一種磁化磁路結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，包含面對面成對設(shè)置的第一磁極和第二磁極、分別連接第一磁極和第二磁極的磁軛、以及套設(shè)在磁軛上的勵磁線圈，第一磁極和第二磁極之間形成氣隙，第一磁極和第二磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。當(dāng)勵磁線圈通入電流時，電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極、磁軛、氣隙和第二磁極形成磁路，由于第一磁極和第二磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小，磁場由磁軛到氣隙逐漸集中，因而使氣隙處的磁場增加，能在不增加勵磁電流的情況下提高在磁極之間的氣隙處的磁場強(qiáng)度，可防止磁極處磁場發(fā)散。
【專利說明】一種磁化磁路結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種磁化磁路結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]在磁分離、磁化等應(yīng)用領(lǐng)域，利用導(dǎo)磁材料做成磁路和磁極，可以將磁場限定在一定范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)局部范圍內(nèi)磁場的提高。但在目前，磁路都采用固定橫截面結(jié)構(gòu)，磁極橫截面與磁路其它部分橫截面相同，磁路中的磁場與磁極氣隙處的磁場大小接近。為防止磁路飽和，磁極橫截面與磁路其它部分橫截面都很大，這樣造成磁極處磁場發(fā)散嚴(yán)重，磁場強(qiáng)度難以提高。如果要提高磁極間氣隙的磁場，就必須提高磁路中的磁場，因而需要提高勵磁電流，增加損耗和電源功率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，可防止磁極處磁場發(fā)散，提高磁極之間的磁場強(qiáng)度。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含:
面對面成對設(shè)置的第一磁極和第二磁極，該第一磁極和第二磁極組成磁極對；
磁軛，其分別連接第一磁極和第二磁極，該磁軛呈“C”型，或“c”型；
勵磁線圈，其套設(shè)在磁軛上，該勵磁線圈連接外部電流源；
所述的第一磁極和第二磁極之間形成氣隙，該氣隙的位置用于放置待磁化材料。
[0005]當(dāng)勵磁線圈通入電流時，電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極、磁軛、氣隙和第二磁極形成磁路；
在所述第一磁極和第二磁極組成的磁極對中，第一磁極和第二磁極中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu)，或者第一磁極和第二磁極都是變截面結(jié)構(gòu)，所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
[0006]所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小。
[0007]所述斜面與水平方向的夾角大于O度，小于90度。
[0008]所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小。
[0009]所述階梯的層數(shù)大于等于I層。
[0010]所述第一磁極和第二磁極組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個。
[0011]所述第一磁極和第二磁極的橫截面為任意形狀。
[0012]所述第一磁極、第二磁極和磁軛采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成，或者采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成，或者采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。
[0013]所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
[0014]所述勵磁線圈的數(shù)量大于等于一個。
[0015]本發(fā)明可防止磁極處磁場發(fā)散，提高磁極之間的磁場強(qiáng)度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是本發(fā)明的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3是本發(fā)明的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4是本發(fā)明的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]以下根據(jù)圖1?圖4，具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
[0021]如圖1?圖4所示，本發(fā)明提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含:
面對面成對設(shè)置的第一磁極I和第二磁極2,該第一磁極I和第二磁極2組成磁極對； 磁軛4，其分別連接第一磁極I和第二磁極2，該磁軛呈“匚”型，或“C”型；
勵磁線圈3，其套設(shè)在磁軛4上，該勵磁線圈3連接外部電流源。
[0022]所述的第一磁極I和第二磁極2之間形成氣隙5，該氣隙5的位置用于放置待磁化材料。
[0023]當(dāng)勵磁線圈3通入電流時，電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極1、磁軛4、氣隙5和第二磁極2形成閉合回路，稱為磁路。
[0024]所述第一磁極I和第二磁極2組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個，該磁極對可沿任意方向有序設(shè)置，或無向無序設(shè)置。
[0025]所述勵磁線圈3的數(shù)量大于等于一個。
[0026]所述的第一磁極I和第二磁極2中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu)，或者第一磁極I和第二磁極2都是變截面結(jié)構(gòu),對于第一磁極I,該第一磁極I上與磁軛4相連一端的橫截面大于靠近氣隙一端的橫截面，該第一磁極I的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小，同理，對于第二磁極2,該第二磁極2上與磁軛4相連一端的橫截面大于靠近氣隙一端的橫截面,該第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
[0027]如圖1和圖3所不,所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面6逐漸減小，所述斜面6與水平方向的夾角大于O度，小于90度。
[0028]如圖2和圖4所不,所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小，所述階梯7的層數(shù)大于等于I層。
[0029]所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面為任意形狀，例如:圓形、矩形、正方形或三角形等等。
[0030]所述第一磁極1、第二磁極2和磁軛4可以采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成，也可以采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成，也可以采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。[0031 ] 所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
[0032]實(shí)施例1
如圖1所不，提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，面對面設(shè)置一對第一磁極I和第二磁極2,第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小，所述斜面6與水平方向的夾角范圍為O?30°，第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0033]磁軛4的橫截面為寬600mm、長400mm的矩形,面積大,可以防止磁場飽和。第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小，第一磁極I和第二磁極2在靠近氣隙5處的橫截面都為長400mm,寬10mm的矩形。當(dāng)磁場進(jìn)入第一磁極I和第二磁極2后，磁路面積減小，磁場逐步集中，最終在第一磁極I和第二磁極2之間的氣隙5中形成12000聞斯的磁場。
[0034]實(shí)施例2
如圖2所不,提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),面對面設(shè)置一對第一磁極I和第二磁極2，第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小，所述階梯7的層數(shù)為3層，第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0035]實(shí)施例3
如圖3所示，提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，面對面設(shè)置兩對第一磁極I和第二磁極2，所述的兩對第一磁極I和第二磁極2沿圖中的X方向平行設(shè)置(也可沿Y方向平行設(shè)置，還可以沿任意方向設(shè)置)，第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小，所述斜面6與水平方向的夾角范圍為O?45° ,第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0036]實(shí)施例4
如圖4所示，提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu)，面對面設(shè)置兩對第一磁極I和第二磁極2，所述的兩對第一磁極I和第二磁極2沿圖中的X方向平行設(shè)置(也可沿Y方向平行設(shè)置，還可以沿任意方向設(shè)置)，第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小，所述階梯7的層數(shù)為3層，第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0037]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將磁極與磁軛分開設(shè)計(jì)，并且磁極橫截面小于磁軛橫截面積，磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小，磁場由磁軛到氣隙逐漸集中，因而使氣隙處的磁場增加，能在不增加勵磁電流的情況下提高在磁極之間的氣隙處的磁場強(qiáng)度。
[0038]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含: 面對面成對設(shè)置的第一磁極(I)和第二磁極(2),該第一磁極(I)和第二磁極(2)組成磁極對； 磁軛(4)，其分別連接第一磁極(I)和第二磁極(2)，該磁軛呈“匚”型，或“C”型； 勵磁線圈(3 )，其套設(shè)在磁軛(4 )上，該勵磁線圈(3 )連接外部電流源； 所述的第一磁極(I)和第二磁極(2)之間形成氣隙(5)，該氣隙(5)的位置用于放置待磁化材料； 當(dāng)勵磁線圈(3)通入電流時，電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極(I)、磁軛(4)、氣隙(5)和第二磁極(2)形成磁路； 在所述第一磁極(I)和第二磁極(2 )組成的磁極對中，第一磁極(I)和第二磁極(2 )中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu)，或者第一磁極(I)和第二磁極(2)都是變截面結(jié)構(gòu)，所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
2.如權(quán)利要求1所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處以斜面形式逐漸減小。
3.如權(quán)利要求2所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述斜面與水平方向的夾角大于O度，小于90度。
4.如權(quán)利要求1所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處以階梯形式逐漸減小。
5.如權(quán)利要求4所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述階梯的層數(shù)大于等于I層。
6.如權(quán)利要求2-5中任意一個所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一磁極(I)和第二磁極(2)組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個。
7.如權(quán)利要求6所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一磁極(I)和第二磁極(2)的橫截面為任意形狀。
8.如權(quán)利要求7所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一磁極(I)、第二磁極(2)和磁軛(4)采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成，或者采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成，或者采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。
9.如權(quán)利要求8所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
10.如權(quán)利要求9所述的磁化磁路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述勵磁線圈(3)的數(shù)量大于等于一個。
【文檔編號】H01F13/00GK104240895SQ201410514735
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】周繼生 申請人:上海巖川電磁科技有限公司