I相同。
[0144]另外，圖12的”Tb/H”數(shù)值、”Tc/H”數(shù)值、及”Tc/Tb”數(shù)值的計(jì)算方法、”發(fā)聲”數(shù)值的測(cè)定方法、及用于測(cè)定的安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格，因與所述第I實(shí)施方式欄中所述的計(jì)算方法、測(cè)定方法及安裝結(jié)構(gòu)的基本規(guī)格相同，而將各自的說(shuō)明省略。
[0145]如先前所述，可認(rèn)為發(fā)聲的理想上限值大體上為25db，因此，可認(rèn)為圖12所示的樣品9、即圖11所示的層疊陶瓷電容器10-5對(duì)于抑制發(fā)聲較為有效。當(dāng)然，圖11所示的層疊陶瓷電容器10-5中，也可以適用所述第I實(shí)施例欄中所述的適于抑制發(fā)聲的“Tb/H”的數(shù)值范圍、“Tc/H”的數(shù)值范圍、及“Tc/Tb”的數(shù)值范圍。
[0146]而且，可通過(guò)使上側(cè)保護(hù)部Ilb的介電常數(shù)與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)低于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的介電常數(shù)，且使下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的介電常數(shù)低于下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的介電常數(shù)，而降低安裝狀態(tài)下施加電壓時(shí)產(chǎn)生于下側(cè)保護(hù)部Ilc的電場(chǎng)強(qiáng)度，更確實(shí)地進(jìn)行所述第I實(shí)施方式欄中所述的傳遞應(yīng)力的衰減，從而有助于抑制發(fā)聲。
[0147]進(jìn)而，由于上側(cè)保護(hù)部Ilb的組成與下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分Ilcl的組成及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的組成不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的組成，并且，下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc厚于上側(cè)保護(hù)部Ilb的厚度Tb，所以，可基于與其他部分不同的上側(cè)保護(hù)部Ilb與下側(cè)保護(hù)部Ilc的外觀顏色、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc，簡(jiǎn)單地判別安裝層疊陶瓷電容器10-5時(shí)的上下方向。
[0148]另外，在前面所述的制造例與樣品9中，為補(bǔ)充本第5實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M4，而例示了使上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2含有Mg的情況，但即便使該上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2含有選自Mg以外的Ca、Sr等堿土類金屬元素中的I種，或者含有2種以上的堿土類金屬元素(含有Mg)，均可獲得所述同樣的效果。而且，使上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2，無(wú)論含有選自Mn、V、Mo、W、Cr等過(guò)渡金屬元素中的I種以上，還是含有選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H0、Er、Tm、Yb、LU等稀土類元素中的I種以上，均可獲得所述同樣的效果。S卩，若使上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上，則可獲得所述同樣的效果。當(dāng)然，在電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2含有選自所述堿土類金屬元素、所述過(guò)渡金屬元素、及所述稀土類元素中的I種以上的情況下，若相較該含量，使上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2中所含的含量増加，則可獲得所述同樣的效果。進(jìn)而，即便為補(bǔ)充本第5實(shí)施方式欄的開(kāi)頭中所述的要件M4，而使上側(cè)保護(hù)部lib、下側(cè)保護(hù)部Ilc的上部分llcl、及下側(cè)保護(hù)部Ilc的下部分llc2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)的種類不同于電容部Ila中所含的多個(gè)電介質(zhì)層lla2的主成分(電介質(zhì)陶瓷)，仍可獲得所述同樣的效果。
[0149]《其他實(shí)施方式》
[0150](I)在第I實(shí)施方式欄?第5實(shí)施方式欄中，例不了電容器主體11的高度H大于寬度W的層疊陶瓷電容器10-1?10-5，但在可使電容部Ila的厚度Ta變薄的情況下，無(wú)論電容器主體的高度H與寬度W相同，還是電容器主體的高度H小于寬度W，均可使下側(cè)保護(hù)部Ilc的厚度Tc厚于上側(cè)保護(hù)Ilb的厚度Tb，使電容部Ila偏向位于電容器主體11的高度方向上側(cè)。
[0151](2)在第2實(shí)施方式欄與第5實(shí)施方式欄中，作為電容器主體11的下側(cè)保護(hù)層Ilc的下部分llc2，例示了將電介質(zhì)陶瓷作為主成分的情況，但也可以利用電介質(zhì)陶瓷以外的電介質(zhì)、例如L1-Si系、B-Si系、L1-S1-Ba系、B-S1-Ba系玻璃、或使氧化硅或氧化鋁等填充劑分散在其等中所得的玻璃、及環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺等熱硬化性塑料形成該下部分llc2。在該情況下，優(yōu)選如下方法:在第2實(shí)施方式欄及第5實(shí)施方式欄中所述的制造例的未煅燒層疊片的步驟中，制作將下側(cè)保護(hù)層Ilc的下部分llc2去除所得者之后，對(duì)其利用粘合劑等貼合與該下部分llc2對(duì)應(yīng)的片狀物等。
[0152][符號(hào)的說(shuō)明]
[0153]10、10-1、10-2、10-3、10-4、10-5 層疊陶瓷電容器
[0154]11電容器主體
[0155]L電容器主體的長(zhǎng)度
[0156]W電容器主體的寬度
[0157]H電容器主體的長(zhǎng)度
[0158]Ila電容部
[0159]Ilal內(nèi)部電極層
[0160]lla2電介質(zhì)層
[0161]Ilb上側(cè)保護(hù)部
[0162]Ilc下側(cè)保護(hù)部
[0163]Ilcl下側(cè)保護(hù)部的上部分
[0164]llc2下側(cè)保護(hù)部的下部分
[0165]Ta電容部的厚度
[0166]Tb上側(cè)保護(hù)部的厚度
[0167]Tc下側(cè)保護(hù)部的厚度
[0168]12外部電極。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊陶瓷電容器，包含以長(zhǎng)度、寬度及高度規(guī)定的大致長(zhǎng)方體狀的電容器主體、及分別設(shè)置在所述電容器主體的長(zhǎng)度方向端部的外部電極，且 所述電容器主體一體地具有:電容部，將多個(gè)內(nèi)部電極層隔著電介質(zhì)層在高度方向上層疊而成；電介質(zhì)制上側(cè)保護(hù)部，位于所述多個(gè)內(nèi)部電極層中的最高層的內(nèi)部電極層的上側(cè)；及電介質(zhì)制下側(cè)保護(hù)部，位于所述多個(gè)內(nèi)部電極層中的最下層的內(nèi)部電極層的下側(cè)； 所述下側(cè)保護(hù)部的厚度厚于所述上側(cè)保護(hù)部的厚度，以使所述電容部偏向位于所述電容器主體的高度方向上側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中 當(dāng)將所述電容器主體的高度設(shè)為H，所述上側(cè)保護(hù)部的厚度設(shè)為T(mén)b，且所述下側(cè)保護(hù)部的厚度設(shè)為T(mén)c時(shí)，所述高度H與所述厚度Tb滿足Tb/H ( 0.06的條件，且，所述高度H與所述厚度Tc滿足Tc/H彡0.20的條件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中 當(dāng)將所述上側(cè)保護(hù)部的厚度設(shè)為T(mén)b，所述下側(cè)保護(hù)部的厚度設(shè)為T(mén)c時(shí)，所述厚度Tb與所述厚度Tc滿足Tc/Tb ^ 4.6的條件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 當(dāng)將所述電容器主體的高度設(shè)為H，寬度設(shè)為W時(shí)，所述高度H與所述寬度W滿足H >W的條件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述上側(cè)保護(hù)部的組成及所述下側(cè)保護(hù)部的組成和所述電介質(zhì)層的組成相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述上側(cè)保護(hù)部的組成及所述下側(cè)保護(hù)部的上部分的組成和所述電介質(zhì)層的組成相同，且 所述下側(cè)保護(hù)部的除上部分以外的下部分的組成不同于所述電介質(zhì)層的組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的組成相同，且 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的組成不同于所述電介質(zhì)層的組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的組成不同，且 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的組成均不同于所述電介質(zhì)層的組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的上部分的組成相同，且 所述上側(cè)保護(hù)部的組成與所述下側(cè)保護(hù)部的上部分的組成不同于所述電介質(zhì)層的組成， 所述下側(cè)保護(hù)部的除上部分以外的下部分的組成和所述上側(cè)保護(hù)部的組成、所述下側(cè)保護(hù)部的上部分的組成、及所述電介質(zhì)層的組成均不相同。
【文檔編號(hào)】H01G4/30GK104425128SQ201410433375
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】柴崎龍一, 佐佐木真一, 齋藤直樹(shù), 鈴木貴文 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社