大功率高反射率cob基板及光源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種大功率高反射率COB基板及光源的制作方法，包括如下步驟：提供透明基材板；在透明基材板的兩面均形成感光膜；對透明基材板兩面的感光膜均進(jìn)行曝光顯影，露出透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線；對透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線進(jìn)行穿透步驟；去除感光膜；在去除感光膜后的透明基材板的底面和側(cè)面形成鏡面反光層；在去除感光膜后的透明基材板的正面進(jìn)行電路層的印刷和燒結(jié)，透明基材板的正面還設(shè)有固晶區(qū)；所述電路層形成焊線區(qū)和電極；對透明基材板正面的除固晶區(qū)、焊線區(qū)以及電極三部分以外的其他部分印刷絕緣油。本發(fā)明的大功率高反射率COB基板及光源的制作方法能大大提高COB基板或光源的反光能力，提高光效率，節(jié)能環(huán)保。
【專利說明】大功率高反射率COB基板及光源的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光源領(lǐng)域，具體涉及COB基板及光源的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)制作的COB光源發(fā)光效率低，LED的光能量被大量浪費(fèi)?，F(xiàn)有的制作方法一般是在LED芯片的固晶區(qū)形成反光杯結(jié)構(gòu)，以集中LED芯片的出光角度，從而提高光效率，但這樣的方式仍然存在很大的光能浪費(fèi)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可以提高COB光源反光率的COB基板制作方法，減少能源浪費(fèi)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為，大功率高反射率COB基板的制作方法，包括如下步驟:
[0005](I)提供透明基材板；
[0006](2)在透明基材板的兩面均形成感光膜；
[0007](3)對透明基材板兩面的感光膜均進(jìn)行曝光顯影，露出透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線；
[0008](4)對透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線進(jìn)行穿透步驟；
[0009](5)去除感光膜；
[0010](6)在去除感光膜后的透明基材板的底面和側(cè)面形成鏡面反光層；
[0011](7)在去除感光膜后的透明基材板的正面進(jìn)行電路層的印刷和燒結(jié)，透明基材板的正面還設(shè)有固晶區(qū)；所述電路層形成焊線區(qū)和電極；
[0012](8)對透明基材板正面的除固晶區(qū)、焊線區(qū)以及電極三部分以外的其他部分印刷絕緣油。
[0013]這樣的方式，透明基材板的正面用于安裝LED芯片，而LED芯片發(fā)射的光能通過透明基材板，到達(dá)鏡面反光層，由鏡面反光層把光線進(jìn)行反射，大大增強(qiáng)光的利用效率。
[0014]優(yōu)選的技術(shù)方案為，
[0015]所述步驟⑵中，形成感光膜具體為印刷感光膜或粘合感光干膜。這樣的方案工藝簡單，容易實(shí)現(xiàn)。
[0016]優(yōu)選的技術(shù)方案為，
[0017]所述步驟(4)中，穿透步驟為采用氫氟酸刻蝕至穿透或采用激光切割鏤空。
[0018]氫氟酸刻蝕成本低，容易實(shí)現(xiàn)，方便大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用；激光切割的精確度高。
[0019]優(yōu)選的技術(shù)方案為，
[0020]所述步驟￠)中，采用蒸鍍或?yàn)R射方式形成鏡面反光層，所述鏡面反光層為鎳、銀或銦金屬層。
[0021]優(yōu)選的技術(shù)方案為，
[0022]所述步驟(7)具體為，使用導(dǎo)電材料對導(dǎo)電層進(jìn)行印刷，形成固晶區(qū)、焊線區(qū)和電極；再在700-1000°C環(huán)境下，進(jìn)行I小時(shí)的燒結(jié)。
[0023]進(jìn)一步的技術(shù)方案為，
[0024]所述步驟(8)中，所述絕緣油為黑色或白色絕緣油。這樣的方案可以防止反射時(shí)光線漏藍(lán)光。
[0025]本發(fā)明還涉及一種大功率高反射率COB光源的制作方法，包括如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的步驟，還包括如下步驟:
[0026](9)采用透明固晶膠水把LED芯片固定在固晶區(qū)，并把LED芯片與電路層電連接；
[0027](10)對透明基材板的正面進(jìn)行光源外殼封裝。
[0028]這樣的方案采用透明固晶膠水，保證LED芯片底面的光能通過透明基材板，實(shí)現(xiàn)鏡面反光層的反射。
[0029]本發(fā)明的大功率高反射率COB基板及光源的制作方法能大大提高COB基板或光源的反光能力，提聞光效率，節(jié)能環(huán)保。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是本發(fā)明大功率高反射率COB基板的制作方法的步驟示意圖。
[0031]圖2是本發(fā)明大功率高反射率COB光源的制作方法的后續(xù)步驟示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0033]如圖1所示，本發(fā)明的大功率高反射率COB基板的制作方法，包括如下步驟:
[0034](I)提供透明基材板I ;可選透明玻璃、透明陶瓷或藍(lán)寶石等透明基材，其透光率高，使本方案能更有效地實(shí)施；厚度可按產(chǎn)品要求選取，0.4-4_均可。
[0035](2)在透明基材板I的兩面均形成感光膜2 ;可以是印刷感光膜2或者粘合感光干膜，感光干膜也是感光膜的一種。如圖1(a)所示，其中圖1(a)所示為側(cè)視方向示意圖。
[0036](3)對透明基材板I兩面的感光膜2均進(jìn)行曝光顯影，露出透明基材板I上的產(chǎn)品外形邊框線3，如圖1(b)所示；產(chǎn)品外形邊框線3的部分沒有覆蓋感光膜2，而其他部分被感光膜2保護(hù)。其中，所述產(chǎn)品是指單獨(dú)的成品基板，產(chǎn)品外形邊框線3則指基板之外的部分，本實(shí)施例中，產(chǎn)品與產(chǎn)品之間還預(yù)留連接位4，如圖1(c)所示，可使后續(xù)的其他步驟不是單只產(chǎn)品作業(yè)，而是可以實(shí)現(xiàn)整體作業(yè)，方便自動化生產(chǎn)，保證生產(chǎn)效率。其中，圖1(b)為側(cè)視方向，圖1(c)為俯視方向示意圖。
[0037](4)對透明基材板I上的產(chǎn)品外形邊框線3進(jìn)行穿透步驟；穿透步驟可以為采用氫氟酸刻蝕至穿透或采用激光切割鏤空。其中，氫氟酸刻蝕可以直接用氫氟酸刻蝕機(jī)進(jìn)行操作即可，加工成本低，方便大規(guī)模生產(chǎn)；激光切割鏤空的方式加工精度高，但同時(shí)成本也較高，不適合大規(guī)模生產(chǎn)。把產(chǎn)品外形邊框線3鏤空后，即完成了基板外形的制作。
[0038](5)去除感光膜2，具體地，采用氫氧化鈉溶液進(jìn)行去除。
[0039](6)如圖1 (d)所示，在去除感光膜2后的透明基材板I的底面和側(cè)面形成鏡面反光層5，具體地，可采用蒸鍍或?yàn)R射方式形成鏡面反光層5，所述鏡面反光層5為鎳、銀或銦金屬層，也可以采用其他反光率高的材料，具體的反光材料本身并不是本發(fā)明的考慮范疇。其中，圖1(d)為側(cè)視方向示意圖。
[0040](7)在去除感光膜2后的透明基材板I的正面進(jìn)行電路層6的印刷和燒結(jié)，透明基材板I的正面還設(shè)有固晶區(qū)61，所述電路層6形成焊線區(qū)62和電極63 ;具體地，使用導(dǎo)電材料(本實(shí)施例中為銀漿)對導(dǎo)電層進(jìn)行印刷，形成固晶區(qū)61、焊線區(qū)62和電極63;再在700-1000°C環(huán)境下，進(jìn)行I小時(shí)的燒結(jié)。如圖1(e)和圖1(f)所示，其中圖1(e)為側(cè)視方向視圖，圖1(f)為俯視方向視圖。其中，固晶區(qū)61、焊線區(qū)62和電極63的數(shù)量并不唯一，而是根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，基板所需安裝的LED芯片7的數(shù)量而定，每個LED芯片7對應(yīng)一個固晶區(qū)61、一組焊線區(qū)62和一組電極63 (正、負(fù)電極)。
[0041](8)對透明基材板I正面的除了固晶區(qū)61、焊線區(qū)62以及電極63三個部分以外的其他部分印刷絕緣油，以保證電氣連接安全及光源的正常使用。更進(jìn)一步地，所述絕緣油為黑色或白色絕緣油，可對透過的光進(jìn)行吸收或反射，有效防止反射時(shí)光線漏藍(lán)光，保證光源的正常使用。
[0042]本發(fā)明還公開了一種大功率高反射率COB光源的制作方法，包括上述基板制作方法的步驟，還包括如下步驟:
[0043](9)采用透明固晶膠水把LED芯片7固定在固晶區(qū)61，并把LED芯片7與電路層6電連接；采用透明的固晶膠水避免膠水阻擋LED芯片7底部的光，保證光線的反射。
[0044](10)對透明基材板I的正面進(jìn)行光源外殼8封裝，如圖2所示。光源外殼8的具體封裝形式不是本發(fā)明的考慮范圍，可以用傳統(tǒng)的LED光源封裝方式，即硅膠與熒光粉混合后，作為外殼8進(jìn)行封裝；也可以是其他封裝結(jié)構(gòu)。
[0045]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)提供透明基材板； (2)在透明基材板的兩面均形成感光膜； (3)對透明基材板兩面的感光膜均進(jìn)行曝光顯影，露出透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線.-^4 ， (4)對透明基材板上的產(chǎn)品外形邊框線進(jìn)行穿透步驟； (5)去除感光膜； (6)在去除感光膜后的透明基材板的底面和側(cè)面形成鏡面反光層； (7)在去除感光膜后的透明基材板的正面進(jìn)行電路層的印刷和燒結(jié)，透明基材板的正面還設(shè)有固晶區(qū)；所述電路層形成焊線區(qū)和電極； (8)對透明基材板正面的除固晶區(qū)、焊線區(qū)以及電極三部分以外的其他部分印刷絕緣油。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于: 所述步驟(2)中，形成感光膜具體為印刷感光膜或粘合感光干膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于: 所述步驟(4)中，穿透步驟為采用氫氟酸刻蝕至穿透或采用激光切割鏤空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于: 所述步驟￠)中，采用蒸鍍或?yàn)R射方式形成鏡面反光層，所述鏡面反光層為鎳、銀或銦金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于: 所述步驟(7)具體為，使用導(dǎo)電材料對導(dǎo)電層進(jìn)行印刷，形成固晶區(qū)、焊線區(qū)和電極；再在700-1000°C環(huán)境下，進(jìn)行I小時(shí)的燒結(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率高反射率COB基板的制作方法，其特征在于: 所述步驟(8)中，所述絕緣油為黑色或白色絕緣油。
7.一種大功率高反射率COB光源的制作方法，包括如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的步驟，還包括如下步驟: (9)采用透明固晶膠水把LED芯片固定在固晶區(qū)，并把LED芯片與電路層電連接； (10)對透明基材板的正面進(jìn)行光源外殼封裝。
【文檔編號】H01L33/60GK104282824SQ201410505808
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月26日
【發(fā)明者】康孝恒 申請人:深圳市志金電子有限公司