顯示裝置和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置和顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的顯示裝置(1)包括：第一基板(10)，其具有撓性基板(5)，被劃分為顯示區(qū)域(D)和其外側(cè)的非顯示區(qū)域(E)，在上述顯示區(qū)域的上述撓性基板上形成有薄膜晶體管(11)和電致發(fā)光元件(30)；與上述第一基板的上述顯示區(qū)域的上表面(10a)相對(duì)地配置的第二基板(50)；和隔著各向異性導(dǎo)電膜(72)壓接在上述第一基板的上述非顯示區(qū)域上的IC芯片(3)，上述第一基板中，在上述撓性基板與上述各向異性導(dǎo)電膜之間，具有至少一層以上的俯視形狀比上述IC芯片大、硬度比上述撓性基板高的支承層(61a、61c)，上述IC芯片在俯視時(shí)位于上述支承層的內(nèi)側(cè)。
【專利說明】顯示裝置和顯示裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，開發(fā)了具有能夠撓曲的基板的可撓曲顯示裝置。作為這樣的顯示裝置的基板，使用在可撓曲的樹脂基板上形成有薄膜晶體管的TFT (thin film transistor)基板、在樹脂基板上形成有彩色濾光片的彩色濾光片基板。TFT基板中，在其顯示區(qū)域內(nèi)形成有電路，在顯示區(qū)域的外側(cè)的非顯示區(qū)域中形成有使該電路與外部連接設(shè)備連接的端子。
[0003]作為這樣的顯示裝置的TFT基板，在日本專利3850915號(hào)公報(bào)中公開了具有安裝有IC芯片的聚酰亞胺膜的TFT基板。該TFT基板是可撓曲的，在聚酰亞胺膜安裝的電路部件，沿著其外周形成有焊點(diǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]通常，這樣的顯示裝置中的TFT基板的制造方法具有:在玻璃基板上依次形成可撓曲的樹脂基板和薄膜晶體管的工序；在樹脂基板上隔著各向異性導(dǎo)電膜壓接IC芯片的工序；和從玻璃基板剝離樹脂基板的工序。
[0005]因?yàn)闃渲宓挠捕缺炔ＡЩ宓?，所以這樣的制造方法中，在樹脂基板上壓接IC芯片時(shí)，從IC芯片對(duì)各向異性導(dǎo)電膜作用的壓力被樹脂基板吸收。因此，隔著各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行的IC芯片與薄膜晶體管的導(dǎo)通可能不穩(wěn)定。
[0006]本發(fā)明鑒于這樣的情況提出，目的在于實(shí)現(xiàn)顯示裝置的可靠性的提高。
[0007](I)本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，包括:第一基板，其具有樹脂基板，被劃分為顯示區(qū)域和其外側(cè)的非顯示區(qū)域，在上述顯示區(qū)域的上述樹脂基板上形成有薄膜晶體管和電致發(fā)光元件；與上述第一基板的上述顯示區(qū)域的上表面相對(duì)地配置的第二基板；和壓接在上述第一基板的上述非顯示區(qū)域上的IC芯片，上述第一基板中，在上述樹脂基板與上述IC芯片之間，具有至少一層以上的俯視形狀比上述IC芯片大、硬度比上述樹脂基板高的支承層，上述IC芯片在俯視時(shí)位于設(shè)置有上述支承層的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
[0008](2)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(I)中，上述支承層在俯視時(shí)位于上述顯示區(qū)域的外側(cè)。
[0009](3)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(I)或(2)中，上述支承層中的一層是包含金屬的金屬支承層。
[0010](4)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(3)中，上述金屬支承層與上述薄膜晶體管的配線形成在同一層。
[0011](5)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(I)至(4)中的任一項(xiàng)中，上述支承層中的一層是包含絕緣材料的絕緣支承層。
[0012](6)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(I)至(5)中的任一項(xiàng)中，上述支承層中的一層由多晶硅形成。
[0013](7)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(I)至￠)中的任一項(xiàng)中，上述支承層具有包含絕緣材料的絕緣支承層和包含金屬的金屬支承層，上述絕緣支承層與上述金屬支承層相比形成在更靠上述樹脂基板一側(cè)的位置，在上述絕緣支承層與上述金屬支承層之間形成有絕緣膜。
[0014](8)本發(fā)明的顯示裝置可以是，在(7)中，上述絕緣膜是上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜。
[0015](9)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征在于，包括:在基礎(chǔ)基板上形成劃分為顯示區(qū)域和其外側(cè)的非顯示區(qū)域的樹脂基板的工序；在上述樹脂基板上形成至少一層以上的硬度比上述樹脂基板高的支承層的工序；在上述樹脂基板的上述顯示區(qū)域上形成薄膜晶體管和電致發(fā)光元件的工序；與上述顯示區(qū)域相對(duì)地配置相對(duì)基板的工序；在上述支承層的上述非顯示區(qū)域上，以使俯視形狀比上述支承層小的IC芯片在俯視時(shí)位于設(shè)置有上述支承層的區(qū)域的內(nèi)側(cè)的方式壓接該IC芯片的工序；和從上述基礎(chǔ)基板剝離上述樹脂基板的工序。
[0016](10)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法可以是，在(9)中，在形成上述支承層的工序中，以俯視時(shí)位于上述顯示區(qū)域的外側(cè)的方式形成上述支承層。
[0017](11)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法可以是，在(9)或(10)中，由金屬形成上述支承層中的一層即金屬支承層。
[0018](12)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法可以是，在(11)中，在與上述薄膜晶體管的配線相同的層形成上述金屬支承層。
[0019](13)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法可以是，在(9)至(12)中的任一項(xiàng)中，用多晶硅形成上述支承層中的一層即絕緣支承層。
[0020](14)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法可以是，在(9)至(13)中的任一項(xiàng)中，上述支承層具有包含絕緣材料的絕緣支承層和包含金屬的金屬支承層，上述絕緣支承層與上述金屬支承層相比形成在更靠上述樹脂基板一側(cè)的位置，上述絕緣支承層與上述金屬支承層之間形成有絕緣膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的概要平面圖。
[0022]圖2是圖1所示的顯示裝置的I1-1I截?cái)嗑€上的概要截面圖。
[0023]圖3是圖1所示的顯示裝置的II1-1II截?cái)嗑€上的概要截面圖。
[0024]圖4是在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的變形例的概要截面圖。
[0025]圖5是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0026]圖6是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0027]圖7是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0028]圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0029]圖9是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0030]圖10是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0031]圖11是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0032]圖12是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的變形例、在與圖3同樣的視野中表示圖4所示的顯示裝置的概要截面圖。
[0033]附圖標(biāo)記說明
[0034]I顯示裝置；3 IC芯片；5樹脂基板；6底涂層；10第一基板；10a上表面；11薄膜晶體管；Ila多晶硅半導(dǎo)體層；Ilb柵極絕緣層(第一絕緣膜)；llc柵極電極；Ild第二絕緣膜；lle源極、漏極電極；llf第三絕緣膜；12電路層；13平坦化膜；14像素分離膜；20配線；30有機(jī)電致發(fā)光元件；32陽(yáng)極；32a接觸孔；33有機(jī)層；34陰極；40密封膜；50第二基板；61a絕緣支承基板；61b第一絕緣膜；61c金屬支承基板；61d第二絕緣膜；61^數(shù)據(jù)配線；61f第三絕緣膜；71端子電極；72各向異性導(dǎo)電膜；73端子；D顯示區(qū)域；E非顯示區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0035]以下，對(duì)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置，以顯示裝置I為例基于附圖進(jìn)行說明。另外，以下說明中參考的附圖中，有時(shí)為了易于理解特征而適當(dāng)將特征的部分放大表示，各構(gòu)成要素的尺寸比例等不一定與實(shí)際相同。此外，以下說明中舉例的材料等只是一例，各構(gòu)成要素可以與其不同，能夠在不變更其主旨的范圍內(nèi)變更實(shí)施。
[0036]圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的概要平面圖，圖2是圖1所示的顯示裝置I的I1-1I截?cái)嗑€上的概要截面圖。顯示裝置I具有:形成有薄膜晶體管11的第一基板10 ;與第一基板10的顯示區(qū)域D相對(duì)地配置的第二基板50 ;在第一基板10的非顯示區(qū)域E上配置的IC芯片(Integrated Circuit) 3。
[0037]第一基板10是與其顯示區(qū)域D的上表面1a相對(duì)地配置第二基板50的部件。第一基板10被劃分為顯示區(qū)域D和顯示區(qū)域D外側(cè)的非顯示區(qū)域E，在顯示區(qū)域D中，在例如包含樹脂的撓性基板5上，層疊有底涂層6、具有薄膜晶體管11的電路層12、平坦化膜13、作為顯示元件的有機(jī)電致發(fā)光元件30、密封膜40。
[0038]撓性基板5是作為第一基板10的基材起作用的可撓曲的基板。撓性基板包含例如聚酰亞胺等樹脂，但只要具有能夠使第一基板10彎曲的柔軟性，則也可以是其它材料。
[0039]此外，撓性基板5的上表面可以被底涂層6覆蓋。底涂層6是確保撓性基板5與薄膜晶體管11之間的絕緣性的、包含絕緣材料的層。底涂層6例如包含S12，但也可以是其它材料，此外，也可以是層疊有2層以上的結(jié)構(gòu)。
[0040]電路層12是形成有薄膜晶體管11、鈍化膜Ilf和未圖示的電配線的層，是為了驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光元件30而形成的。
[0041]薄膜晶體管11在撓性基板5上按每個(gè)像素P設(shè)置。薄膜晶體管11具體而言例如由多晶硅半導(dǎo)體層11a、柵極絕緣層(第一絕緣膜)lib、例如包含MoW(鑰鎢合金)的柵極電極(配線)11c、第二絕緣膜Ild和例如包含Al(鋁)的源極、漏極電極lie構(gòu)成。其中，柵極電極Ilc和源極、漏極電極lie的材料不限于上述例子，也可以使用其它金屬材料或合金。
[0042]此外，薄膜晶體管11上被鈍化膜(第三絕緣膜)llf覆蓋。鈍化膜Ilf是為了保護(hù)薄膜晶體管、并且確保薄膜晶體管11與有機(jī)電致發(fā)光元件30之間的絕緣性而形成的。
[0043]平坦化膜13是例如包含S12或SiN、丙烯酸、聚酰亞胺等絕緣材料的層，以覆蓋電路層12上的方式形成。平坦化膜13在撓性基板5與有機(jī)電致發(fā)光元件30之間形成，由此使鄰接的薄膜晶體管11彼此之間以及薄膜晶體管11與有機(jī)電致發(fā)光元件30之間電絕緣。
[0044]此外，在平坦化膜13，形成有使薄膜晶體管11與有機(jī)電致發(fā)光元件30電連接的接觸孔32a。
[0045]此外，在平坦化膜13上的與各像素P對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，也可以形成反射膜31。反射膜31是使從有機(jī)電致發(fā)光元件30射出的光向第二基板50側(cè)反射的膜。反射膜優(yōu)選光反射率盡量高，例如使用包含鋁或銀(Ag)等的金屬膜作為材料。
[0046]在平坦化膜13上，例如隔著反射膜31形成有多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件30。有機(jī)電致發(fā)光元件30在撓性基板5上的與顯示區(qū)域D對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，與各像素P對(duì)應(yīng)地矩陣狀地設(shè)置有多個(gè)。
[0047]有機(jī)電致發(fā)光元件30具有陽(yáng)極32、至少具有發(fā)光層的有機(jī)層33、以覆蓋有機(jī)層33上的方式形成的陰極34，由此起到發(fā)光源的作用。
[0048]陽(yáng)極32是對(duì)有機(jī)層33注入驅(qū)動(dòng)電流的電極。陽(yáng)極32與接觸孔32a連接，由此與薄膜晶體管11電連接，從薄膜晶體管11對(duì)其供給驅(qū)動(dòng)電流。
[0049]陽(yáng)極32包含具有導(dǎo)電性的材料。陽(yáng)極32的材料，具體而言優(yōu)選例如ITO (IndiumTin Oxide,氧化銦錫)，但也可以是IZO(銦鋅復(fù)合氧化物)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁復(fù)合氧化物等具有透光性和導(dǎo)電性的材料。此外，如果反射膜31包含銀等金屬、并且與陽(yáng)極32接觸，則反射膜作為陽(yáng)極32的一部分起作用。
[0050]在鄰接的各陽(yáng)極32彼此之間，沿著鄰接的像素P彼此之間的邊界形成有像素分離膜14。像素分離膜14具有防止鄰接的陽(yáng)極32彼此的接觸和陽(yáng)極32與陰極34之間的漏電流的功能。像素分離膜14包含絕緣材料，具體而言例如包含感光性的樹脂組成物。
[0051]有機(jī)層33是至少具有發(fā)光層的、由有機(jī)材料形成的層，以覆蓋陽(yáng)極32上的方式形成。有機(jī)層33不限于按每個(gè)陽(yáng)極32形成的結(jié)構(gòu)，可以以覆蓋顯示區(qū)域D內(nèi)的配置有像素P的區(qū)域整個(gè)面的方式形成。有機(jī)層33具有發(fā)光的發(fā)光層，其發(fā)出的光可以是白色，也可以是其它顏色。
[0052]有機(jī)層33中，例如從陽(yáng)極32側(cè)起依次層疊未圖示的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層。此外，有機(jī)層33的層疊結(jié)構(gòu)不限于此處列舉的結(jié)構(gòu)，只要至少包括發(fā)光層，就不限定其層疊結(jié)構(gòu)。
[0053]發(fā)光層由例如通過空穴與電子結(jié)合而發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成。作為這樣的有機(jī)電致發(fā)光物質(zhì)例如可以使用一般用作有機(jī)發(fā)光材料的物質(zhì)。
[0054]陰極34以覆蓋有機(jī)層33上的方式形成。陰極34不限于按每個(gè)像素P形成的結(jié)構(gòu)，也可以以覆蓋顯示區(qū)域D內(nèi)的配置有像素P的區(qū)域整個(gè)面的方式形成。通過具有這樣的結(jié)構(gòu)，陰極34與多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件30的有機(jī)層33共用地接觸。
[0055]陰極34包含透光性和導(dǎo)電性的材料。陰極34的材料，具體而言優(yōu)選例如ΙΤ0，但也可以是在ITO、InZnO等導(dǎo)電性金屬氧化物中混入有銀、鎂等金屬的材料，或者銀、鎂等金屬薄膜與導(dǎo)電性金屬氧化物層疊的材料。
[0056]有機(jī)電致發(fā)光元件30上(陰極34上)跨多個(gè)像素P地被密封膜40覆蓋。密封膜40是通過覆蓋第一基板10整體而防止氧和水分對(duì)有機(jī)層33等各層的浸透的、包含絕緣材料的透明的膜。
[0057]第一基板10的上表面(密封膜40的上表面40a)隔著例如包含無機(jī)材料的填充劑45被第二基板50覆蓋。第二基板50例如是具有在俯視時(shí)比第一基板10小的外周的基板，與第一基板10的顯示區(qū)域D相對(duì)地配置。作為這樣的第二基板50，具體而言例如在有機(jī)層33的發(fā)光層發(fā)出白色光時(shí)，能夠使用彩色濾光片基板。通過使用彩色濾光片基板作為第二基板50，顯示裝置I能夠進(jìn)行彩色顯示。
[0058]接著，用圖1、圖3說明在第一基板10的非顯示區(qū)域E上配置的IC芯片3及其周邊結(jié)構(gòu)的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖3是圖1所示的顯示裝置I的II1-1II截?cái)嗑€上的概要截面圖。
[0059]IC芯片3是從顯示裝置I的外部通過未圖示的外部設(shè)備被供給圖像數(shù)據(jù)的、配置在第一基板10上的IC(Integrated Circuit,集成電路)。如圖1所示，IC芯片3設(shè)置在第一基板10的上表面1a中的沒有配置第二基板50的區(qū)域。此外，IC芯片3通過在非顯示區(qū)域E中形成的第一配線20與顯示區(qū)域D內(nèi)的薄膜晶體管11連接。
[0060]如圖3所示，IC芯片3具有與第一基板10連接的端子73。端子73例如包含金屬，隔著各向異性導(dǎo)電膜(anisotropic conductive film) 72壓接于在第一基板10的上表面1a形成的端子電極71。
[0061]各向異性導(dǎo)電膜72中，含有未圖示的導(dǎo)電顆粒。通過對(duì)各向異性導(dǎo)電膜72從IC芯片3的端子73施加朝向第一基板10側(cè)的壓力，在導(dǎo)電顆粒的表面形成導(dǎo)電通路，端子73與端子電極71導(dǎo)通。
[0062]接著，對(duì)于與配置IC芯片3的區(qū)域?qū)?yīng)的第一基板10的區(qū)域的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖3所示，該第一基板10的區(qū)域例如具有:撓性基板5 ;在撓性基板5上依次層疊的底涂層6、絕緣支承層61a、第一絕緣膜61b、金屬支承層61c、第二絕緣膜61d、第二配線61e、第三絕緣膜61f ;和端子電極71。撓性基板5和底涂層6的結(jié)構(gòu)與顯示區(qū)域D中的第一基板10相同，以下對(duì)于絕緣支承層61a到端子電極71的各結(jié)構(gòu)說明其詳細(xì)內(nèi)容。
[0063]絕緣支承層61a是用于抑制IC芯片3的應(yīng)力作用于IC芯片3的周邊的第一基板10并且抑制從IC芯片3對(duì)第一基板10作用的壓力被撓性基板5吸收的、硬度比撓性基板5高的支承層。
[0064]如圖1、3所示，絕緣支承層61a的俯視形狀比IC芯片3的俯視形狀大。設(shè)絕緣支承層61a的外周為外周61al時(shí),該外周61al在俯視時(shí)位于IC芯片3的外周3a的外側(cè)。絕緣支承層61a以覆蓋底涂層6的上表面中的至少與配置有IC芯片3的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的方式形成。
[0065]絕緣支承層61a具體而言例如包含多晶硅等絕緣材料。絕緣支承層61a的材料不限于多晶硅。只要支承層61a的硬度比撓性基板5大，支承層61a就可以由多晶硅以外的其它材料形成。
[0066]此外，圖3所示的非顯示區(qū)域E中的絕緣支承層61a例如與圖2所示的顯示區(qū)域D中的多晶硅半導(dǎo)體層Ila形成在同一層。此外，絕緣支承層61a的形成位置不限于與多晶硅半導(dǎo)體層Ila同一層。絕緣支承層61a只要位于撓性基板5與各向異性導(dǎo)電膜72之間，就可以形成在其它層上。
[0067]此外,絕緣支承層61a優(yōu)選在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)。如圖1所示,絕緣支承層61a具體而言在俯視時(shí)配置在第一基板10的上表面1a的與非顯示區(qū)域E對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的、沒有配置第二基板50的區(qū)域內(nèi)。
[0068]絕緣支承層61a上和底涂層6上之中的從絕緣支承層61a露出的區(qū)域被第一絕緣膜61b覆蓋。該第一絕緣膜61b例如包含與顯示區(qū)域D中的柵極絕緣層Ilb相同的材料，在與柵極絕緣層Ilb相同的層形成。
[0069]金屬支承層61c是為了抑制IC芯片3的應(yīng)力作用于IC芯片3的周圍的第一基板10并且抑制從IC芯片3對(duì)第一基板10作用的壓力被撓性基板5吸收的、硬度比撓性基板5高的支承層。金屬支承層61c以覆蓋第一絕緣膜61b上表面中的至少與配置IC芯片3的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的方式形成。如圖1、3所示，金屬支承層61c的俯視形狀比IC芯片3的俯視形狀大，金屬支承層61c的外周61cl位于IC芯片3的外周3a的外側(cè)。
[0070]如圖1所示，金屬支承層61c俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)。此外，如圖2、3所示，金屬支承層61c例如與顯示區(qū)域D中的柵極電極(配線)llc形成在同一層。金屬支承層61c例如包含與柵極電極Ilc相同的材料即MoW。此外，金屬支承層61c只要硬度比撓性基板5高，就可以由其它材料形成。此外，金屬支承層61c的形成位置不限于與柵極電極Ilc相同的層。金屬支承層61c只要位于撓性基板5與各向異性導(dǎo)電膜72之間，就可以形成在其它層上。
[0071]金屬支承層61c和第一絕緣膜61b上的從金屬支承層61c露出的區(qū)域被第二絕緣膜61d覆蓋。該第二絕緣膜61d例如包含與顯示區(qū)域D中的第二絕緣膜Ild相同的材料。此外，第二絕緣膜61d在與第二絕緣膜Ild相同的層形成。
[0072]在第二絕緣膜6Id上，形成有例如包含鋁的第二配線6Ie。第二配線6Ie是對(duì)顯示區(qū)域D中的源極、漏極電極lie發(fā)送來自IC芯片3的影像信號(hào)的配線。第二配線61e例如包含與顯示區(qū)域D中的源極、漏極電極lie相同的材料。此外，第二配線61e在與源極、漏極電極Ile相同的層形成。
[0073]第二配線61e上和第二絕緣膜61d上之中的從第二配線61e露出的區(qū)域被第三絕緣膜61f覆蓋。第三絕緣膜61f例如包含與顯示區(qū)域D中的第三絕緣膜Ilf相同的材料。此外，第三絕緣膜6If在與第三絕緣膜I If相同的層形成。
[0074]在第三絕緣膜61f上，形成有使IC芯片3與第二配線61e經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜72連接的端子電極71。端子電極71通過貫通第三絕緣膜61f的接觸孔71a與第二配線61e連接。端子電極71例如包含ITO等具有透光性的材料。此外，端子電極71與顯示區(qū)域D中的陽(yáng)極32形成在同一層。端子電極71與IC芯片3的端子73導(dǎo)通，從而使IC芯片3與顯示區(qū)域D中的薄膜晶體管11電連接。
[0075]本實(shí)施方式中的顯示裝置1，在各向異性導(dǎo)電膜72與撓性基板5之間，形成有俯視時(shí)形狀比IC芯片3大、并且硬度比撓性基板5高的支承層(絕緣支承層61a和金屬支承層61c中的至少一方。由此，與沒有支承層的顯示裝置相比，能夠抑制從IC芯片3對(duì)各向異性導(dǎo)電膜72作用的壓力被撓性基板5吸收。
[0076]因此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠?qū)崿F(xiàn)IC芯片3與薄膜晶體管11通過各向異性導(dǎo)電膜72的導(dǎo)通穩(wěn)定化，由此能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置I的可罪性提聞。
[0077]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置1，通過形成支承層，與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相t匕，抑制了因溫度變化而產(chǎn)生的IC芯片3的應(yīng)力作用于IC芯片3周圍的第一基板10。因此，能夠防止在IC芯片3周邊的第一基板10的表面發(fā)生褶皺等變形，實(shí)現(xiàn)顯示裝置I的可罪性提聞。
[0078]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I中，絕緣支承層61a在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)，由此能夠采用在與顯示區(qū)域D內(nèi)的柵極絕緣層Ilb相同的層形成絕緣支承層61a的結(jié)構(gòu)。因此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠不增加顯示區(qū)域D中的第一基板10的厚度就得到上述的本發(fā)明的效果。
[0079]同樣，本實(shí)施方式中的顯示裝置I中，金屬支承層61c在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)，由此能夠采用在與顯示區(qū)域D內(nèi)的柵極電極Ilc相同的層形成金屬支承層61c的結(jié)構(gòu)。因此，與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠不增加顯示區(qū)域D中的第一基板10的厚度就得到上述的本發(fā)明的效果。
[0080]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I中，包含金屬的金屬支承層61c在各向異性導(dǎo)電膜72與撓性基板5之間形成，由此與僅形成有絕緣支承層61a的顯示裝置相比，能夠抑制從IC芯片3對(duì)各向異性導(dǎo)電膜72作用的壓力被撓性基板5吸收。因此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性提高。
[0081]此外，實(shí)施方式中的顯示裝置I中，金屬支承層61c在與IC芯片3對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成，由此與僅形成有絕緣支承層61a的顯示裝置相比，能夠進(jìn)一步抑制IC芯片3的應(yīng)力作用于IC芯片3周圍的第一基板10。因此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性提聞。
[0082]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I中，支承層中的至少一層是包含絕緣材料的絕緣支承層61a，由此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，端子電極71與撓性基板5之間的絕緣性提高。由此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性提高。
[0083]以上說明了本實(shí)施方式的顯示裝置1，但顯示裝置I的結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施方式。圖4是在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的變形體的概要截面圖。優(yōu)選形成絕緣支承層61a和金屬支承層61c這雙者,但例如也可以如圖4所示僅形成其中一方。
[0084]這樣，僅形成絕緣支承層61a作為支承層的情況下，包含與顯示區(qū)域D中的柵極電極Ilc相同的材料的配線下部62c可以在與柵極電極Ilc相同的層形成。顯示裝置I具有這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，配線下部62c與第二配線61e連接，作為第二配線61e的一部分起作用。
[0085]顯示裝置I中，像這樣僅形成包含絕緣材料的絕緣支承層61a作為支承層，由此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠防止端子電極71與支承層之間的短路。因此，本實(shí)施方式中的顯示裝置I能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性提高。
[0086]此外，支承層的數(shù)量不限于2層以下。只要支承層的硬度比撓性基板5高、并且支承層在撓性基板5與各向異性導(dǎo)電膜72之間形成、俯視形狀比IC芯片3大，則也可以重合3層以上的支承層。
[0087]接著，用【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法。本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法具有:在基礎(chǔ)基板70上形成撓性基板5的工序；在非顯示區(qū)域E中的撓性基板5上形成一層以上的支承層的工序；在顯示區(qū)域D中的撓性基板5上形成薄膜晶體管11和電致發(fā)光元件30的工序；在顯示區(qū)域D上配置相對(duì)基板50的工序；在非顯示區(qū)域E壓接IC芯片3的工序；從基礎(chǔ)基板70剝離撓性基板5的工序。
[0088]圖5是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。首先，在基礎(chǔ)基板70上形成劃分為顯示區(qū)域D和其外側(cè)的非顯示區(qū)域E的例如包含聚酰亞胺的撓性基板5?；A(chǔ)基板70是用作撓性基板5的基座的基板，例如使用玻璃基板。此外，基礎(chǔ)基板70不限于玻璃基板，只要具有起到撓性基板5的基座的作用的強(qiáng)度，也可以是包含其它材料的基板。接著，在撓性基板5上層疊包含絕緣材料的底涂層6。
[0089]圖6是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，以覆蓋非顯示區(qū)域E中的底涂層6的上表面的方式，形成例如包含多晶硅等絕緣材料的層。此時(shí)，也可以不僅在非顯示區(qū)域E中，在顯示區(qū)域D中也同樣形成包含絕緣材料的層。此外，該絕緣材料不限于多晶硅，只要硬度比撓性基板5高，則也可以是其它材料。
[0090]接著，對(duì)該包含絕緣材料的層進(jìn)行圖案形成，在非顯示區(qū)域E中形成硬度比撓性基板5高的支承層即絕緣支承層61a。該圖案形成中，如圖1、6所示，以絕緣支承層61a在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)的方式，調(diào)整絕緣支承層61a的形成范圍。
[0091]此外，該對(duì)絕緣支承層61a進(jìn)行圖案形成的工序中，也可以通過同時(shí)在顯示區(qū)域D中也進(jìn)行包含絕緣材料的層的圖案形成，而在與非顯示區(qū)域E的絕緣支承層61a相同的層中的顯示區(qū)域D，形成圖2所示的多晶硅半導(dǎo)體層11a。
[0092]圖7是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，以覆蓋絕緣支承層61a上和從絕緣支承層61a露出的底涂層6上的方式，形成包含絕緣材料的第一絕緣膜61b。該工序中，也可以在圖2所示的顯示區(qū)域D的底涂層6上，也形成包含與第一絕緣膜61b相同的材料的柵極絕緣層lib。
[0093]接著，以覆蓋非顯示區(qū)域E中的第一絕緣膜61b上的方式，形成例如MoW等金屬膜。該工序中，也可以在圖2所示的顯示區(qū)域D的柵極絕緣層Ilb上也形成金屬膜。此外，該金屬膜的材料不限于MoW，只要是硬度比撓性基板5高的材料，則也可以是其他材料。
[0094]圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，對(duì)第一絕緣膜61b上形成的金屬膜進(jìn)行圖案形成，在非顯示區(qū)域E中，形成硬度比撓性基板5高的支承層即金屬支承層61c。該圖案形成中，如圖1、圖8所示，以金屬支承層61c在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)的方式，調(diào)整其形成范圍。
[0095]此外，該形成金屬支承層61c的工序中，也可以通過同時(shí)在顯示區(qū)域D中也進(jìn)行金屬膜的圖案形成，而在顯示區(qū)域D的與金屬支承層61c相同的層，形成圖2所示的柵極電極(配線)11c。
[0096]接著，以覆蓋金屬支承層61c上和從金屬支承層61c露出的第一絕緣膜61b上的方式，形成包含絕緣材料的第二絕緣膜61d。此時(shí)，也可以通過在顯示區(qū)域D中也以覆蓋柵極電極(配線)Ilc的方式形成絕緣材料，而在顯示區(qū)域D中形成與非顯示區(qū)域E的第二絕緣膜61d同一層的第二絕緣膜lid。
[0097]接著，以覆蓋第二絕緣膜61d的方式，形成例如鋁膜。圖9是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，通過對(duì)該鋁膜進(jìn)行圖案形成，而在與絕緣支承層61a和金屬支承層61c對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成第二配線61e。此外，第二配線61e的材料不限于鋁，也可以是其它材料。
[0098]此外，該工序中，也可以通過在顯示區(qū)域D中的與第二配線61e相同的層中也對(duì)鋁膜進(jìn)行圖案形成，而形成包含與第二配線61e相同的材料的源極、漏極電極lie。
[0099]圖10是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，以覆蓋第二配線61e上和第二絕緣膜61d上露出的區(qū)域的方式，形成包含絕緣材料的第三絕緣膜61f。
[0100]該形成第三絕緣膜61f的工序中，也可以通過在顯示區(qū)域D中同樣地使絕緣材料層疊，而形成與非顯示區(qū)域E的第三絕緣膜61f同一層的第三絕緣膜Ilf。由此，在撓性基板5的顯示區(qū)域D上，形成圖2所示的薄膜晶體管11。
[0101]接著，如圖10所示，形成貫通非顯示區(qū)域E中的第三絕緣膜61f使第二配線61e的上表面61el露出的接觸孔71a。
[0102]圖11是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置I的制造方法、在與圖3同樣的視野中表示圖1所示的顯示裝置I的概要截面圖。接著，以覆蓋第三絕緣膜61f的上表面和接觸孔71a內(nèi)的方式，包覆包含ITO等具有透光性的材料的透光膜。接著，通過對(duì)該透光膜進(jìn)行圖案形成，形成覆蓋接觸孔71a內(nèi)的端子電極71。
[0103]該形成端子電極71的工序中，也可以通過在顯示區(qū)域D中同樣地形成透光膜并進(jìn)行圖案形成，而形成陽(yáng)極32。
[0104]之后，如圖2所示，通過在撓性基板5的顯示區(qū)域D上形成像素分離膜14、有機(jī)電致發(fā)光元件30和密封膜40，形成具有撓性基板5、底涂層6、具有薄膜晶體管11的電路層12、平坦化膜13、有機(jī)電致發(fā)光兀件30、密封膜40的第一基板10。
[0105]接著，以隔著填充劑45與第一基板10的顯示區(qū)域D的上表面相對(duì)的方式配置第二基板(相對(duì)基板)50。
[0106]接著，如圖1、3所示，在支承層(絕緣支承層61a、金屬支承層61c)的非顯示區(qū)域E上，以俯視形狀比支承層小的IC芯片3在俯視時(shí)位于支承層的內(nèi)側(cè)的方式隔著各向異性導(dǎo)電膜72壓接該IC芯片3。
[0107]具體而言，首先，在端子電極71上貼合各向異性導(dǎo)電膜72。接著，配置具有端子73的IC芯片3，使端子73隔著各向異性導(dǎo)電膜72位于端子電極71上。接著，通過在加熱的同時(shí)從IC芯片3之上施加壓力，使IC芯片3的端子73隔著各向異性導(dǎo)電膜72壓接于端子電極71。由此，IC芯片3與顯示區(qū)域D中的薄膜晶體管11導(dǎo)通。
[0108]之后，通過從基礎(chǔ)基板70剝離撓性基板5，形成圖1至圖3所示的顯示裝置I。
[0109]本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，在各向異性導(dǎo)電膜72與撓性基板5之間形成絕緣支承層61a和金屬支承層61c中的至少一方，作為俯視形狀比IC芯片3大并且硬度比撓性基板5高的支承層，由此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法相比，能夠抑制壓接IC芯片3時(shí)作用于各向異性導(dǎo)電膜72的壓力被撓性基板5吸收。因此，能夠使IC芯片3與薄膜晶體管11穩(wěn)定地導(dǎo)通，由此能夠制造可靠性高的顯示裝置I。
[0110]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，形成例如絕緣支承層61a作為支承層，因此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法相比，能夠抑制壓接IC芯片3時(shí)的加熱和冷卻所引起的應(yīng)力作用于IC芯片3周圍的第一基板10。因此，能夠使IC芯片3周邊的第一基板10的表面不發(fā)生變形地使IC芯片3與第一基板10壓接。
[0111]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，形成包含絕緣材料的絕緣支承層61a作為支承層，因此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法相比，能夠提高端子電極71與撓性基板5之間的絕緣性，能夠制造可靠性高的顯示裝置I。
[0112]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，以俯視時(shí)位于顯示區(qū)域D的外側(cè)的方式形成支承層，因此能夠在與顯示區(qū)域D內(nèi)的柵極絕緣層Ilb相同的層形成絕緣支承層61a。因此，與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠不增加顯示區(qū)域D中的第一基板10的厚度地得到上述的本發(fā)明的效果。
[0113]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，在各向異性導(dǎo)電膜72與撓性基板5之間形成包含金屬的金屬支承層61c作為支承層中的一層，因此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，能夠抑制從IC芯片3作用于各向異性導(dǎo)電膜72的壓力被撓性基板5吸收。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置I的可靠性提高。
[0114]此外，金屬支承層61c在與顯示裝置D中的薄膜晶體管11的柵極電極(配線)Ilc相同的層形成，因此與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法相比，能夠不增加顯示區(qū)域D中的第一基板10的厚度地得到上述的本發(fā)明的效果。
[0115]此外，本實(shí)施方式中的顯示裝置I的制造方法中，形成絕緣支承層61a和金屬支承層61c這兩者作為支承層，因此與僅形成某一方的支承層的制造方法相比，能夠抑制壓接IC芯片3時(shí)的第一基板10的表面發(fā)生變形，并抑制IC芯片3與薄膜晶體管11的導(dǎo)通不良。
[0116]以上說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。例如，上述實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)也可以用實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)、起到相同作用效果的結(jié)構(gòu)、或者能夠達(dá)成相同目的的結(jié)構(gòu)置換。
[0117]圖12是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的變形例、在與圖3同樣的視野中表示圖4所示的顯示裝置I的概要截面圖。例如，也可以這樣在與顯示區(qū)域D中的柵極電極Ilc相同的層形成配線下部62c以代替金屬支承層61c。通過這樣僅形成絕緣支承層61a作為支承層，與沒有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法相比，能夠制造能夠防止端子電極71與支承層短路的可靠性高的顯示裝置I。
[0118]此外，形成的支承層的數(shù)量不限于2層以下。只要硬度比撓性基板5高、俯視形狀比IC芯片3大、且在撓性基板5與各向異性導(dǎo)電膜72之間形成，則也可以形成3層以上的支承層。
[0119]以上描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但也可以進(jìn)行各種變形，本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)的各種變形都包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 第一基板，其具有撓性基板，被劃分為顯示區(qū)域和其外側(cè)的非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域的所述撓性基板上形成有薄膜晶體管和顯示元件； 與所述第一基板的所述顯示區(qū)域的上表面相對(duì)地配置的第二基板；和 壓接在所述第一基板的所述非顯示區(qū)域上的IC芯片， 所述第一基板中， 在所述撓性基板與所述IC芯片之間，具有至少一層以上的俯視形狀比所述IC芯片大、硬度比所述撓性基板高的支承層， 所述IC芯片在俯視時(shí)位于設(shè)置有所述支承層的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 所述支承層在俯視時(shí)位于所述顯示區(qū)域的外側(cè)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于: 所述支承層中的一層是包含金屬的金屬支承層。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于: 所述金屬支承層與所述薄膜晶體管的配線形成在同一層。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 所述支承層中的一層是包含絕緣材料的絕緣支承層。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 所述支承層中的一層由多晶硅形成。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 所述支承層具有包含絕緣材料的絕緣支承層和包含金屬的金屬支承層， 所述絕緣支承層與所述金屬支承層相比形成在更靠所述撓性基板一側(cè)的位置， 在所述絕緣支承層與所述金屬支承層之間形成有絕緣膜。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于: 所述絕緣膜是所述薄膜晶體管的柵極絕緣膜。
9.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在基礎(chǔ)基板上形成劃分為顯示區(qū)域和其外側(cè)的非顯示區(qū)域的撓性基板的工序； 在所述撓性基板上形成至少一層以上的硬度比所述撓性基板高的支承層的工序； 在所述撓性基板的所述顯示區(qū)域上形成薄膜晶體管和顯示元件的工序； 與所述顯示區(qū)域相對(duì)地配置相對(duì)基板的工序； 在所述支承層的所述非顯示區(qū)域上，以使俯視形狀比所述支承層小的IC芯片在俯視時(shí)位于設(shè)置有所述支承層的區(qū)域的內(nèi)側(cè)的方式壓接該IC芯片的工序；和從所述撓性基板剝離所述基礎(chǔ)基板的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 在形成所述支承層的工序中， 以俯視時(shí)位于所述顯示區(qū)域的外側(cè)的方式形成所述支承層。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于: 由金屬形成所述支承層中的一層即金屬支承層。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于:在與所述薄膜晶體管的配線相同的層形成所述金屬支承層。
13.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于:用多晶硅形成所述支承層中的一層即絕緣支承層。
14.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于:所述支承層具有包含絕緣材料的絕緣支承層和包含金屬的金屬支承層，所述絕緣支承層與所述金屬支承層相比形成在更靠所述撓性基板一側(cè)的位置，在所述絕緣支承層與所述金屬支承層之間形成有絕緣膜。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104518002SQ201410521919
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月2日
【發(fā)明者】鶴岡歷人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器