開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法，包括1)工藝環(huán)境準備；2)超聲波清洗；3)硅片清洗；4)清洗石英架、石英砣：5)硅片硼-鋁擴散；6)氧化；7)一次光刻；8)磷擴散；9)割圓；10)燒結；11)二次光刻與蒸發(fā)一次成型；12)合金；13)臺面處理；14)測試。與現有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：1)采用硼-鋁一次擴散，保證PN結前沿平緩及產品的一致性；2)采用二次光刻與蒸發(fā)一次成型技術，簡化工序，降低物理損傷，提高成品率和產品性能的可靠性；3)在超凈工藝環(huán)境中操作，特殊的清洗方法及優(yōu)質清洗試劑保證長的少子壽命；4)新型燒結技術保證燒結變形小，粘接牢固，保證擴散參數穩(wěn)定不變。
【專利說明】開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及電力電子器件制造【技術領域】，尤其涉及一種應用開管涂源全擴散方法 制造電動汽車低功耗雪崩晶閘管芯片的工藝。
【背景技術】
[0002] 目前，國內、國際上電動汽車正處于快速發(fā)展期，而電動汽車普遍采用晶閘管作為 電子開關控制電源與驅動電機，根據電機的工作狀態(tài)輸出可變的電壓、電流，驅動電動汽車 行駛。國內現有汽車用的晶閘管普遍使用焊接技術生產，使用壽命短、故障率高，用新型的 開管涂源全擴散工藝生產低功耗雪崩晶閘管壓接芯片，成本低，耐電壓、電流沖擊強。質量 可靠，而且成本低，利潤率高，具有廣闊的市場前景。
【發(fā)明內容】
[0003] 本發(fā)明提供了 一種開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法，采用 硼-鋁一次擴散，保證PN結前沿平緩及產品的一致性；采用二次光刻與蒸發(fā)一次成型技術， 簡化工序，降低物理損傷，提高成品率和產品性能的可靠性。
[0004] 為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案實現：
[0005] 開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法，包括如下步驟：
[0006] 1)工藝環(huán)境準備
[0007] 工藝環(huán)境中的空氣雙級雙過濾，過濾后的空氣在10級以下；
[0008] 2)超聲波清洗
[0009] 硅片超聲波除砂1小時以上，氫氟酸超聲波清洗1小時以上，分別用常溫和70°C去 離子水沖洗，再用去離子水超聲波清洗2小時以上，每30?35分鐘更換一次去離子水，然 后用冷熱去離子水交替沖洗四遍；
[0010] 3)硅片清洗
[0011] 配制1#液，體積比為氨水：過氧化氫：去離子水=1 :2 :5 ;配制2#液，體積比為鹽 酸：過氧化氫：去離子水=1 :2 :7 ;將超砂后的硅片放入1#液中，在加熱器上煮5?6分鐘， 用去離子水沖洗10?15遍，換潔凈的1#液重復煮一遍，再用冷、熱去離子水交替沖洗20? 25遍；將硅片放入2#液中，在加熱器上煮5?6分鐘，用去離子水沖洗10?12遍，換上潔 凈的2#液重復煮一遍，用冷、熱去離子水交替各沖洗25?30遍，最后將清洗干凈的硅片放 入180°C烘箱中烘1小時以上；
[0012] 4)清洗石英架、石英砣
[0013] 將石英架、石英砣放入體積比為H20 :HF = 4 :1的氫氟酸溶液中，浸泡30?35分 鐘，取出用冷熱去離子水沖洗各20?25遍，放入180°C烘箱中烘1小時以上；
[0014] 5)硅片硼-鋁擴散
[0015] 將氧化硼、硝酸鋁溶于無水乙醇中，配制比例100?400mg:3g: 100ml，制成氧化 硼-硝酸鋁溶液作為擴散源，用涂膠機將擴散源涂在硅片表面，將硅片疊放在石英架上，放 到1260°C擴散爐中進行高溫擴散；20?30小時以后閉爐；
[0016] 6)氧化
[0017] 將硼擴散后的硅片放到1150°C氧化爐中做氧化，通水汽2小時以上、氧氣1小時以 上各兩次，氧氣流量500ml/分鐘，時間到后閉爐；
[0018] 7) -次光刻
[0019] 將氧化后的硅片需要刻圖形的一面甩光刻膠，在烘箱中80°C溫度下烘20?25分 鐘，冷卻后在光刻機下曝光，曝光后在120#汽油溶液中顯影10?15分鐘，再在潔凈的120# 汽油溶液中定影2?3分鐘，在140°C溫度下烘干，將背面涂真空蜂蠟，再用光刻腐蝕液腐 蝕，然后去膠烘干；
[0020] 8)磷擴散
[0021] 將光刻好并經檢驗合格的硅片，用1#液、2#液清洗干凈，烘干后放到磷擴散爐中， 待爐溫升到1200°C通磷源和氧氣、氮氣保護氣體，爐溫升到1250°C時關閉磷源，停止升溫 繼續(xù)通保護氣體，直到擴散爐降溫到l〇〇〇°C以下，閉爐閉氣；
[0022] 9)割圓
[0023] 用高速割圓機將硅片圖形以外的部分去掉，制成芯片；
[0024] 10)燒結
[0025] 將裝載芯片的鋼架推入真空燒結爐的恒溫區(qū)中，開啟真空泵及真空機組，當真空 達2X10_ 3Pa時推入燒結爐，在550°C溫度下恒溫加熱20?25分鐘，然后以每分鐘2°C的速 度升溫到650°C，恒溫加熱20?25分鐘后，再以每分鐘2°C的速度降溫至550°C，取下爐蓋， 自然降溫至400°C時推離爐體，當溫度低于200°C時，放氣取出石墨船；
[0026] 11)二次光刻與蒸發(fā)一次成型
[0027] 將燒結后的芯片放到蒸發(fā)臺的載片臺上，用模具圓環(huán)將芯片的隔離環(huán)屏蔽，將高 純鋁絲纏在鎢絲電極上，蓋上蒸發(fā)臺罩，抽真空到2Xl(T 3Pa ;然后給鎢絲電極加熱，待鎢絲 上的鋁全蒸發(fā)完后，關閉蒸發(fā)電源，待機器蒸發(fā)室冷卻后將芯片取出，測試鋁膜厚度8? 10um為合格；
[0028] 12)合金
[0029] 將蒸發(fā)合格的芯片放到合金爐中，在520°C?540°C溫度下加熱30分鐘?60分 鐘，停止加熱，待爐溫降到400°C以下將芯片推離爐體，自然冷卻到100°C以下取出；
[0030] 13)臺面處理
[0031] 磨角：將芯片正反面保護后進行磨角，角度為20度：4度，磨角邊寬2. 5mm ;
[0032] 臺面腐蝕：將芯片固定在腐蝕架上，用體積比為氫氟酸：硝酸=1 :6的混酸腐蝕， 然后用去離子水沖洗，烤干后涂406膠，做潮濕、高溫試驗后，在真空烘箱中180°C溫度下老 化72小時；
[0033] 14)測試
[0034] 測試芯片性能，正反向要求硬特性電壓400V?600V之間；觸發(fā)電流30mA?80mA ; 觸發(fā)電壓 1. 5V 以下；DV/DT 達到 lOOOV/μ S ;DI/DT 大于 50Α/μ S。
[0035] 與現有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：
[0036] 1)采用硼-鋁一次擴散，保證ΡΝ結前沿平緩及產品的一致性；
[0037] 2)采用二次光刻與蒸發(fā)一次成型技術，簡化工序，降低物理損傷，提高成品率和產 品性能的可靠性；
[0038] 3)在超凈工藝環(huán)境中操作，特殊的清洗方法及優(yōu)質清洗試劑保證長的少子壽命；
[0039] 4)新型燒結技術保證燒結變形小，粘接牢固，保證擴散參數穩(wěn)定不變。
【具體實施方式】
[0040] 下面對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步說明：
[0041] 本發(fā)明開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法，包括如下步驟：
[0042] 1)工藝環(huán)境準備
[0043] 工藝環(huán)境中的空氣雙級雙過濾，過濾后的空氣在10級以下；
[0044] 2)超聲波清洗
[0045] 硅片超聲波除砂1小時以上，氫氟酸超聲波清洗1小時以上，分別用常溫和70°C去 離子水沖洗，再用去離子水超聲波清洗2小時以上，每30?35分鐘更換一次去離子水，然 后用冷熱去離子水交替沖洗四遍；
[0046] 3)硅片清洗
[0047] 配制1#液，體積比為氨水：過氧化氫：去離子水=1 :2 :5 ;配制2#液，體積比為鹽 酸：過氧化氫：去離子水=1 :2 :7 ;將超砂后的硅片放入1#液中，在加熱器上煮5?6分鐘， 用去離子水沖洗10?15遍，換潔凈的1#液重復煮一遍，再用冷、熱去離子水交替沖洗20? 25遍；將硅片放入2#液中，在加熱器上煮5?6分鐘，用去離子水沖洗10?12遍，換上潔 凈的2#液重復煮一遍，用冷、熱去離子水交替各沖洗25?30遍，最后將清洗干凈的硅片放 入180°C烘箱中烘1小時以上；
[0048] 4)清洗石英架、石英砣
[0049] 將石英架、石英砣放入體積比為H20 :HF = 4 :1的氫氟酸溶液中，浸泡30?35分 鐘，取出用冷熱去離子水沖洗各20?25遍，放入180°C烘箱中烘1小時以上；
[0050] 5)硅片硼-鋁擴散
[0051] 將氧化硼、硝酸鋁溶于無水乙醇中，配制比例100?400mg:3g: 100ml，制成氧化 硼-硝酸鋁溶液作為擴散源，用涂膠機將擴散源涂在硅片表面，將硅片疊放在石英架上，放 到1260°C擴散爐中進行高溫擴散；20?30小時以后閉爐；
[0052] 6)氧化
[0053] 將硼擴散后的硅片放到1150°C氧化爐中做氧化，通水汽2小時以上、氧氣1小時以 上各兩次，氧氣流量500ml/分鐘，時間到后閉爐；
[0054] 7) -次光刻
[0055] 將氧化后的硅片需要刻圖形的一面甩光刻膠，在烘箱中80°C溫度下烘20?25分 鐘，冷卻后在光刻機下曝光，曝光后在120#汽油溶液中顯影10?15分鐘，再在潔凈的120# 汽油溶液中定影2?3分鐘，在140°C溫度下烘干，將背面涂真空蜂蠟，再用光刻腐蝕液腐 蝕，然后去膠烘干；
[0056] 8)磷擴散
[0057] 將光刻好并經檢驗合格的硅片，用1#液、2#液清洗干凈，烘干后放到磷擴散爐中， 待爐溫升到1200°C通磷源和氧氣、氮氣保護氣體，爐溫升到1250°C時關閉磷源，停止升溫 繼續(xù)通保護氣體，直到擴散爐降溫到l〇〇〇°C以下，閉爐閉氣；
[0058] 9)割圓
[0059] 用高速割圓機將硅片圖形以外的部分去掉，制成芯片；
[0060] 10)燒結
[0061] 將裝載芯片的鋼架推入真空燒結爐的恒溫區(qū)中，開啟真空泵及真空機組，當真空 達2X10_3Pa時推入燒結爐，在550°C溫度下恒溫加熱20?25分鐘，然后以每分鐘2°C的速 度升溫到650°C，恒溫加熱20?25分鐘后，再以每分鐘2°C的速度降溫至550°C，取下爐蓋， 自然降溫至400°C時推離爐體，當溫度低于200°C時，放氣取出石墨船；
[0062] 11)二次光刻與蒸發(fā)一次成型
[0063] 要形成晶閘管的控制特性，必須將芯片表面的控制極與陰極隔離開，傳統(tǒng)的工藝 是用光刻工藝刻蝕隔離槽，達到陰極與控制極隔離的作用，二次光刻與蒸發(fā)一次成型技術， 減少了光刻工藝的，甩膠、前烘、曝光顯影、定影、堅膜、腐蝕等工序。采用直接蒸發(fā)，即用模 具圓環(huán)放在芯片隔離環(huán)的位置，在蒸發(fā)過程中直接形成隔離。
[0064] 將燒結后的芯片放到蒸發(fā)臺的載片臺上，用模具圓環(huán)將芯片的隔離環(huán)屏蔽，將高 純鋁絲纏在鎢絲電極上，蓋上蒸發(fā)臺罩，抽真空到2Xl(T3Pa ;然后給鎢絲電極加熱，待鎢絲 上的鋁全蒸發(fā)完后，關閉蒸發(fā)電源，待機器蒸發(fā)室冷卻后將芯片取出，測試鋁膜厚度8? 10um為合格；
[0065] 12)合金
[0066] 將蒸發(fā)合格的芯片放到合金爐中，在520°C?540°C溫度下加熱30分鐘?60分 鐘，停止加熱，待爐溫降到400°C以下將芯片推離爐體，自然冷卻到100°C以下取出；
[0067] 13)臺面處理
[0068] 磨角：將芯片正反面保護后進行磨角，角度為20度：4度，磨角邊寬2. 5mm ;
[0069] 臺面腐蝕：將芯片固定在腐蝕架上，用體積比為氫氟酸：硝酸=1 :6的混酸腐蝕， 然后用去離子水沖洗，烤干后涂406膠，做潮濕、高溫試驗后，在真空烘箱中180°C溫度下老 化72小時；
[0070] 14)測試
[0071] 測試芯片性能，正反向要求硬特性電壓400V?600V之間；觸發(fā)電流30mA?80mA ; 觸發(fā)電壓 1. 5V 以下；DV/DT 達到 lOOOV/μ S ;DI/DT 大于 50Α/μ S。
[0072] 超凈的工藝環(huán)境是提高低功耗雪崩晶閘管芯片成品率的前提，精細清洗方法、優(yōu) 良的試劑是制造合格的低功耗雪崩晶閘管的保證，本發(fā)明采用的氧化硼為純度為99. 9%以 上的高純氧化硼，硝酸鋁為純度為99. 99%的高純硝酸鋁，無水乙醇為含量99. 9%以上的 優(yōu)級無水乙醇。
[0073] 擴散芯片工藝是本發(fā)明的關鍵步驟之一，本發(fā)明采用硼-鋁一次擴散，能夠減小 ΡΝ結前沿濃度梯度，降低ΡΝ結的電場強度，提高正反向重復峰值電壓。
[0074] 燒結是產品形成的關鍵步驟之二，本發(fā)明中燒結采用電腦程控儀控制設備燒結溫 度的變化，與以往的常規(guī)燒結工藝控制方法相比，精確穩(wěn)定，一致性好，能夠很好地控制燒 結爐升溫、恒溫及降溫過程，消除因升、降溫不均造成的芯片電參數變壞現象。
[0075] 二次光刻與蒸發(fā)一次成型也是本發(fā)明的重要步驟，能夠降低物理損傷，提高成品 率和產品性能的可靠性；同時簡化了工序，有利于降低生產成本，增加利潤。
[0076] 另外，本發(fā)明采用3?4英寸260 μ m薄硅片套刻小芯片，保證產品的低功耗特性。 采用特殊的表面圖形保證產品的耐沖擊性。
[0077] 以下實施例在以本發(fā)明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具 體的操作過程，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施例。下述實施例中所用方法如無特 別說明均為常規(guī)方法。
[0078] 【實施例1】應用本發(fā)明所述方法制造100片雪崩晶閘管芯片，其制造過程如下：
[0079] 工藝環(huán)境中的空氣雙級雙過濾，過濾后的空氣為10級；
[0080] 硅片超聲波除砂1小時，氫氟酸超聲波清洗1小時，分別用常溫和70°C去離子水沖 洗，再用去離子水超聲波清洗2小時，每30分鐘更換一次去離子水，然后用冷熱去離子水交 替沖洗四遍；
[0081] 配制1#液，體積比為氨水：過氧化氫：去離子水=1 :2 :5 ;配制2#液，體積比為鹽 酸：過氧化氫：去離子水=1 :2 :7 ;將超砂后的硅片放入1#液中，在加熱器上煮5分鐘，用 去離子水沖洗10遍，換潔凈的1#液重復煮一遍，再用冷、熱去離子水交替沖洗20遍；將硅 片放入2#液中，在加熱器上煮5分鐘，用去離子水沖洗10遍，換上潔凈的2#液重復煮一遍， 用冷、熱去離子水交替各沖洗25遍，最后將清洗干凈的硅片放入180°C烘箱中烘1小時；
[0082] 將石英架、石英砣放入體積比為H20 :HF = 4 :1的氫氟酸溶液中，浸泡30分鐘，取 出用冷熱去離子水沖洗各20遍，放入180°C烘箱中烘1小時；
[0083] 將氧化硼、硝酸鋁溶于無水乙醇中，配制比例200mg:3g:100ml，制成氧化硼-硝酸 鋁溶液作為擴散源，用涂膠機將擴散源涂在硅片表面，將硅片疊放在石英架上，放到1260°C 擴散爐中進行高溫擴散；20小時以后閉爐；
[0084] 將硼擴散后的硅片放到1150°C氧化爐中做氧化，通水汽2小時、氧氣1小時各兩 次，氧氣流量500ml/分鐘，時間到后閉爐；
[0085] 將氧化后的硅片需要刻圖形的一面甩光刻膠，在烘箱中80°C溫度下烘20分鐘，冷 卻后在光刻機下曝光，曝光后在120#汽油溶液中顯影10分鐘，再在潔凈的120#汽油溶液 中定影2分鐘，在140°C溫度下烘干，將背面涂真空蜂蠟，再用光刻腐蝕液腐蝕，然后去膠烘 干；
[0086] 將光刻好并經檢驗合格的硅片，用1#液、2#液清洗干凈，烘干后放到磷擴散爐中， 待爐溫升到1200°C通磷源和氧氣、氮氣保護氣體，爐溫升到1250°C時關閉磷源，停止升溫 繼續(xù)通保護氣體，直到擴散爐降溫到l〇〇〇°C，閉爐閉氣；
[0087] 用高速割圓機將硅片圖形以外的部分去掉，制成芯片；
[0088] 將裝載芯片的鋼架推入真空燒結爐的恒溫區(qū)中，開啟真空泵及真空機組，當真空 達2X10_3Pa時推入燒結爐，在550°C溫度下恒溫加熱20分鐘，然后以每分鐘2°C的速度升溫 到650°C，恒溫加熱20分鐘后，再以每分鐘2°C的速度降溫至550°C，取下爐蓋，自然降溫至 400°C時推離爐體，溫度200°C時放氣取出石墨船；
[0089] 將燒結后的芯片放到蒸發(fā)臺的載片臺上，用模具將芯片的隔離環(huán)屏蔽，將高純鋁 絲纏在鎢絲電極上，蓋上蒸發(fā)臺罩，抽真空到2Xl(T3Pa ;然后給鎢絲電極加熱，待鎢絲上的 鋁全蒸發(fā)完后，關閉蒸發(fā)電源，待機器蒸發(fā)室冷卻后將芯片取出，測試鋁膜厚度8?10um為 合格；
[0090] 將蒸發(fā)合格的芯片放到合金爐中，在520°C溫度下加熱30分鐘，停止加熱，待爐溫 降到400°C時將芯片推離爐體，自然冷卻到100°C取出；
[0091] 將芯片正反面保護后進行磨角，角度為20度：4度，磨角邊寬2. 5mm;
[0092] 將芯片固定在腐蝕架上，用體積比為氫氟酸：硝酸=1 :6的混酸腐蝕，然后用去離 子水沖洗，烤干后涂406膠，做潮濕、高溫試驗后，在真空烘箱中180°C溫度下老化72小時；
[0093] 測試芯片性能，正反向要求硬特性電壓400V?600V之間；觸發(fā)電流30mA?80mA ; 觸發(fā)電壓 1. 5V 以下；DV/DT 達到 lOOOV/μ S ;DI/DT 大于 50Α/μ S。
[0094] 抽檢其中的34片，測試結果見下表：
[0095] 晶閘管測試參數表
[0096]
【權利要求】
1.開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法，其特征在于，包括如下步驟： 1) 工藝環(huán)境準備 工藝環(huán)境中的空氣雙級雙過濾，過濾后的空氣在10級以下； 2) 超聲波清洗 硅片超聲波除砂1小時以上，氫氟酸超聲波清洗1小時以上，分別用常溫和70°C去離子 水沖洗，再用去離子水超聲波清洗2小時以上，每30?35分鐘更換一次去離子水，然后用 冷熱去離子水交替沖洗四遍； 3) 硅片清洗 配制1#液，體積比為氨水：過氧化氫：去離子水=1 :2 :5 ;配制2#液，體積比為鹽酸： 過氧化氫：去離子水=1 :2 :7 ;將超砂后的硅片放入1#液中，在加熱器上煮5?6分鐘，用 去離子水沖洗10?15遍，換潔凈的1#液重復煮一遍，再用冷、熱去離子水交替沖洗20? 25遍；將硅片放入2#液中，在加熱器上煮5?6分鐘，用去離子水沖洗10?12遍，換上潔 凈的2#液重復煮一遍，用冷、熱去離子水交替各沖洗25?30遍，最后將清洗干凈的硅片放 入180°C烘箱中烘1小時以上； 4) 清洗石英架、石英砣 將石英架、石英砣放入體積比為H20 :HF = 4 :1的氫氟酸溶液中，浸泡30?35分鐘，取 出用冷熱去離子水沖洗各20?25遍，放入180°C烘箱中烘1小時以上； 5) 硅片硼-鋁擴散 將氧化硼、硝酸鋁溶于無水乙醇中，配制比例100?400mg:3g :100ml，制成氧化硼-硝 酸鋁溶液作為擴散源，用涂膠機將擴散源涂在硅片表面，將硅片疊放在石英架上，放到 1260°C擴散爐中進行高溫擴散；20?30小時以后閉爐； 6) 氧化 將硼擴散后的硅片放到1150°C氧化爐中做氧化，通水汽2小時以上、氧氣1小時以上各 兩次，氧氣流量500ml/分鐘，時間到后閉爐； 7) -次光刻 將氧化后的硅片需要刻圖形的一面甩光刻膠，在烘箱中80°C溫度下烘20?25分鐘，冷 卻后在光刻機下曝光，曝光后在120#汽油溶液中顯影10?15分鐘，再在潔凈的120#汽油 溶液中定影2?3分鐘，在140°C溫度下烘干，將背面涂真空蜂蠟，再用光刻腐蝕液腐蝕，然 后去膠烘干； 8) 憐擴散 將光刻好并經檢驗合格的硅片，用1#液、2#液清洗干凈，烘干后放到磷擴散爐中，待爐 溫升到1200°C通磷源和氧氣、氮氣保護氣體，爐溫升到1250°C時關閉磷源，停止升溫繼續(xù) 通保護氣體，直到擴散爐降溫到l〇〇〇°C以下，閉爐閉氣； 9) 割圓 用高速割圓機將硅片圖形以外的部分去掉，制成芯片； 10) 燒結 將裝載芯片的鋼架推入真空燒結爐的恒溫區(qū)中，開啟真空泵及真空機組，當真空達 2X10_3Pa時推入燒結爐，在550°C溫度下恒溫加熱20?25分鐘，然后以每分鐘2°C的速度 升溫到650°C，恒溫加熱20?25分鐘后，再以每分鐘2°C的速度降溫至550°C，取下爐蓋，自 然降溫至400°C時推離爐體，當溫度低于200°C時，放氣取出石墨船； 11) 二次光刻與蒸發(fā)一次成型 將燒結后的芯片放到蒸發(fā)臺的載片臺上，用模具圓環(huán)將芯片的隔離環(huán)屏蔽，將高純鋁 絲纏在鎢絲電極上，蓋上蒸發(fā)臺罩，抽真空到2Xl(T3Pa ;然后給鎢絲電極加熱，待鎢絲上的 鋁全蒸發(fā)完后，關閉蒸發(fā)電源，待機器蒸發(fā)室冷卻后將芯片取出，測試鋁膜厚度8?10um為 合格； 12) 合金 將蒸發(fā)合格的芯片放到合金爐中，在520°C?540°C溫度下加熱30分鐘?60分鐘，停 止加熱，待爐溫降到400°C以下將芯片推離爐體，自然冷卻到100°C以下取出； 13) 臺面處理 磨角：將芯片正反面保護后進行磨角，角度為20度：4度，磨角邊寬2. 5mm; 臺面腐蝕：將芯片固定在腐蝕架上，用體積比為氫氟酸：硝酸=1 :6的混酸腐蝕，然后 用去離子水沖洗，烤干后涂406膠，做潮濕、高溫試驗后，在真空烘箱中180°C溫度下老化72 小時； 14) 測試 測試芯片性能，正反向要求硬特性電壓400V?600V之間；觸發(fā)電流30mA?80mA ;觸 發(fā)電壓 1. 5V 以下；DV/DT 達到 lOOOV/μ S ;DI/DT 大于 50Α/μ S。
【文檔編號】H01L21/332GK104299901SQ201410487951
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月22日 優(yōu)先權日:2014年9月22日
【發(fā)明者】于能斌, 于澤, 張宏偉, 王景波, 劉欣宇 申請人:鞍山市良溪電力科技有限公司