欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

電容元件的制造方法及制造裝置制造方法

文檔序號:7058666閱讀:211來源:國知局
電容元件的制造方法及制造裝置制造方法【專利摘要】電容元件的制造方法包括:將母塊行狀分割,從而單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊(21)的工序;使多個層疊體塊(21)分別滾動的工序;以及將滾動之后的多個層疊體塊(21)列狀分割,從而單片化為具有近似長方體形的多個層疊體芯片的工序。使多個層疊體塊(21)分別滾動的工序包含以下工序:即,使載放在平臺42上的多個層疊體塊(21)沿著該多個層疊體塊(21)排列的方向移動,從而依次被平臺(42)的端部(42b)推開而從該端部(42b)旋轉(zhuǎn)掉落,旋轉(zhuǎn)掉落后的多個層疊體塊(21)分別在平臺(42)之外的區(qū)域著地?!緦@f明】電容元件的制造方法及制造裝置【
技術(shù)領(lǐng)域
】[0001]本發(fā)明涉及作為電子元器件的電容元件的制造方法及制造裝置,尤其涉及具備基體部的近似長方體形的電容元件的制造方法,其中,該基體部包含沿著規(guī)定方向交替層疊的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層?!?br>背景技術(shù)
】[0002]近年來,作為電容元件的層疊陶瓷電容器在小型化及大容量化方面獲得了飛躍的發(fā)展。通常,層疊陶瓷電容器的基體部通過以下方法制成:即,將印刷了成為內(nèi)部電極層的導電圖案的陶瓷生片多片進行層疊來制成母塊,將該母塊行狀分割,從而單片化為多個棒狀的層疊體塊,進一步將它們列狀分割,從而單片化為規(guī)定尺寸的多個層疊體芯片,對單片化之后的層疊體芯片進行燒制。此時,隨著上述層疊陶瓷電容器的小型化及大容量化,所層疊的陶瓷生片以及印刷在陶瓷生片上的導電圖案也不斷薄型化。[0003]此外,為了實現(xiàn)電容元件的小型化及大容量化,增加層疊配置的內(nèi)部電極層彼此相對的部分的面積(即,有效面積)也是有效的。作為用于增加該有效面積的一個方法,在日本專利特開昭61-248413號公報及日本專利特開平6-349669號公報中公開了以下的技術(shù):即,在與連接一對外部電極的方向正交的方向上,使內(nèi)部電極層的相鄰位置的部分的電介質(zhì)層(即,形成有與內(nèi)部電極層的層疊方向大致平行地延伸的層疊陶瓷電容器的四個外表面中露出電介質(zhì)層的側(cè)面的部分的電介質(zhì)層)狹小化。[0004]在該技術(shù)中,在分割母塊時,分割成使導電圖案在相當于層疊體芯片的側(cè)面的切斷面上露出,并利用例如由覆蓋用陶瓷生片或陶瓷漿料等構(gòu)成的足夠薄的電介質(zhì)材料來覆蓋該切斷面,由此,能使上述的形成層疊陶瓷電容器的側(cè)面的部分的電介質(zhì)層狹小化。[0006]一般而言,對母塊的分割較多情況下是通過沿著與陶瓷生片的層疊方向大致平行的分割面使切刀沿著上述層疊方向進入這樣的所謂切斷來進行的。然而,在使陶瓷生片及導電圖案薄型化的情況下、或者在應(yīng)用上述日本專利特開昭61-248413號公報及日本專利特開平6-349669號公報公開的技術(shù)等情況下,在采用上述切斷時會存在以下問題,S卩,在其切斷面容易發(fā)生因施加于母塊的剪切力所引起的各種不良情況。[0007]例如,在使陶瓷生片大幅薄型化的情況下,會發(fā)生在陶瓷生片的端部容易產(chǎn)生因作用于陶瓷生片的剪切力而引起的剝離的問題,可能導致產(chǎn)品合格率的惡化和可靠性的下降。此外,在應(yīng)用上述日本專利特開昭61-248413號公報及日本專利特開平6-349669號公報公開的技術(shù)的情況下,導電圖案的端部因作用于導電圖案的剪切力而發(fā)生變形,原本不應(yīng)該導通的導電圖案有可能在該切斷面彼此接觸,其結(jié)果是,產(chǎn)生無法確保它們之間的電絕緣的問題,可能導致產(chǎn)品合格率的惡化和可靠性的下降。[0008]為了抑制這些問題的發(fā)生,在分割工序中,沿著與陶瓷生片的層疊方向大致平行的分割面使切刀沿著與上述層疊方向正交的方向進入是有效的。由此,能抑制因切斷引起的剪切力沿著層疊方向作用于陶瓷生片及導電圖案,能有效地防止上述問題的發(fā)生。[0009]然而,在將母塊行狀分割而單片化為多個棒狀的層疊體塊的工序中,沿著上述方向的切斷在處理上較為困難。因此,在將多個棒狀的層疊體塊列狀分割而單片化為多個層疊體芯片的工序中,采用沿著上述方向的切斷。[0010]另一方面,即使在此情況下,為了將通過分割母塊而獲得的多個棒狀的層疊體塊沿著上述方向切斷,在將該多個棒狀的層疊體塊分別列狀分割之前,需要使其繞軸線旋轉(zhuǎn)90°。然而,隨著層疊陶瓷電容器的小型化,該多個棒狀的層疊體塊也分別具有非常小型的形狀,因此,將其逐一進行旋轉(zhuǎn)在處理上非常困難,是制造成本大幅上升的原因?!?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0011]因此,本發(fā)明是為了解決上述的問題而完成的,其目的在于提供一種能以高產(chǎn)品合格率、高效地制造小型、大容量、高可靠性的電容元件的電容元件的制造方法及制造裝置。[0012]基于本發(fā)明的電容元件的制造方法是用于制造具備基體部的電容元件的方法,上述基體部包含沿著規(guī)定方向交替層疊的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層,該電容元件的制造方法包括:準備將成為上述電介質(zhì)層的多個電介質(zhì)生片以及成為上述內(nèi)部電極層的多個導電圖案進行層疊而成的母塊的工序;沿著與多個上述導電圖案的層疊方向大致平行的第I分割面將上述母塊行狀分割,從而將上述母塊單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊的工序;使多個上述層疊體塊分別滾動,使得通過將上述母塊進行分割而分別形成在多個上述層疊體塊上的一對第I切斷面的各個不與位于相鄰位置的層疊體塊相對的工序;以及沿著與滾動之后的多個上述層疊體塊中的多個上述導電圖案的層疊方向大致平行且與上述一對第I切斷面大致正交的第2分割面,將滾動之后的多個上述層疊體塊列狀分割,從而將多個上述層疊體塊分別單片化為具有近似長方體形的多個層疊體芯片的工序。使多個上述層疊體塊分別滾動的工序包含:將多個上述層疊體塊載放在平臺上,使得上述一對第I切斷面分別維持與位于相鄰位置的層疊體塊相對的狀態(tài)的工序;以及使載放的多個上述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向在上述平臺上對于該平臺進行相對移動,從而多個上述層疊體塊分別依次被上述平臺的端部推開而從該端部旋轉(zhuǎn)掉落,由此旋轉(zhuǎn)掉落后的多個上述層疊體塊的上述一對第I切斷面中的一個第I切斷面在上述平臺之外的區(qū)域著地的工序。[0013]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,優(yōu)選為在將多個上述層疊體塊分別單片化為多個上述層疊體芯片的工序中,使切刀沿著上述第2分割面,朝與旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊中的多個上述導電圖案的層疊方向正交的方向進入多個上述層疊體塊,從而將多個上述層疊體塊分別一次性地進行分割。[0014]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,優(yōu)選為在將上述平臺的厚度設(shè)為t,將多個上述層疊體塊各自具有的上述一對第I切斷面之間的距離設(shè)為d的情況下,作為上述平臺,使用上述厚度t滿足d/2<t<d的條件的平臺。[0015]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,多個上述導電圖案可以由強磁性體材料形成,在此情況下,在使多個上述層疊體塊分別滾動的工序中,優(yōu)選為預先將磁性片材配置在上述平臺之外的區(qū)域,利用上述磁性片材對旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊進行磁性吸引來吸附保持。[0016]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,作為上述磁性片材,優(yōu)選為使用將不同極性的磁極在與載放在上述平臺上的多個上述層疊體塊各自的延伸方向平行的方向上交替配置的磁性片材。[0017]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,在將上述母塊單片化為多個上述層疊體塊的工序中,也可以對上述母塊進行分割,使得多個上述導電圖案在上述一對第I切斷面的各個第I切斷面上露出。[0018]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,在將多個上述層疊體塊分別單片化為多個上述層疊體芯片的工序中,也可以將多個上述層疊體塊分別進行分割,使得多個上述導電圖案在對多個上述層疊體塊分別進行分割而形成在多個上述層疊體芯片上的一對第2切斷面的各個第2切斷面上露出。[0019]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,還可以具備利用電介質(zhì)材料覆蓋多個上述層疊體芯片的上述一對第2切斷面的各個第2切斷面的工序。[0020]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,優(yōu)選為在使多個上述層疊體塊分別滾動的工序之后,且在將多個上述層疊體塊分別單片化為多個上述層疊體芯片的工序之前,還具備以下工序:即,利用一對中心對準用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊沿著其長邊方向一次性夾持,從而使多個上述層疊體塊在上述長邊方向上一次性中心對準。[0021]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造方法中,優(yōu)選為在使多個上述層疊體塊分別滾動的工序之后,且在將多個上述層疊體塊分別單片化為多個上述層疊體芯片的工序之前,還具備以下工序:即,利用一對集合用弓I導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向一次性夾持,從而使多個上述層疊體塊在該方向上一次性集口O[0022]基于本發(fā)明的電容元件的制造裝置用于制造具備基體部的電容元件,上述基體部包含沿著規(guī)定方向交替層疊的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層,該電容元件的制造裝置包括:平臺,該平臺載放有通過將成為上述電介質(zhì)層的多個電介質(zhì)生片以及成為上述內(nèi)部電極層的多個導電圖案進行層疊而成的母塊行狀分割、從而單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊;滾動機構(gòu),該滾動機構(gòu)使載放在上述平臺上的多個上述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向在上述平臺上對于該平臺進行相對移動,從而多個上述層疊體塊分別依次被上述平臺的端部推開而從該端部旋轉(zhuǎn)掉落來進行滾動;以及著地面,該著地面位于上述平臺之外的區(qū)域,對通過上述滾動機構(gòu)而旋轉(zhuǎn)掉落的多個上述層疊體塊進行承接。上述平臺采用以下結(jié)構(gòu),即,能將多個上述層疊體塊排列配置,成為使通過將上述母塊進行分割而在多個上述層疊體塊上分別形成的一對第I切斷面分別與位于相鄰位置的層疊體塊相對的狀態(tài),上述著地面采用以下結(jié)構(gòu),即,能使旋轉(zhuǎn)掉落后的多個上述層疊體塊的上述一對第I切斷面中的一個第I切斷面著地。[0023]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為上述滾動機構(gòu)由使上述平臺移動的平臺驅(qū)動機構(gòu)、以及限制載放在上述平臺上的多個上述層疊體塊移動的移動限制構(gòu)件構(gòu)成,在此情況下,采用以下結(jié)構(gòu):即,利用上述平臺驅(qū)動機構(gòu)使上述平臺移動,通過使載放在上述平臺上的多個上述層疊體塊與上述移動限制構(gòu)件抵接,多個上述層疊體塊分別依次被上述平臺的端部推開。[0024]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為在將上述平臺的厚度設(shè)為t,將多個上述層疊體塊各自具有的上述一對第I切斷面之間的距離設(shè)為d的情況下,上述厚度t滿足d/2彡t彡d的條件。[0025]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為在多個上述導電圖案由強磁性體材料構(gòu)成的情況下還具備磁性片材,該磁性片材配置在上述平臺之外的區(qū)域,對多個上述層疊體塊進行磁性吸引來吸附保持。在此情況下,上述著地面由上述磁性片材的主表面構(gòu)成。[0026]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為上述磁性片材是將不同極性的磁極在與載放在上述平臺上的多個上述層疊體塊各自的延伸方向平行的方向上交替配置的磁性片材。[0027]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,多個上述層疊體塊也可以使多個上述導電圖案在上述一對第I切斷面的各第I切斷面上露出。[0028]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為還具備一對中心對準用引導構(gòu)件,該一對中心對準用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊沿著其長邊方向一次性夾持,從而使多個上述層疊體塊在上述長邊方向上一次性地中心對準。[0029]在基于上述本發(fā)明的電容元件的制造裝置中,優(yōu)選為還具備一對集合用引導構(gòu)件,該一對集合用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個上述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向進行一次性夾持,從而使多個上述層疊體塊在該方向上一次性地集合。[0030]根據(jù)本發(fā)明,能高合格率地、高效地制造小型、大容量、高可靠性的電容元件。本發(fā)明的這些及其它目的、特征、方面及優(yōu)點將會通過下面結(jié)合附圖能很好理解的有關(guān)本發(fā)明的詳細說明而得以明確?!緦@綀D】【附圖說明】[0031]圖1是按照本發(fā)明的實施方式所涉及的電容元件的制造方法所制成的層疊陶瓷電容器的簡要立體圖。圖2是沿著圖1所示的層疊陶瓷電容器的圖1中示出的I1-1I線的示意剖視圖。圖3是沿著圖1所示的層疊陶瓷電容器的圖1中示出的II1-1II線的示意剖視圖。圖4僅是圖1所示的層疊陶瓷電容器的基體部的簡要立體圖。圖5是構(gòu)成圖4所示的基體部的一部分的層疊體的前體即層疊體芯片的簡要立體圖。圖6是簡要表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電容元件的制造方法的流程圖。圖7是在制作母塊的工序中所使用的陶瓷生片的示意俯視圖。圖8是表示制作母塊的工序中的陶瓷生片的層疊狀態(tài)的概要圖。圖9是母塊的不意側(cè)視圖。圖10是表示第I分割工序的概要圖。圖11是表不第2分割工序的不意圖。圖12是作為本發(fā)明的實施方式所涉及的電容元件的制造裝置的滾動裝置的示意俯視圖。圖13是沿著圖12所示的滾動裝置的圖12中示出的XII1-XIII線的示意剖視圖。圖14是沿著圖12所示的滾動裝置的圖12中示出的XIV-XIV線的示意剖視圖。圖15是在圖12所示的滾動裝置中使用的磁性片材的概要圖。圖16是表示使層疊體塊滾動的工序的概要圖。圖17是表示使層疊體塊滾動的工序之后的利用磁性片材實現(xiàn)的層疊體塊的保持狀態(tài)的概要圖。圖18是表示使層疊體塊滾動的工序之后的滾動裝置的狀態(tài)的示意俯視圖。圖19是表示使層疊體塊中心對準的工序的滾動裝置的示意俯視圖。圖20是表示使層疊體塊集合的工序的滾動裝置的示意俯視圖。圖21是表示使層疊體塊集合的工序之后的滾動裝置的狀態(tài)的示意俯視圖。【具體實施方式】[0032]以下,參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。另外,在以下示出的實施方式中,對于相同或共用的部分,在圖中標注相同的標號,并且不再重復其說明。[0033]作為應(yīng)用本發(fā)明所制成的電容元件,可以列舉以下電容器等:作為電介質(zhì)材料使用陶瓷材料的層疊陶瓷電容器;作為電介質(zhì)材料使用樹脂膜的層疊型金屬化薄膜電容器等,在以下示出的實施方式中,舉例示出對其中的層疊陶瓷電容器應(yīng)用了本發(fā)明的情況來進行說明。[0034]圖1是按照本發(fā)明的實施方式所涉及的電容元件的制造方法制成的層疊陶瓷電容器的簡要立體圖。圖2及圖3是分別沿著圖1所示的層疊陶瓷電容器的圖1中示出的I1-1I線及II1-1II線的示意剖視圖。此外,圖4僅是圖1所示的層疊陶瓷電容器的基體部的簡要立體圖,圖5是構(gòu)成圖4所示的基體部的一部分的層疊體的前體即層疊體芯片的簡要立體圖。以下,在說明本實施方式所涉及的電容元件的制造方法及制造裝置之前,參照上述圖1至圖5對使用該電容元件的制造方法及制造裝置制成的層疊陶瓷電容器進行說明。[0035]如圖1至圖3所示,層疊陶瓷電容器10是整體具有近似長方體形的電子元器件,并具備基體部11和一對外部電極16。[0036]如圖1及圖2所示,一對外部電極16彼此隔開設(shè)置,以覆蓋基體部11的規(guī)定方向的兩個端部的外表面。一對外部電極16分別由導電膜構(gòu)成。[0037]更詳細而言,一對外部電極16例如由燒結(jié)金屬層與鍍層的層疊膜構(gòu)成。燒結(jié)金屬層例如通過將Cu、N1、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等的糊料進行燒結(jié)而形成。鍍層例如由Ni鍍層、以及復蓋該Ni鍛層的Sn鍛層構(gòu)成。鍛層也可以由Cu鍛層、Au鍛層來取而代之。此外,一對外部電極16也可以僅由鍍層構(gòu)成。[0038]而且,作為一對外部電極16,也可以利用導電性樹脂糊料。在利用導電性樹脂糊料作為一對外部電極16的情況下,包含在導電性樹脂糊料中的樹脂成分在基體部11中發(fā)揮吸收因壓電效果而產(chǎn)生的振動的效果,因此,能有效地衰減從基體部11朝外部傳播的振動,有利于降低噪聲。[0039]如圖1至圖4所示,基體部11包含:層疊體12,該層疊體12由沿著規(guī)定的方向交替層疊的電介質(zhì)層13及內(nèi)部電極層14構(gòu)成;以及一對附加電介質(zhì)層15,該一對附加電介質(zhì)層15覆蓋該層疊體12的規(guī)定部位。[0040]電介質(zhì)層13及附加電介質(zhì)層15例如由以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷材料形成。此夕卜,電介質(zhì)層13及附加電介質(zhì)層15也可以包含作為成為下面敘述的陶瓷生片的原料的陶瓷粉末的副成分的Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等。另一方面,內(nèi)部電極層14優(yōu)選為例如由以N1、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等為代表的金屬材料形成,尤其優(yōu)選為由作為強磁性體材料的Ni形成。[0041]如圖2所示,沿著層疊方向夾著電介質(zhì)層13、相鄰的一對內(nèi)部電極層14中的一個內(nèi)部電極層在層疊陶瓷電容器10的內(nèi)部與一對外部電極16中的一個外部電極電連接,沿著層疊方向夾著電介質(zhì)層13、相鄰的一對內(nèi)部電極層14中的另一個內(nèi)部電極層在層疊陶瓷電容器10的內(nèi)部與一對外部電極16中的另一個外部電極電連接。由此,成為多個電容要素在一對外部電極16之間并聯(lián)電連接的結(jié)構(gòu)。[0042]另外,電介質(zhì)層13及附加電介質(zhì)層15的材質(zhì)并不限于上述的以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷材料,也可以選擇其它高介電常數(shù)的陶瓷材料(例如,以CaT13、SrT13XaZrO3等為主要成分的材料)作為電介質(zhì)層13及附加電介質(zhì)層15的材質(zhì)。此外,未必一定要使電介質(zhì)層13的材質(zhì)與附加電介質(zhì)層15的材質(zhì)一致,作為電介質(zhì)層13及附加電介質(zhì)層15的材質(zhì),也可以利用主要成分不同的陶瓷材料。而且,作為附加電介質(zhì)層15,也可以利用作為非陶瓷材料的樹脂材料。另一方面,內(nèi)部電極層14的材質(zhì)也不限于上述的金屬材料,也可以將其它導電材料選作內(nèi)部電極層14的材質(zhì)。[0043]此處,參照圖1至圖3,作為表示層疊陶瓷電容器10的方向的用語,將一對外部電極16排列的方向定義為層疊陶瓷電容器10的長度方向L,將電介質(zhì)層13與內(nèi)部電極層14進行層疊的層疊方向定義為厚度方向T,將與上述長度方向L及厚度方向T均正交的方向定義為寬度方向W,在以下的說明中,使用這些用語。[0044]此外,將近似長方體形的層疊陶瓷電容器10的六個外表面中的、在長度方向L上位于相對的位置的一對外表面定義為端面10a,將在厚度方向T上位于相對的位置的一對外表面定義為主面1b,將在寬度方向W上位于相對的位置的一對外表面定義為側(cè)面1c,在以下的說明中,使用這些用語。[0045]除此之外,參照圖4及圖5,對于與層疊陶瓷電容器10的一對端面1a相對應(yīng)的基體部11的一對外表面及層疊體芯片22的一對外表面,將它們分別定義為端面Ila及端面22a,對于與層疊陶瓷電容器10的一對主面1b相對應(yīng)的基體部11的一對外表面及層疊體芯片22的一對外表面,將它們分別定義為主面Ilb及主面22b,對于與層疊陶瓷電容器10的一對側(cè)面1c相對應(yīng)的基體部11的一對外表面及層疊體芯片22的一對外表面,將它們分別定義為側(cè)面Ilc及側(cè)面22c,在以下的說明中,使用這些用語。[0046]另外,如圖1至圖3所示,本實施方式所涉及的層疊陶瓷電容器10具有構(gòu)成為沿著長度方向L的外形尺寸最長的細長的近似長方體形。作為該層疊陶瓷電容器10的長度方向L的外形尺寸及寬度方向W的外形尺寸(通常,使厚度方向T的外形尺寸與寬度方向W的外形尺寸相同)的代表值,例如,可以列舉3.2[mm]X1.6[mm]、2.0[mm]X1.25[mm]、1.6[mm]X0.8[mm]>1.0[mm]X0.5[mm]>0.8[mm]X0.4[mm]>0.6[mm]X0.3[mm]、0.4[mm]X0.2[mm]等。[0047]如圖4所示,一對附加電介質(zhì)層15覆蓋層疊體12的在寬度方向W上位于相對的位置的一對外表面,以構(gòu)成基體部11的一對側(cè)面lie。另一方面,基體部11的一對端面Ila主要由層疊體12的在長度方向L上位于相對的位置的一對外表面構(gòu)成,基體部11的一對主面Ilb主要由層疊體12的在厚度方向T上位于相對的位置的一對外表面構(gòu)成。[0048]如圖5所示,層疊體12的前體即層疊體芯片22如下形成:將在成為電介質(zhì)層13的層疊用陶瓷生片23的表面印刷了成為內(nèi)部電極層14的導電圖案24的坯料片材多片進行層疊,并將其切斷,從而具有圖示那樣的近似長方體形。[0049]分別層疊配置的導電圖案24中的一部分選擇性地在層疊體芯片22的一對端面22a上露出。更具體而言,在層疊體芯片22的一對端面22a上,為了分別與以覆蓋該端面22a的方式形成的外部電極16相連接,露出有導電圖案24的長度方向L上的單側(cè)的端部。另一方面,在層疊體芯片22的一對側(cè)面22c上,分別露出有層疊配置的導電圖案24的所有寬度方向W上的端部。[0050]將覆蓋用陶瓷生片以覆蓋層疊體芯片22的一對側(cè)面22c的方式分別相對應(yīng)地粘貼在該一對側(cè)面22c上。由此,成為在上述的層疊體芯片22的一對側(cè)面22c露出的導電圖案24的寬度方向W上的端部被該覆蓋用陶瓷生片覆蓋的狀態(tài),而且,對處于粘貼了該覆蓋用陶瓷生片的狀態(tài)的層疊體芯片22進行熱壓接和燒制,從而制成圖4所示那樣的基體部11。[0051]在以上說明的層疊陶瓷電容器10中,位于基體部11的寬度方向W上的兩個端部的部分的電介質(zhì)層由以覆蓋層疊體12的在寬度方向W上位于相對的位置的一對外表面的方式粘貼的、燒制后成為附加電介質(zhì)層15的覆蓋用陶瓷生片構(gòu)成,因此,通過使粘貼的覆蓋用陶瓷生片的厚度足夠薄,能使形成層疊陶瓷電容器10的側(cè)面1c的部分的電介質(zhì)層的厚度狹小化。因此,通過采用該結(jié)構(gòu),能使內(nèi)部電極層14相對于其體積沿著寬度方向W大型化來增大有效面積,與以往相比,能實現(xiàn)小型、大容量的層疊陶瓷電容器。[0052]圖6是簡要表示本實施方式所涉及的電容元件的制造方法的流程圖。圖7至圖9是用于具體說明圖6所示的制作母塊的工序的圖,圖7是在制作母塊的工序中所使用的陶瓷生片的示意俯視圖,圖8是表示制作母塊的工序中的陶瓷生片的層疊狀態(tài)的概要圖,圖9是母塊的示意側(cè)視圖。此外,圖10及圖11是用于具體說明圖6所示的分割母塊的工序的圖,圖10是表示第I分割工序的概要圖,圖11是表示第2分割工序的概要圖。接下來,首先,參照圖6至圖11對本實施方式所涉及的電容元件的制造方法進行簡要的說明。[0053]本實施方式所涉及的電容元件的制造方法如下:通過到制造過程的中途階段為止進行一次性加工處理,將成為層疊陶瓷電容器的核心的元器件材料(母塊)制成一個塊,之后將其分割而單片化,進一步對單片化之后的元器件材料(層疊體芯片)實施加工處理,從而同時大量地生產(chǎn)多個層疊陶瓷電容器。[0054]如圖6所示,本實施方式所涉及的電容元件的制造方法主要依次包括:制作母塊的工序(工序SI);切斷母塊的工序(工序S2);粘貼覆蓋用陶瓷生片的工序(工序S3);實施熱壓接的工序(工序S4);實施滾筒拋光的工序(工序S5);實施燒制的工序(工序S6);以及形成外部電極的工序(工序S7)。[0055]在圖6所示的制作母塊的工序(工序SI)中,首先,準備包含陶瓷粉末、粘合劑及溶劑的陶瓷衆(zhòng)料,使用模具式涂布機、凹版涂布機(gravurecoater)、微凹版涂布機等使該陶瓷漿料在載體膜上成形為片狀,從而制成陶瓷生片。出于層疊陶瓷電容器10的小型化及高容量化的觀點,陶瓷生片的厚度優(yōu)選為1.5[μπι]以下。[0056]接下來,利用絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、凹版印刷等將導電糊料以具有帶狀的圖案的方式印刷在該陶瓷生片上,從而形成導電圖案。出于層疊陶瓷電容器10的小型化及高容量化的觀點,導電圖案的厚度優(yōu)選為1.5[μm]以下。[0057]由此,如圖7所示,準備一種在成為電介質(zhì)層13的層疊用陶瓷生片23的表面印刷有成為內(nèi)部電極層14的導電圖案24的坯料片材。[0058]接下來,如圖8所示,按照規(guī)定的規(guī)則將多個坯料片材多片進行層疊。具體而言,將多個坯料片材進行層疊,成為形成在層疊用陶瓷生片23上的帶狀的導電圖案24朝著相同方向的狀態(tài),并且成為在相鄰的坯料片材之間、該帶狀的導電圖案24在寬度方向上各錯開半個間距的狀態(tài)。[0059]接下來,對層疊后的多個坯料片材進行熱壓接,從而形成圖9所示那樣的結(jié)構(gòu)體,沿著圖中示出的切斷線A切斷并除去所形成的結(jié)構(gòu)體的外周部,從而制成母塊20。由此,母塊20呈扁平的近似長方體形的外形,并具有將成為電介質(zhì)層13的多個層疊用陶瓷生片23以及層疊成為內(nèi)部電極層14的多個導電圖案24后的結(jié)構(gòu)。此外,母塊20具有在其四個周端面分別露出一部分導電圖案24的結(jié)構(gòu)。[0060]圖6所示的切斷母塊的工序(工序S2)依次包含:將母塊粘貼在第I保持用粘接片材上的工序;對母塊進行分割而單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊的第I分割工序;將單片化后的多個層疊體塊從第I保持用粘接片材上取下并分別使其滾動的工序;將滾動之后的多個層疊體塊粘貼在第2保持用粘接片材上的工序;以及對多個層疊體塊分別進行分割而單片化為具有近似長方體形的層疊體芯片的第2分割工序。[0061]首先,在將母塊粘貼在第I保持用粘接片材上的工序中,將第I保持用粘接片材31(參照圖10)粘貼在所準備的母塊20的一對主表面中的一個主表面上。由此,母塊20成為被第I保持用粘接片材31保持的狀態(tài)。此處,作為第I保持用粘接片材31,只要具有粘接性,能利用各種粘接片材,但是,例如,優(yōu)選為利用通過加熱使粘接性下降的發(fā)泡剝離片材。[0062]接下來,在第I分割工序中,如圖10所示,將處于被第I保持用粘接片材31保持的狀態(tài)的母塊20沿著與帶狀的多個導電圖案24的延伸方向(圖中示出的X軸方向)平行且與多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Z軸方向)平行的第I分割面101(XZ平面)進行行狀分割。在該分割中,能利用使用切刀(刀片)的切斷、使用切削刀(切片機)的切片等,但此處舉例示出了使用切刀33進行切斷的情況。[0063]更詳細而言,在上述分割時,將切刀33沿著帶狀的導電圖案24的延伸方向(圖中示出的X軸方向)進行配置,并使切刀33沿著第I分割面101(XZ平面)朝著與多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Z軸方向)平行的方向(即,圖中示出的箭頭標記B方向)進入母塊20,從而從母塊20切出一個層疊體塊21。而且,在上述分割時,切刀33以規(guī)定的間距沿著與帶狀的導電圖案24的延伸方向正交的方向(圖中示出的Y軸方向)進行相對移動,每次移動都進行切斷,從而將母塊20單片化為多個層疊體塊21。[0064]由此,通過第I分割工序所獲得的多個層疊體塊21分別呈細長的近似長方體形的外形,作為其外表面的一部分包含與帶狀的多個導電圖案24的延伸方向(圖中示出的X軸方向)平行且與多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Z軸方向)平行的一對第I切斷面。[0065]接下來,在將單片化的多個層疊體塊從第I保持用粘接片材上取下并分別使其滾動的工序中,使用下面敘述的本實施方式所涉及的電容元件的制造裝置即滾動裝置40(參照圖12等)將多個層疊體塊21分別繞其軸線旋轉(zhuǎn)90°。另外,對于該工序的詳細情況及滾動裝置40的詳細情況在后面進行敘述。[0066]接下來,在將滾動之后的多個層疊體塊粘貼在第2保持用粘接片材上的工序中,將第2保持用粘接片材32(參照圖11)粘貼在處于沿著滾動之后的多個層疊體塊21中的多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Y軸方向)集合的狀態(tài)的層疊體塊21各自所具有的上述第I切斷面中的一個第I切斷面上。由此,多個層疊體塊21各自處于被第2保持用粘接片材32保持的狀態(tài)。此處,作為第2保持用粘接片材32,只要具有粘接性,能利用各種粘接片材,但是,例如,優(yōu)選為利用通過加熱使粘接性下降的發(fā)泡剝離片材。[0067]接下來,在第2分割工序中,如圖11所示,將處于被第2保持用粘接片材32保持的狀態(tài)的多個層疊體塊21分別沿著與滾動之后的多個層疊體塊21中的多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Y軸方向)平行且與在第I分割工序中形成在層疊體塊21上的上述一對第I切斷面正交的方向(圖中示出的Z軸方向)平行的第2分割面102(YZ平面)被一次性地列狀分割。該分割通過使用切刀33來進行切斷。[0068]更詳細而言,在上述分割時,將切刀33沿著滾動之后的多個層疊體塊21中的多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Y軸方向)進行配置,并使切刀33沿著第2分割面101(YZ平面)朝著與在第I分割工序中形成在層疊體塊21上的一對第I切斷面正交的方向(圖中示出的Z軸方向)平行的方向(即,圖中示出的箭頭標記C方向)進入多個層疊體塊21,從而從多個層疊體塊21分別切出一個層疊體芯片22。而且,在上述分割時,切刀33以規(guī)定的間距沿著與帶狀導電圖案24的延伸方向平行的方向(圖中示出的X軸方向)進行相對移動,每次移動都進行切斷,從而將多個層疊體塊21分別單片化為多個層疊體芯片22。[0069]由此,通過第2分割工序所獲得的多個層疊體芯片22分別如圖5中示出的那樣呈近似長方體形狀的外形,作為其外表面的一部分,除了上述的一對第I切斷面(該一對第I切斷面相當于圖5所示的一對端面22a)以外,還包含與滾動之后的多個層疊體塊21中的多個導電圖案24的層疊方向(圖中示出的Y軸方向)平行且與在第I分割工序中形成在層疊體塊21上的上述一對第I切斷面正交的方向(圖中示出的Z軸方向)平行的一對第2切斷面(該一對第2切斷面相當于圖5所示的一對側(cè)面22c)。[0070]另外,這樣,在第2分割工序中,通過使切刀33沿著與層疊用陶瓷生片23的層疊方向平行的方向進入層疊體塊21來進行切斷,能抑制切斷所引起的剪切力沿著層疊方向作用于層疊用陶瓷生片23及導電圖案24,因此,能預防層疊用陶瓷生片23的端部上的剝離以及切斷面上的導電圖案24彼此的接觸,其結(jié)果是,能實現(xiàn)產(chǎn)品合格率的提高和可靠性的提聞。[0071]在圖6所示的粘貼覆蓋用陶瓷生片的工序(工序S3)中,將覆蓋用陶瓷生片分別粘貼在上述第2分割工序中露出的層疊體芯片22的一對第2切斷面上。此處,作為覆蓋用陶瓷生片,與上述的層疊用陶瓷生片23相同,使用將包含陶瓷粉末、粘合劑及溶劑的陶瓷漿料作為原料并成形為片狀的陶瓷生片。[0072]具體而言,準備具有比層疊體芯片22的第2切斷面要大的主表面、且形成地足夠薄的覆蓋用陶瓷生片,并將其載放在彈性體上,將層疊體芯片22的第2切斷面的一個第2切斷面朝著載放在該彈性體上的覆蓋用陶瓷生片進行推壓而對其進行沖裁,進一步從覆蓋用陶瓷生片的沖裁部分剝下剩余部分,從而將覆蓋用陶瓷生片粘貼于層疊體芯片22的一對第2切斷面的一個第2切斷面上。另外,對層疊體芯片22的一對第2切斷面分別進行該操作,從而層疊體芯片22的一對第2切斷面分別被覆蓋用陶瓷生片所覆蓋。[0073]在圖6所示的實施熱壓接的工序(工序S4)中,成為將粘貼了上述覆蓋用陶瓷生片之后的層疊體芯片22加熱到規(guī)定溫度的狀態(tài),在該狀態(tài)下使用彈性體等將覆蓋用陶瓷生片的露出面彼此朝層疊體芯片22—側(cè)進行推壓,從而實施熱壓接處理。由此,能提高覆蓋用陶瓷生片相對于層疊體芯片22的粘附性。[0074]在圖6所示的實施滾筒拋光的工序(工序S5)中,實施了上述熱壓接之后的層疊體芯片22(包含粘貼在該層疊體芯片22上的覆蓋用陶瓷生片)與硬度比陶瓷材料要高的介質(zhì)球一起封入稱為滾筒(barrel)的小箱內(nèi),通過使該滾筒旋轉(zhuǎn)來實施拋光處理。由此,使層疊體芯片22及覆蓋用陶瓷生片的外表面(尤其是角部和轉(zhuǎn)角部)具有曲面狀的圓形。[0075]在圖6所示的實施燒制的工序(工序S6)中,將實施了滾筒拋光之后的層疊體芯片22(包含粘貼在該層疊體芯片22上的覆蓋用陶瓷生片)加熱到規(guī)定溫度,由此來實施陶瓷材料的燒結(jié)處理。通過該處理,層疊體芯片22成為圖2中示出的基體部11。[0076]在圖6所示的形成外部電極的工序(工序S7)中,通過在基體部11的一對端面IIa上涂布導電性糊料來形成金屬層,對所形成的金屬層實施燒結(jié)處理,之后,進一步在燒結(jié)后的金屬層上依次實施鍍N1、鍍Sn,從而形成一對外部電極16。[0077]經(jīng)過以上所說明的一系列工序,完成了具有圖1至圖3所示的結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器10的制造。[0078]圖12是作為本發(fā)明的實施方式所涉及的電容元件的制造裝置的滾動裝置的示意俯視圖。圖13及圖14是沿著圖12所示的滾動裝置的圖12中示出的XII1-XIII線及XIV-XIV線的示意剖視圖。此外,圖15是在圖12所示的滾動裝置中使用的磁性片材的概要圖。接下來,參照上述圖12至圖15對作為本實施方式所涉及的電容元件的制造裝置的滾動裝置的詳細情況進行說明。[0079]作為在下面示出的本實施方式所涉及的電容元件的制造裝置的滾動裝置優(yōu)選為在將上述本實施方式所涉及的電容元件的制造方法的單片化后的多個層疊體塊從第I保持用粘接片材取下并分別使其滾動的工序中使用,從而使多個層疊體塊21分別繞其軸線旋轉(zhuǎn)90°。[0080]如圖12至圖14所示,滾動裝置40主要包括工作臺(table)41、平臺(stage)42、移動限制構(gòu)件43、一對中心對準用引導構(gòu)件44、集合用引導構(gòu)件45、以及未圖示的平臺驅(qū)動機構(gòu)。其中的移動限制構(gòu)件43和未圖示的平臺驅(qū)動機構(gòu)相當于使層疊體塊21滾動的滾動機構(gòu)。[0081]平臺42的一端被平臺保持部46保持,由此,平臺42在工作臺41的上方配置在與工作臺41隔開規(guī)定距離的位置上。平臺42配置成覆蓋俯視時呈近似矩形形狀的工作臺41的大致整個上表面。平臺42的上表面具有載放面42a,滾動之前的多個層疊體塊21載放在該載放面42a上。[0082]平臺42采用以下結(jié)構(gòu):即,利用上述未圖示的平臺驅(qū)動機構(gòu)經(jīng)由平臺保持部46來驅(qū)動平臺42,使其能沿著圖中示出的Y軸方向移動。由此,平臺42能相對于工作臺41進行相對移動。此外,平臺42也起到與后面敘述的集合用引導構(gòu)件45成對的集合用引導構(gòu)件的作用,平臺42的構(gòu)成位于集合用引導構(gòu)件45—側(cè)的端部42b的端面起到集合用引導面42c的作用。[0083]移動限制構(gòu)件43配置成位于平臺42的載放面42a上。移動限制構(gòu)件43沿著俯視時呈近似矩形形狀的工作臺41的一條邊配置,并沿著圖中示出的X軸方向延伸。移動限制構(gòu)件43相對于工作臺41固定而不能相對移動。此外,移動限制構(gòu)件43在平臺42的載放面42a—側(cè)具有抵接面43a。[0084]一對中心對準用引導構(gòu)件44的一端分別由中心對準用引導構(gòu)件保持部47保持,由此,一對中心對準用引導構(gòu)件44在工作臺41的上方配置在與工作臺41隔開規(guī)定距離的位置上。一對中心對準用引導構(gòu)件44分別沿著俯視時呈近似矩形形狀的工作臺41的一條邊配置,并沿著圖中示出的Y軸方向延伸。由此,一對中心對準用引導構(gòu)件44處于將位于工作臺41的上方的部分的平臺42沿著X軸方向夾持的位置。[0085]一對中心對準用引導構(gòu)件44分別采用以下結(jié)構(gòu):即,利用未圖示的中心對準用引導構(gòu)件驅(qū)動機構(gòu)經(jīng)由中心對準用引導構(gòu)件保持部47來驅(qū)動一對中心對準用引導構(gòu)件44,使其能沿著圖中示出的X軸方向移動。由此,中心對準用引導構(gòu)件44能分別相對于工作臺41進行相對移動。此外,一對中心對準用引導構(gòu)件44分別在平臺42—側(cè)具有中心對準用引導面44aο[0086]集合用引導構(gòu)件45的一端被集合用引導構(gòu)件保持部48保持,由此,集合用引導構(gòu)件45在工作臺41的上方配置在與工作臺41隔開規(guī)定距離的位置上。集合用引導構(gòu)件45沿著俯視時呈近似矩形形狀的工作臺41的一條邊進行配置,并沿著圖中示出的X軸方向延伸。由此,集合用引導構(gòu)件45處于沿著圖中示出的Y軸方向與平臺42相對的位置。[0087]集合用引導構(gòu)件45采用以下結(jié)構(gòu):即,利用未圖示的集合用引導構(gòu)件驅(qū)動機構(gòu)經(jīng)由集合用引導構(gòu)件保持部48來驅(qū)動集合用引導構(gòu)件45,使其能沿著圖中示出的Y軸方向移動。由此,集合用引導構(gòu)件45能相對于工作臺41進行相對移動。此外,集合用引導構(gòu)件45在平臺42—側(cè)具有集合用引導面45a。[0088]在工作臺41上載放有磁性片材51,該磁性片材51覆蓋工作臺41的大致整個上表面。在磁性片材51載放在工作臺41上的狀態(tài)下,磁性片材51配置在平臺42、一對中心對準用引導構(gòu)件44及集合用引導構(gòu)件45的下方。磁性片材51的主表面具有載放滾動后的多個層疊體塊21的著地面51a。如圖15所示,作為磁性片材51,能優(yōu)選使用將不同極性的磁極(即,N極及S極)沿著圖中示出的X軸方向交替配置的磁性片材。[0089]圖16是表示使層疊體塊滾動的工序的概要圖。此外,圖17是表示使層疊體塊滾動的工序之后的利用磁性片材實現(xiàn)的層疊體塊的保持狀態(tài)的概要圖。接下來,參照上述圖16及圖17對將上述的本實施方式所涉及的電容元件的制造方法的單片化后的多個層疊體塊從第I保持用粘接片材取下并分別使其滾動的工序的詳細情況進行說明。[0090]在將單片化后的多個層疊體塊從第I保持用粘接片材取下并分別使其滾動的工序中,如圖12至圖14及圖16(A)所示,首先,將通過上述第I分割工序所獲得的多個層疊體塊21載放在滾動裝置40的平臺42的載放面42a上,以維持一對第I切斷面21al、21a2分別與處于相鄰位置的層疊體塊相對的狀態(tài)。[0091]更具體而言,被第I保持用粘接片材31保持的多個層疊體塊21以每個第I保持用粘接片材31上下倒置的狀態(tài)載放在平臺42的載放面42a上,將第I保持用粘接片材31從多個層疊體塊21上取下,從而將多個層疊體塊21在維持上述那樣的排列的狀態(tài)下載放在平臺42上。[0092]在該狀態(tài)中,對多個層疊體塊21進行配置,使得多個層疊體塊21的軸線位于沿著圖中示出的X軸方向的位置,由此,多個層疊體塊21各自所具有的一對第I切斷面中的一個第I切斷面即第I切斷面21al朝著集合用引導構(gòu)件45所在的一側(cè),一對第I切斷面中的另一個第I切斷面即第I切斷面21a2朝著移動限制構(gòu)件43所在的一側(cè)。[0093]如圖16(A)所示,接下來,利用上述的平臺驅(qū)動機構(gòu)來驅(qū)動平臺42,平臺42開始朝圖中示出的箭頭標記D的方向進行移動。由此,如圖16(B)所示,載放在平臺42上的多個層疊體塊21均與平臺42—起沿著圖中示出的箭頭標記D的方向進行移動。之后,其中配置在離移動限制構(gòu)件43最近的位置的層疊體塊21與移動限制構(gòu)件43的抵接面43a抵接,從而使所有的層疊體塊21的移動停止。另外,即使在將多個層疊體塊21彼此隔開距離地載放在平臺42上的情況下,也能通過上述動作使相鄰的層疊體塊彼此抵接,從而使所有的層疊體塊21的移動停止。[0094]如圖16(B)所示,而且,平臺42繼續(xù)朝著圖中示出的箭頭標記D的方向移動,從而多個層疊體塊21分別沿著它們排列的方向(圖中示出的Y軸方向),在平臺42上相對于該平臺42進行相對移動。由此,如圖16(C)所示,多個層疊體塊21中配置在離移動限制構(gòu)件43最遠的位置上的層疊體塊21被平臺42的端部42b推開。[0095]被平臺42的端部42b推開的層疊體塊21失去端部42b的支撐而從平臺42的該端部42b掉落到平臺42之外的區(qū)域。此時,通過預先適當調(diào)節(jié)平臺42的移動速度,能使層疊體塊21以平臺42的該端部42b為旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)掉落,因此,在該掉落時,層疊體塊21的第I切斷面21al朝著垂直下方。因此,旋轉(zhuǎn)掉落的層疊體塊21以其第I切斷面21al與磁性片材51的著地面51a相接觸的方式著地,能實現(xiàn)層疊體塊21繞其軸線旋轉(zhuǎn)90°的狀態(tài)。[0096]另外,上述平臺42的移動速度優(yōu)選為I[mm/秒]?50[mm/秒]。這是由于,在該移動速度小于I[mm/秒]的情況下,生產(chǎn)效率大幅度下降,而在超過50[mm/秒]的情況下,層疊體塊21的姿態(tài)不穩(wěn)定。[0097]此處,為了可靠地使層疊體塊21以第I切斷面21al與著地面51a相接觸的狀態(tài)在磁性片材51上著地,層疊體塊21的一對第I切斷面21al和21a2之間的距離d(參照圖16(A))和平臺42的厚度t(參照圖16(A))優(yōu)選為滿足d/2<t<d的條件。通過采用滿足該條件的結(jié)構(gòu),在層疊體塊21從平臺42的端部42b旋轉(zhuǎn)掉落時,成為第I切斷面21al更加正對著地面51a的狀態(tài),并且,在該狀態(tài)下,能防止層疊體塊21的重心在Y軸方向上發(fā)生偏移,因此,能更可靠地成為使層疊體塊21繞其軸線旋轉(zhuǎn)90°的狀態(tài)。[0098]此外,如上所述,預先在平臺42之外的區(qū)域配置磁性片材51,如圖17所示,能利用該磁性片材51對旋轉(zhuǎn)掉落之后的層疊體塊21進行磁性吸引來穩(wěn)定地吸附保持。即,層疊體塊21包含由強磁性體材料構(gòu)成的導電圖案24,因此,磁性片材51對層疊體塊21的導電圖案24進行磁性吸引,從而旋轉(zhuǎn)掉落之后的層疊體塊21被磁性片材51吸附保持。此處,在層疊體塊21的第I切斷面21al,由于露出一部分的導電圖案24,因此,在這點上也能更加穩(wěn)定地吸附保持層疊體塊21。[0099]此外,如上所述,作為磁性片材51,如果使用將不同極性的磁極沿著裝載在平臺42上的多個層疊體塊21各自的延伸方向(圖中示出的X軸方向)交替地進行配置的磁性片材,則能造成在與該磁性片材51的著地面51a正交的方向上產(chǎn)生磁力線200的狀況。因此,能使繞軸線旋轉(zhuǎn)了90°的狀態(tài)下的層疊體塊21的導電圖案24的延伸方向與磁力線200的方向相一致(即,導電圖案24的延伸方向為X軸方向及Z軸方向,形成磁力線200的面為XZ面,使它們相一致),也能穩(wěn)定地維持層疊體塊21繞軸線旋轉(zhuǎn)了90°的狀態(tài)。[0100]另外,作為磁性片材51,也可以使用將不同極性的磁極沿著載放在平臺42上的多個層疊體塊21排列的方向(圖中示出的Y軸方向)交替地進行配置的磁性片材。即使在該情況下,也能造成在與磁性片材51的著地面51a正交的方向上產(chǎn)生磁力線200的狀況,因此,能相當程度穩(wěn)定地維持層疊體塊21繞軸線旋轉(zhuǎn)了90°的狀態(tài)。[0101]如圖16(C)所示,進一步使平臺42繼續(xù)朝圖中示出的箭頭標號D方向移動,如圖16(D)所示,從載放在平臺42上的多個層疊體塊21中配置在離移動限制構(gòu)件43最遠的位置上的層疊體塊21起依次被平臺42的端部42b推開而從該端部42b旋轉(zhuǎn)掉落,由此,多個層疊體塊21依次在磁性片材51上以繞軸線旋轉(zhuǎn)了90°的狀態(tài)不斷被吸附保持。[0102]其結(jié)果是,如圖16(E)所示,在平臺42的端部42b到達移動限制構(gòu)件43的時刻,成為所有的層疊體塊21從平臺42的端部42b旋轉(zhuǎn)掉落而被磁性片材51吸附保持的狀態(tài),由此,能實現(xiàn)所有的層疊體塊21進行滾動而從圖16(A)所示的狀態(tài)繞其軸線旋轉(zhuǎn)90°的狀態(tài)。由此,完成使多個層疊體塊21滾動的工序。[0103]另外,在上面的說明中,舉例示出了僅使平臺42移動的情況,但是,除了平臺42以夕卜,可以使磁性片材51也進行移動。在此情況下的磁性片材51的移動方向能設(shè)為與平臺42的移動方向相同的方向或相反的方向。在將磁性片材51的移動方向設(shè)為與平臺42的移動方向相同的方向的情況下,使磁性片材51的移動速度比平臺42的移動速度要慢,能減小旋轉(zhuǎn)掉落之后的層疊體塊21的間隔,在將磁性片材51的移動方向設(shè)為與平臺42的移動方向相反的方向的情況下,能增大旋轉(zhuǎn)掉落之后的層疊體塊21的間隔。這樣,通過適當調(diào)節(jié)磁性片材51的移動方向和移動速度,能任意地調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)掉落之后的層疊體塊21的間隔。[0104]此外,在上面的說明中,舉例示出了采用使用磁性片材51來磁性吸引層疊體塊21的結(jié)構(gòu)的情況,但是也可以利用由電磁鐵構(gòu)成的磁場發(fā)生裝置取代磁性片材51來磁性吸引層置體塊21。[0105]圖18是表示使層疊體塊滾動的工序之后的滾動裝置的狀態(tài)的示意俯視圖。圖19是表示使層疊體塊中心對準的工序的滾動裝置的示意俯視圖。此外,圖20是表示使層疊體塊集合的工序的滾動裝置的示意俯視圖,圖21是表示使層疊體塊集合的工序之后的滾動裝置的狀態(tài)的示意俯視圖。[0106]如圖18所示,在使多個層疊體塊21滾動之后,多個上述層疊體塊21配置成在它們排列的方向(圖中示出的Y軸方向)上彼此隔開距離,并且,在有的情況下,如圖示那樣,多個層疊體塊21有可能成為其位置沿著其長邊方向(圖中示出的X軸方向)未對齊的狀態(tài)。[0107]若原樣地保持該狀態(tài),則在上述的第2分割工序中要分割的各個層疊體塊的分割位置不在對齊的狀態(tài),無法直接轉(zhuǎn)移至第2分割工序,因此,在本實施方式所涉及的電容元件的制造方法中,包括:使這些層疊體塊中心對準的工序(即,使各個層疊體塊的分割位置對齊的工序);以及進一步使這些層疊體塊集合的工序。這些工序能在作為上述的本實施方式所涉及的電容元件的制造裝置的滾動裝置40中進行實施。以下,參照圖18?圖21對該工序的詳細情況進行說明。[0108]首先,在使層疊體塊中心對準的工序中,如圖18所示,一對中心對準用引導構(gòu)件44被上述的中心對準用弓I導構(gòu)件驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動而朝著圖中示出的箭頭標記E方向移動。由此,設(shè)置在一對中心對準用引導構(gòu)件44上的中心對準用引導面44a與多個層疊體塊21各自的長邊方向的端部相接觸,多個層疊體塊21隨之沿著圖中示出的X軸方向移動。[0109]之后,如圖19所示,在一對中心對準用引導構(gòu)件44之間的距離與多個層疊體塊21的長邊方向的長度相等的時刻,停止一對中心對準用引導構(gòu)件44的移動。由此,多個層疊體塊21沿著其長邊方向被一對中心對準用引導構(gòu)件44夾持,多個層疊體塊21隨之在其長邊方向(圖中示出的X軸方向)上一次性地中心對準。[0110]另外,在中心對準之后,一對中心對準用引導構(gòu)件44從圖19所示的狀態(tài)朝圖中示出的箭頭標記F方向移動,從多個層疊體塊21進行退避。[0111]接下來,在使層疊體塊集合的工序中,如圖19所示,也起到集合用引導構(gòu)件的作用的平臺42和集合用引導構(gòu)件45分別被上述的平臺驅(qū)動機構(gòu)及集合用引導構(gòu)件驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動而朝著圖中示出的箭頭標記G方向移動。由此,設(shè)置在平臺42上的集合用引導面42c、設(shè)置在集合用引導構(gòu)件45上的集合用引導面45a分別與處在離其最近的位置的層疊體塊21相接觸,多個層疊體塊21隨之沿著圖中示出的Y軸方向移動。[0112]之后,如圖20所示,在平臺42和集合用引導構(gòu)件45之間的距離與多個層疊體塊21集合后的狀態(tài)下的水平方向的寬度相等的時刻,停止平臺42及集合用引導構(gòu)件45的移動。由此,多個層疊體塊21沿著它們排列的方向被平臺42和集合用引導構(gòu)件45夾持,多個層疊體塊21隨之在它們排列的方向(圖中示出的Y軸方向)上一次性地集合。[0113]另外,在集合之后,平臺42和集合用引導構(gòu)件45從圖20所示的狀態(tài)朝圖中示出的箭頭標記H方向移動,從多個層疊體塊21進行退避,由此成為圖21所示的狀態(tài)。[0114]接下來,在圖21所示的狀態(tài)下,將第2保持用粘接片材32(參照圖11)粘貼于集合后的多個層疊體塊21的上表面(即,一對第I切斷面中未被磁性片材51保持的第I切斷面21a2(參照圖16(E))),從而將這多個層疊體塊21從磁性片材51轉(zhuǎn)移至第2保持用粘接片材32。然后,對被該第2保持用粘接片材32保持的、滾動之后的多個層疊體塊21實施上述的第2分割工序。[0115]通過使用以上所說明的本實施方式所涉及的電容元件的制造方法及制造裝置,在將第I分割工序中將母塊20進行分割而單片化為細長的近似長方體形的多個層疊體塊21在第2分割工序中分別分割成近似長方體形的層疊體芯片22之前,能很好處理地非常容易地使多個層疊體塊21分別一次性地旋轉(zhuǎn)90°。此外,完全或基本上不依賴手工操作就能使多個層疊體塊21滾動,因此,還能實現(xiàn)滾動的可靠性和操作時間的縮短、工件破損的防止等,能非常高效且高產(chǎn)品合格率地進行滾動處理,其結(jié)果是,還能大幅度地削減制造成本。在層疊體塊21為小型的情況下這些效果尤其顯著,非常適合力圖實現(xiàn)小型、大容量化的層疊陶瓷電容器的制造。[0116]此外,通過使用本實施方式所涉及的電容元件的制造方法及制造裝置,如上所述,在第2分割工序中,能使切刀33沿著與層疊用陶瓷生片23的層疊方向平行的方向進入層疊體塊21來進行切斷,因此,能抑制切斷引起的剪切力沿著層疊方向作用于層疊用陶瓷生片23及導電圖案24,還能實現(xiàn)廣品合格率的提聞和可罪性的提聞。[0117]因此,通過采用本實施方式所涉及的電容元件的制造方法及制造裝置,能高產(chǎn)品合格率、高效地制成小型、大容量、高可靠性的層疊陶瓷電容器。[0118]在以上所說明的本實施方式中,舉例示出了將陶瓷生片粘貼在相當于層疊體芯片的側(cè)面的切斷面上來形成附加電介質(zhì)層的情況,但也可以不粘貼陶瓷生片,取而代之在切斷面上涂布陶瓷漿料或樹脂糊料來形成附加電介質(zhì)層。[0119]此外,在上述的本實施方式中,第I分割工序及第2分割工序均舉例示出了采用對母塊及多個層疊體塊進行分割使得一部分導電圖案在切斷面露出的結(jié)構(gòu)的情況,但未必一定要采用這樣的結(jié)構(gòu),也可以在上述兩個分割工序中的任一個分割工序或者全部兩個分割工序中進行切斷,使得導電圖案不在切斷面露出。[0120]此外,在上述的本實施方式中,在第2分割工序中,舉例示出了利用切斷來分割多個層疊體塊的情況,但在第2分割工序中,也可以利用切割來分割多個層疊體塊。[0121]S卩,本發(fā)明的應(yīng)用并不限于為了增加有效面積、而進行分割使得導電圖案在相當于層疊體芯片的側(cè)面的切斷面露出、另外利用電介質(zhì)材料來覆蓋該切斷面這樣的情況的電容元件的制造方法及制造裝置,當然也能應(yīng)用于其它一般的電容元件的制造方法及制造裝置。[0122]此外,在上述的本實施方式中,舉例示出了預先將磁性片材配置在滾動裝置的工作臺上的情況,但是,既可以配置粘接片材等其它片材來取代磁性片材,也可以不配置任何片材。即,只要使多個層疊體塊依次從平臺的端部旋轉(zhuǎn)掉落而在平臺之外的區(qū)域著地,就達到了所期望的目的。[0123]而且,在上述的本實施方式中,舉例示出了采用以下結(jié)構(gòu)的情況,在該結(jié)構(gòu)中,滾動機構(gòu)由平臺驅(qū)動機構(gòu)和移動限制構(gòu)件構(gòu)成,將移動限制構(gòu)件進行固定以使其不能移動,通過使平臺移動,載放在平臺上的多個層疊體塊依次被平臺的端部推開而旋轉(zhuǎn)掉落,但是,也可以不采用上述結(jié)構(gòu),而是采用以下結(jié)構(gòu):即,由固定成不能移動的平臺和在該平臺上移動的推出構(gòu)件構(gòu)成滾動機構(gòu),通過使該推出構(gòu)件在平臺上移動,使載放在平臺上的多個層疊體塊依次被平臺的端部推開而旋轉(zhuǎn)掉落。對本發(fā)明的實施方式進行了說明,但在此公開的實施方式應(yīng)視作在所有方面均為例示而并非限制。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍來表示,本發(fā)明的范圍還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意思及范圍內(nèi)的所有變更?!緳?quán)利要求】1.一種電容元件的制造方法,該電容元件的制造方法用于制造具備基體部的電容元件,所述基體部包含沿著規(guī)定方向交替層疊的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層,該電容元件的制造方法的特征在于,包括:準備將成為所述電介質(zhì)層的多個電介質(zhì)生片以及成為所述內(nèi)部電極層的多個導電圖案進行層疊而成的母塊的工序;沿著與多個所述導電圖案的層疊方向大致平行的第I分割面將所述母塊行狀分割,從而將所述母塊單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊的工序;使多個所述層疊體塊分別滾動,使得通過將所述母塊進行分割而分別形成在多個所述層疊體塊上的一對第I切斷面的各個不與位于相鄰位置的層疊體塊相對的工序;以及沿著與滾動之后的多個所述層疊體塊中的多個所述導電圖案的層疊方向大致平行且與所述一對第I切斷面大致正交的第2分割面,將滾動之后的多個所述層疊體塊列狀分割,從而將多個所述層疊體塊分別單片化為具有近似長方體形的多個層疊體芯片的工序,使多個所述層疊體塊分別滾動的工序包含:將多個所述層疊體塊載放在平臺上,使得所述一對第I切斷面的各個第I切斷面維持與位于相鄰位置的層疊體塊相對的狀態(tài)的工序;以及使載放的多個所述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向在所述平臺上對于該平臺進行相對移動,從而多個所述層疊體塊分別依次被所述平臺的端部推開而從該端部旋轉(zhuǎn)掉落,由此旋轉(zhuǎn)掉落后的多個所述層疊體塊的所述一對第I切斷面中的一個第I切斷面在所述平臺之外的區(qū)域著地的工序。2.如權(quán)利要求1所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在將多個所述層疊體塊分別單片化為多個所述層疊體芯片的工序中,使切刀沿著所述第2分割面,朝與旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊中的多個所述導電圖案的層疊方向正交的方向進入多個所述層疊體塊,從而將多個所述層疊體塊分別一次性地進行分割。3.如權(quán)利要求1或2所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在將所述平臺的厚度設(shè)為t,將多個所述層疊體塊各自具有的所述一對第I切斷面之間的距離設(shè)為d的情況下,作為所述平臺,使用所述厚度t滿足d/2<t<d的條件的平臺。4.如權(quán)利要求1至3的任一項所述的電容元件的制造方法,其特征在于,利用強磁性體材料形成多個所述導電圖案,在使多個所述層疊體塊分別滾動的工序中,預先將磁性片材配置在所述平臺之外的區(qū)域,從而利用所述磁性片材對旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊進行磁性吸引來吸附保持。5.如權(quán)利要求4所述的電容元件的制造方法,其特征在于,作為所述磁性片材,使用將不同極性的磁極在與載放在所述平臺上的多個所述層疊體塊各自的延伸方向平行的方向上交替地配置的磁性片材。6.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在將所述母塊單片化為多個所述層疊體塊的工序中,對所述母塊進行分割,使得多個所述導電圖案在所述一對第I切斷面的各個第I切斷面上露出。7.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在將多個所述層疊體塊分別單片化為多個所述層疊體芯片的工序中,將多個所述層疊體塊分別進行分割,使得多個所述導電圖案在對多個所述層疊體塊分別進行分割而形成在多個所述層疊體芯片上的一對第2切斷面的各個第2切斷面上露出。8.如權(quán)利要求7所述的電容元件的制造方法,其特征在于,還具備利用電介質(zhì)材料覆蓋多個所述層疊體芯片的所述一對第2切斷面的各個第2切斷面的工序。9.如權(quán)利要求1至8的任一項所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在使多個所述層疊體塊分別滾動的工序之后,且在將多個所述層疊體塊分別單片化為多個所述層疊體芯片的工序之前,還具備以下工序:即,利用一對中心對準用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊沿著其長邊方向一次性夾持,從而使多個所述層疊體塊在所述長邊方向上一次性中心對準。10.如權(quán)利要求1至9的任一項所述的電容元件的制造方法,其特征在于,在使多個所述層疊體塊分別滾動的工序之后,且在將多個所述層疊體塊分別單片化為多個所述層疊體芯片的工序之前,還具備以下工序:即,利用一對集合用弓丨導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向一次性夾持,從而使多個所述層疊體塊在該方向上一次性地集合。11.一種電容元件的制造裝置,該電容元件的制造裝置用于制造具備基體部的電容元件,所述基體部包含沿著規(guī)定方向交替層疊的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層,該電容元件的制造裝置的特征在于,包括:平臺,該平臺載放有通過將成為所述電介質(zhì)層的多個電介質(zhì)生片以及成為所述內(nèi)部電極層的多個導電圖案進行層疊而成的母塊行狀分割、從而單片化為具有細長的近似長方體形的多個層疊體塊;滾動機構(gòu),該滾動機構(gòu)使載放在所述平臺上的多個所述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向在所述平臺上對于該平臺進行相對移動,從而多個所述層疊體塊分別依次被所述平臺的端部推開而從該端部旋轉(zhuǎn)掉落來進行滾動;以及,著地面,該著地面位于所述平臺之外的區(qū)域,對通過所述滾動機構(gòu)而旋轉(zhuǎn)掉落的多個所述層疊體塊進行承接,所述平臺采用以下結(jié)構(gòu):即,能將多個所述層疊體塊排列配置,使得通過將所述母塊進行分割而分別形成在多個所述層疊體塊上的一對第1切斷面的各個第1切斷面與位于相鄰位置的層疊體塊相對,所述著地面采用以下結(jié)構(gòu):即,能使旋轉(zhuǎn)掉落后的多個所述層疊體塊的所述一對第1切斷面中的一個第1切斷面著地。12.如權(quán)利要求11所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,所述滾動機構(gòu)由使所述平臺移動的平臺驅(qū)動機構(gòu)、以及限制載放在所述平臺上的多個所述層疊體塊移動的移動限制構(gòu)件構(gòu)成,并采用以下結(jié)構(gòu):即,利用所述平臺驅(qū)動機構(gòu)使所述平臺移動,通過使載放在所述平臺上的多個所述層疊體塊與所述移動限制構(gòu)件抵接,多個所述層疊體塊分別依次被所述平臺的端部推開。13.如權(quán)利要求11或12所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,在將所述平臺的厚度設(shè)為仏將多個所述層疊體塊各自具有的所述一對第1切斷面之間的距離設(shè)為(1的情況下,所述厚度〖滿足(1/2?〖?(1的條件。14.如權(quán)利要求11至13的任一項所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,還具備磁性片材,該磁性片材配置在所述平臺之外的區(qū)域,對多個所述層疊體塊進行磁性吸引來吸附保持,多個所述導電圖案由強磁性體材料構(gòu)成,所述著地面由所述磁性片材的主表面構(gòu)成。15.如權(quán)利要求14所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,所述磁性片材是將不同極性的磁極在與載放在所述平臺上的多個所述層疊體塊各自的延伸方向平行的方向上交替配置的磁性片材。16.如權(quán)利要求11至15的任一項所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,在多個所述層疊體塊中,多個所述導電圖案在所述一對第I切斷面的各個第I切斷面露出。17.如權(quán)利要求11至16的任一項所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,還具備一對中心對準用引導構(gòu)件,該一對中心對準用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊沿著其長邊方向一次性夾持,從而使多個所述層疊體塊在所述長邊方向上一次性地中心對準。18.如權(quán)利要求11至17的任一項所述的電容元件的制造裝置,其特征在于,還具備一對集合用引導構(gòu)件,該一對集合用引導構(gòu)件將旋轉(zhuǎn)掉落之后的多個所述層疊體塊沿著該多個層疊體塊排列的方向一次性地夾持,從而使多個所述層疊體塊在該方向上一次性地集合?!疚臋n編號】H01G13/00GK104465089SQ201410482714【公開日】2015年3月25日申請日期:2014年9月19日優(yōu)先權(quán)日:2013年9月20日【發(fā)明者】田中淳也申請人:株式會社村田制作所
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
富蕴县| 奉化市| 株洲县| 五家渠市| 永泰县| 荆州市| 龙陵县| 交城县| 千阳县| 桐柏县| 万州区| 民权县| 昌黎县| 永德县| 周口市| 延长县| 嫩江县| 乡城县| 交城县| 土默特右旗| 岑溪市| 石家庄市| 井冈山市| 安泽县| 沐川县| 瑞安市| 新巴尔虎左旗| 黄浦区| 共和县| 潼关县| 建湖县| 长武县| 石城县| 兴隆县| 巩义市| 武冈市| 黄浦区| 台东县| 腾冲县| 黎城县| 工布江达县|