一種銅鋅錫硫薄膜太陽(yáng)電池器件及其制備方法
【專利摘要】一種基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫硫薄膜太陽(yáng)電池器件。1.聚酰亞胺柔性襯底薄膜太陽(yáng)電池具有較高的重量比功率；具有柔性、可折疊性和不怕摔碰的優(yōu)勢(shì)；成本降低潛能大，適合大規(guī)模生產(chǎn)的卷-卷工藝。2.銅鋅錫硫各組成元素儲(chǔ)量豐富且對(duì)環(huán)境無(wú)污染，制備成本低；禁帶寬度在1.45eV左右，非常接近光伏電池的理想帶隙1.4eV；是一種直接帶隙p型半導(dǎo)體材料，光學(xué)吸收系數(shù)超過(guò)104cm-1，非常適合作為薄膜太陽(yáng)電池的吸收層材料；電池轉(zhuǎn)換效率高，從理論上將可達(dá)到單結(jié)電池的最高轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是電池制備方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)施，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，尤其在太空及特殊場(chǎng)合中具有極其重要的應(yīng)用前景。
【專利說(shuō)明】一種銅鋅錫硫薄膜太陽(yáng)電池器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜太陽(yáng)電池領(lǐng)域技術(shù)，特別是一種基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件及其制備。

【背景技術(shù)】
[0002]銅鋅錫砸材料￠213)屬于12-111-1乂；14族四元化合物半導(dǎo)體，主要具有鋅黃錫礦、黃錫礦和銅金合金結(jié)構(gòu)。其中，鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)比起其他結(jié)構(gòu)類型在熱力學(xué)上有著更好的穩(wěn)定性。
[0003]銅鋅錫砸電池的特點(diǎn):銅鋅錫砸各組成元素儲(chǔ)量豐富且對(duì)環(huán)境無(wú)污染，制備成本低；銅鋅錫砸的禁帶寬度在1.0^左右，與太陽(yáng)光譜非常匹配；銅鋅錫砸是一種直接帶隙？型半導(dǎo)體材料，光學(xué)吸收系數(shù)超過(guò)川4^—1，非常適合作為薄膜太陽(yáng)電池的吸收層材料；電池轉(zhuǎn)換效率高，從理論上將可達(dá)到單結(jié)電池的最高轉(zhuǎn)換效率。2013年301犯' 辦0社161'公司與181、東京應(yīng)化工業(yè)(101()合組的共同研發(fā)的以13薄膜太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率提高至12.6%(電池尺寸0.4201112)。
[0004]航空航天領(lǐng)域需要太陽(yáng)電池有較高的質(zhì)量比功率，即希望單位質(zhì)量的太陽(yáng)電池能發(fā)出更多的電量。對(duì)于地面光伏建筑物的曲面造型和移動(dòng)式的光伏電站等要求太陽(yáng)電池具有柔性、可折疊性和不怕摔碰，這就促進(jìn)了柔性太陽(yáng)電池的發(fā)展。由于相對(duì)較強(qiáng)的耐高溫能力和較為適合的膨脹系數(shù)，聚酰亞胺$1)在其中脫穎而出。


【發(fā)明內(nèi)容】

:
[0005]本發(fā)明提供了一種基于聚酰亞胺襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件的制備方案。以柔性的聚酰亞胺膜作為襯底，在其表面依次制備背接觸層、銅鋅錫砸吸收層、硫化鎘緩沖層、透明窗口層和鋁上電極。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案
[0007]一種基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池，所用聚酰亞胺膜的厚度為25-30 V 0；鉬背接觸層生長(zhǎng)于聚酰亞胺膜襯底之上，分為高阻層和低阻層，其中高阻層的厚度為80-12011111，低阻層的厚度為600-70011111，采用直流磁控濺射系統(tǒng)制備；銅鋅錫砸吸收層生長(zhǎng)于鉬薄膜之上，化學(xué)分子式為導(dǎo)電類型為？型，厚度為1-2 V %采用01-700型鍍膜機(jī)，應(yīng)用共蒸發(fā)制備工藝；氟化鈉預(yù)制層薄膜生長(zhǎng)于銅鋅錫硫吸收層之上，化學(xué)分子式為版I？，厚度為20-3011111，采用01-700型鍍膜機(jī)，應(yīng)用蒸發(fā)制備工藝；硫化鎘緩沖層生長(zhǎng)于銅鋅錫砸吸收層表面，化學(xué)分子式為以3，導(dǎo)電類型為=型，厚度為45-50=%采用化學(xué)水浴法制備工藝；透明窗口層生長(zhǎng)于硫化鎘緩沖層之上，分為高阻本征氧化鋅薄膜和低阻氧化鋅鋁薄膜，導(dǎo)電類型為II型，其中本征氧化鋅薄膜的厚度為50-100?。。。。?，氧化鋅鋁薄膜的厚度為0.4-0.6 V?。。?，分別采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)和直流磁控濺射制備系統(tǒng)制備；鋁上電極薄膜生長(zhǎng)于透明窗口層之上，其厚度為0.8-1.5 0！?。?，采用共蒸發(fā)制備系統(tǒng)制備。
[0008]鉬背接觸層的制備步驟如下:
[0009]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的10為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面分別沉積一層高阻和低阻的鉬薄膜。
[0010]所述在襯底表面沉積一層高阻薄膜的工藝參數(shù)為:本底真空:3.0X10—，工作氣壓為1-2？^！，襯底溫度為室溫25-501，射頻功率為500-7001，紅氣流量為30-508(^%基靶行走速度為4-6皿/?沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為2-4次。
[0011]所述在襯底表面沉積一層低阻薄膜的工藝參數(shù)為:工作氣壓為0-0.5？^襯底溫度為室溫25-501，射頻功率為1500-20001，紅氣流量為15-208(^%基靶行走速度為4-6皿/?沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為4-6次。
[0012]銅鋅錫砸吸收層薄膜的制備步驟如下:
[0013]①本底真空為3.0父10—4？3，襯底溫度為450-5001:，211蒸發(fā)源溫度為300-4001:，811蒸發(fā)源溫度為1000-11001，86蒸發(fā)源溫度為220-2401:，共蒸發(fā)211、&1、86三種元素，蒸發(fā)時(shí)間為2111111，制備2136預(yù)制層薄膜
[0014]②襯底溫度為550-580 1，共蒸。和兩種元素，其中。蒸發(fā)源溫度為1100-1200 X:，36蒸發(fā)源溫度為220-240 X:，使生成輔助晶粒生長(zhǎng)，蒸發(fā)時(shí)間為30-50111111
[0015]③保持第二步的襯底溫度不變，共蒸三種元素，使完全消耗，蒸發(fā)時(shí)間為30-50111111，得到的薄膜為￠1型直接帶隙半導(dǎo)體，鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)整襯底、各蒸發(fā)源溫度及共蒸時(shí)間，控制銅鋅錫砸薄膜貧銅富鋅，其中￠^/(211+811) = 0.8-1.0，211/811 =
1.0-1.2，80/ (￠11+211+811)約等于 1
[0016]④將各蒸發(fā)源冷卻到室溫，同時(shí)將襯底冷卻，當(dāng)蒸發(fā)和36的同時(shí)將襯底冷卻到300-3501:時(shí)，關(guān)閉和56蒸發(fā)源，再將襯底冷卻到室溫
[0017]氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備步驟如下:
[0018]1)本底真空為3.0^ 10—4？3，襯底溫度為300-3501，蒸發(fā)版預(yù)置層，其中版蒸發(fā)源的溫度為800-8501，蒸發(fā)時(shí)間為1-20111。
[0019]2)襯底溫度為450-500 X:，在％和56氣氛下進(jìn)行退火，其中蒸發(fā)源的溫度為1100-12001，86蒸發(fā)源的溫度為240-2801:，退火時(shí)間為10111111。
[0020]硫化鎘緩沖層的制備步驟如下:
[0021]1)配置溶液，制備硫脲3“順》2溶液1匕濃度為0.01^01/1 ；醋酸鎘(⑶#00)%和醋酸氨(?⑶0見(jiàn)！4混合溶液1匕其中醋酸鎘溶液濃度為0.001001/1,醋酸氨溶度為0.00311101/1 ；氨水順3.！！20 溶度為 1.3 X。
[0022]2)配置反應(yīng)溶液1匕取第一步中所配置的各種溶液；其中硫脲溶液25此，醋酸鎘和醋酸氨混合溶液251111，氨水溶液4滴。攪拌均勻。
[0023]3)將樣品放入燒杯中，并將燒杯放入水浴鍋內(nèi)。水浴溫度設(shè)置為78-801，制備時(shí)間為 50-60-0
[0024]4)制備完成后，將樣品用去離子水沖洗干凈。
[0025]本征氧化鋅薄膜的制備步驟如下:
[0026]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的1-2=0為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面沉積一層本征氧化鋅薄膜。
[0027]所述在襯底表面沉積一層氧化鋅鋁薄膜的工藝參數(shù)為:本底真空:3』^10—4？3，襯底溫度為室溫25-501，射頻功率為800-10001，紅氣流量為10-208(^% 02氣流量為2-68(^111，基勒1行走速度為2-6111111/8，沉積時(shí)間(基勒1的往復(fù)次數(shù))為6-10次。
[0028]氧化鋅鋁薄膜的制備步驟如下:
[0029]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的2=0:八1為靶材，采用直流磁控濺射工藝在襯底表面沉積一層2=0:纟1薄膜。
[0030]所述在襯底表面沉積一層氧化鋅鋁薄膜的工藝參數(shù)為:本底真空:3』^10—4？3，襯底溫度為25-501，直流功率為1000-12001，紅氣流量為12-188(^%基靶行走速度為2-6111111/8，沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為10-15次。
[0031]鋁上電極的制備步驟如下:
[0032]1)本底真空:3.0父10—4？3，給予加熱絲204電流，持續(xù)1.2111111 ；給予加熱絲50八電流，持續(xù)1-2111111 ；給予加熱絲80八電流，持續(xù)1-2111111 ；給予加熱絲120八電流，持續(xù)5-8111111。
[0033]2)待觀察窗玻璃被鋁膜完全覆蓋之后，停止加熱，緩慢降低給予加熱絲電流，之后冷卻。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]附圖1為基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件結(jié)構(gòu)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0036]實(shí)施例1
[0037]基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池的制備，其制備步驟如下:
[0038]1)鉬背接觸層的制備
[0039]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的10為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面分別沉積一層高阻和低阻的鉬薄膜。①本底真空:3.0 X 工作氣壓為襯底溫度為室溫251:，射頻功率為6001，紅氣流量為基靶行走速度為4./8,沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為2次。②工作氣壓為0.1？^襯底溫度為室溫251，射頻功率為15001，紅氣流量為基靶行走速度為沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為6次。
[0040]2)銅鋅錫砸吸收層的制備
[0041]①本底真空為3.0 X 10—襯底溫度為4501:，211蒸發(fā)源溫度為3001:，蒸發(fā)源溫度為10001，86蒸發(fā)源溫度為2201，共蒸發(fā)211、&1、86三種元素，蒸發(fā)時(shí)間為2-11，制備21%預(yù)制層薄膜；②襯底溫度為5501，共蒸。和％兩種元素，其中。蒸發(fā)源溫度為11001，86蒸發(fā)源溫度為2201，使生成輔助晶粒生長(zhǎng)，蒸發(fā)時(shí)間為；③保持第二步的襯底溫度不變，共蒸211、&1、8三種元素，使完全消耗，蒸發(fā)時(shí)間為30111111，得到的薄膜為？型直接帶隙半導(dǎo)體，鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)整襯底、各蒸發(fā)源溫度及共蒸時(shí)間，控制銅鋅錫砸薄膜貧銅富鋅，其中011/(211+811) = 0.8-1.0，211/811 = 1.0-1.2，80/￠11+2=+?)約等于1 ；④將各蒸發(fā)源冷卻到室溫，同時(shí)將襯底冷卻，當(dāng)蒸發(fā)和56的同時(shí)將襯底冷卻到3001:時(shí)，關(guān)閉和36蒸發(fā)源，再將襯底冷卻到室溫。
[0042]3)氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備步驟如下:
[0043]①本底真空為3.0父10—4？3，襯底溫度為3001，蒸發(fā)版I？預(yù)置層，其中版I？蒸發(fā)源的溫度為8001，蒸發(fā)時(shí)間為加化。
[0044]②襯底溫度為450 X:，在和％氣氛下進(jìn)行退火，其中％蒸發(fā)源的溫度為11001:，86蒸發(fā)源的溫度為2401，退火時(shí)間為川砧!!。
[0045]4)硫化鎘緩沖層薄膜的制備
[0046]①配置溶液，制備硫脲3“順2〉2溶液1匕濃度為0.0111101/1 ；醋酸鎘(⑶#00)%和醋酸氨(?⑶0見(jiàn)！4混合溶液1匕其中醋酸鎘溶液濃度為0.001001/1,醋酸氨溶度為0.00311101/1 ；氨水順3.??！20 溶度為 1.3 X。
[0047]②配置反應(yīng)溶液1匕取第一步中所配置的各種溶液；其中硫脲溶液25此，醋酸鎘和醋酸氨混合溶液25111匕氨水溶液4滴。攪拌均勻。③將樣品放入燒杯中，并將燒杯放入水浴鍋內(nèi)。水浴溫度設(shè)置為781，制備時(shí)間為6001?。?。④制備完成后，將樣品用去離子水沖洗干凈。
[0048]5)本征氧化鋅薄膜的制備
[0049]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99%的1-2=0為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面沉積一層本征氧化鋅薄膜。工藝參數(shù)為:本底真空:3.0父10—4？^襯底溫度為室溫351，射頻功率為8001，紅氣流量為02氣流量為3800111,基勒1行走速度為4111111/8，沉積時(shí)間(基勒1的往復(fù)次數(shù))為8次。
[0050]6)氧化鋅鋁薄膜的制備
[0051]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99%的2=0:八1為靶材，采用直流磁控濺射工藝在襯底表面沉積一層2=0:八1薄膜。工藝參數(shù)為:本底真空:3.0父10—4？3，襯底溫度為室溫251，直流功率為10001，紅氣流量為基靶行走速度為6皿/?沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為10次。
[0052]7)鋁上電極的制備
[0053]①本底真空:3.0父10—4？1給予加熱絲204電流，持續(xù)2-11 ；給予加熱絲504電流，持續(xù)2111111 ；給予加熱絲80八電流，持續(xù)2111111 ；給予加熱絲120八電流，持續(xù)6111111。②待觀察窗玻璃被鋁膜完全覆蓋之后，停止加熱，緩慢降低給予加熱絲電流，之后冷卻。
[0054]附圖1為基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件結(jié)構(gòu)的示意圖
[0055]實(shí)施例2
[0056]基于聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池的制備，其制備步驟如下:
[0057]1)鉬背接觸層的制備
[0058]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的10為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面分別沉積一層高阻和低阻的鉬薄膜。①本底真空:3.0 X 10—4？^工作氣壓為襯底溫度為室溫251:，射頻功率為6001，紅氣流量為408(^%基靶行走速度為4./8,沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為2次。②工作氣壓為0.1？^襯底溫度為室溫251，射頻功率為15001，紅氣流量為基靶行走速度為沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為6次。
[0059]2)銅鋅錫砸吸收層的制備
[0060]①本底真空為3.0父10—4？3，襯底溫度為5001，2=蒸發(fā)源溫度為4001,?蒸發(fā)源溫度為11001，86蒸發(fā)源溫度為2401，共蒸發(fā)2:！、&1、86三種元素，蒸發(fā)時(shí)間為2-1制備21%預(yù)制層薄膜；②襯底溫度為5801，共蒸。和％兩種元素，其中。蒸發(fā)源溫度為12001，86蒸發(fā)源溫度為2401，使生成輔助晶粒生長(zhǎng)，蒸發(fā)時(shí)間為；③保持第二步的襯底溫度不變，共蒸211、&1、8三種元素，使完全消耗，蒸發(fā)時(shí)間為50111111，得到的薄膜為？型直接帶隙半導(dǎo)體，鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)整襯底、各蒸發(fā)源溫度及共蒸時(shí)間，控制銅鋅錫砸薄膜貧銅富鋅，其中011/(211+811) = 0.8-1.0，211/811 = 1.0-1.2，80/￠11+2=+?)約等于1 ；④將各蒸發(fā)源冷卻到室溫，同時(shí)將襯底冷卻，當(dāng)蒸發(fā)和56的同時(shí)將襯底冷卻到3501:時(shí)，關(guān)閉和36蒸發(fā)源，再將襯底冷卻到室溫。
[0061]3)氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備步驟如下:
[0062]①本底真空為3.0父10—4？3，襯底溫度為3501，蒸發(fā)版I？預(yù)置層，其中版I？蒸發(fā)源的溫度為8501，蒸發(fā)時(shí)間為2111111。
[0063]②襯底溫度為500 X:，在和％氣氛下進(jìn)行退火，其中％蒸發(fā)源的溫度為12001，86蒸發(fā)源的溫度為2801，退火時(shí)間為川砧!!。
[0064]3)硫化鎘緩沖層薄膜的制備
[0065]①配置溶液，制備硫脲3“順2〉2溶液1匕濃度為0.0111101/1 ；醋酸鎘(⑶#00)%和醋酸氨(?⑶0見(jiàn)！4混合溶液1匕其中醋酸鎘溶液濃度為0.001001/1,醋酸氨溶度為0.00311101/1 ；氨水順3.?。?0 溶度為 1.3 X。
[0066]②配置反應(yīng)溶液1匕取第一步中所配置的各種溶液；其中硫脲溶液25此，醋酸鎘和醋酸氨混合溶液25111匕氨水溶液4滴。攪拌均勻。③將樣品放入燒杯中，并將燒杯放入水浴鍋內(nèi)。水浴溫度設(shè)置為781，制備時(shí)間為6001??！。④制備完成后，將樣品用去離子水沖洗干凈。
[0067]4)本征氧化鋅薄膜的制備
[0068]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99%的1-2=0為靶材，采用射頻磁控濺射制備系統(tǒng)在襯底表面沉積一層本征氧化鋅薄膜。工藝參數(shù)為:本底真空:3.0父10—4？^襯底溫度為室溫351，射頻功率為8001，紅氣流量為02氣流量為3800111,基勒1行走速度為4111111/8，沉積時(shí)間(基勒1的往復(fù)次數(shù))為8次。
[0069]5)氧化鋅鋁薄膜的制備
[0070]在直流磁控濺射沉積系統(tǒng)的沉積室中，以純度為99.99 %的2=0:八1為靶材，采用直流磁控濺射工藝在襯底表面沉積一層2=0:八1薄膜。工藝參數(shù)為:本底真空:3.0父10—4？3，襯底溫度為室溫251，直流功率為10001，紅氣流量為基靶行走速度為6皿/?沉積時(shí)間(基靶的往復(fù)次數(shù))為10次。
[0071]6)鋁上電極的制備
[0072]①本底真空:3.0X10—4？3，給予加熱絲204電流，持續(xù)2-11 ；給予加熱絲504電流，持續(xù)2111111 ；給予加熱絲80八電流，持續(xù)2111111 ；給予加熱絲120八電流，持續(xù)6111111。②待觀察窗玻璃被鋁膜完全覆蓋之后，停止加熱，緩慢降低給予加熱絲電流，之后冷卻。
[0073]檢測(cè)結(jié)果與實(shí)施例1相同。
[0074]綜上所述，本發(fā)明提供了一種基于聚酰亞胺柔性襯底銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件的制備方案，以柔性的聚酰亞胺膜作為襯底，在其表面依次制備背接觸層、銅鋅錫砸吸收層、硫化鎘緩沖層、透明窗口層和鋁上電極。該制備方法工藝條件方便易行，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，尤其在太空及特殊場(chǎng)合中具有極其重要的應(yīng)用前景。
[0075]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種聚酰亞胺柔性襯底的銅鋅錫砸薄膜太陽(yáng)電池器件的制備方法，其特征在于:氟化鈉預(yù)制層和銅鋅錫砸吸收層采用共蒸發(fā)薄膜制備系統(tǒng)，應(yīng)用三步共蒸發(fā)后摻鈉的制備工藝，氟化鈉預(yù)制層生長(zhǎng)于銅鋅錫砸吸收層之上。
2.一種如權(quán)利要求1所述的氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備，其生長(zhǎng)于銅鋅錫砸吸收層之上，實(shí)現(xiàn)了三步共蒸發(fā)銅鋅錫砸薄膜鈉元素的后摻雜，然后再退火，其目的在于: ①鈉元素可以擴(kuò)散到銅鋅錫砸晶粒表面改善電池的電學(xué)性能； ②提高襯底溫度，在和36的氣氛下退火可以使銅鋅錫砸薄膜再結(jié)晶，從而改善薄膜的結(jié)晶質(zhì)量。
3.一種如權(quán)利要求1所述的氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備方法，其特征在于:采用共蒸發(fā)薄膜制備系統(tǒng)，應(yīng)用蒸發(fā)的制備工藝，氟化鈉預(yù)制層薄膜的制備步驟如下: ①本底真空為3.0乂 10—4？3，襯底溫度為300-3501，蒸發(fā)版I？預(yù)置層，其中蒸發(fā)源的溫度為800-8501，蒸發(fā)時(shí)間為1-2-11 ； ②襯底溫度為450-500X:，在％和％氣氛下進(jìn)行退火，其中％蒸發(fā)源的溫度為1100-12001，86蒸發(fā)源的溫度為240-2801:，退火時(shí)間為10111111。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104485372SQ201410531361
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】薛玉明, 劉浩, 郭曉倩, 李鵬海, 潘洪剛, 劉君, 宋殿友, 朱亞?wèn)|, 馮少君, 尹富紅, 高林, 航偉, 喬在祥, 王秀麗, 任弼, 湯志欽, 張獻(xiàn)東, 周波, 田雨仙, 胡濤 申請(qǐng)人:天津理工大學(xué)